81 GHz to 86 GHz, E-Band Power Amplifier With Power Detector HMC8142 Data Sheet
发布时间：
2018-08-04
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ADI（亚德诺半导体）
型号：
HMC8142; HMC8142-SX
本数据手册详细介绍了Analog Devices公司推出的HMC8142 E波段功率放大器。该器件是一款集成式高电子迁移率晶体管（HEMT）单片微波集成电路（MMIC），工作频率覆盖81 GHz至86 GHz，专为满足高频通信需求而设计。资料重点阐述了其关键技术指标，包括21 dB的典型增益、25 dBm的输出功率（P1dB）、26 dBm的饱和输出功率（PSAT）以及29 dBm的输出三阶截距（OIP3）。此外，该放大器具备12 dB的输入回波损耗和8 dB的输出回波损耗，采用4 V、450 mA的直流电源供电，且无需外部匹配，封装尺寸仅为3.039 mm × 1.999 mm × 0.05 mm，便于集成。凭借优异的性能，HMC8142主要应用于E波段通信系统、高容量无线回程无线电系统以及测试和测量设备领域。Analog Devices在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
81 GHz至86 GHz E波段功率放大器，内置功率检波器HMC8142
Rev. A
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| 测试报告 - 英文 |
合格鉴定试验报告
Rev:06
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| 数据手册 - 英文 |
合格鉴定试验报告
Rev: 05
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| 数据手册 - 英文 |
HMC814 GaAs微波单片集成电路x2有源倍频器，13-24.6 GHz输出
2018/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
模拟器件欢迎Hittite微波公司资格测试报告
Rev: 02
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| 数据手册 - 英文 |
SMT砷化镓微波单片集成电路x2有源倍频器，13-24.6GHz输出
v02.0614
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| 数据手册 - 英文 |
71 GHz至76 GHz，带功率检测器的E波段功率放大器HMC7543数据表
Rev.A
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| 数据手册 - 英文 |
ADMV7810 81 GHz至86 GHz、1 W E波段功率放大器，内置功率检波器
Rev. A
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| 数据手册 - 英文 |
ADMV7710 71 GHz至76 GHz、1 W E波段功率放大器，内置功率检波器
Rev.A
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| 数据手册 - 英文 |
71 GHz至76 GHz E波段功率放大器，内置功率检波器HMC7543
Rev.A
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| 数据手册 - 英文 |
ADMV7810 81 GHz to 86 GHz, 1 W E-Band Power Amplifier with Power Detector
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
HMC-AUH318砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，71-76 GHz
v07.0713
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| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
SigmaStudio发行说明
Revision 22.0
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| 数据手册 - 英文 |
LT3758/LT3758A高输入电压、升压、反激、SEPIC和反相控制器
Rev H
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| 数据手册 - 英文 |
HMC543ALC4B 22.5°微波单片集成电路4位数字移相器，8-12 GHz数据手册
v07.0322
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| 数据手册 - 英文 |
ADA4099-1/ADA4099-2 50 V、8 MHz、每通道1.5 mA、鲁棒的顶级精密运算放大器
Rev. A
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| 技术文档 - 中文 |
新概念模拟电路1：晶体管
2018/8/22
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| 数据手册 - 英文 |
ADP1034：内置7个数字隔离器和可编程电源控制的3通道隔离式微功耗管理单元
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
HMC8412芯片低噪声放大器，0.4 GHz至10 GHz
Rev. A
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| 数据手册 - 英文 |
ADRF5043非反射式、9 kHz至44 GHz硅SP4T开关
Rev. A
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| 数据手册 - 英文 |
ADXRS645高温、振动抑制±2000°/秒陀螺仪
Rev. C
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| 数据手册 - 英文 |
LTC3025 300mA微功耗VLDO线性稳压器
Rev. E
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| 测试报告 - 英文 |
GaAs HBT-A工艺累积可靠性（2013-00228）
Revision:11
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| 数据手册 - 英文 |
5B47隔离线性热电偶输入
Rev.0
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
165引脚BGA封装（16mm×11.9mm×3.32mm）
Rev B
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| 数据手册 - 英文 |
5B39隔离电流输出
Rev.0
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| 数据手册 - 英文 |
5B36隔离式电位计输入
Rev.0
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| 数据手册 - 英文 |
5B32单通道信号调理模块
Rev.0
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| 数据手册 - 英文 |
7B21隔离高电平电压输入
REV. 0
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| 测试报告 - 英文 |
40011599工厂监督合格证
2019/11/20
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| 数据手册 - 英文 |
5B34隔离线性RTD输入
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
1B22可编程隔离式电压电流转换器
REV. B
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
UMS Offers a Complete E-Band Radio Chipset Solution for High Data Rate Millimeter-wave Wireless Backhaul and Small Cells
UMS is offering a complete E-Band radio chipset solution for high data rate millimeter-wave wireless backhaul and small cells covering both of the 71-76 and 81-86GHz bands.
