SCGSLM358 Dual Operational Amplifiers
发布时间:
2018-08-04
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
SECOS
型号:
SCGSLM358
本数据手册详细介绍了SCGSLM358双通道运算放大器的技术参数与应用特性。该器件专为单电源供电系统设计,具备高增益及内部频率补偿功能,能够适应单位增益配置,并支持3V至32V的宽供电电压范围。SCGSLM358拥有100dB的大直流电压增益,其输入共模电压范围包含地,输出电压摆幅可从0V延伸至Vcc-1.5V,且具备适合电池操作的低功耗特性,采用SOP-8封装形式。凭借这些技术优势,该器件广泛应用于传感器放大器、直流增益模块以及传统运算放大器电路等多种场景。针对文中所述器件,SCGSLM358在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足服务。此外,平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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SGPLM358双路运算放大器
Rev. A
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SGSC4558双路运算放大器
Rev. A
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SCGS358J-C低功耗双路运算放大器
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BAS16V-C 0.3A,100V塑料封装晶体管
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ABS22~ABS210电压200V~1000V 2.0安培单相表面贴装玻璃钝化整流桥
Rev. B
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SM4001A-C~SM4007A-C电压50V~1000V 1.0安培表面贴装硅整流器
Rev. G
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SK34LL-C电压40V 3.0 A低V-F肖特基势垒整流器
Rev. G
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SM1100DT-C电压100V 1.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev.B
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SCS130P-C 1A、30V肖特基势垒整流器
Rev. E
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SCS1100P-C 1A、100V肖特基势垒整流器
Rev. H
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SM120A-C~SM1100A-C电压20V~100V 1.0安培表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. E
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SZ78xx-B系列3端正电压稳压器
Rev. A
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TLT432B可调精确参考源
Rev. A
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SSPRDJ4411-C-16A、-30V、R-DS(ON)32mΩ双通道P沟道增强型功率MOSFET
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SSQF60N12SV-C 60A,120V,R-DS(ON)7mΩN沟道屏蔽沟槽栅功率MOSFET
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UG8KB05A~UG8KB100A电压50V~1000V 8.0安培玻璃钝化整流桥
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SK240LFL-C 40V,2A低VF肖特基势垒整流器
Rev. B
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SM3100DT-C电压100V 3.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev.C
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SM120DT-C〜SM140DT-C电压20V~40V 1.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. C
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SM520B-C〜SM560B-C电压20V~60V 5.0安培肖特基势垒整流器
Rev.E
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BAV23系列-C电压250V,225mA表面贴装小信号开关二极管
Rev.D
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SFL1660电压600V 16.0安培低损耗超快整流器
Rev. C
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HER101G〜HER107G电压50-1000 V 1.0安培,玻璃钝化高效整流器
Rev.D
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SST2013-C-4.5A,-20V,RDS(ON)45mΩP沟道增强型MOSFET
Rev. A
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SSF3056NE-C 0.56A,30V,RDS(ON)700mΩN通道增强型功率MOSFET
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SBL40U45F电压45V,40A低VF平面MOS势垒肖特基整流器
Rev. A
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UMH11N-C双通道XPN数字晶体管(内置电阻)
Rev. C
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UMH13N-C双通道XPN数字晶体管(内置电阻)
Rev. B
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MMBT3904FW-C 0.2A,60V NPN硅通用晶体管
Rev. C
