CHA6710-99F 5W X Band Medium Power Amplifier GaN Monolithic Microwave IC
发布时间：
2018-10-10
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
UMS
型号：
CHA6710-99F; CHA6710-99F/00
本产品数据手册详细介绍了CHA6710-99F，这是一款专为8至12.75GHz频段设计的5W中等功率放大器。该器件基于GaN pHEMT工艺制造，集成了高输出功率、高效率与线性增益等优异特性。具体而言，CHA6710-99F在典型工作条件下可提供5.5W的输出功率，功率效率达到36%，线性增益为23.5dB，其直流偏置设置为Vd=25伏特、Idq=0.2安培。在物理封装方面，该产品尺寸紧凑，仅为2.7x2.15x0.1毫米，并支持提供裸片形式，非常适合对空间和性能有严苛要求的系统设计。该资料主要面向军事及商业通信系统的研发与设计人员，为其提供关键射频器件的技术参数参考。Custom MMIC在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型指导、设计验证到调试的全程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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UMS官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
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世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供UMS的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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UMS——24G雷达解决方案全球出货量第一供应商
United Monolithic Semiconductors (UMS)是欧洲领先的射频MMIC产品和专门市场的foundry service代工服务，包括国防和航天、电信、汽车雷达和24G工业雷达传感器。
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现货平台 / UMS 授权代理店
| 订货型号 | CHA6710-99F | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA6710-99F | 品类 | GaN Monolithic Microwave ICMedium Power Amplifier |
| 描述/说明 | 5W X Band Medium Power Amplifier;GaN Monolithic Microwave IC,非完整下单ON,需要加包装尾缀。 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 8 | RF Bandwidth (GHz)max | 12.75 |
| Gain(dB) | 23.5 | Sat. Output Power(dBm) | 37 |
| PAE(%) | 36 @ Psat | Bias(mA) | 200 |
| Bias(V) | 24 | Case | Die |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥805.1751
库存：
0
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| 订货型号 | CHA6710-FAB | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA6710-FAB | 品类 | Power Amplifier, GaN Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 5W X Band Medium Power Amplifier.GaN Monolithic Microwave IC,非完整下单ON,需要加包装尾缀。 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 25 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 8 | RF Bandwidth (GHz)max | 12.75 |
| Gain(dB) | 22.5 | Sat. Output Power(dBm) | 37 |
| PAE(%) | 35 @ Psat | Bias(mA) | 200 |
| Bias(V) | 25 | Case | Hermetic SMD |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥4,892.4303
库存：
0
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| 订货型号 | CHA3666-QAG/20 | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA3666-QAG/20 | 品类 | Low Noise Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 5.8-17GHz Low Noise Amplifier. GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package | 封装/外壳/尺寸 | 16L-QFN |
| 最小包装量 | 120 | 包装形式 | 管装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 5.8 | RF Bandwidth (GHz)max | 17 |
| Gain(dB) | 21 | Noise Figure(dB) | 1.8 |
| P1dB OUT(dBm) | 16 | Bias(mA) | 80 |
| Bias(V) | 4 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥191.1053
库存：
2,985
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| 订货型号 | CHA2069-99F | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA2069-99F | 品类 | Low Noise Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 18-31GHz Low Noise Amplifier.GaAs Monolithic Microwave IC Bare Dies(Bare chip),非完整下单ON,需要加包装尾缀。 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 16 | RF Bandwidth (GHz)max | 31 |
| Gain(dB) | 22 | Gain Flatness(+/dB) | 1 |
| Noise Figure(dB) | 2.5 | P1dB OUT(dBm) | 10 |
| Bias(mA) | 55 | Bias(V) | 4.5 |
| Case | Die | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥183.5117
库存：
2,350
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| 订货型号 | CHA3666-QAG/21 | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA3666-QAG/21 | 品类 | Low Noise Amplifier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 5.8-17GHz Low Noise Amplifier. GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package,卷带 | 封装/外壳/尺寸 | 16L-QFN |
| 最小包装量 | 120 | 包装形式 | 卷带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 5.8 | RF Bandwidth (GHz)max | 17 |
| Gain(dB) | 21 | Noise Figure(dB) | 1.8 |
| P1dB OUT(dBm) | 16 | Bias(mA) | 80 |
| Bias(V) | 4 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥191.1053
库存：
1,753
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| 订货型号 | CHS2411-QDG/21/LOGS01K | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHS2411-QDG | 品类 | GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 23-26GHz Reflective SP4T Switch.GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | 卷带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| RF Bandwidth (GHz)min | 23 | RF Bandwidth (GHz)max | 26 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥177.5640
库存：
1,503
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| 订货型号 | CHX1191-98F | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHX1191-98F | 品类 | Frequency Multiplier, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | 13.5-40.5GHz Frequency Multiplier.GaAs Monolithic Microwave IC Bare Dies(Bare chip),非完整下单ON,需要加包装尾缀。 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) | 停产时间 | |
