HMC-APH462 GaAs HEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 15 - 27 GHz
发布时间：
2018-08-04
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ADI（亚德诺半导体）
型号：
HMC-APH462
本数据手册详细介绍了HMC-APH462型号器件，这是一款覆盖15至27 GHz频段的GaAs HEMT MMIC功率放大器。该器件专为满足高频通信需求而设计，提供17 dB的增益，在1 dB压缩点下输出功率达+29 dBm，输出IP3为+37 dBm，展现出优异的线性度和功率输出能力。其供电电压为+5V，采用50 Ohm匹配阻抗，封装尺寸仅为3.70 x 2.62 x 0.1 mm，便于集成。凭借这些技术特性，HMC-APH462广泛应用于点对点及点对多点无线电、VSAT终端以及军事和太空等严苛领域，能够有效提升系统的信号传输质量与可靠性。Analog Devices在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
HMC980LP4E有源偏置控制器高电流
v 01. 0 911
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
ANALOG DEVICES HMC980有源偏置控制器高电流
v00.0312
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC-APH460砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路0.5瓦功率放大器，27-31.5 GHz
v02.0208
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
鉴定试验报告（11014）
Rev:04
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC-APH608砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，22.5-26.5 GHz
v03.0409
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC907A GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，0.2-22 GHz
v03
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
4w，GaAs，pHEMT电子迁移率晶体管，微波单片集成电路功率放大器，5.5ghz～8.5ghz
Rev.A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC907LP5E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，0.2-22 GHz
v00
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC907APM5E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，0.2-22 GHz
v03
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC907APM5E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，0.2-22 GHz
v02.0418
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
ADPA9002-EVALZ用户指南：GaAs高电子迁移率晶体管、微波单片集成电路、单正电源、DC至10 GHz功率放大器的评估
Rev. A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，17-24千兆赫
v03.0713
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，55-65千兆赫
v03.0714
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，2-20千兆赫
v03.0308
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，2-20千兆赫
v04.0308
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，0.2-22ghz
v02.1017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，0.2-22ghz
v00.0510
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，0.2-22ghz
v01
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC464LP5E砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，2-20千兆赫
v04.0218
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，DC-28ghz
v01.0314
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，DC-28ghz
v03
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路½瓦功率放大器，16-24千兆赫
v00.0610
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，27.5-31千兆赫
v00.0913
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，15-20千兆赫
v01.0414
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，7-9千兆赫
v03.0109
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，DC-15ghz
v04.0614
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，DC-15ghz
v02.0217
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，DC-20ghz
v03.0208
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，直流22千兆赫
v01.0417
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，直流22千兆赫
v02.1011
