Product/Process Change Notification 2010-07-01C-01
发布时间：
2018-08-04
类型：
产品变更通知及停产信息，PCN通知、停产通告
品牌：
SECOS
型号：
2SC1384L
本产品变更通知详细阐述了SeCoS公司针对2SC1384L等元器件进行的可靠性测试报告及工艺变更事项。资料重点记录了高温度反向偏置、高温存储寿命、压力锅、温度循环以及高温高湿等多项关键测试，所有测试结果均显示合格，验证了器件的稳定性与可靠性。此外，通知还包含了对2SA1013等元器件实施铜键合线工艺的变更说明，并提供了详尽的测试数据支持。基于该方案，SeCoS在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及充足库存，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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2SC1383L / 2SC1384L NPN Silicon General Purpose Transisto
Rev. B
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2SC1674 0.02 A , 30 V NPN Plastic Encapsulated Transistor
Rev. A
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2SC1675 0.05 A , 50 V NPN Plastic Encapsulated Transistor
Rev. A
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2SC1318 0.5 A, 60 V NPN Plastic Encapsulated Transistor
Rev. B
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2SC1008 0.7A , 80 V NPN Plastic Encapsulated Transistor
Rev. A
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2SC1654 0.05A , 180V NPN Epitaxial Planar Transistor
Rev. B
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2SC1213, 2SC1213A NPN General Purpose Transistor
Rev. D
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2SC1740S 0.15A , 60V NPN Plastic-Encapsulated Transistor
Rev. A
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2SC1623K 0.1A , 60V NPN Epitaxial Planar Transistor
Rev. B
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2SC1923 0.02A , 40V NPN Plastic Encapsulated Transistor
Rev. C
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2SC1959 0.5A, 35V NPN Plastic Encapsulated Transistor
Rev. F
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2SC1318A 0.5 A, 80 V NPN Plastic Encapsulated Transistor
Rev. A
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2SC1162 2.5A , 35V NPN Plastic Encapsulated Transistor
Rev. A
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SMPA15120L-C 120V、15A低V-F肖特基势垒整流器
Rev. A
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MBR4040D~MBR40200D电压40V~200V 40.0安肖特基势垒整流器
Rev. B
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SCS140V-C 1A，40V肖特基势垒整流器
Rev. H
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SM320B-C~SM3100B-C电压20V~100V 3.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. G
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SSE133N12SV-C 133A，120V，R-DS（ON）7mΩN沟道屏蔽栅沟槽功率MOSFET
Rev. A
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SM220DT-C~SM240DT-C电压20V~40V 2.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev.C
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SM220AM-C〜SM2200AM C电压20〜200V 2.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. D
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SFL1060F电压600V 10.0安培低损耗超快整流器
Rev.C
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SBL10U150电压150V 10.0 Amp低VF沟槽势垒肖特基整流器
Rev. B
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SM140WTCR-C 1A，40V表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. B
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SM320AM-C-SM3200AM-C电压20〜200V 3.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev.F
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SM520AM C-SM5200AM C电压20〜200V 5.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev.F
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SCS160V-C 1A、60V肖特基势垒整流器
Rev. F
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SSE50N20SV-C 50A，200V，RDS（ON）32mΩN沟道屏蔽栅沟槽功率MOSFET\n
Rev. A
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SPR114N04S-C 114A，40V，RDS（〇N）3.2ΩN沟道屏蔽栅极沟槽功率MOSFET
Rev. A
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QG307BM-C电压1000V 3.0 Amp表面贴装硅整流器
Rev. A
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SUF201BM-C~SUF205BM-C电压50~600V，2.0安培表面贴装超快速恢复-整流器
Rev. A
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SMPH10200L-C电压200V，10A低VF和低IR肖特基势垒整流器
Rev. A
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SBH16U200F电压200V，16A低VF和低IR沟槽势垒肖特基整流器
Rev. A
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MMDT3904-C 0.2A，60V NPN通用晶体管
Rev. E
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SSU50N20SV-C 50A，200V，RDS（ON）32mΩN沟道屏蔽栅沟槽功率MOSFET\n
Rev. A
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SSD20N06-C 20A、60V、RDS（ON）43mΩN通道增强型功率MOSFET\n
Rev. D
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SSPR28N03-C 28A、30V、RDS（ON）18mΩN通道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR21P06-C-21A、-60V、RDS（ON）40mΩP通道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR33N06S-C 33A，60V，RDS（ON）11.5mΩN沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR48P02-C-48A、-20V、RDS（ON）10mΩP通道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR5N06-C 5A，60V，RDS（ON）90mΩN沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR7N10-C 7.5A，100V，RDS（〇N）112mΩN沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SCG2090-C-0.5A，-20V，RDS（〇N）0.9ΩP沟道增强型MOSFET
Rev. B
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SCG2035-C 0.65A，20V，RDS（〇N）350mΩN通道增强型功率MOSFET
Rev. D
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SSF318NE-C 0.25A，60V，RDS（ON）1.6ΩN通道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SUM20K8NE-C 0.76A，20V，RDS（ON）450mΩ双N增强型功率MOSFET
Rev. B
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DTC114EE/DTC114EUA DTC114ECA/DTC114ESA/DTC114EM NPN数字晶体管（内置电阻器）
Rev.E
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BC817-16/-25/-40-C 500mA，50V NPN塑封晶体管
Rev. E
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SSU12N70H-C 12A，700V，R-DS（ON）0.44mΩN沟道超级结功率MOSFET
Rev. A
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SSU11N60H-C 11A，600V，R-DS（ON）0.58ΩN沟道超级结功率MOSFET
Rev. A
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SSD07N65H-C 7.3A、650V、R-DS（ON）0.65ΩN沟道超级结功率MOSFET
Rev. A
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世强AI
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