【应用】长晶科技提供多款小封装低功耗TVS、MOS、LDO产品，助力手机市场设计多样化
发布时间：
2025-06-09
类型：
应用方案，参考设计、解决方案
品牌：
长晶科技（JSCJ）
型号：
CJMNT33; CJZ253PL; CJZ255PL; CJMN3010L; CJBA3134K; CJM5R7SN03B; CJAB75N03U; B1040A2; CJ6206E; CJ6213; ESDI4V8FD1; ESDSU5VOAE1; ESDBVD5VOAE1; ESDBU18VA1; ESDE24VP1
长晶科技紧跟手机技术迭代趋势，推出针对手机市场的多样化产品组合，包括0201、0402小封装静电TVS管、CSP封装小信号MOS以及超低功耗LDO。这些产品能够满足手机产品设计对小型化与低功耗的严苛要求，为终端设备提供灵活的解决方案。长晶科技在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务，平台确保所有产品均为正品。目前相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台配备专职FAE团队，可提供从选型、设计、调试到验证的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购与服务，有效缩短供应链响应周期，加速产品上市进程。
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长晶科技官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是长晶科技的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供长晶科技的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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国内领先的的分立器件研发企业：长晶科技（JSCJ）
长晶科技（JSCJ）是一家专注于功率器件、分立器件、频率器件、电源管理芯片、汽车电子等产品的研发制造商，其前身为长电科技（全球知名的集成电路封装测试企业）分立器件部门。长晶科技（JSCJ）主营产品包括二极管、三极管、MOSFET、LDO、DC-DC、频率器件、功率器件等，拥有15000多个产品系列和型号，广泛应用于各消费类、工业类电子领域。
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现货平台 / 长晶科技 授权代理店
| 订货型号 | ESDI4V8FD1 | 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | ESDI4V8FD1 | 品类 | TVS二极管 |
| 描述/说明 | TVS二极管,Ppp3135W,VRWM4.85V,VBRMin4.9V,IR1uA,CJ400PF,VC17V,IPP165A,更新为新物料:ESDI4V8FD1_DFN1610-2L | 封装/外壳/尺寸 | DFN1610-2L |
| 最小包装量 | 10,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 零件报废(OBS) | 停产时间 | |
| Ppp(W) | 3135 | VRWM(V) | 4.85 |
| VBRMin(V) | 4.9 | IR(uA) | 0.1 |
| IPP(A) | 165 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥0.5000
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| 订货型号 | CJBA3134K_DFN1006-3L | 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | CJBA3134K | 品类 | Trench MOS |
| 描述/说明 | Trench MOS,V(BR)DSS20V,VGS±12V,ID0.75A,VGS(th)Max0.35V~1.1V,Ciss79PF,Coss13PF,Crss9PF | 封装/外壳/尺寸 | DFN1006-3L |
| 最小包装量 | 10,000 | 包装形式 | 卷筒 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | Single-N | Process | Trench |
| ESD（Yes/No） | Yes | VDS（V） | 20V |
| VGS（V） | ±12V | ID（A） | 0.75A |
| VGS(TH)(V) | 0.35V~1.1V | RDS(mΩ)@VGS4.5V Typ | 250mΩ |
| RDS(mΩ)@VGS4.5V Max | 500mΩ | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
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库存：
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| 订货型号 | ESDE24VP1_DFNWB2.0×2.0-3L | 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | ESDE24VP1 | 品类 | TVS二极管 |
| 描述/说明 | TVS二极管,Ppp6650W,VRWM24V,VBRMin25.5V,VBRMax-V,IR1uA,CJ740PF,VC35V,IPP190A | 封装/外壳/尺寸 | DFNWB2.0×2.0-3L |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Ppp(W) | 7600W | VRWM(V) | 24V |
| VBRMin(V) | 25.5V | IR(uA) | 1uA |
| CJ(PF) | 740PF | VC(V) | 40V |
| IPP(A) | 190A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥0.5000
库存：
50
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| 订货型号 | CJMNT33_DFNWB2×2-6L-I | 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | CJMNT33 | 品类 | 晶体管+MOS |
| 描述/说明 | DFNWB2×2-6L-I Power Management Transistors- MOSFET,Ultra low collector-to-emitter saturation voltage | 封装/外壳/尺寸 | DFNWB2×2-6L-I |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Polarity | PNP+N-ch | VCEO(V) | -32V |