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【产品】专为50欧姆系统设计的砷化镓MMIC功率放大器，适用于点对点E波段无线电测试和测量设备
EXP8602和EXP7603是IDT推出的两款专为50欧姆系统设计的砷化镓MMIC功率放大器，分别适用于81-86 GHz和71-76GHz的E波段范围。当驱动至3dB增益压缩时，二者分别能够提供23dBm和26dBm的射频输出功率，并且在增益压缩开始之前保持良好的线性。EXP8602和EXP7603还提供内置的E波段功率检测器，并在内部从射频输入和输出端口解耦合直流电，以简化系统级设计。
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具较高电流 SIO 通道的四通道 IO-Link 主控器
本文介绍了如何设计一个具有较高电流SIO通道的四通道IO-Link主控器。主要内容包括IO-Link通信标准的介绍，LTC2874四通道IO-Link主控器的配置，以及如何通过改变LTC2874热插拔通道的用途，为SIO负载提供较大电流（SIO+模式），同时保持IO-Link特性和功能。文章还涉及了电路描述、工作波形分析以及产品手册下载信息。
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氮化镓和砷化镓产品及铸造解决方案
该资料主要介绍了ENABLE公司提供的GaN和GaAs产品及代工解决方案，涵盖中频、毫米波RAN、固定无线接入、5G测试测量、中继器、室内设备以及V、E、W和D波段无线回程等领域。产品包括前端模块、高功率放大器、低噪声放大器、开关、系统级封装（SiP）、多芯片集成等。资料还展示了不同频段的产品参数，如增益、饱和功率、线性度等，并提供了UMS公司的联系方式和全球分销商信息。
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业界首款双通道70 A SilentMOS和单通道140 A智能功率级
本文介绍了ADI公司的LTC7050 SilentMOS™系列大电流负载点转换器，该系列满足了对高效率、高密度、可靠功率级的需求。LTC7050支持双通道70 A和单通道140 A配置，具有独立控制、故障报告和电流检测输出。其Silent Switcher 2架构和集成自举电源支持高速切换，降低EMI。LTC7050采用先进的封装技术，实现高功率密度和低损耗，同时提供全面的监控和保护特性，确保系统安全。
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具有16 μA静态电流的双通道8.5 A、18 V同步降压型Silent Switcher器件
LT8652S是一款双通道同步降压型稳压器，具有3 V至18 V的输入范围，可提供高达8.5 A的连续电流。它采用Silent Switcher 2架构，降低EMI并提高效率。LT8652S在Burst Mode工作模式下提供16 µA超低静态电流，适用于电池供电应用。器件支持内部和外部补偿，具有差分输出电压检测功能，适用于高电流应用。
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评估ADG1519 3.8Ω导通电阻单刀双掷开关
本资料为ADG1519评估板（EVAL-ADG1519EBZ）的用户指南，介绍了该评估板的硬件设置、操作方法和注意事项。ADG1519是一款单通道、单刀双掷（SPDT）开关，适用于不对称电压供电。评估板包含ADG1519、电源、信号发生器等组件，可用于测试ADG1519的功能和性能。指南详细说明了评估板的硬件连接、电源配置、信号输入设置以及跳线设置等操作步骤。
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CN-0377 使用RF MEMS开关实现的DC至2.5 GHz可切换RF衰减器
该资料介绍了Analog Devices公司提供的ADGM1304单刀四掷（SP4T）RF MEMS开关在RF衰减器应用中的参考设计。该设计通过使用ADGM1304开关，实现了DC至2.5 GHz的可切换RF衰减器，用于多路复用和信号路由。资料详细描述了电路设计、原理图、PCB布局、物料清单以及测试结果，强调了ADGM1304开关的低插入损耗、高线性度、直流传输能力、小尺寸和快速切换速度等优势。
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PH10 UMS 0.1μM GaAs甚高频P高电子迁移率晶体管工艺
PH10技术提供0.1µm GaAs Very High Frequency pHEMT工艺，适用于低噪声放大，频率可达110GHz，典型Ft为130GHz，功率密度超过300mW/mm，典型噪声系数为2.3dB @ 70GHz。工艺特点包括双金属互连层、精密TaN电阻、高值TiWSi电阻、MIM电容器、空气桥、通孔和金镀背面。PH10产品适用于E波段通信、W波段雷达、光纤、安全传感器、空间仪器等领域。典型产品包括LNA 71-86GHz、MPA 71-76GHz、MPA 81-86GHz和Down-converter CHR1080a98F。
