PROCESS CP211 Power Transistor NPN - Amp/Switch Transistor Chip
发布时间：
2018-10-29
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Central Semiconductor（中央半导体）
型号：
CP211; 2N3054A; CJD41C; TIP41C; CP211-2N3054A; CP211-CJD41C; CP211-TIP41C
本数据手册详细介绍了Centrale Semi公司的CP211系列NPN型功率晶体管芯片。该产品专为放大及开关应用设计，采用EPITAXIAL PLANAR工艺制造，具备典型的电气特性与高可靠性。资料详细列出了芯片的关键物理参数，包括80 x 99 MILS的晶圆尺寸，以及基极键合面积（12 x 32 MILS）和发射极键合面积（13 x 48 MILS）的精确规格。在金属化工艺方面，器件上表面采用厚度为30,000Å的铝（Al），下表面则采用厚度为16,000Å的Cr/Ni/Ag结构，确保了优异的导电性能与焊接稳定性，适用于多种电子设备的内部电路设计。Centrale Semi在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型指导、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有效缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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Central Semiconductor官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供Central Semiconductor的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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Central Semiconductor（美国中央半导体公司）——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
| 订货型号 | 2N3054A PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | 2N3054A | 品类 | General Purpose Transistors |
| 描述/说明 | Through-Hole NPN General Purpose Amplifier/Switch General Purpose Transistors | 封装/外壳/尺寸 | TO-66 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | CJD41C TR13 PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CJD41C | 品类 | General Purpose Transistors |
| 描述/说明 | Surface mount NPN General Purpose Amplifier/Switch General Purpose Transistors | 封装/外壳/尺寸 | DPAK |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 0.25 | 电压 集射极击穿（最大值） | 100 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1.5V @ 600mA，6A | 电流 集电极截止（最大值） | 50µA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 15 @ 3A，4V | 功率 最大值 | 1.75 W |
| 频率 跃迁 | 3MHz | ||
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世强先进（深圳）科技股份有限公司
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原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | CMHZ4690 TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMHZ4690 | 品类 | 稳压二极管 |
| 描述/说明 | Surface mount Diode-Zener Single: Low Level | 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Pd-功率耗散 | 275 mW | 电压容差 | 1.05 |
| Ir - 最大反向漏电流 | 10 uA | Zz - 齐纳阻抗 | 45 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 ℃ | 最大工作温度 | + 150 ℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥0.2009
库存：
16,500
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| 订货型号 | CMR1-10M TR13 PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMR1-10M | 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-General Purpose Single | 封装/外壳/尺寸 | SMA |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 1000 V | 电流 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 1.1 V @ 1 A | 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 5 µA @ 1000 V | 不同 Vr、F 时电容 | 8pF @ 4V，1MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格：
￥0.3305
库存：
11,375
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技术支持/研发服务
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP211 Power TransistorNPN - Amp/Switch Transistor Chip
22-March 2010
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP211 Power Transistor NPN - Amp/Switch Transistor Chip
22-March 2010
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP211 Power Transistor NPN - Amp/Switch Transistor Chip
22-March 2010
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP211 Power Transistor NPN - Amp/Switch Transistor Chip
R5
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP211 Power TransistorNP N - Amp/Switch Transistor Chip
R5
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| 测试报告 - 英文 |
工艺CP211功率晶体管NPN-Amp/Switch晶体管芯片
R5
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
功率晶体管产品停产通知（PDN01224）
4/19/22
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| 数据手册 - 英文 |
加工CP210小信号晶体管N沟道硅放大器jfet芯片
R5
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| 测试报告 - 英文 |
