LC2MOS Precision Analog Switch in MSOP ADG419-EP
发布时间：
2018-08-04
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ADI（亚德诺半导体）
型号：
ADG419-EP; ADG419SRMZ-EP-RL7
本数据手册详细介绍了ADG419-EP型LC2MOS精密模拟开关。该器件采用增强型LC2MOS工艺制造，具备44V的最大供电电压和VSS到VDD的宽模拟信号范围。其关键特性包括低导通电阻（<35Ω）、极低功耗（<35μW）以及最大145ns的快速切换时间，并采用断开-后再闭合的切换动作设计。作为DG419的插件式替代品，ADG419-EP专为国防和航空航天等高可靠性领域设计，同时也广泛应用于精密测试设备、精密仪器、电池供电系统及采样保持系统等场景。Analog Devices（亚德诺）在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
LC2MOS精密小型DIP模拟开关ADG419
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
ADG419 LC2MOS精密微型DIP模拟开关数据表
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
ADG417 LC²MOS精密小型DIP模拟开关
REV. A
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| 数据手册 - 英文 |
LC²MOS精密小型DIP模拟开关ADG417
REV. A
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| 数据手册 - 英文 |
ADG749 CMOS 1.8 V至5.5 V、2.5Ω2：1多路复用器/单刀双掷开关，采用SC70封装
Rev.C
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| 数据手册 - 英文 |
ADG719 CMOS 1.8 V至5.5 V、2.5Ω2：1多路复用器/单刀双掷开关，采用SOT-23封装
Rev.D
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| 数据手册 - 英文 |
ADG779 CMOS 1.8 V至5.5 V、2.5ΩSPDT开关/2：1多路复用器，采用小型SC70封装
Rev. A
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| 数据手册 - 英文 |
1.5Ω导通电阻、±5 V/12 V/？V、CMOS、双通道单刀双掷开关ADG1436
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
1 pC电荷注入、100 pA泄漏、CMOS、？V/+5 V/+3 V双通道单刀双掷开关ADG636
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
四通道单刀双掷开关aDG333a
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
ADG333A四通道单刀双掷开关
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
1Ω（典型值）导通电阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3 V双通道单刀双掷开关ADG1636
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
1Ω（典型值）导通电阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3 V双通道单刀双掷开关ADG1636
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
4Ω导通电阻、三通道/四通道单刀双掷、±15 V/+12 V/±5V/CMOS开关ADG1433/ADG1434
Rev. E
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| 数据手册 - 英文 |
四通道SPDT？5 V/+12 V开关ADG1334
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
ADG5419高压防闭锁单SPDT开关数据表
Rev. A
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| 数据手册 - 英文 |
高压防闩锁，三/四SPDT开关
Rev. C
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| 数据手册 - 英文 |
低电容、三通道/四通道单刀双掷、±15 V/+12 V/CMOS开关ADG1233/ADG1234
Rev. D
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| 数据手册 - 英文 |
LC²MOS四通道单刀单掷开关aDG211a/aDG212a
Rev. C
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| 数据手册 - 英文 |
LC²MOS四通道单刀单掷开关aDG201a-EP
Rev.0
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| 数据手册 - 英文 |
ADG1634L 4.7Ω导通电阻、四通道单刀双掷开关，兼容1.2 V和1.8 V JEDEC逻辑
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
AD9914S-CSL高剂量辐射测试报告
2022/5/24
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| 数据手册 - 英文 |
LTC3875双通道2相同步控制器，具有低值DCR检测和温度补偿功能
Rev. D
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| 数据手册 - 英文 |
LTM4686B超薄双通道14A或单通道28AμModule稳压器，具有数字电源系统管理功能
2022/6/17
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报
2019/6/19
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| 商品功能框图 - 英文 |
微电路，线性数字，0.1 GHz至33 GHz，1 dB最低有效位（LSB），5位，数字衰减器，砷化镓（GaAs）
2020/10/20
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| 测试报告 - 英文 |
30_WLCSP_A-CB-30-03材料声明
2011/5/31
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| 测试报告 - 英文 |
20_WLCSP_A-CB-20-14材料声明
2015/8/28
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
20引脚晶圆级芯片规模封装[WLCSP]（CB-20-14）图示尺寸单位：毫米
2017/11/8
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
144引脚晶圆级芯片规模封装[WLCSP]（CB-144-2）图示尺寸单位：毫米
2017/4/24
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| 测试报告 - 英文 |
117_WLCSP_S-CB-117-01材料声明
2015/10/2
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
英国封装变化：UK48（39）48（39）-铅塑料QFN（7mm×7mm）
Rev Ø
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
48引脚LQFN封装（10mm×4mm×1.02mm）
Rev Ø
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
48引脚LQFN封装（5mm×6mm×1.02mm
Rev B
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
LQFN封装18引脚（3mm×3mm×0.95mm）
Rev A
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
LQFN封装28引脚（4mm×5mm×0.95mm）
Rev A
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| 测试报告 - 英文 |
24_LGA_CAV_3.8x5.0x1.0_MS012794材料声明
2019/9/5
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
12引脚芯片阵列小型无引线腔[LGA_CAV]4.00 X 4.00 mm主体和1.65 mm封装高度（CE-12-4）图示尺寸单位：mm
2019/1/2
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
12引脚芯片阵列小型无引线腔[LGA_CAV]2.8 X 5.0 mm主体（CE-12-2）图示尺寸单位：mm
2015/3/23
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
72端子焊盘栅格阵列[LGA]（CC-72-3）图示尺寸单位：mm
2019/12/12
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
60端子焊盘栅格阵列[LGA]（CC-60-1）图示尺寸单位：mm
2019/4/11
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
60端子焊盘栅格阵列[LGA]（CC-60-2）图示尺寸单位：mm
2019/4/12
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
20端子焊盘栅格阵列[LGA]（CC-20-5）图示尺寸单位：mm
2019/1/2
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
20端子焊盘栅格阵列[LGA]（CC-20-6）图示尺寸单位：mm
2018/1/19
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技术论坛
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