PRODUCT DISCONTINUANCE (End of Life) NOTICE SSD04N65 Product Discontinuance (End of Life) Notice
发布时间：
2018-08-04
类型：
产品变更通知及停产信息，PCN通知、停产通告
品牌：
SECOS
型号：
SSD04N65
本产品变更通知详细说明了 SeCoS Corp. 关于 SSD04N65 器件的停产计划。该产品是一款采用 TO-252 封装的 N 沟道 MOSFET，具备 650V 耐压、4A 电流能力及 2.6Ω 导通电阻。由于全球销售与账单活动下降，厂商决定终止该型号的生产，并设定了最后订购与发货日期。通知明确指出，该产品将转为不可取消、不可退货的 NCNR 状态，并推荐 SSD04N65SL 作为替代方案。针对文中所述器件，SeCoS 在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该平台，用户可获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职 FAE 团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
SSD04N65J 4A, 650V, RDS(ON) 3ΩN-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
Rev. A
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品中止（寿命终止）通知产品中止（寿命终止）通知
23-Nov-2014
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SSD04N65SL 4A , 650V , RDS(ON) 2.7ΩN-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
Rev.A
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知2SB1184
2016/12/20
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SSD04N65L N沟道增强型功率MOSFET
Rev. A
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| 数据手册 - 中文 |
SSD06N70SL 6A , 700V , RDS(ON) 1.7ΩN-Ch Enhancement Mode Power MOSFET数据手册
Rev.A
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SSD09N65H-C 9.1A，650V，R-DS（ON）0.42N沟道超级结功率MOSFET
Rev. A
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SSD01N65J 1A, 650V, RDS(ON) 14 ΩN-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
Rev.A
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SSD09N10 9A , 100V , RDS(ON) 152mΩN-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
Rev. B
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SSD07N70H-C 7.6A、700V、R-DS（ON）0.65ΩN沟道超级结功率MOSFET
Rev. A
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SSD05N60J 5A, 600V, RDS(ON) 2.5ΩN-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
Rev. A
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SSD02N60J-C 2A，600V，R-DS（ON）4.4ΩN通道增强型功率MOSFET
Rev. C
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SSD04N60J-C 4A，600V，R-DS（ON）3ΩN通道增强型功率MOSFET
Rev. C
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SSD04N80SL 4A , 800V , RDS(ON) 3.8ΩN-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
Rev.A
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SSD02N60J 2A, 600V, RDS(ON) 4.4ΩN-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
Rev. A
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SSD05N50SL 5A , 500V , RDS(ON) 1.5ΩN-Ch Enhancement Mode Power MOSFE
Rev.A
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SSD02N65SL 2A , 650V , RDS(ON) 4.8ΩN-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
Rev. A
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SSD04N60J 4A , 600V , RDS(ON) 3Ω N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
Rev. B
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SSD04N60SL 4A , 600V , RDS(ON) 2.4ΩN-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
Rev.A
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SSD07N65H-C 7.3A、650V、R-DS（ON）0.65ΩN沟道超级结功率MOSFET
Rev. A
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SSD02N60SL 2A , 600V , RDS(ON) 4.2ΩN-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
Rev. A
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SMPA15120L-C 120V、15A低V-F肖特基势垒整流器
Rev. A
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MBR4040D~MBR40200D电压40V~200V 40.0安肖特基势垒整流器
Rev. B
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SCS140V-C 1A，40V肖特基势垒整流器
Rev. H
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SM320B-C~SM3100B-C电压20V~100V 3.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. G
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SSE133N12SV-C 133A，120V，R-DS（ON）7mΩN沟道屏蔽栅沟槽功率MOSFET
Rev. A
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SM220DT-C~SM240DT-C电压20V~40V 2.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev.C
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SM220AM-C〜SM2200AM C电压20〜200V 2.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. D
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SFL1060F电压600V 10.0安培低损耗超快整流器
Rev.C
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SBL10U150电压150V 10.0 Amp低VF沟槽势垒肖特基整流器
Rev. B
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SM140WTCR-C 1A，40V表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. B
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SM320AM-C-SM3200AM-C电压20〜200V 3.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev.F
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SM520AM C-SM5200AM C电压20〜200V 5.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev.F
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SCS160V-C 1A、60V肖特基势垒整流器
Rev. F
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SSE50N20SV-C 50A，200V，RDS（ON）32mΩN沟道屏蔽栅沟槽功率MOSFET\n
Rev. A
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SPR114N04S-C 114A，40V，RDS（〇N）3.2ΩN沟道屏蔽栅极沟槽功率MOSFET
Rev. A
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QG307BM-C电压1000V 3.0 Amp表面贴装硅整流器
Rev. A
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SUF201BM-C~SUF205BM-C电压50~600V，2.0安培表面贴装超快速恢复-整流器
Rev. A
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| 数据手册 - 英文 |
SMPH10200L-C电压200V，10A低VF和低IR肖特基势垒整流器
Rev. A
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| 数据手册 - 英文 |
SBH16U200F电压200V，16A低VF和低IR沟槽势垒肖特基整流器
Rev. A
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| 数据手册 - 英文 |
MMDT3904-C 0.2A，60V NPN通用晶体管
Rev. E
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| 数据手册 - 英文 |
SSU50N20SV-C 50A，200V，RDS（ON）32mΩN沟道屏蔽栅沟槽功率MOSFET\n
Rev. A
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| 数据手册 - 英文 |
SSD20N06-C 20A、60V、RDS（ON）43mΩN通道增强型功率MOSFET\n
Rev. D
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SSPR28N03-C 28A、30V、RDS（ON）18mΩN通道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR21P06-C-21A、-60V、RDS（ON）40mΩP通道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR33N06S-C 33A，60V，RDS（ON）11.5mΩN沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR48P02-C-48A、-20V、RDS（ON）10mΩP通道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR5N06-C 5A，60V，RDS（ON）90mΩN沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR7N10-C 7.5A，100V，RDS（〇N）112mΩN沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SCG2090-C-0.5A，-20V，RDS（〇N）0.9ΩP沟道增强型MOSFET
Rev. B
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