HMC6980 WIDEBAND POWER AMPLIFIER MODULE, 0.01 - 20 GHZ
发布时间：
2018-08-04
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ADI（亚德诺半导体）
型号：
HMC6980
本数据手册详细介绍了HMC6980宽频带功率放大器模块的技术规格与应用特性。该器件工作频率范围覆盖0.01GHz至20GHz，提供12dB的增益，输出功率及P1dB输出功率均可达+28dBm，输出IP3为+36dBm。其具备调节电源和偏置序列功能，采用密封模块封装及可更换SMA连接器设计，能够在-55°C至+85°C的宽温范围内稳定工作。凭借优异的性能，HMC6980广泛应用于电信基础设施、微波无线电和VSAT、军事和太空、测试仪器及光纤等领域。针对该产品，Analog Devices在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
HMC6980宽带功率放大器模块，0.01-20 GHZ
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合格鉴定试验报告
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合格鉴定试验报告
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合格鉴定试验报告
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合格鉴定试验报告
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合格鉴定试验报告
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合格鉴定试验报告
Rev: 05
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| 技术文档 - 中文 |
带有分布式锁相环的相控阵的系统级LO相位噪声模型 技术文章
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HMC698LP5/698LP5E 7 GHz整数N频率合成器（N=12-259）
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HMC698LP5/698LP5E 7 GHz整数N频率合成器（N=12-259）
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| 技术文档 - 英文 |
分布式锁相环相控阵系统低相位噪声模型
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使用HMC设计工具设计具有PFD输出的合成器
2018/01/04
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，15-20千兆赫
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HMC6981LS6 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，15-20 GHz
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HMC907A GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，0.2-22 GHz
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鉴定试验报告（11014）
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HMC994A砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路0.5瓦功率放大器，DC-30 GHz
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HMC637ALP5E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路1 w功率放大器，DC-6 GHz
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4w，GaAs，pHEMT电子迁移率晶体管，微波单片集成电路功率放大器，5.5ghz～8.5ghz
Rev.A
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，2-20千兆赫
v03.0308
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，2-20千兆赫
v04.0308
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GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，0.2-22ghz
v02.1017
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GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，0.2-22ghz
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GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，0.2-22ghz
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ADPA9002-EVALZ用户指南：GaAs高电子迁移率晶体管、微波单片集成电路、单正电源、DC至10 GHz功率放大器的评估
Rev. A
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，直流22千兆赫
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，直流22千兆赫
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，直流22千兆赫
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，直流22千兆赫
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HMC998A GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，0.1-22 GHz
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HMC907LP5E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，0.2-22 GHz
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HMC907APM5E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，0.2-22 GHz
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HMC907APM5E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，0.2-22 GHz
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GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，DC-18ghz