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，直流22千兆赫
v02.0811
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，直流22千兆赫
v05
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，6.0-9.5千兆赫
v02.0107
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，DC-18ghz
v01.1007
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，6-10千兆赫
v02.0109
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，5.5-8.5千兆赫
v00.0813
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，DC-10ghz
v07.0908
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，DC-10ghz
v01.0308
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1.5瓦功率放大器，24-34千兆赫
v09.0417
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1.5瓦功率放大器，24-31.5千兆赫
v02.0113
|
下载 |
技术论坛
能对标ADI的ADPA7009 （20 GHz to 54 GHz, GaAs, pHEMT, MMIC, 29 dBm (0.5 W) Power Amplifier），找国产化替代，要国产的品牌，关键指标有如下两个，工作频率覆盖46~52GHz，噪声系数在6以内即可
查看官方回答 >>
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
评估ADPA7006 18GHz至44GHz，砷化镓，pHEMT电子迁移率晶体管，>25dBm（>0.5W），微波单片集成电路功率放大器
本资料为ADPA7006-EVALZ评估板用户指南，介绍了该评估板的特性和使用方法。评估板基于ADPA7006 GaAs pHEMT MMIC功率放大器，工作频段为18 GHz至44 GHz，输出功率大于25 dBm。指南详细说明了评估板的硬件设计、操作步骤、性能参数和注意事项。
阅读原文 >>
评估ADPA7005 18 GHz至44 GHz，GaAs，高电子迁移率晶体管，32 dBm（>1 W），微波单片集成电路功率放大器
本资料为ADPA7005-EVALZ评估板用户指南，主要介绍了该评估板的特性、组成、操作方法以及相关注意事项。评估板基于10 mil厚度的Rogers 4350B材料，配备铝制散热片，用于评估18 GHz至44 GHz频段的GaAs pHEMT MMIC功率放大器ADPA7005。指南详细说明了评估板的电路设计、连接方式、电源要求以及操作步骤，并提供了相关性能参数和注意事项。
阅读原文 >>
ADPA7005-EVALZ用户指南ADPA7005 18 GHz至44 GHz、GaAs、高电子迁移率晶体管、32 dBm（>1 W）、微波单片集成电路功率放大器的评估
本资料为ADPA7005-EVALZ评估板用户指南，介绍了该评估板的特性、组成、操作方法及相关参数。评估板基于10 mil厚度的Rogers 4350B材料，配备铝制散热片，用于评估18 GHz至44 GHz频段的GaAs pHEMT MMIC功率放大器。指南详细说明了评估板的连接方式、电源要求、偏置序列以及性能参数。
阅读原文 >>
ADPA7002-EVALZ评估ADPA7002 GaAs高电子迁移率晶体管、微波单片集成电路、1/2 Wz 18 GHz至44 GHz功率放大器的用户指南
本资料为ADPA7002-EVALZ评估板用户指南，介绍了该评估板的硬件设计、操作方法、通过校准路径的数据和图表以及评估板原理图。评估板基于10mil厚度的Rogers 4350铜 clad，并配备铝制散热片，用于评估ADPA7002 GaAs pHEMT MMIC功率放大器。指南详细说明了评估板的硬件配置、电源连接、偏置序列以及校准路径的使用。
阅读原文 >>
ADPA9002-EVALZ用户指南：GaAs高电子迁移率晶体管、微波单片集成电路、单正电源、DC至10 GHz功率放大器的评估
本资料为ADPA9002-EVALZ评估板用户指南，主要介绍了该评估板的特性、组成、操作方法以及相关注意事项。评估板基于10 mil厚度的Rogers 4350B材料，配备散热片，支持-40°C至+85°C的工作温度范围。用户指南详细说明了评估板的电路设计、元件布局、电源配置以及操作步骤，包括自偏置和外部偏置模式。此外，还提供了评估板的订购信息和材料清单。
阅读原文 >>
CN-0534 USB供电5.8 GHz RF LNA接收器，具有输出功率保护电路笔记
本文档介绍了基于Analog Devices元器件的5.8 GHz射频接收器系统设计，包括低噪声放大器、带通滤波器、过功率保护和USB供电等关键组件。系统采用HMC717A低噪声放大器，ADL5904真功率检测器和HMC802A数字衰减器，实现高增益、过功率保护和低噪声性能。设计支持文件包括原理图、布局文件和物料清单，适用于ISM频段的应用。
阅读原文 >>
用于新的空间、低地球轨道、地球同步轨道、深空飞行任务、地球观测和通信的UMS空间解决方案
UMS Space提供针对新太空、LEO、GEO、深空任务、地球观测和通信的解决方案。公司拥有超过10万枚飞行的MMICs，采用GaAs和GaN先进技术，提供裸片或封装产品、晶圆代工服务和ASIC设计服务。UMS提供完整的太空产品系列，包括标准COTS产品、Hi-Rel产品、GaAs和GaN裸片及MMICs，以及封装产品。此外，UMS还提供MMICs定制设计和太空认证的晶圆代工服务。
阅读原文 >>
CHA2368-98F: New 50-71GHz wideband Low Noise Amplifier/Variable Gain Amplifier MMIC for multiple demanding applications
The CHA2368-98F is a wideband LNA/VGA covering 50-71GHz with attractive Noise and Power performance. The CHA2368-98F is designed on UMS proprietary 0.1µm pHEMT GaAs technology and provided in bare die.
阅读原文 >>
用UMS征服太空：用于新太空、Leo、GEO、深空任务、地球观测和通信的UMS太空解决方案
UMS Space提供针对太空、低地球轨道、地球观测和通信任务的元器件解决方案。公司拥有超过10万颗飞行的MMICs，提供GaAs和GaN先进技术，包括裸片、封装产品、晶圆代工服务和ASIC设计服务。UMS提供全系列标准COTS产品，包括S/Hi-Rel产品，以及根据客户规格设计的MMICs。此外，UMS提供针对太空应用的封装解决方案和认证流程。
阅读原文 >>
