HMC-ALH364 GaAs HEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 24 - 32 GHz
发布时间：
2018-08-04
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ADI（亚德诺半导体）
型号：
HMC-ALH364
本数据手册详细介绍了HMC-ALH364这款工作于24-32 GHz频段的GaAs HEMT MMIC低噪声放大器芯片。该器件专为高性能微波应用设计，具备2 dB的优异噪声系数和21 dB的高增益，同时提供+7 dBm的1 dB压缩点输出功率。在电气特性方面，其供电电压为+5V，典型工作电流为68 mA，并采用紧凑的1.49 x 0.73 x 0.1 mm封装尺寸，便于集成。凭借这些技术优势，HMC-ALH364非常适用于点对点无线电、点对多点无线电、VSAT终端以及卫星通信等场景。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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HMC-ALH313砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，27-33 GHz
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| 商品功能框图 - 英文 |
HMC8412TCPZ-EP微电路，线性，微波单片集成电路，高电子迁移率晶体管0.4 GHz至11 GHz低噪声放大器，砷化镓
20-12-15
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HMC772LC4 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，2-12 GHz
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HMC-ALH369砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，24-40GHz
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HMC752LC4 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，24-28 GHz
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HMC504LC4B GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，14-27 GHz
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砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，24-40千兆赫
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砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，24-40千兆赫
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砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，24-40千兆赫
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砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，2-12千兆赫
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砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，1-12千兆赫
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砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，2-22千兆赫
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砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，14-27千兆赫
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砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，14-27千兆赫
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砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，24-28千兆赫
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砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，18-40千兆赫
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1GHz至11GHz，砷化镓，高电子迁移率晶体管，微波单片集成电路低噪声放大器
Rev.E
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砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，35-45千兆赫
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5ghz～11ghz砷化镓，pHEMT电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，低噪声放大器
Rev.D
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5ghz～11ghz砷化镓，pHEMT电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，低噪声放大器
Rev.C
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HMC963LC4 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，6-26.5 GHz
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HMC962LC4 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，7.5-26.5 GHz
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GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，5-20ghz
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HMC519 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，18-32 GHz
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HMC460 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，DC-20 GHz
2020/9/23
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HMC460 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，DC-20 GHz
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HMC565 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，6-20 GHz
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HMC716LP3E GAAS高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，3.1-3.9GHz
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HMC667LP2/667LP2E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，2.3-2.7 GHz
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HMC-ALH102砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路宽带低噪声放大器，2-20 GHz
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HMC375LP3/375LP3E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，1.7-2.2 GHz
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HMC715LP3/715LP3E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，2.1-2.9 GHz
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4.8-6.0ghz砷化镓pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器
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4.8-6.0ghz砷化镓pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器
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HMC460LC5 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，DC-20 GHz
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HMC376LP3/376LP3E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，700-1000 MHz
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HMC717ALP3E GAAS高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，4.8-6.0 GHz
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砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路宽带低噪声放大器，2-20千兆赫
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ADL9006 2 GHz至28 GHz GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器
Rev.0
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HMC564 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，7-13.5 GHz
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砷化镓，菲氏电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，低噪声放大器，6千兆赫至17千兆赫
Rev.G
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，1.7-2.2千兆赫
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应用/方案
EVAL-ADL8142评估ADL8142 GaAs，P高电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，低噪声放大器，23 GHz至31 GHz
本资料为ADL8142 GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器评估板（EVAL-ADL8142）的用户指南。指南详细介绍了评估板的特性、组成、操作方法、电路图和订购信息。评估板采用4层PCB，支持23 GHz至31 GHz频段，配备2.92 mm射频连接器。指南还提供了推荐的偏置序列和性能参数。
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EVAL-ADL8121评估ADL8121 GaAs，P高电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，低噪声放大器，0.025 GHz至12 GHz
本资料为ADL8121 GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器评估板（EVAL-ADL8121）的用户指南。指南详细介绍了评估板的特性、组件、操作方法以及所需设备。评估板采用4层PCB，支持0.025 GHz至12 GHz频率范围，并提供了通过校准路径进行校准的功能。指南中还包含了推荐的偏置序列、评估板原理图和物料清单等信息。
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评估ADL8107 GaAs，高电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，低噪声放大器，6 GHz至18 GHz
本资料为ADL8107 GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器评估板（EVAL-ADL8107）的用户指南。指南详细介绍了评估板的特性、组成、操作方法、推荐偏置序列、原理图和订购信息。评估板采用4层PCB，支持6 GHz至18 GHz频段，配备2.92 mm射频连接器，适用于-40°C至+85°C工作温度范围。指南还提供了通过校准路径的性能数据、原理图和物料清单。
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CN-0534 USB供电5.8 GHz RF LNA接收器，具有输出功率保护电路笔记
本文档介绍了基于Analog Devices元器件的5.8 GHz射频接收器系统设计，包括低噪声放大器、带通滤波器、过功率保护和USB供电等关键组件。系统采用HMC717A低噪声放大器，ADL5904真功率检测器和HMC802A数字衰减器，实现高增益、过功率保护和低噪声性能。设计支持文件包括原理图、布局文件和物料清单，适用于ISM频段的应用。
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用于新的空间、低地球轨道、地球同步轨道、深空飞行任务、地球观测和通信的UMS空间解决方案
UMS Space提供针对新太空、LEO、GEO、深空任务、地球观测和通信的解决方案。公司拥有超过10万枚飞行的MMICs，采用GaAs和GaN先进技术，提供裸片或封装产品、晶圆代工服务和ASIC设计服务。UMS提供完整的太空产品系列，包括标准COTS产品、Hi-Rel产品、GaAs和GaN裸片及MMICs，以及封装产品。此外，UMS还提供MMICs定制设计和太空认证的晶圆代工服务。
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CHA2368-98F: New 50-71GHz wideband Low Noise Amplifier/Variable Gain Amplifier MMIC for multiple demanding applications
The CHA2368-98F is a wideband LNA/VGA covering 50-71GHz with attractive Noise and Power performance. The CHA2368-98F is designed on UMS proprietary 0.1µm pHEMT GaAs technology and provided in bare die.
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ADI系统级解决方案：加速工业4.0智能制造的发展
本文介绍了ADI公司提供的系统级解决方案，旨在加速工业4.0智能制造的发展。文章重点阐述了可配置的运动和机器人平台、网络接口解决方案、状态监控（CbM）平台等关键技术和产品，以及它们如何满足工业4.0智能工厂的特点，如可配置性、实时监控、多协议连接等。此外，文章还介绍了ADI提供的评估工具和设计资源，以帮助客户快速将解决方案推向市场。
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实时电表健康监控及基于数据驱动的智能化决策
全球电力公司正在投资高级计量基础设施(AMI)以降低抄表成本，提供定制计费选项，并拓展新服务。然而，电表资产的部署生命周期管理仍依赖现场检查。实时电表健康监控技术，如*m*Sure，可提供电表健康数据，帮助电力公司识别不合规电表、精度漂移的电表和故障电表，以及更准确地检测窃电事件。这些技术有助于降低成本、减少窃电并改善运营。
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