Product/Process Change Notification SMG2301
发布时间：
2018-08-04
类型：
产品变更通知及停产信息，PCN通知、停产通告
品牌：
SECOS
型号：
SMG2301
本产品变更通知详细阐述了SeCoS Corporation针对SMG2301产品实施的工艺改进，旨在通过优化内部电阻设计以显著提升产品整体效率。资料核心内容涵盖了对该器件进行的全面可靠性验证，包括高温反向偏置、高温存储寿命、压力锅测试、温度循环测试、高温高湿测试及可焊性测试等多项严苛实验。测试总结报告显示，所有关键测试项目结果均为合格，充分证明了变更后产品的可靠性与稳定性，能够满足工业级应用的高标准要求。SeCoS在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型指导、设计验证到系统调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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| 数据手册 - 英文 |
SMG2301-2.6A，-20V，RDS（ON）130mP沟道增强型功率Mos.FET
Rev. A
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停用（寿命终止）通知SMG2301P产品停用（寿命终止）通知
05-Aug-2015
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SMG2301-C-3.5A，-20V，RDS（ON）75MP沟道增强型MOSFET
Rev.B
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产品/工艺变更通知SMG2301
2017/8/25
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SMG2370N 1.8 A, 100 V, RDS(ON) 280 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
Rev.A
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产品/工艺变更通知SMG2328
2016/4/20
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SMG2361P -3.4A , -60V , RDS(ON) 210 mΩΩΩΩP-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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产品停用（寿命终止）通知SMG2334NE产品停用（寿命终止）通知
08-Feb-2016
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SMG2318N 1.2 A, 30 V, RDS(ON) 160 mΩΩΩΩN-Channel Logic Level MOSFET
Rev.A
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产品停用（寿命终止）通知SMG2391P产品停用（寿命终止）通知
15-Jan-2015
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SMG2334N 3.5A, 30V, RDS(ON) 60mN-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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产品停用（寿命终止）通知SMG2329S产品停用（寿命终止）通知
15-May-2016
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SMG2329P -2.5 A, -30 V, RDS(ON) 0.112 P-Channel Enhancement MOSFET
Rev. A
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产品停用（寿命终止）通知SMG2311B产品停用（寿命终止）通知
1-Jul-2016
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产品停用（寿命终止）通知SMG2311B产品停用（寿命终止）通知
15-May-2016
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SMG2390N N-Channel Enhancement Mode Mos.FET 1.1 A, 150 V, RDS(ON) 0.700
REV.A
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SMG2371P -1A, -100V, RDS(ON) 1.2 P-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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产品停用（寿命终止）通知SMG2310A产品停用（寿命终止）通知
01-Jun-2013
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SMG2325P -3.6 A, -20 V, RDS(ON) 55 m P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Rev,A
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SMG2315-C-1.5A，-100V，RDS（ON）240mm P沟道增强型功率MOSFET
Rev. A
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SMG2345PE -3.2A , -40V , RDS(ON) 164 mΩΩΩΩP-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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SMG2328 100V、1.5A、250mm N沟道增强型功率MOSFET
Rev. E
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MG2327P -3.6 A, -20 V, RDS(ON) 52 mP-Channel Enhancement MOSFET
Rev. B
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SMG2345P -3.2A , -40V , RDS(ON) 164 mΩΩΩΩP-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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SMG2392N 0.6A, 150V, RDS(ON) 2.6ΩΩΩΩ N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Rev.A
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SMG2336N 5.3 A, 30 V, RDS(ON) 32 mN-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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SMG2326N 2.2 A, 20 V, RDS(ON) 70 mN-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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SMG2340NE 5.2 A, 40 V, RDS(ON) 43 mN-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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SMG2328S 1.2A , 100V , RDS(ON) 310 mΩΩΩΩ N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Rev.A
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SMG2314N-C 5.3A、30V、RDS（ON）32mΩN沟道增强型MOSFET
Rev. C
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SMG2322N 2.5A, 30V, RDS(ON) 85 mN-Channel Enhancement MOSFET
Rev. A
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SMG2398NE 2.2 A, 60 V, RDS(ON) 194 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
REV.A
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SMG2398N 2.2 A, 60 V, RDS(ON) 194 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
REV.A
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SMG2343 -4.1A , -30V , RDS(ON) 45 mΩΩΩΩ P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Rev.A
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SMG2306N 3.5A , 30V , RDS(ON) 58 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
Rev.A
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SMG2342NE 5.2 A, 40 V, RDS(ON) 86 mN-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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SMG2328NE 6.3 A, 20 V, RDS(ON) 22 mN-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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SMG23023.2A，20V，RDS（ON）85mN沟道增强型功率Mos.FET
Rev.A
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SMG2322-C 0.6A、200V、RDS（ON）1.35N沟道增强型MOSFET
Rev. A
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SMG2314N 5.3A , 20V , RDS(ON) 32 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Rev.A
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SMG2321P -4.1A , -20V , RDS(ON) 79 mP-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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SMG2321-C-4.5A，-40V，RDS（0%）45mP沟道增强型MOSFET
05-Jan-2018 Rev.A
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SMG2330N 5.2A, 30V, RDS(ON) 32mΩΩΩΩN-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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SMG2319P -2.1A , -30V , RDS(ON) 200 mP-Channel Enhancement MOSFET
Rev. B
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SMG2305P -4.5A , -20V , RDS(ON) 43 mP-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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SMG2302-C 4.9A、20V、RDS（ON）37MN沟道增强型MOSFET
Rev. B
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SMG2306NE 3.5A , 30V , RDS(ON) 58 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
Rev.A
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SMG2302N 3.4 A, 20 V, RDS(ON) 76 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Rev.A
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SMG2328 C 100V、2.4A、170mΩN沟道增强型功率MOSFET
Rev. F
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SMG2314NE 5.3 A, 20 V, RDS(ON) 32 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
Rev.A
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