| Xn | X3 | Input Bandwidth (GHz)min | 11.25 |
| Input Bandwidth (GHz)max | 14.5 | Output Bandwidth (GHz)min | 33.75 |
| Output Bandwidth (GHz)max | 43.5 | Input Power(dBm) | -1 |
| Output Power(dBm) | 6 | Bias(mA) | 80 |
| Bias(V) | 5 | Case | Die |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥225.1503
库存：
1,300
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| 订货型号 | CHA3218-99F/00 | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHA3218 | 品类 | 低噪声放大器 |
| 描述/说明 | CHA3218-99F是一个两级甚宽带低噪声放大器。与2dB低噪声系数相关的宽频带使得该电路对于非常高性能的系统非常通用。它是为广泛的应用而设计的,从军事到商业通信系统。该电路采用pHEMT电子迁移率晶体管工艺制造,栅长0.15μm,通孔穿过衬底,空气桥和电子束栅光刻。它以芯片形式提供 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥449.5891
库存：
1,000
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| 订货型号 | CHV2411AQDG/20 | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHV2411AQDG, CHV2411 | 品类 | Fully Integrated HBT K-band VCO, GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | Fully Integrated HBT K-band VCO GaAs Monolithic Microwave IC in QFN package | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 90 | 包装形式 | 管装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Central Output Freq(GHz) | 24.125 | Resonator Freq | 2 |
| Tuning(MHz) | -90 | Noise @ 100KHz(dBc/Hz) | 16 |
| Output Power(dBm) | 220 | Bias(mA) | 5 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | CHV2270-98F | 品牌 | UMS |
| 型号系列 | CHV2270-98F | 品类 | GaAs Monolithic Microwave IC |
| 描述/说明 | Fully Integrated Ku-band HBT VCO Low cost / High linearity; GaAs Monolithic Microwave IC,非完整下单ON,需要加包装尾缀。 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 不推荐用于新设计(NRND/NFND) | 停产时间 | |
| Central Output Freq(GHz) | 12.7 | Resonator Freq | 1.2 |
| Tuning(MHz) | -100 | Noise @ 100KHz(dBc/Hz) | 14 |
| Output Power(dBm) | 150 | Bias(mA) | 4.5 |
| Case | Die | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥178.3705
库存：
100
世强硬创平台提供CHV2270-98F在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供UMS快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
可定制电感最大电流100A，尺寸最小7 x 7 x 3.0mm到最大35 x 34 x 15.5 mm，工作频率100KHZ ~ 2MHZ，感值范围：0.15 ~ 100uh；支持大功率电感，扁平线电感，大电流电感，高频电感，汽车电感器，车规电感，一体成型电感等定制。
立即提交 大电流低功耗电感定制 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
UMS CHA6710-99F中功率放大器数据手册
2017年03月24日
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
UMS 部分产品停产通知
2018年8月1日
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
CHA6710-99F 5W X Band Medium Power Amplifier GaNMonolithic Microwave IC
05 Jul 18
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
UMS CHA4861-QGG/CHA4863-QGG/CHA5050-99F/CHA5050-QDG/CHA6558-99F产品停产通知
2019年9月17日
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
高功率氮化镓射频
2018/04/19
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
CHA6710-99f5wx波段中功率放大器氮化镓单片微波集成电路
23,Jan,17
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CHA1294-QAG/CHA2093-99F/CHA5356-QGG/CHX1094-99F寿命终止-最终信息
March 29, 2021
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
CHA6710-99F 5W X波段中功率放大器氮化镓单片微波集成电路（2018年修订）
11 Jun 18
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
氮化镓射频产品
2019/08/14
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
CHA6710-fab5wx波段中功率放大器氮化镓单片微波集成电路
22 Jun20
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CHA6710-fab5wx波段中功率放大器氮化镓单片微波集成电路
30 Jun 20
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UMS CHA6356-QXG数据手册
2016年07月01日
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UMS CHA6362-QXG数据手册
2016年07月01日
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UMS CHA6005-99F数据手册
2016年07月01日
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采用SMD无铅封装的CHA6550-QXG 17.0-23.6GHz功率放大器砷化镓单片微波集成电路
11 Jun18
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采用SMD无铅封装的CHA6550-QXG 17.0-23.6GHz功率放大器砷化镓单片微波集成电路
07,Jun,16
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CHA6550-QXG 17.0-23.6GHz功率放大器砷化镓单片微波集成电路SMD无铅封装（2018年修订）
11 Jun 18
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UMS CHA6552-QJG数据手册
2016年07月01日
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UMS CHA6550-QXG数据手册
2016年07月01日
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CHA6652-QXG 21-27.5GHz功率放大器砷化镓单片微波集成电路SMD无铅封装
11 Jun 18
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CHA6652-QXG21-27.5GHz功率放大器砷化镓单片微波集成电路SMD无铅封装
07,Jun,16
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CHA6194-QXG 37-40GHz功率放大器砷化镓单片微波集成电路SMD无铅封装（2018年修订）
11 Jun 18
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氮化镓射频产品，从晶体管到封装微波单片集成电路，通过UMS提升您的设计
2018/06/09
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技术论坛
工作在6-7GHz的射频功放芯片，有什么推荐呢？
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高功率放大器CHA6005-99F是否可用在连续波，噪声系数是多少？
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V波段探测雷达需要一颗2W的放大器，请问有什么推荐？
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5.8G发射模块需要一个2W的PA功放管，请问有什么推荐？
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有没有适合UWB频段使用的PA，功率能高于1W最好?
