China RoHS HEF40175BTT
发布时间:
2018-11-26
类型:
测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
HEF40175BTT
本环保合规性说明详细介绍了HEF40175BTT元器件的检测情况,重点阐述了该器件在铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯及多溴二苯醚等有害物质方面的含量控制。资料明确指出,所有检测项目均严格符合SJ/T11363-2006标准要求,且恩智浦(NXP)官方保证该产品具有长达50年的环保使用期限,充分体现了其在绿色制造与可持续发展方面的技术承诺。基于该合规方案,恩智浦在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务,确保用户获取原厂授权的正品器件。平台支持相关型号单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,库存充足,能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时,专职FAE团队可提供专业的选型指导、设计验证及调试支持,有效缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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| 数据手册 - 英文 |
HEF40175B四通道D型触发器
Rev. 10
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS HEF40175BTT
2018/04/26
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中国RoHS HEF40175BTT
2018/03/07
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四D型触发器
Rev. 9
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HEF40175B-Q100 四D型触发器 Rev. 2 — 2024年8月8日 产品数据手册
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分HEF40175BTT
2018/09/29
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化学成分HEF40175BTT
2018/04/26
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化学成分HEF40175BTT
2018/03/07
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中国RoHS HEF40175BT
2018/09/29
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中国RoHS HEF40175BT
2018/04/26
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中国RoHS HEF40175BT
2018/03/07
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化学成分HEF40175BT
2018/09/29
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化学成分HEF40175BT
2018/04/26
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化学成分HEF40175BT
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
2PA1576R-Q PNP通用晶体管产品数据表
3 January 2022
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| 数据手册 - 英文 |
2PB710ASL-Q 50 V、500 mA PNP通用晶体管产品数据手册
v.1
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74AUP1G79低功耗D型触发器;正边沿触发产品数据手册
Rev. 8
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LSF0101 1位双向多电压电平转换器;开漏;推拉式产品数据表
Rev. 3
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74LVC2G06带开漏输出的逆变器产品数据手册
Rev. 9
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74LVC1G06开漏输出反相器产品数据手册
Rev. 14
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74LV1T32双输入单电源转换或栅极产品数据表
Rev. 3
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74LV1T125单电源转换缓冲器/线路驱动器;3态产品数据表
Rev. 3
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74AXP1T14双电源施密特触发器逆变器产品数据手册
Rev. 3
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74AVCH1T45双电源电压电平转换器/收发器;3态产品数据表
Rev. 6
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74AVC1T45双电源电压电平转换器/收发器;3态产品数据表
Rev. 10
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74AUP2G16低功耗双缓冲产品数据手册
Rev. 4
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74AUP2G07低功耗双通道缓冲器,提供开漏输出产品数据手册
Rev. 10
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74AUP1T50带电压电平转换器的低功耗缓冲器产品数据表
Rev. 3
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74AUP1T34低功耗双电源转换缓冲产品数据表
Rev. 8
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74AUP1G98低功耗可配置多功能门产品数据表
Rev. 10
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN047-100NSE N沟道100 V、49.7 mOhm标准电平MOSFET,采用DFN2020封装,专为高功率Poe应用而设计目标数据手册
21 January 2022
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PESD7V0H1BSF超低电容双向ESD保护二极管产品数据手册
v.3
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PESD5V0X1BCSF超低电容双向ESD保护二极管产品数据手册
v.2
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PESD6V5C1USF超低电容单向ESD保护二极管产品数据手册
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PESD3V3C1BSF超低电容双向ESD保护二极管产品数据手册
v.2
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XC7SET86双输入异或门产品数据手册
Rev. 2
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74LVC1G32单2输入或门产品数据表
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74AUP1G00低功耗2输入与非门产品数据表
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74AHC1G4214 14级分频器和振荡器产品数据手册
Rev. 4
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74AHC1G4212 12级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 5
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74HC1G126;74HCT1G126总线缓冲器/线路驱动器;3态产品数据表
Rev. 5
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74AUP1G17低功耗施密特触发器产品数据表
Rev. 13
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74AUP1G04低功耗变频器产品数据表
Rev. 11
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74AHC1G17;74AHCT1G17单通道施密特触发器缓冲器产品数据手册
Rev. 3
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74AUP1G17-Q100低功耗施密特触发器产品数据手册
Rev. 2
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74AUP1G02-Q100低功耗双输入NOR门产品数据手册
Rev. 3
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74AHC1G86-Q100;74AHCT1G86-Q100 2输入异或门产品数据手册
Rev. 2
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74AHC1G4215-Q100 15级分压器和振荡器产品数据表
Rev. 2
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
AN50005高功率应用中的并联功率MOSFET应用笔记
本文探讨了在高功率应用中并联功率MOSFET时,电流共享不平衡受各种参数的影响。提供了在设计时考虑这些参数的指南,并通过实际描述帮助设计者开发可靠且成本效益高的解决方案。文章重点介绍了开关模式和负载切换应用,分析了MOSFET损耗和参数对电流共享的影响,并讨论了温度依赖性对并联MOSFET性能的影响。
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双极离散Q-组合
Nexperia推出针对汽车行业的Bipolar Discretes Q-Portfolio,以满足自主驾驶、连接性、电动化和共享出行(ACES)对元器件可靠性的需求。该产品线采用超过AEC-Q101的最新质量标准,并针对特定行业需求提供长期供应保障。Nexperia承诺,Q-Portfolio的采用不会影响现有订单、供应链或合同价格,同时保证所有性能规格。
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