| IC(mA) | -1500mA | hEF Min(V) | 100V |
| hEF Max(V) | 300V | VBR(DSS)(V) | 20V |
| ID(A) | 0.8A | VGS(th)(V) | 0.44V~1.1V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥0.3130
库存：
50
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| 订货型号 | CJM5R7SN03B_DFNWB2×2-6L | 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | CJM5R7SN03B | 品类 | Plastic-Encapsulate MOSFETS |
| 描述/说明 | Plastic-Encapsulate MOSFETS，Configuration：Single，Process：SGT，V(BR)DSS(V)：30 | 封装/外壳/尺寸 | DFNWB2×2-6L |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 卷筒 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | TYPE | N |
| Process | SGT | V(BR)DSS(V) | 30 |
| VGS（±V） | 20 | ID(A) | 19 |
| RDS(on) @10V TYP(mΩ) | 3.38 | RDS(on) @10V MAX(mΩ) | 5.7 |
| RDS(on) @4.5V TYP(mΩ) | 5.86 | RDS(on) @4.5V MAX(mΩ) | 8 |
| VGS(th) MAX(V) | 2.2 | Ciss PF | 783 |
| Coss PF | 696 | Crss PF | 67.1 |
| Qg nC | 18.5 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | CJAB75N03U_PDFNWB3.3×3.3-8L | 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | CJAB75N03U | 品类 | Plastic-Encapsulate MOSFETS |
| 描述/说明 | Plastic-Encapsulate MOSFETS，Configuration：Single，Process：Trench，V(BR)DSS(V)：30 | 封装/外壳/尺寸 | PDFNWB3.3×3.3-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | 卷筒 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | TYPE | N |
| Process | Trench | V(BR)DSS(V) | 30 |
| VGS（±V） | 20 | ID(A) | 75 |
| RDS(on) @10V TYP(mΩ) | 2.2 | RDS(on) @10V MAX(mΩ) | 3 |
| RDS(on) @4.5V TYP(mΩ) | 3.2 | RDS(on) @4.5V MAX(mΩ) | 4.3 |
| VGS(th) MAX(V) | 2.2 | Ciss PF | 3120 |
| Coss PF | 387 | Crss PF | 319 |
| Qg nC | 49.7 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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授权代理,
一支起订,
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价格：
库存：
0
世强硬创平台提供CJAB75N03U_PDFNWB3.3×3.3-8L在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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| 订货型号 | ESDBU18VA1_DFN1006-2L | 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | ESDBU18VA1 | 品类 | TVS二极管 |
| 描述/说明 | TVS二极管,Ppp48W,VRWM18V,VBRMin19V,VBRMax-V,IR1uA,CJ35PF,VC12V,IPP4A | 封装/外壳/尺寸 | DFN1006-2L |
| 最小包装量 | 10,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Ppp(W) | 48W | VRWM(V) | 18V |
| VBRMin(V) | 19V | IR(uA) | 0.1uA |
| CJ(PF) | 0.35PF | VC(V) | 12V |
| IPP(A) | 4A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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价格：
￥0.1240
库存：
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| 订货型号 | CJMN3010L_DFNWB2×2-6L | 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | CJMN3010L | 品类 | Plastic-Encapsulate MOSFETS |
| 描述/说明 | Plastic-Encapsulate MOSFETS，Configuration：Single，Process：Trench，V(BR)DSS(V)：30 | 封装/外壳/尺寸 | DFNWB2×2-6L |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 卷筒 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | TYPE | N |
| Process | Trench | V(BR)DSS(V) | 30 |
| VGS（±V） | 10 | ID(A) | 10 |
| RDS(on) @4.5V TYP(mΩ) | 8.3 | RDS(on) @4.5V MAX(mΩ) | 14 |
| VGS(th) MAX(V) | 1 | Ciss PF | 1773 |
| Coss PF | 125 | Crss PF | 107 |
