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HMC-APH473 GaAs HEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 37 - 40 GHz
发布时间: 2018-08-04
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
ADI(亚德诺半导体)
型号:
HMC-APH473
本数据手册详细介绍了HMC-APH473 GaAs HEMT MMIC 1瓦功率放大器的技术规格与应用参数。该器件专为37至40 GHz频率范围设计,提供15 dB的增益,在1 dB压缩点下输出功率可达+28 dBm。其输入与输出回波损耗分别为10 dB和14 dB,支持50欧姆匹配,采用+5V供电电压,封装尺寸仅为3.59 x 1.26 x 0.1 mm。凭借优异的性能,该放大器广泛应用于点对点无线电、点对多点无线电、VSAT终端以及军事和空间通信等高频领域。基于该方案,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。针对文中所述器件,平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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HMC980LP4E有源偏置控制器高电流
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ANALOG DEVICES HMC980有源偏置控制器高电流
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HMC-APH478砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器,18-20 GHz
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HMC-APH518砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器,21-24 GHz
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HMC-APH608砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器,22.5-26.5 GHz
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HMC-APH462砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器,15-27 GHz
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器,40-43.5千兆赫
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器,6-10千兆赫
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器,直流6千兆赫
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器,直流22千兆赫
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器,直流22千兆赫
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GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器,6.0-9.5ghz
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HMC797A砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器,直流22千兆赫
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1瓦,砷化镓辉光电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器,27千兆赫至32千兆赫
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HMC1132 1瓦GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器,27 GHz至32 GHz
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砷化镓,菲氏电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,1瓦,功率放大器与功率检测器,37千兆赫至40千兆赫
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ADPA9002 GaAs,高电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,单正电源,DC至10GHz功率放大器
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2 GHz至6 GHz、45 dBm功率放大器HMC7885
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ADPA7007芯片GaAs,高电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,1 w功率放大器,18GHz至44 GHz
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ADPA7002 GaAs,高电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,1/2 w,18 GHz至44 GHz,功率放大器
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HMC8205B0.4 GHz至6 GHz,35 W,氮化镓,功率放大器数据表
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HMC998APM5E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器,DC-22 GHz
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ADPA7005芯片GaAs,高电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,1 w功率放大器,20 GHz至44 GHz
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HMC637BPM5E GaAs,P高电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,单正电源,DC至7.5 GHz,1 w功率放大器
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HMC1022ACHIPS GaAs,P高电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,0.25 w功率放大器,DC至48 GHz
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ADPA7009芯片20 GHz至54 GHz,GaAs,高电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,29 dBm(0.5 w)功率放大器
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HMC7229 33 GHz至40 GHz,GaAs,p高电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,带功率检波器的1 w功率放大器
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ADPA7008芯片20 GHz至54 GHz,GaAs,高电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,31 dBm(1 w)功率放大器
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HMC930A GaAs,高电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,0.25 w功率放大器,DC至40 GHz
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HMC637ASCPZ-EP GaAs,P高电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,1 w功率放大器,0.1 GHz至6 GHz
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HMC637ALP5E GaAs,P高电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,1 w功率放大器,0.1 GHz至6 GHz
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HMC943APM5E>1.5 W(34 dBm),24 GHz至34 GHz,GaAs,P高电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,功率放大器
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砷化镓,pHEMT电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,单正电源,直流至7.5千兆赫,1瓦功率放大器HMC637BPM5E数据表
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ADPA7002芯片砷化镓,菲氏电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,1/2W,20GHz至44GHz,功率放大器
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ADPA7002芯片砷化镓,菲氏电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,1/2W,20GHz至44GHz,功率放大器
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技术论坛
能对标ADI的ADPA7009 (20 GHz to 54 GHz, GaAs, pHEMT, MMIC, 29 dBm (0.5 W) Power Amplifier),找国产化替代,要国产的品牌,关键指标有如下两个,工作频率覆盖46~52GHz,噪声系数在6以内即可
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一个新项目需要替代ADI的隔离驱动芯片ADUM3224,电路是D类功放电路,工作频率800kHz。请问有没有高速、国产的MOSFET隔离驱动芯片?
