Chemical content BUK761R6-40E
发布时间：
2018-10-20
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
BUK761R6-40E; 9340 664 98118
本数据手册详细介绍了元器件BUK761R6-40E的化学成分及物理特性。资料内容涵盖了该器件的封装类型、总产品重量、无铅焊接信息、MPPT版本及处理周期等关键参数，并深入披露了材料组成、CAS编号、物质质量百分比及总产品质量百分比等详细数据。此外，手册还包含了相关的注意事项和免责声明，明确指出所提供信息仅供参考，并提示可能存在不同制造地点间的微小偏差，旨在为用户提供准确的物料合规性参考。基于该器件，Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
5 September 2013
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BUK761R6-40E
Version 4
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BUK761R6-40E
2018/04/24
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BUK761R6-40E
2018/03/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BUK761R6-40E
2019/01/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BUK761R6-40E
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BUK761R6-40E
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS BUK761R6-40E
2018/03/06
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| 技术文档 - 英文 |
热网（Foster）
11/4/2013
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| 技术文档 - 英文 |
汽车电机的高效控制
February 2017
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| 数据手册 - 英文 |
NXB0101双电源转换收发器；自动方向感应；3-状态
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
74LVT162244B 3.3 V 16位缓冲器/驱动器，带30Ω端接电阻；3态产品数据表
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC16373A-Q100；74LVCH16373A-Q100 16位D型透明锁存器，具有5 V容差输入/输出；3态产品数据表
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC16245A-Q100；74LVCH16245A-Q100 16位总线收发器，带方向引脚；5 V容差；3态产品数据表
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
74AUP1T08-Q100低功耗、带电压电平转换器的双输入与门产品数据手册
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G79-Q100；74AHCT1G79-Q100单路D型触发器；正边沿触发产品数据手册
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
PXP3R7-12QU 12 V、P沟道Trench MOSFET
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
BZX8850S系列小电流稳压二极管
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
BZX8450系列小电流稳压二极管
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
PNE200100CPE-Q 200 V，2 X 5 A双共阴极超高速恢复整流器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMEG6020ETP-Q高温60 V、2 A肖特基势垒整流器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMEG6010EP-Q 1 A低VF MEGA肖特基势垒整流器
v.1
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BAT760-Q中等功率肖特基势垒单二极管
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BAS16W-Q高速开关二极管
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| 数据手册 - 英文 |
PESD12VW1BCSF超低电容双向ESD保护二极管
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PESD2CANFD27U-U车载网络ESD保护
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
用于车载网络的PESD1ETH1G-LS ESD保护
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PUMD10-Q NPN/PNP双阻型晶体管R1=2.2 kΩ，R2=47 kΩ
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMBTA56-Q PNP通用晶体管
v.1
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74AHCT17APW
2018/03/07
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G80GN
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G80GN
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC4067D
2018/03/07
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PSMN8R5-100PSF
2018/03/06
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74HC4067BQ
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN8R5-100PS
2018/03/06
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G80GF
2018/03/10
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74AXP1G07GX
2018/03/07
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74HC3G14DP-Q100
2018/03/06
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| 测试报告 - 英文 |
LVC179GX化学成分
2018/03/07
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74HCT4066DB
2018/03/09
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74AHCT07APW
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HCT4066DB
2018/03/09
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN8R2-80YS
2018/03/06
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PSMN8R0-80YL
2018/03/06
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
AN11160设计RC缓冲器
本文档详细介绍了RC阻尼电路的设计，用于抑制功率半导体应用中反向恢复效应引起的高频振荡。文章首先介绍了RC阻尼电路的基本原理和测试电路，然后讨论了如何确定电路中的寄生电感和电容。接着，文章详细阐述了RC阻尼电路的设计理论，包括阻尼系数、截止频率等参数的计算方法。最后，通过实际案例展示了如何设计一个有效的RC阻尼电路，并验证了其效果。
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AN11160设计RC缓冲器应用笔记
本文介绍了RC阻尼电路的设计，用于抑制功率半导体应用中反向恢复效应引起的高频振荡。文章详细阐述了RC阻尼电路的原理、测试电路的设计、等效电路的分析、阻尼元件CLK和LLK的确定方法，以及阻尼电路的设计过程。通过实际案例，展示了如何通过RC阻尼电路消除MOSFET的振荡现象，并提供了计算阻尼元件和阻尼电路参数的具体方法。
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BUK9508-55A The Power MOSFET 设计指南
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TN00008功率MOSFET常见问题及解答
本技术文档针对汽车级MOSFET平台、器件、功能及可靠性等方面，解答了常见问题。内容涵盖MOSFET栅极电压、热管理、体二极管、安全工作区（SOA）和雪崩 ruggedness 等方面，旨在为读者提供清晰、准确的答案。文档适用于汽车和非汽车应用，但主要针对汽车应用。
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MOSTFET和氮化镓FET应用手册：电源设计工程师指南
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