GaAs, MMIC, SPDT Switch,10 kHz to 3 GHz HMC221B Data Sheet
发布时间：
2018-08-04
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ADI（亚德诺半导体）
型号：
HMC221B; HMC197B; HMC221BE; HMC221BETR; HMC221BTR; EVAL01-HMC221B
本数据手册详细介绍了由Analog Devices公司生产的HMC221B GaAs MMIC SPDT开关，该器件工作频率范围覆盖10 kHz至3 GHz，专为满足高性能射频应用需求而设计。HMC221B具备低插入损耗（典型值0.4 dB）和高输入三阶截距（典型值55 dBm）等优异特性，同时采用小型SOT-23封装，并具有低控制电压电流优势。在关闭状态下，其RF1和RF2引脚呈现反射短路，有效增强了系统稳定性。该开关广泛应用于工业、科学和医疗（ISM）设备、蜂窝应用以及PCMCIA无线网卡等领域。Analog Devices在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足服务。此外，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
砷化镓，微波单片集成电路，单刀双掷开关，10千赫至3千兆赫
Rev. B
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模拟器件欢迎Hittite微波公司资格测试报告
Rev: 07
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品变更通知
REV B
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品变更通知
REV C
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HMC829LP6GE小数N分频PLL，集成VCO 45-1050、1400-2100、2800-4200 MHz
V01
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鉴定试验报告（2013-00244）
Rev:01
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HMC197BE GaAs MMIC SOT26 SPDTSWITCH, DC- 3 GHz
v01.1117
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合格鉴定试验报告
Rev: 06
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合格鉴定试验报告
Rev: 01
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HMC997LC4可变增益放大器17-27 GHz
v02.0514
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HMC1087F10 8瓦法兰安装氮化镓微波单片集成电路功率放大器，2-20 GHz
v04
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HMC1065LP4E GaAs微波单片集成电路i/Q下变频器27-34 GHz
v03.0915
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HMC7229LS6 GaAs，p高电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，1 w，带功率检波器的功率放大器，37 GHz至40 GHz
Rev.E
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HMC7229LS6 GaAs，p高电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，1 w，带功率检波器的功率放大器，37 GHz至40 GHz
Rev.D
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HMC980LP4E高电流、有源偏置控制器数据手册
Rev. B
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宽带模拟时间延迟至24 GHz HMC911
REV B
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HMC911宽带模拟时间延迟：24 GHz
Rev.B
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HMC834LP6GE小数n分频Pll，集成Vco45-1050、1400-2100、2800-4200、5600-8400 MHz
V01
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砷化镓，菲氏电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，1瓦，功率放大器与功率检测器，37千兆赫至40千兆赫
Rev.C
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集成VCO的HMC834LP6GE小数N分频PLL 45-1050、1400-2100、2800-4200、5600-8400 MHz
v01.0112
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HMC1060LP3E四通道、低噪声、高PSRR线性稳压器
2019/04/23
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集成整数n PLL的0.1 MHz至500 MHz时钟发生器HMC1031
Rev.C
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HMC1049LP5E GaAs，P高电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，低噪声放大器，0.3 GHz至20 GHz
Rev.B
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HMC980LP4E高电流有源偏置控制器
Rev. C
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HMC1055 0.5 GHz至4.0 GHz、GaAs、单刀单掷开关
Rev.B
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0.1 MHz至500 MHz时钟发生器，集成整数n PLL HMC1031
REV C
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HMC1032LP6GE时钟发生器，集成小数N分频PLL和VCO，125-350 Mhz
v01
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集成VCO的HMC832小数n分频PLL，25 MHz至3000 MHz
Rev.A