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应用/方案
评估ADPA7008 20 GHz至54 GHz、GaAs、高电子迁移率晶体管、31 dBm(1 W)功率放大器
本资料为ADPA7008 20 GHz至54 GHz GaAs pHEMT功率放大器评估板(EVAL-ADPA7008-EVALZ)的用户指南。指南详细介绍了评估板的特性、组件、操作方法、校准路径以及订购信息。评估板采用双层Rogers 4350B电路板,配备散热器,并配有RF信号发生器、频谱分析仪、网络分析仪等所需设备。指南还提供了评估板的原理图和组装图,以及订购信息和物料清单。
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ADPA9002-EVALZ用户指南:GaAs高电子迁移率晶体管、微波单片集成电路、单正电源、DC至10 GHz功率放大器的评估
本资料为ADPA9002-EVALZ评估板用户指南,主要介绍了该评估板的特性、组成、操作方法以及相关注意事项。评估板基于10 mil厚度的Rogers 4350B材料,配备散热片,支持-40°C至+85°C的工作温度范围。用户指南详细说明了评估板的电路设计、元件布局、电源配置以及操作步骤,包括自偏置和外部偏置模式。此外,还提供了评估板的订购信息和材料清单。
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ADPA7002-EVALZ评估ADPA7002 GaAs高电子迁移率晶体管、微波单片集成电路、1/2 Wz 18 GHz至44 GHz功率放大器的用户指南
本资料为ADPA7002-EVALZ评估板用户指南,介绍了该评估板的硬件设计、操作方法、通过校准路径的数据和图表以及评估板原理图。评估板基于10mil厚度的Rogers 4350铜 clad,并配备铝制散热片,用于评估ADPA7002 GaAs pHEMT MMIC功率放大器。指南详细说明了评估板的硬件配置、电源连接、偏置序列以及校准路径的使用。
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英锐芯功放芯片选型推荐
功放其实是功率放大器的简称。其作用主要是将音频器材输入的较微弱信号进行放大后,产生足够大的电流去推动扬声器进行声音的重放。
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功放测试关注哪些指标?
功放是发射电路的核心,对宽带传输尤为重要,尤其影响非恒包络调制方式。其调试涉及矢网调匹配、增益、功率和效率,信号源与频谱仪调线性。使用两套设备旨在优化功率、线性和效率。测试包括匹配、频率功率扫描、线性(AM-PM失真、互调、EVM/ACPR)、谐波分析及效率评估。匹配确保最大功率传输;频率与功率扫描界定带宽与功率范围;线性测试关注失真,确保信号质量;谐波考量滤波器设计;效率则需与线性平衡。
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CHA8254-99F A New Power Amplifier,Frequency Range 17.3-20.3GHz
The CHA8254-99F is the new Power Amplifier proposed by UMS. It covers the frequency band 17.3-20.3GHz. The CHA8254-99F is dedicated to space applications and all high-performance systems.
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PA1011功放波形放大实例介绍
本文介绍了PA1011功率放大器的波形放大示例。文章首先阐述了功率放大器的基本概念和主要应用领域,包括通用运算放大器实验、基本电路信号放大、音频功率放大、无线系统发射、雷达和军事通信等。接着,文章详细介绍了PA1011功率放大器的特性、优势、使用方法和测试步骤,包括连接设备、设置参数、波形放大结果等。最后,文章强调了使用PA1011时的安全注意事项。
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【技术】英锐芯AB类、D类、F类(AB/D)功放芯片及功放参数介绍
本文介绍英锐芯提供多款AB类、D类、F类(AB/D)功放芯片及功放性能参数说明。
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