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使用UMS氮化镓和砷化镓产品及铸造解决方案实现5G
该资料主要介绍了UMS公司提供的GaN和GaAs元器件产品，包括射频前端解决方案、功率放大器、低噪声放大器、开关、混频器等。涵盖了多个频段，如Sub 6GHz、37-43.5GHz、6-8GHz、V波段和E波段，适用于固定无线5G、毫米波接入测量和室内射频前传等应用。资料还提供了具体产品的技术参数和性能指标。
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利用宽带低噪声中功率UMSPH10GaAs工艺
UMS公司推出PH10 GaAs工艺的共享晶圆代工服务，适用于低噪声、宽带和中等功率放大器MMICs的生产，最高工作频率可达110GHz。该工艺支持设计低噪声、可变增益放大器、中等功率放大器、混频器和多功能收发MMICs，适用于E波段通信、汽车雷达、成像传感器、光纤通信和仪表等应用。PH10工艺可提供紧凑的系统解决方案，入门价格为1,840€/mm²。UMS提供标准MMIC尺寸，兼容QFN高容量封装能力，确保项目未来工业成功。参与者需在2020年5月11日前提交布局，并享受最低成本保证。
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利用宽带低噪声中功率UMSPH10GaAs工艺
UMS公司推出基于PH10 GaAs工艺的共享晶圆代工服务，旨在生产低噪声、宽带和中等功率的放大器MMIC。该服务将于2019年5月10日启动，适用于E波段通信、汽车雷达、成像传感器、光纤通信和仪器等应用。PH10工艺可提供低噪声、可变增益放大器、中等功率放大器、混频器和多功能收发MMIC。UMS提供标准MMIC尺寸和多种工艺选择，支持设计师轻松参与。
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利用宽带低噪声中功率umsph10gaas工艺
UMS公司推出PH10 GaAs工艺的共享晶圆代工服务，旨在生产低噪声、宽带和中等功率的放大器MMICs。该服务于2018年5月11日启动，适用于E波段通信、汽车雷达、成像传感器、光纤通信和仪器等应用。PH10工艺可提供低噪声和功率性能，单芯片价格低至1,760€/mm²。UMS提供标准MMIC尺寸，兼容QFN高容量封装，并保证最低成本。参与者需在截止日期前提交设计布局。
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CN-0432 使用两个具有多DAC同步功能的AD9139器件进行宽带基带I/Q发射器设计
本文档介绍了Analog Devices的Circuits from the Lab®参考设计，该设计使用AD9139 TxDAC数模转换器和ADL5375宽带正交调制器，实现了一个同步宽频带发射器。设计支持高达1150 MHz的超宽I/Q带宽，并提供了高无杂散动态范围(SFDR)、低误差矢量幅度(EVM)和宽频带范围内的平坦频率响应。文档详细描述了电路设计、布局、时钟方案、LVDS接口设计、低通滤波器设计以及评估板的测试设置和测量结果。
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为保护继电器应用配置ADE1202寄存器
本应用笔记介绍了如何配置ADE1202寄存器以配置300V直流二进制输入应用。内容涵盖ADE1202概述、寄存器配置、硬件考虑、原理示意图、MOSFET选择、寄存器配置示例、MOSFET保护代码、ADE1202启动等。主要目的是帮助用户了解如何通过寄存器配置来监控数字输入，并生成DOUT信号，以便微控制器或FPGA监控。
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【产品】13.5-40.5GHz 单片微波三倍功率缓冲放大器，适用于E波段LO链
为全球客户提供半导体产品的UMS公司推出一款单片集成电路CHX1191-QDG，它是一个单片微波三倍功率缓冲放大器，并且该芯片集成了输入和输出缓冲器。该芯片具备放大器的功能，常应用于无线通信，适用于E波段LO链。 此外，它采用标准表面封装，外表面有静电保护。其工作电压为+5V/80mA。
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【产品】71~76GHz频率范围的GaAS单片微波三级中功率放大器
CHA3080-98F是一款UMS公司推出的基于GaAS的单片微波三级中功率放大器。工作频率范围在71到76GHz之间，是目前商用微波通信的最高频段之一。产品致力于E波段的通信系统设计，尤其适用于新时代的高容量回程网络。
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