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MMBT2222ATC 0.H75V NPN硅通用晶体管
Rev. B
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2SA1576A-C-0.15A,-60V PNP硅外延平面晶体管
Rev. D
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SSPR37N45S-C 37A,45V,RDS(ON)9.5mΩN沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR10M0-C 10A,100V,R?S(?N)70ΩN沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR5A2P15-C-5.2A,-150V,RDS(ON)780mΩP沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR32P03-C-32A,-30V,RDS(ON)27mΩP沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSI3139J-C-0.66A,-20V,RDS(ON)520mΩ双通道P通道增强型功率MOSFET
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SSF3134KW-C 0.75A,20V,RDS(ON)400mΩN通道增强型功率MOSFET
Rev. F
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2SD1664-R 1A,40V NPN塑封晶体管
Rev. A
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MMDT3946-C塑封多芯片(NPN+PNP)晶体管
Rev. G
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
中微爱芯双运算放大器——AiP4558L
AiP4558L是由两个独立的通用运算放大器组成。每个运放功能与uA741类似,高共模输入电压范围和无闩锁使这个放大器非常适合电压跟随器应用。该电路具有内部频率补偿,使得电路无需外部元件即可确保稳定。
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9MHz高增益带宽积的芯谷科技双运算放大器D722,转换率8.5V/μs,适用于低电压和低噪声场合
芯谷科技D722是具有低噪声、低电压、低功耗特点的双运算放大器,具有9MHz高增益带宽积,转换率为8.5V/μs,5V时静态电流为0.97mA/每个放大器。适用于低电压和低噪声场合的应用系统,提供轨到轨的输出摆幅。
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【产品】专为改善音调控制而设的双运算放大器JR4580,低失真度约0.0005%,工作电压±2至±18V
JR4580是扬州国芯推出的一款双运算放大器,专为改善音调控制而设计,最适合音频应用。JR4580具有低噪声,更高的增益带宽,高输出电流和低失真比等特点。提供SOP8和DIP8两种封装形式。
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【产品】直流电压增益高约100dB 的双运算放大器HG4558,适用于宽电源电压的单电源及双电源工作模式
华冠半导体推出的内部包括有两个独立的、高增益、内部频率补偿的双运算放大器HG4558,采用DIP8/SOP8/MSOP8封装形式,适合于电源电压范围很宽的单电源使用,也适用于双电源工作模式,在推荐的工作条件下电源电流与电源电压无关。
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【产品】具有内部频率补偿的双运算放大器JRC4558,直流电压增益高约100dB,SOP8/DIP8封装
JRC4558内部包括有两个独立的、高增益、内部频率补偿的双运算放大器,适合于电源电压范围很宽的单电源使用,也适用于双电源工作模式,在推荐的工作条件下,电源电流与电源电压无关。采用SOP8/DIP8封装形式。
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【产品】可持续短路保护的双运算放大器电路ICF CP4580,具有宽范围的共模和差模电压
百隆电子推出双运算放大器电路ICF CP4580,该产品除了没有失调调零的功能外,每个通道的电气性能和UA741类似。具有宽广的共模输入电压范围,消除了闩锁,使得电压跟随器的应用非常理想。同时具有短路保护功能,内部频率补偿,从而保证了无需外部元件即可保持稳定。
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【产品】低功耗电流的双运算放大器LMV358,具有内部频率补偿,直流电压增益高100dB,适合电池供电
LMV358内部包括有两个独立、高增益、内部频率补偿的双运算放大器。适合于电源电压范围很宽的单电源使用,也适用于双电源工作模式。使用范围广。LMV358是一个低功耗,宽供电范围的性能运算放大器。
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【产品】宽电源输入3至30V的双运算放大器LM358,具有低功耗电流,适合电池供电
双运算放大器LM358内部包括有两个独立、高增益、内部频率补偿的双运算放大器。适合于电源电压范围很宽的单电源使用,也适用于双电源工作模式。使用范围广;SOP8封装;低功耗;宽供电范围。
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【产品】航顺芯片推出具有内部频率补偿的双运算放大器HK358,直流电压增益高约100dB
航顺芯片HK358双运算放大器,适合于电源电压范围很宽的单电源使用,也适用于双电源工作模式,在推荐的工作条件下,电源电流与电源电压无关。它的使用范围包括传感放大器、直流增益模块和其他所有可用单电源供电的使用运算放大器的场合。
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【应用】国产双运算放大器可替代两个单路运放助力张力传感器项目,转换速率可达8V/μs
客户做一款张力传感器,由于PCB板空间小,而电路必须要用到两个放大器,所以圣邦微的这款双运放SGM8276-2XS8G/TR只需要一颗料就可满足客户电路设计,实现将0~3.3V电压放大到10V,并且具有低噪声、高转换速率、小封装、高输入阻抗和低失调电压等特点。
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【产品】1 MHz双运算放大器 AO358B,低静态电流500μA/每放大器
AiT推出的AO358B包括两个高压(30V)运算放大器。AO358B具有低偏移(典型值为500uA)共模对地输入范围和高差分输入电压能力等特点,适用于经济高效的应用。双运算放大器AO358B设计具有增强的特性,例如单位增益稳定性,较低的失调电压(最大5mV)和较低的静态电流(500uA典型值、每个放大器),从而在低压和低噪声系统中提供最佳性能。
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