SMG23023.2A, 20V,RDS(ON) 85mN-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
发布时间：
2018-08-27
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
SECOS
型号：
SMG2302
加工定制
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| 数据手册 - 英文 |
SMG2302N 3.4 A, 20 V, RDS(ON) 76 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Rev.A
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知SMG2301
2013/3/1
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知SMG2301
2017/8/25
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SMG2302-C 4.9A、20V、RDS（ON）37MN沟道增强型MOSFET
Rev. B
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产品停用（寿命终止）通知SMG2334NE产品停用（寿命终止）通知
08-Feb-2016
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SMG2370N 1.8 A, 100 V, RDS(ON) 280 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
Rev.A
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产品/工艺变更通知SMG2328
2016/4/20
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SMG2361P -3.4A , -60V , RDS(ON) 210 mΩΩΩΩP-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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SMG2318N 1.2 A, 30 V, RDS(ON) 160 mΩΩΩΩN-Channel Logic Level MOSFET
Rev.A
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停用（寿命终止）通知SMG2391P产品停用（寿命终止）通知
15-Jan-2015
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SMG2334N 3.5A, 30V, RDS(ON) 60mN-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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产品停用（寿命终止）通知SMG2329S产品停用（寿命终止）通知
15-May-2016
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SMG2329P -2.5 A, -30 V, RDS(ON) 0.112 P-Channel Enhancement MOSFET
Rev. A
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产品停用（寿命终止）通知SMG2311B产品停用（寿命终止）通知
1-Jul-2016
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产品停用（寿命终止）通知SMG2311B产品停用（寿命终止）通知
15-May-2016
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SMG2390N N-Channel Enhancement Mode Mos.FET 1.1 A, 150 V, RDS(ON) 0.700
REV.A
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SMG2371P -1A, -100V, RDS(ON) 1.2 P-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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产品停用（寿命终止）通知SMG2310A产品停用（寿命终止）通知
01-Jun-2013
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SMG2325P -3.6 A, -20 V, RDS(ON) 55 m P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Rev,A
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产品停用（寿命终止）通知SMG2301P产品停用（寿命终止）通知
05-Aug-2015
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SMG2315-C-1.5A，-100V，RDS（ON）240mm P沟道增强型功率MOSFET
Rev. A
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SMG2345PE -3.2A , -40V , RDS(ON) 164 mΩΩΩΩP-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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SMG2328 100V、1.5A、250mm N沟道增强型功率MOSFET
Rev. E
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MG2327P -3.6 A, -20 V, RDS(ON) 52 mP-Channel Enhancement MOSFET
Rev. B
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SMG2336N 5.3 A, 30 V, RDS(ON) 32 mN-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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SMG2345P -3.2A , -40V , RDS(ON) 164 mΩΩΩΩP-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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SMG2392N 0.6A, 150V, RDS(ON) 2.6ΩΩΩΩ N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Rev.A
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SMG2326N 2.2 A, 20 V, RDS(ON) 70 mN-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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SMG2340NE 5.2 A, 40 V, RDS(ON) 43 mN-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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SMG2328S 1.2A , 100V , RDS(ON) 310 mΩΩΩΩ N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Rev.A
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SMG2314N-C 5.3A、30V、RDS（ON）32mΩN沟道增强型MOSFET
Rev. C
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SMG2322N 2.5A, 30V, RDS(ON) 85 mN-Channel Enhancement MOSFET
Rev. A
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SMG2398NE 2.2 A, 60 V, RDS(ON) 194 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
REV.A
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SMG2398N 2.2 A, 60 V, RDS(ON) 194 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
REV.A
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SMG2343 -4.1A , -30V , RDS(ON) 45 mΩΩΩΩ P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Rev.A
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SMG2306N 3.5A , 30V , RDS(ON) 58 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
Rev.A
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SMG2301-C-3.5A，-20V，RDS（ON）75MP沟道增强型MOSFET
Rev.B
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SMG2342NE 5.2 A, 40 V, RDS(ON) 86 mN-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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SMG2328NE 6.3 A, 20 V, RDS(ON) 22 mN-Channel Enhancement MOSFET
Rev.A
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SMG2301-2.6A，-20V，RDS（ON）130mP沟道增强型功率Mos.FET
Rev. A
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SMG2322-C 0.6A、200V、RDS（ON）1.35N沟道增强型MOSFET
Rev. A
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SMG2314N 5.3A , 20V , RDS(ON) 32 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Rev.A
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应用/方案
【产品】低栅电荷的N沟道增强型功率MOSFET FIR10N60FG，静态漏源导通电阻典型值0.68Ω
FIR10N60FG是福斯特半导体推出的一款采用F-Cell™结构VDMOS专利技术研发的N沟道增强型功率MOSFET。改进过的平面条形单元和保护环端子可以最小化通态电阻，提供卓越的开关特性，并能在雪崩和换向模式中承受高能脉冲。
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【产品】100V/60A的N沟道增强型功率MOSFET BLP075N10GL，具有快速开关、低导通电阻等特点
BLP075N10GL是上海贝岭推出的一款基于先进的第二代双沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET，降低了导通损耗，提升了开关性能，提高了雪崩能量，适用于同步整流和高速开关应用。
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【产品】20V/3A的N沟道增强型功率MOSFET QX2302系列，采用沟槽式DMOS技术，具有快速开关特性
群芯微推出的N沟道增强型功率MOSFET QX2302系列，器件采用沟槽式DMOS技术，这种先进的技术专为最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而量身定制，这些器件非常适合高效的快速开关应用领域。
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【应用】N沟道增强型功率MOSFET HMS18N10Q可用于电源板，脉冲漏极电流极限值高达54A
虹美功率半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET HMS18N10Q具有宽工作温度范围，宽电压特性，高脉冲漏极电流，以及低漏源导通电阻，可以提高电源板的可靠性，降低电源板的功耗，降低电源板的尺寸以及成本。
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【产品】采用SOP8封装的N沟道增强型功率MOSFET SW120R45VT，基于SAMWIN技术生产，导通电阻低
SW120R45VT是芯派科技推出的一款采用SOP8封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件基于先进的SAMWIN技术生产，具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷、特别是出色的雪崩特性。
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【产品】N沟道增强型功率MOSFET VS4603DM6，采用TO-263-6L封装，漏源击穿电压40V
威兆半导体推出N沟道增强型功率MOSFET VS4603DM6，采用TO-263-6L封装。在TA=25℃，漏源击穿电压为40V，具有切换快，效率高的特性。符合无卤素和RoHS标准。
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【产品】正芯推出的N沟道增强型功率MOSFET RC2304A，栅极电荷低，用于负载开关等领域
正芯推出的N沟道增强型功率MOSFET RC2304A使用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON)以及低栅极电荷，具有高功率和电流处理能力，该产品适合用于负载开关、电源管理、PWM应用。
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【产品】铨力半导体推出的100V/14.6A N沟道增强型功率MOSFET AP15N10K，采用高单元密度沟槽技术
铨力半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET AP15N10K，TC=25℃，漏源电压最大额定值为100V，栅源电压最大额定值为±20V。具有超低栅极电荷，以及出色的 CdV/dt 衰减效果，采用先进的高单元密度沟槽技术，符合RoHS标准且无卤素。
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