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5V供电2GHz频率3w的PA推荐一款？
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请问我们有工作在30GHZ的10W PA吗？
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谁有好用的S波段射频功放推荐一下。需要输出2W以上功率 供电5V
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UMS CHA2362-99F Avery低噪声放大器和CHA6551-99F高线性功率放大器有ADS 的仿真模型吗？测试demo可以提供吗？
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CHA3395-QDG芯片可以提供S2P文件，或者有可以替代的功率放大器，用于制作24.25-27.5GHz的有源集成天线的，谢谢
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请问世强有没可以用于5G通信中微波频段的产品
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
新型国防产品
UMS公司推出一系列新型号GaN和GaAs产品，适用于雷达和电子战应用。产品包括放大器和LNA，适用于宽频带雷达和X波段应用。UMS提供完整的产品解决方案，并可通过其官网www.ums-rf.com了解更多信息。
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CHA6154-99F 7.25 and 7.75GHz Three-Stage Monolithic GaN Medium Power Amplifier
The CHA6154-99F is a three-stage monolithic GaN Medium Power Amplifier operating between 7.25 and 7.75GHz and typically providing 2.8W Output Power at 43% of Power Added Efficiency. This amplifier exhibits more than 1W linear Output Power associated to 17dBc NPR and 33% Power Added Efficiency. It also provides a typical small signal gain of 36.5dB. This amplifier is well suited for radar and space communications as well as telecommunications. It can be used as a Driver or a Power Amplifier.
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CHA6154-99F – 7.25-7.75GHz 3W Power Amplifier
The CHA6154-99F is a GaN-based medium power amplifier operating between 7.25 and 7.75GHz, offering 2.8W output power with 43% efficiency. It supports over 1W linear output with 17dBc NPR and delivers 36.5dB gain. Suitable for radar, space communications, and telecom applications, it can function as a driver or power amplifier. Fabricated using GaN-on-SiC HEMT technology, it is available as a bare die for hybrid integration.
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NEW PRODUCT: CHA6357-98F – 27 – 31 GHz 5W High Power Amplifier
The CHA6357-98F is a GaN Power Amplifier operating between 27GHz and 31GHz, providing 5W saturated output power, 23% efficiency, and 24dB power gain. It features high linearity, low consumption, integrated power detector, and ESD protection, suitable for VSAT, SatCom, 5G and radio links applications.
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NEW PRODUCT LAUNCH! CHA6154-99F, a 7.25 – 7.75GHz 3W Power Amplifier
The CHA6154-99F is a three-stage monolithic GaN Medium Power Amplifier operating between 7.25 and 7.75GHz and typically providing 2.8W Output Power at 43% of Power Added Efficiency. The circuit is manufactured using a space evaluated, robust GaN-on-SiC HEMT process and is provided as a bare die for direct integration into hybrid circuits.
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在英思科和医疗解决方案的前端5.8-24-60-80GHz
本资料主要介绍了UMS公司提供的多种高频前端解决方案，涵盖5.8GHz、24GHz、60GHz和80GHz频段。产品包括传感器、智能传感器、交通系统、无人机和汽车合格产品。资料详细描述了各产品的性能参数，如信号/噪声比、输出功率、功耗、操作温度范围等，并提供了相关产品的型号、参数和应用场景。
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氮化镓和砷化镓产品及铸造解决方案
该资料主要介绍了ENABLE公司提供的GaN和GaAs产品及晶圆代工解决方案，涵盖中频和毫米波RAN、固定无线接入、5G测试测量、中继器和室内设备等领域。产品包括线性高功率放大器、超低噪声放大器、快速高隔离开关等，支持多种频段，如26、28、39、47GHz等。此外，还提供了多种封装选项，包括QFN、DFN等，以满足不同应用需求。资料还展示了不同频段下的产品性能参数，如增益、IP3、OP1dB等。
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氮化镓和砷化镓产品及铸造解决方案
该资料主要介绍了ENABLE公司提供的GaN和GaAs产品及代工解决方案，涵盖中频、毫米波RAN、固定无线接入、5G测试测量、中继器、室内设备以及V、E、W和D波段无线回程等领域。产品包括前端模块、高功率放大器、低噪声放大器、开关、系统级封装（SiP）、多芯片集成等。资料还展示了不同频段的产品参数，如增益、饱和功率、线性度等，并提供了UMS公司的联系方式和全球分销商信息。
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