加工CP210小信号晶体管N沟道硅放大器jfet芯片
R5
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
PDN01180晶体管产品生命周期终止通知
Rev:001
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| 测试报告 - 英文 |
工艺CP219功率晶体管NPN-大电流晶体管芯片
R3
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体）CP219晶体管芯片停产通知（PDN01121）
REV002
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| 技术文档 - 英文 |
功率晶体管TO-220外壳（续
2018/07/12
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| 技术文档 - 英文 |
功率晶体管TO-220外壳（续
6-December 2004
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| 技术文档 - 英文 |
功率晶体管TO-220外壳（续）
6-December 2004
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| 技术文档 - 英文 |
功率晶体管TO-220外壳（续）
6-December 2004
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| 技术文档 - 英文 |
功率晶体管TO-220外壳（续）
6-December 2004
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（美国中央半导体公司）Chip process CP210产品变更通知（PCN174）
2019年8月13日
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体）CP232V Chip Process产品变更通知（PCN#174）
R0
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| 数据手册 - 英文 |
TO-66 CASE 2N3054 2N3054A SILICON NPN POWER TRANSISTORS
R2
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体）关于CP210晶圆停产由CP232V晶圆取代的通知（PCN# 174）
Rev 1
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体）关于CP210晶圆停产由CP232V晶圆取代的通知（PCN# 174）
Rev 1
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| 数据手册 - 英文 |
硅NPN功率晶体管2N3054 2N3054A
REV:R3
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| 数据手册 - 英文 |
2N3054 2N3054A SILICONNPN POWER TRANSISTORS
2-September 2014
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| 数据手册 - 英文 |
2N3054 2N3054A SILICON NPN POWER TRANSISTORS
2-September 2014
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| 数据手册 - 英文 |
2N3054 2N3054A SILICON NPN POWER TRANSISTORS
2-September 2014
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| 数据手册 - 英文 |
2N3054 2N3054A SILICON NPN POWER TRANSISTORS
2-September 2014
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
芯片工艺CP216、N沟道场效应晶体管、晶圆和裸片（PCN#202）
R0
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| 技术文档 - 英文 |
电源至外壳晶体管
6-December 2004
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| 数据手册 - 英文 |
电源至外壳晶体管
6-December 2004
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| 数据手册 - 英文 |
2N3054 2N3054A硅NPN功率晶体管
R2
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
PCN#202_Rev 1：CP216晶片工艺已停产，并被CP226v晶片工艺取代
Rev 1
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） 关于CP206晶圆停产由CP216晶圆取代的通知（PDN01136）
REV 002
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体）关于CP210晶圆停产由CP232V晶圆取代的通知（PDN01135）
REV 002
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| 技术文档 - 英文 |
PDN01250 - Central Semiconductor 产品停售通知
未指定
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CP216晶片工艺已停产，现由CP226V晶片工艺（PDN01171）取代
4/01/21
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
【产品】40V/50mA的硅N沟道结型场效应管CP216-2N4391，可用于模拟开关和斩波应用
Central Semiconductor公司推出了一款用于模拟开关和斩波应用的硅N沟道结型场效应管CP216-2N4391，以裸片形式提供。其栅极-漏极电压为40V，栅源电压为40V，栅电流为50mA，其具有低阻抗、低功耗的优点，适用于小信号场合。可用于模拟开关和斩波应用等场合。
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【产品】40V/50mA 硅N沟道小信号JFET ，适用于模拟开关和斩波，操作和储存结温范围-65℃~175℃
Central Semiconductor公司推出了一款硅N沟道小信号JFET CP216-2N4393，其小信号结型场效应管栅极-漏极电压为40V，栅源电压为40V，栅电流为50mA，其具有低阻抗、低功耗和低保持电压的优点，可用于模拟开关和斩波应用等场合。
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通用晶体管
该资料提供了一系列通用晶体管和射频振荡晶体管的详细规格，包括关键参数如VCEO MIN、IC MIN、VCE(SAT)、hFE MIN、芯片尺寸、厚度以及金属化层厚度等。资料中列出了不同型号的晶体管，并提供了产品链接以便查看详细信息。
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通用晶体管
该资料详细列出了多种通用晶体管的产品信息，包括中央零件编号、最小VCEO、最小IC、VCE(SAT)、hFE最小值、晶圆尺寸、晶圆厚度、顶部金属化和底部金属化等参数。资料中涵盖了不同电压和电流规格的晶体管，适用于各种电子应用。
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按工艺类型排序的每片总模具数
该资料详细列出了不同工艺类型和晶圆尺寸下的裸晶片（Gross Die）数量。内容涵盖了多种工艺过程（如CPD04、CPD06、CPD102X等），不同晶圆尺寸（4英寸、5英寸、6英寸等），以及每个工艺和尺寸组合下的裸晶片数量。资料旨在为读者提供关于裸晶片产量的详细信息，以便于行业内部参考和比较。
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