China RoHS 74VHC126D-Q100
发布时间：
2018-10-30
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
74VHC126D-Q100
本环保合规性说明详细介绍了恩智浦74VHC126D-Q100元器件的绿色特性，重点阐述了该器件所有均质材料中有毒有害物质的含量情况。资料严格对照SJ/T11363-2006标准进行评估，确认各项物质含量均低于标准限量要求，完全符合环保法规及市场准入条件。此外，文档还包含相关的免责声明，明确所提供信息仅供参考。恩智浦在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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| 数据手册 - 英文 |
74VHC126；74VHCT126四通道缓冲器/线路驱动器；三态产品数据表
Rev. 2
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中国RoHS 74VHC126D-Q100
2019/01/08
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中国RoHS 74VHC126D-Q100
2018/04/25
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中国RoHS 74VHC126D-Q100
2018/03/06
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74VHC126-Q100；74VHCT126-Q100四通道缓冲器/线路驱动器；三态产品数据表
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四缓冲器/线路驱动器；3态
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四缓冲器/线路驱动器；3态
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化学成分74VHC126D-Q100
Version 3
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化学成分74VHC126D-Q100
2018/09/06
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化学成分74VHC126D-Q100
2018/04/25
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化学成分74VHC126D-Q100
2018/03/06
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中国RoHS 74VHC126D
2018/09/28
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中国RoHS 74VHC126D
2018/04/26
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中国RoHS 74VHC126D
2018/03/07
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化学成分74VHC126D
2018/09/28
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化学成分74VHC126D
2018/04/26
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化学成分74VHC126D
2018/03/07
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中国RoHS 74VHC126PW
2018/09/28
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中国RoHS 74VHC126PW
2018/04/26
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中国RoHS 74VHC126PW
2018/03/07
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中国RoHS 74VHC126BQ
2018/09/28
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中国RoHS 74VHC126BQ
2018/04/26
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中国RoHS 74VHC126BQ
2018/03/07
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中国RoHS 74VHC126PW-Q100
2019/01/08
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中国RoHS 74VHC126PW-Q100
2018/09/06
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2018/04/25
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中国RoHS 74VHC126PW-Q100
2018/03/06
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化学成分74VHC126PW
2018/09/28
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化学成分74VHC126PW
2018/04/26
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2018/03/07
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中国RoHS 74VHC126BQ-Q100
2019/01/08
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中国RoHS 74VHC126BQ-Q100
2018/09/06
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2018/04/25
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中国RoHS 74VHC126BQ-Q100
2018/03/06
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化学成分74VHC126PW-Q100
2019/02/27
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化学成分74VHC126PW-Q100
Version 3
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2018/09/06
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2018/04/25
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2018/03/06
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2018/09/28
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化学成分74VHC126BQ-Q100
2018/09/06
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化学成分74VHC126BQ-Q100
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化学成分74VHC126BQ-Q100
2018/03/06
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2PA1576R-Q PNP通用晶体管产品数据表
3 January 2022
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| 数据手册 - 英文 |
2PB710ASL-Q 50 V、500 mA PNP通用晶体管产品数据手册
v.1
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74AUP1G79低功耗D型触发器；正边沿触发产品数据手册
Rev. 8
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
AN50005高功率应用中的并联功率MOSFET应用笔记
本文探讨了在高功率应用中并联功率MOSFET时，电流共享不平衡受各种参数的影响。提供了在设计时考虑这些参数的指南，并通过实际描述帮助设计者开发可靠且成本效益高的解决方案。文章重点介绍了开关模式和负载切换应用，分析了MOSFET损耗和参数对电流共享的影响，并讨论了温度依赖性对并联MOSFET性能的影响。
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