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GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，DC-15ghz
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GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，DC-15ghz
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GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，DC-20ghz
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HMC998APM5E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，0.1-20 GHz
v02.1116
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GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，DC-10ghz
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| 数据手册 - 英文 |
GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，DC-10ghz
v01.0308
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，直流6千兆赫
v01.0914
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技术论坛
能对标ADI的ADPA7009 （20 GHz to 54 GHz, GaAs, pHEMT, MMIC, 29 dBm (0.5 W) Power Amplifier），找国产化替代，要国产的品牌，关键指标有如下两个，工作频率覆盖46~52GHz，噪声系数在6以内即可
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世强AI
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应用/方案
用于新的空间、低地球轨道、地球同步轨道、深空飞行任务、地球观测和通信的UMS空间解决方案
UMS Space提供针对新太空、LEO、GEO、深空任务、地球观测和通信的解决方案。公司拥有超过10万枚飞行的MMICs，采用GaAs和GaN先进技术，提供裸片或封装产品、晶圆代工服务和ASIC设计服务。UMS提供完整的太空产品系列，包括标准COTS产品、Hi-Rel产品、GaAs和GaN裸片及MMICs，以及封装产品。此外，UMS还提供MMICs定制设计和太空认证的晶圆代工服务。
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评估ADPA7006 18GHz至44GHz，砷化镓，pHEMT电子迁移率晶体管，>25dBm（>0.5W），微波单片集成电路功率放大器
本资料为ADPA7006-EVALZ评估板用户指南，介绍了该评估板的特性和使用方法。评估板基于ADPA7006 GaAs pHEMT MMIC功率放大器，工作频段为18 GHz至44 GHz，输出功率大于25 dBm。指南详细说明了评估板的硬件设计、操作步骤、性能参数和注意事项。
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评估ADPA7005 18 GHz至44 GHz，GaAs，高电子迁移率晶体管，32 dBm（>1 W），微波单片集成电路功率放大器
本资料为ADPA7005-EVALZ评估板用户指南，主要介绍了该评估板的特性、组成、操作方法以及相关注意事项。评估板基于10 mil厚度的Rogers 4350B材料，配备铝制散热片，用于评估18 GHz至44 GHz频段的GaAs pHEMT MMIC功率放大器ADPA7005。指南详细说明了评估板的电路设计、连接方式、电源要求以及操作步骤，并提供了相关性能参数和注意事项。
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ADPA7005-EVALZ用户指南ADPA7005 18 GHz至44 GHz、GaAs、高电子迁移率晶体管、32 dBm（>1 W）、微波单片集成电路功率放大器的评估
本资料为ADPA7005-EVALZ评估板用户指南，介绍了该评估板的特性、组成、操作方法及相关参数。评估板基于10 mil厚度的Rogers 4350B材料，配备铝制散热片，用于评估18 GHz至44 GHz频段的GaAs pHEMT MMIC功率放大器。指南详细说明了评估板的连接方式、电源要求、偏置序列以及性能参数。
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ADPA7002-EVALZ评估ADPA7002 GaAs高电子迁移率晶体管、微波单片集成电路、1/2 Wz 18 GHz至44 GHz功率放大器的用户指南
本资料为ADPA7002-EVALZ评估板用户指南，介绍了该评估板的硬件设计、操作方法、通过校准路径的数据和图表以及评估板原理图。评估板基于10mil厚度的Rogers 4350铜 clad，并配备铝制散热片，用于评估ADPA7002 GaAs pHEMT MMIC功率放大器。指南详细说明了评估板的硬件配置、电源连接、偏置序列以及校准路径的使用。
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ADPA9002-EVALZ用户指南：GaAs高电子迁移率晶体管、微波单片集成电路、单正电源、DC至10 GHz功率放大器的评估
本资料为ADPA9002-EVALZ评估板用户指南，主要介绍了该评估板的特性、组成、操作方法以及相关注意事项。评估板基于10 mil厚度的Rogers 4350B材料，配备散热片，支持-40°C至+85°C的工作温度范围。用户指南详细说明了评估板的电路设计、元件布局、电源配置以及操作步骤，包括自偏置和外部偏置模式。此外，还提供了评估板的订购信息和材料清单。
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CN-0534 USB供电5.8 GHz RF LNA接收器，具有输出功率保护电路笔记
本文档介绍了基于Analog Devices元器件的5.8 GHz射频接收器系统设计，包括低噪声放大器、带通滤波器、过功率保护和USB供电等关键组件。系统采用HMC717A低噪声放大器，ADL5904真功率检测器和HMC802A数字衰减器，实现高增益、过功率保护和低噪声性能。设计支持文件包括原理图、布局文件和物料清单，适用于ISM频段的应用。
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CHA2368-98F: New 50-71GHz wideband Low Noise Amplifier/Variable Gain Amplifier MMIC for multiple demanding applications
The CHA2368-98F is a wideband LNA/VGA covering 50-71GHz with attractive Noise and Power performance. The CHA2368-98F is designed on UMS proprietary 0.1µm pHEMT GaAs technology and provided in bare die.
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