Chemical content 74HC126PW-Q100
发布时间：
2018-10-24
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
74HC126PW-Q100; 9353 000 39118
本技术资料详细介绍了74HC126PW-Q100元器件的化学成分与物理特性，内容涵盖封装信息、重量数据、无铅焊接工艺及制造工艺细节。资料深入剖析了器件的材料组成，列明了具体材料名称、CAS编号、质量（mg）及质量百分比，并对部分专有信息或无官方CAS编号的内容进行了特别标注。此外，文档还附带了免责声明，强调所有信息仅供参考，Nexperia不对信息的准确性或完整性做出保证，并保留随时更改信息的权利，旨在为用户提供详实可靠的材料合规性参考。针对文中所述器件，Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
74HC126-Q100；74HCT126-Q100四通道缓冲器/线路驱动器；三态产品数据表
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC126PW-Q100
2019/02/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC126PW-Q100
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC126PW-Q100
2018/04/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC126PW-Q100
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
74HC126；74HCT126四路缓冲器/线路驱动器；3态产品数据表
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74HC126PW-Q100
2019/02/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74HC126PW-Q100
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74HC126PW-Q100
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74HC126PW-Q100
2018/04/25
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74HC126PW-Q100
2018/03/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74HC126PW
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74HC126PW
2018/04/25
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74HC126PW
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC126PW
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC126PW
2018/04/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC126PW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
2PA1576R-Q PNP通用晶体管产品数据表
3 January 2022
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| 数据手册 - 英文 |
2PB710ASL-Q 50 V、500 mA PNP通用晶体管产品数据手册
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
74AUP1G79低功耗D型触发器；正边沿触发产品数据手册
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74LVC2G06带开漏输出的逆变器产品数据手册
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74LV1T125单电源转换缓冲器/线路驱动器；3态产品数据表
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74AXP1T14双电源施密特触发器逆变器产品数据手册
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74AVCH1T45双电源电压电平转换器/收发器；3态产品数据表
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74AVC1T45双电源电压电平转换器/收发器；3态产品数据表
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74AUP2G16低功耗双缓冲产品数据手册
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74AUP2G07低功耗双通道缓冲器，提供开漏输出产品数据手册
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74AUP1T50带电压电平转换器的低功耗缓冲器产品数据表
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74AUP1T34低功耗双电源转换缓冲产品数据表
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74AUP1G98低功耗可配置多功能门产品数据表
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PSMN047-100NSE N沟道100 V、49.7 mOhm标准电平MOSFET，采用DFN2020封装，专为高功率Poe应用而设计目标数据手册
21 January 2022
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PESD5V0X1BCSF超低电容双向ESD保护二极管产品数据手册
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PESD6V5C1USF超低电容单向ESD保护二极管产品数据手册
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PESD3V3C1BSF超低电容双向ESD保护二极管产品数据手册
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XC7SET86双输入异或门产品数据手册
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74LVC1G32单2输入或门产品数据表
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74AUP1G00低功耗2输入与非门产品数据表
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74AHC1G4214 14级分频器和振荡器产品数据手册
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74AHC1G4212 12级分频器和振荡器产品数据表
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74HC1G126；74HCT1G126总线缓冲器/线路驱动器；3态产品数据表
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74AUP1G17低功耗施密特触发器产品数据表
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74AUP1G04低功耗变频器产品数据表
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74AHC1G17；74AHCT1G17单通道施密特触发器缓冲器产品数据手册
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74AUP1G17-Q100低功耗施密特触发器产品数据手册
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
AN50005高功率应用中的并联功率MOSFET应用笔记
本文探讨了在高功率应用中并联功率MOSFET时，电流共享不平衡受各种参数的影响。提供了在设计时考虑这些参数的指南，并通过实际描述帮助设计者开发可靠且成本效益高的解决方案。文章重点介绍了开关模式和负载切换应用，分析了MOSFET损耗和参数对电流共享的影响，并讨论了温度依赖性对并联MOSFET性能的影响。
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双极离散Q-组合
Nexperia推出针对汽车行业的Bipolar Discretes Q-Portfolio，以满足自主驾驶、连接性、电动化和共享出行（ACES）对元器件可靠性的需求。该产品线采用超过AEC-Q101的最新质量标准，并针对特定行业需求提供长期供应保障。Nexperia承诺，Q-Portfolio的采用不会影响现有订单、供应链或合同价格，同时保证所有性能规格。
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