HMC-C021 WIDEBAND POWER AMPLIFIER MODULE, 21 - 31 GHz
发布时间：
2018-08-04
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ADI（亚德诺半导体）
型号：
HMC-C021
本数据手册详细介绍了HMC-C021宽带功率放大器模块，该器件是一款工作于21至31GHz频段的高性能微波组件。基于GaAs MMIC pHEMT技术设计，该模块在27GHz频率下可提供15dB的增益，输出功率达+24dBm，输出IP3为+33dBm，并具备5dB的噪声系数。其内部集成电压稳压器、偏置时序电路及50Ω匹配设计，支持灵活偏置与直流阻断，能够在-55°C至+85°C的宽温范围内稳定工作。凭借优异的射频性能，该产品广泛应用于微波无线电、VSAT终端、军事与太空系统以及各类测试和实验室仪器中。Analog Devices（亚德诺）在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型指导、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
HMC-C021宽带功率放大器模块，21-31 GHz
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| 数据手册 - 英文 |
HMC6980宽带功率放大器模块，0.01-20 GHZ
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HMC6980宽带功率放大器模块，0.01-20 GHZ
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| 测试报告 - 英文 |
AD9375 DPD/PA测试报告
2019/6/18
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| 数据手册 - 英文 |
HMC-C036宽带功率放大器模块，0.01-15 GHz
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HMC-C023宽带功率放大器模块，2-20GHz
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HMC-C003宽带功率放大器模块，2-20 GHz
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HMC-C020宽带功率放大器模块，17-24ghz
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HMC994A砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路0.5瓦功率放大器，DC-30 GHz
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HMC637ALP5E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路1 w功率放大器，DC-6 GHz
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HMC1022A砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路0.25瓦功率放大器，DC-48 GHz
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HMC998A GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，0.1-22 GHz
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HMC907LP5E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，0.2-22 GHz
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HMC998APM5E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，0.1-20 GHz
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0.01 GHz至20 GHz超宽带功率放大器模块HMC-C582
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宽带功率放大器模块，2-20千兆赫
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宽带功率放大器模块，0.01-15 GHz
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0.01 GHz至20 GHz，超宽带功率放大器模块
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HMC-C026宽带高增益功率放大器模块，2-20 GHz
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HMC907A GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，0.2-22 GHz
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HMC-C037宽带功率放大器台式模块，0.01-15 GHz
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HMC-C037宽带功率放大器台式模块，0.01-15 GHz
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HMC-C038宽带驱动放大器模块，2-35 GHz
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GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，0.2-22ghz
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GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，0.2-22ghz
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HMC797A砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，直流22千兆赫
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HMC-C028宽带VCO，带缓冲放大器模块，4-8 GHz
02/23/2017
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宽带高增益功率放大器模块，2-20千兆赫
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HMC-C029宽带VCO，带缓冲放大器模块，5-10 GHz
02/23/2017
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GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路0.5瓦功率放大器，DC-30ghz
v02.0817
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GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路0.5瓦功率放大器，DC-30ghz
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，直流22千兆赫
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路1瓦功率放大器，直流22千兆赫
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HMC-C016宽带LNA模块，7-17 GHz
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HMC-C017宽带LNA模块，17-27 GHz
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GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，DC-15ghz
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GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，DC-15ghz
v02.0217
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GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路0.25瓦功率放大器，DC-40ghz
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GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，DC-18ghz
v01.1007
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GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，DC-10ghz
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GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器，DC-20ghz
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
ADL5960 10 MHz至20 GHz集成式矢量网络分析仪前端
ADL5960是一款宽带矢量网络分析仪前端模块，集成了双向桥、下变频混频器、可编程中频放大器和滤波器以及灵活的本振接口。该模块提供超过10 dB的直接性，直至17 GHz，并具有小于2.5 dB的典型插入损耗。ADL5960支持多种不同的本振接口配置，简化了VNA解决方案的时钟设计以及与模拟数字转换器（ADC）的接口。该模块采用3线串行外设接口（SPI）进行完全编程，适用于宽带、多端口矢量网络分析仪、S参数幅度和相位测量以及在线射频功率测量。
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患者监护仪
本资料介绍了恩智浦为患者监护仪提供的全面解决方案，包括微控制器、音频功率放大器、无线通信模块、温度传感器、音频编解码器、电压电平转换器、电池充电器、负载开关、电源管理集成电路、USB Type-C接口、AC-DC解决方案、LCD显示驱动器、LED驱动器、超宽带(UWB)和蓝牙(Bluetooth)技术。此外，还涵盖了NFC、通用I/O、Wi-Fi模块、以太网PHY收发器等组件，旨在确保患者监护仪能够实时测量生命体征，并将数据安全传输和存储。
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思为无线新品大功率全双工音频传输模块SA628F39，采用宽带扩频技术，支持回音消除功能
G-NiceRF思为无线的SA628F39是一款高集成度的8W大功率全双工无线数据语音一体音频传输模块，专为高效、稳定的远程通信设计。该模块内置高速微控制器、高性能射频芯片、功率放大器、ESD静电保护和硬件看门狗芯片，具备反接保护、过流过压保护和防死机保护等多重安全功能，确保在各种复杂环境下的可靠性。
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SDSX发布第二代四通道超宽带波束赋形TR收发芯片SX1006-G-J，工作频率覆盖5~18GHz
2024年12月，深圳市时代速信科技有限公司成功发布第二代四通道超宽带波束赋形TR收发芯片SX1006-G-J，性能达到业界一流水准。芯片基于国产SOI工艺。工作频率覆盖5~18GHz，每个通道由数控移相器、驱动放大器、数控衰减器、开关、功率合成器（功分器）等模块组成，支持6位移相和6位衰减。
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TSX片式衰减器系列
Smiths Interconnect的TSX系列芯片衰减器提供从直流到Q波段的全频段选择，具有优异的性能和丰富的历史经验。这些衰减器采用多种材料，包括氧化铝、氮化铝、氧化铍和化学气相沉积金刚石，适用于各种应用。TSX系列在尺寸、重量和功率方面具有优势，提供1至3瓦的功率处理性能，并具有多种衰减值，适用于表面安装。该系列衰减器在0604或0404封装尺寸内提供从直流到50 GHz的优异宽带射频性能，并具有低VSWR和宽衰减值范围。适用于放大器电路、收发模块、上/下转换器、仪器、卫星通信、雷达和5G等应用。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能了全新的功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN FET广泛应用于汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等领域。
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增强型氮化镓功率晶体管技术 应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能全新功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN® FET技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。文章详细阐述了eGaN® FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和反向恢复方面的性能优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还介绍了eGaN® FET在汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等领域的应用。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，包括更低的阻抗、导通损耗、开关损耗和反向恢复。此外，氮化镓器件具有低成本、可靠性高、易于使用和全面设计支持等特点。文章还列举了eGaN® FET在不同应用中的优势，如汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。
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