HMC637A GaAs MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER DC - 6 GHz
发布时间：
2018-08-04
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ADI（亚德诺半导体）
型号：
HMC637A
本数据手册详细介绍了HMC637A GaAs MMIC分布式功率放大器的技术规格与应用参数。该器件是一款工作频率范围覆盖DC至6 GHz的高性能放大器，提供14 dB的增益、+41 dBm的输出IP3以及+30.5 dBm的P1dB输出功率。其设计采用50 Ohm匹配输入/输出，支持+12V、+6V及-1V的偏置电源，封装尺寸为2.98 x 2.48 x 0.1 mm。凭借优异的射频性能，HMC637A广泛应用于电信基础设施、微波无线电及VSAT终端、军事与航天系统、测试仪器以及光纤通信等领域。针对该器件，Analog Devices在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及充足库存。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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HMC637ALP5E GaAs，P高电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，1 w功率放大器，0.1 GHz至6 GHz
Rev. C
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合格鉴定试验报告
Rev: 05
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合格鉴定试验报告
2017/11/27
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合格鉴定试验报告
Rev: 05
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模拟设备欢迎Hittite微波公司产品更改通知
11/30/2012
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HMC637ASCPZ-EP GaAs，P高电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，1 w功率放大器，0.1 GHz至6 GHz
Rev.0
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MESFET-B鉴定试验报告（2013-00245）
Rev:04
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HMC637ALP5E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路1 w功率放大器，DC-6 GHz
v02
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，直流6千兆赫
v01.0914
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砷化镓，pHEMT电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，单正电源，直流至7.5千兆赫，1瓦功率放大器HMC637BPM5E数据表
Rev.0
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HMC637BPM5E GaAs，P高电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，单正电源，DC至7.5 GHz，1 w功率放大器
Rev.A
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ANALOG DEVICES HMC980有源偏置控制器高电流
v00.0312
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HMC980LP4E有源偏置控制器高电流
v 01. 0 911
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ANALOG DEVICES HMC920LP5E有源偏置控制器
v07.1013
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HMC920LP5E有源偏置控制器
v07
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砷化镓微波单片集成电路1瓦功率放大器，2.3-2.8千兆赫
v05.0312
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HMC797LP5E砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，直流22千兆赫
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HMC797A砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，直流22千兆赫
v02.0418
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，直流22千兆赫
v01.0417
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，直流22千兆赫
v02.1011
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，直流22千兆赫
v02.0811
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，直流22千兆赫
v05
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HMC-APH478砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，18-20 GHz
v02.0208
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HMC-APH518砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，21-24 GHz
v02.0208
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HMC-APH473砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，37-40 GHz
v03.0209
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HMC-APH462砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，15-27 GHz
v03.0209
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HMC-APH608砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，22.5-26.5 GHz
v03.0409
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砷化镓，菲氏电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，1瓦，功率放大器与功率检测器，37千兆赫至40千兆赫
Rev.C
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，40-43.5千兆赫
v00.1210
