HMC998A GaAs pHEMT MMIC2 WATT POWER AMPLIFIER, 0.1 - 22 GHz
发布时间：
2018-08-04
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ADI（亚德诺半导体）
型号：
HMC998A
本数据手册详细介绍了HMC998A GaAs pHEMT MMIC分布式功率放大器的技术规格与应用参数。该器件工作频率范围覆盖0.1至22 GHz，提供12 dB的增益，具备+31 dBm的高P1dB输出功率、+33 dBm的饱和输出功率以及+41 dBm的高输出三阶截点。其供电电压范围为+10V至+15V @ 500 mA，集成了50 Ohm匹配输入/输出，并采用2.99 x 1.84 x 0.1 mm的小尺寸封装。凭借优异的射频性能，HMC998A广泛应用于测试仪器、微波无线电、VSAT终端、军事和太空以及电信基础设施等领域。针对文中所述器件，Analog Devices在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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加工定制
可定制1027S、1097、1093A、1099、991系列，粘度：900~2万；硬度：70~90D；固化速度：5~15min；粘接强度：15~20Mpa；不同规格包装形式。
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加工尺寸范围2~15英寸，产品有效加工尺寸：半断加工：2MM*600MM*900MM；全断加工：30MM*1600MM*2500MM；
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
HMC998A砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，DC-22 GHz
v03.0918
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| 数据手册 - 英文 |
HMC998APM5E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，DC-22 GHz
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| 数据手册 - 英文 |
HMC998APM5E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，DC-22 GHz
v03.0418
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| 数据手册 - 英文 |
HMC998APM5E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，0.1-20 GHz
v02.1116
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| 数据手册 - 英文 |
HMC952ALP5GE GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路带功率检波器的2瓦功率放大器8-14 GHz
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| 数据手册 - 英文 |
HMC5846LS6 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路2 w功率放大器，带功率检波器，12-16 GHz
v01
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| 数据手册 - 英文 |
HMC6981LS6 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，15-20 GHz
v03
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HMC7441砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，27.5-31千兆赫
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| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，27.5-31千兆赫
v00.0913
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，7-9千兆赫
v03.0109
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，15-20千兆赫
v01.0414
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| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，6.0-9.5千兆赫
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| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，6-10千兆赫
v02.0109
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| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，5.5-8.5千兆赫
v00.0813
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| 数据手册 - 英文 |
HMC487LP5E表面贴装高电子迁移率晶体管2 W功率放大器，9-12 GHz
v02
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| 数据手册 - 英文 |
HMC486LP5/486LP5E表面贴装高电子迁移率晶体管2 W功率放大器，7-9 GHz
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HMC7357LP5GE GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路2 w功率放大器，5.5-8.5 GHz
v01
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| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器SMT功率检测器，12.5-15.5千兆赫
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| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，27.3-33.5千兆赫
v02
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器功率检测器，12-16千兆赫
v02.0211
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器功率检测器，12-16千兆赫
v01.0414
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| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器功率检测器8-14千兆赫
v02.0516
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| 测试报告 - 英文 |
AD9914S-CSL高剂量辐射测试报告
2022/5/24
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| 数据手册 - 英文 |
LTC3875双通道2相同步控制器，具有低值DCR检测和温度补偿功能
Rev. D
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| 数据手册 - 英文 |
LTM4686B超薄双通道14A或单通道28AμModule稳压器，具有数字电源系统管理功能
2022/6/17
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报
2019/6/19
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| 商品功能框图 - 英文 |
微电路，线性数字，0.1 GHz至33 GHz，1 dB最低有效位（LSB），5位，数字衰减器，砷化镓（GaAs）
2020/10/20
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| 测试报告 - 英文 |
30_WLCSP_A-CB-30-03材料声明
2011/5/31
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| 测试报告 - 英文 |
20_WLCSP_A-CB-20-14材料声明
2015/8/28
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
20引脚晶圆级芯片规模封装[WLCSP]（CB-20-14）图示尺寸单位：毫米
2017/11/8
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
144引脚晶圆级芯片规模封装[WLCSP]（CB-144-2）图示尺寸单位：毫米
2017/4/24
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| 测试报告 - 英文 |
117_WLCSP_S-CB-117-01材料声明
2015/10/2
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
英国封装变化：UK48（39）48（39）-铅塑料QFN（7mm×7mm）
Rev Ø
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
48引脚LQFN封装（10mm×4mm×1.02mm）
Rev Ø
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
48引脚LQFN封装（5mm×6mm×1.02mm
Rev B
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
LQFN封装18引脚（3mm×3mm×0.95mm）
Rev A
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
LQFN封装28引脚（4mm×5mm×0.95mm）
Rev A
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| 测试报告 - 英文 |
24_LGA_CAV_3.8x5.0x1.0_MS012794材料声明
2019/9/5
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
12引脚芯片阵列小型无引线腔[LGA_CAV]4.00 X 4.00 mm主体和1.65 mm封装高度（CE-12-4）图示尺寸单位：mm
2019/1/2
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
12引脚芯片阵列小型无引线腔[LGA_CAV]2.8 X 5.0 mm主体（CE-12-2）图示尺寸单位：mm
2015/3/23
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
72端子焊盘栅格阵列[LGA]（CC-72-3）图示尺寸单位：mm
2019/12/12
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
60端子焊盘栅格阵列[LGA]（CC-60-1）图示尺寸单位：mm
2019/4/11
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技术论坛
DC2354A（ADI）的国产替代有哪些芯片
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需要PTP替换一个4.5V基准源，要求精度0.1%, 温漂2 ppm/°C，原来使用的是ADI的REF194GS，有合适的推荐吗？
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