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HMC837LP6CE小数N分频PLL，集成VCO 1025-1150、2050-2300、4100-4600 MHz
v00
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HMC1034LP6GE时钟发生器，集成小数N分频PLL和VCO，125-3000 MHz
v01
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直流至18千兆赫，超宽带，双列，4GSPS跟踪和保持放大器HMC1061LC5数据表
Rev.B
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HMC986A GAASs微波单片集成电路反射式PDT开关，0.1-50 GHz
v01
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HMC270AMS8GE GAAS微波单片集成电路单刀双掷开关非反射式，DC-8 GHz
v03
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HMC194MS8 194MS8E GaAs微波单片集成电路单刀双掷开关DC-3 GHz
v06.0608
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HMC190BMS8 190BMS8E GaAs微波单片集成电路单刀双掷开关DC-3 GHz
v00.0213
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HMC-C011砷化镓微波单片集成电路单刀双掷非反射开关，DC-20 GHz
v05
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HMC194AMS8 194AMS8E GaAs微波单片集成电路单刀双掷开关DC-3 GHz
v00.0812
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砷化镓微波单片集成电路密封贴片单刀双掷开关，直流8千兆赫
v02.0605
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HMC545 HMC545E GaAs微波单片集成电路单刀双掷开关，DC-3 GHz
v00.0905
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HMC190BMS8/190BMS8E砷化镓微波单片集成电路SPDT开关dc-3ghz
v00.0213
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HMC194AMS8/194AMS8E砷化镓微波单片集成电路SPDT开关DC-3ghz
v00.0812
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HMC545A HMC545AE GaAs微波单片集成电路单刀双掷开关，DC-3 GHz
v01.0615
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HMC336MS8G/336MS8GE GaAs微波单片集成电路单刀双掷非反射式正控制开关，DC*-6 GHz
v03
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HMC347ALP3E GaAs微波单片集成电路单刀双掷非反射开关，DC-14 GHz
v02
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世强AI
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应用/方案
带分数分频锁相环和集成压控振荡器的时钟发生器，125-3000兆赫
HMC1034LP6GE是一款低噪声、宽带时钟发生器集成电路，具备分数N相锁环(PLL)和集成电压控制振荡器(VCO)。该设备提供125MHz至3GHz范围内的差分时钟输出。具有低噪声相位检测器(PD)和Delta-Sigma调制器，可支持高达100MHz的频率，允许更宽的环路带宽和优异的频谱性能。HMC1034LP6GE具有业界领先的相位噪声和抖动性能，适用于高速数据转换器、物理层设备(PHY)、串行/并行(SERDES)电路、FPGA和处理器等应用。
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单刀双掷（SPDT）开关：SA630D
SA630是一款基于BiCMOS技术的宽带射频开关，具有片上CMOS/TTL兼容驱动器。其主要功能是在DC至1 GHz的频率范围内，将信号从一个50欧姆通道切换到另一个通道。该开关通过施加到使能通道1引脚（ENCH1）的CMOS/TTL兼容信号来激活。由于其极低的电流消耗，SA630非常适合便携式应用。优异的隔离和低损耗特性使其成为PIN二极管的理想替代品。SA630采用8引脚SO（表面贴装微型）封装。
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HMC1118 采用单一正电源供电 应用笔记
本文介绍了HMC1118单刀双掷（SPDT）开关的性能和应用。HMC1118支持9 kHz至13 GHz的工作频率，采用4 mm × 4 mm、16引脚LFCSP封装。文章详细讨论了HMC1118在单电源和双电源供电下的性能差异，包括插入损耗、隔离度、输入P1 dB和IP3等关键参数。此外，还分析了HMC1118的开关操作原理和电路设计，以及在不同供电方式下的功率处理能力和开关速度。
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EVAL-ADG1634L评估ADG1634L 4.7Ω导通电阻、四通道单刀双掷开关，兼容1.2 V和1.8 V JEDEC逻辑
本资料为ADG1634L四通道单刀双掷开关的评估板EVAL-ADG1634LEBZ的用户指南。指南详细介绍了评估板的硬件设计、电源连接、输入信号连接以及如何使用SMB连接器进行逻辑控制。资料还提供了评估板的原理图和布线图，以及订购信息和材料清单。
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助力客户迈向5G未来——ADI公司为Rohde&Schwarz两款新产品提供支持
随着5G技术的到来，测试与测量行业面临重大挑战，需要更高性能的测试设备。Rohde & Schwarz与ADI公司合作，开发了R&S®SMW200A矢量信号发生器和R&S®FSW信号与频谱分析仪，以应对5G挑战。这些设备采用ADI公司的数据转换器和RF器件，实现低本底噪声的高频测试，满足下一代5G设备的测试需求。
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新数据，新见解10BASE-T1L连接边缘传感器改善结果
10BASE-T1L技术是一种单对以太网（SPE）媒体标准，提供10兆比特每秒的通信，支持在单对双绞线电缆上传输数据和电力，最大传输距离可达1公里。该技术通过延长以太网连接距离，使远程边缘节点能够实现新的数据流和测量，为过程控制和建筑自动化等领域带来新的见解和效率提升。此外，10BASE-T1L技术支持在危险环境中使用，并能够提供高达60瓦的电力，从而扩展工业物联网（IIoT）的应用范围。
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