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，6-10千兆赫
v02.0109
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1瓦，砷化镓辉光电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，27千兆赫至32千兆赫
Rev.0
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HMC969砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，40-43.5千兆赫
v00.1210
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GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，6.0-9.5ghz
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HMC1132 1瓦GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，27 GHz至32 GHz
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HMC457QS16G/457QS16GE InGaP HBT 1 W功率放大器，1.7-2.2 GHz
v03
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| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
SigmaStudio发行说明
Revision 22.0
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LT3758/LT3758A高输入电压、升压、反激、SEPIC和反相控制器
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HMC543ALC4B 22.5°微波单片集成电路4位数字移相器，8-12 GHz数据手册
v07.0322
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ADA4099-1/ADA4099-2 50 V、8 MHz、每通道1.5 mA、鲁棒的顶级精密运算放大器
Rev. A
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| 技术文档 - 中文 |
新概念模拟电路1：晶体管
2018/8/22
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ADP1034：内置7个数字隔离器和可编程电源控制的3通道隔离式微功耗管理单元
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HMC8412芯片低噪声放大器，0.4 GHz至10 GHz
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
满足有源偏置控制器外偏置射频/微波放大器偏置要求的AN-1363应用说明
本文详细介绍了外部偏置射频/微波放大器的偏置要求，包括偏置序列的重要性、自偏置和外部偏置放大器的区别、使用有源偏置控制器进行偏置的方法等。文章重点介绍了Analog Devices的HMC980、HMC980LP4E、HMC981、HMC981LP3E、HMC920LP5E等有源偏置控制器，并分析了它们在偏置放大器中的应用优势，如内部负电压发生器、连续内部栅极电压调整、偏置精度提高、偏置序列电路、短路保护电路等。此外，文章还讨论了如何调整默认的VNEG和VGATE阈值值，以及如何降低VGATE上升时间。
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助力客户迈向5G未来——ADI公司为Rohde&Schwarz两款新产品提供支持
随着5G技术的到来，测试与测量行业面临重大挑战，需要更高性能的测试设备。Rohde & Schwarz与ADI公司合作，开发了R&S®SMW200A矢量信号发生器和R&S®FSW信号与频谱分析仪，以应对5G挑战。这些设备采用ADI公司的数据转换器和RF器件，实现低本底噪声的高频测试，满足下一代5G设备的测试需求。
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新数据，新见解10BASE-T1L连接边缘传感器改善结果
10BASE-T1L技术是一种单对以太网（SPE）媒体标准，提供10兆比特每秒的通信，支持在单对双绞线电缆上传输数据和电力，最大传输距离可达1公里。该技术通过延长以太网连接距离，使远程边缘节点能够实现新的数据流和测量，为过程控制和建筑自动化等领域带来新的见解和效率提升。此外，10BASE-T1L技术支持在危险环境中使用，并能够提供高达60瓦的电力，从而扩展工业物联网（IIoT）的应用范围。
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具较高电流 SIO 通道的四通道 IO-Link 主控器
本文介绍了如何设计一个具有较高电流SIO通道的四通道IO-Link主控器。主要内容包括IO-Link通信标准的介绍，LTC2874四通道IO-Link主控器的配置，以及如何通过改变LTC2874热插拔通道的用途，为SIO负载提供较大电流（SIO+模式），同时保持IO-Link特性和功能。文章还涉及了电路描述、工作波形分析以及产品手册下载信息。
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业界首款双通道70 A SilentMOS和单通道140 A智能功率级
本文介绍了ADI公司的LTC7050 SilentMOS™系列大电流负载点转换器，该系列满足了对高效率、高密度、可靠功率级的需求。LTC7050支持双通道70 A和单通道140 A配置，具有独立控制、故障报告和电流检测输出。其Silent Switcher 2架构和集成自举电源支持高速切换，降低EMI。LTC7050采用先进的封装技术，实现高功率密度和低损耗，同时提供全面的监控和保护特性，确保系统安全。
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ADuCM3027/ADuCM3029超低功耗微控制器产品亮点
Analog Devices推出的ADuCM3027和ADuCM3029是两款超低功耗微控制器，专为物联网应用设计，具有低功耗、高安全性和强大的数据处理能力。它们支持多种接口和功能，包括ADC、数字外设、安全加密加速器和多种存储选项。这些微控制器适用于智能健康、智能建筑、智能农业、智能城市、智能工厂和智能能源等物联网应用。
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具有16 μA静态电流的双通道8.5 A、18 V同步降压型Silent Switcher器件
LT8652S是一款双通道同步降压型稳压器，具有3 V至18 V的输入范围，可提供高达8.5 A的连续电流。它采用Silent Switcher 2架构，降低EMI并提高效率。LT8652S在Burst Mode工作模式下提供16 µA超低静态电流，适用于电池供电应用。器件支持内部和外部补偿，具有差分输出电压检测功能，适用于高电流应用。
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评估ADG1519 3.8Ω导通电阻单刀双掷开关
本资料为ADG1519评估板（EVAL-ADG1519EBZ）的用户指南，介绍了该评估板的硬件设置、操作方法和注意事项。ADG1519是一款单通道、单刀双掷（SPDT）开关，适用于不对称电压供电。评估板包含ADG1519、电源、信号发生器等组件，可用于测试ADG1519的功能和性能。指南详细说明了评估板的硬件连接、电源配置、信号输入设置以及跳线设置等操作步骤。
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