| Qg nC | 40 | ESD | ESD |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
库存：
0
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| 订货型号 | CJZ253PL_DFNWB3×2-8L | 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | CJZ253PL_DFNWB3×2-8L | 品类 | Plastic-Encapsulate Transistors |
| 描述/说明 | CJZ253PL DFNWB3×2-8L Plastic-Encapsulate Transistors,(PNP),Low Saturation Voltage,High DC Current Gain. | 封装/外壳/尺寸 | DFNWB3×2-8L |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VCBO | -45V | VCEO | -32V |
| VEBO | -7.5V | IC | -3A |
| PC | 1W or 3W | TL | 260 ℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.2480
库存：
0
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CJMN3010L DFNWB2×2-6L塑封MOSFET
Rev. - 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
CJMN3010L 可靠性测试报告
1.0
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| 测试报告 - 英文 |
CJMN3010L 可靠性测试报告
2026/02/02
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| 产品变更通知及停产信息 - 中英文 |
DFN 封装部分产品新增 B 封装厂工程变更通知 (DFN package series products added a new B factory Process Change Notice (PCN)) (EA202403012)
2024/6/20
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| 技术文档 - 英文 |
MG01978000083 CJMN3010L MSDS报告
Rev. - 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
CJMNT33 DFNWB2×2-6L-I电源管理晶体管-MOSFET
Rev. - 2.0
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| 测试报告 - 英文 |
M-M00408
Rev. - 1.0
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| 技术文档 - 中文 |
MOS-MG01926000243
2026/02/16
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| 数据手册 - 英文 |
CJZ253PL DFNWB3×2-8L塑封晶体管
Rev. - 2.0
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| 数据手册 - 英文 |
CJZ253PL DFNWB3×2-8L塑封晶体管
Rev. - 2.0
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| 测试报告 - 中文 |
M-R00408
Rev. - 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
M-R00408
January-25
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| 技术文档 - 英文 |
M-M00569 CJBA3134K MSL报告
Rev. - 1.0
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| 技术文档 - 英文 |
CJMN3010 产品信息
2026/02/16
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| 数据手册 - 英文 |
CJMN3010 DFNWB2×2-6L塑封MOSFET
Rev. - 2.3
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| 测试报告 - 英文 |
30V 表面贴装/MOSFET CJMN3010L DFNWB2x2-6L
M-M00408
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| 数据手册 - 英文 |
CJBA3134K DFN1006-3L塑料封装MOSFET
Rev. - 2.4
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| 数据手册 - 英文 |
CJBA3134K DFN1006-3L塑料封装MOSFET
Rev. - 2.3
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| 数据手册 - 英文 |
CJBA3134K DFN1006-3L塑料封装MOSFET
Rev. - 2.2
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| 数据手册 - 英文 |
CJBA3134K DFN1006-3L塑料封装MOSFET
Rev. - 2.1
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| 测试报告 - 英文 |
M-R00401
1.0
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| 测试报告 - 英文 |
M-R00401
January-25
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技术论坛
通信设备中，电池的开关需要一个MOS开关，输入24V，电流大概8A，由于尺寸限制，希望能推荐个小尺寸的，最好小于2x2mm，国产的有吗？
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一个100G QSFP28 LR4光模块项目，模块缓启动电路设计有选用长晶的CJBA3134K，目前此物料不好购买，需找替代物料，请问有合适物料可以推荐吗？
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
2021江苏长晶科技市场应用机会图
江苏长晶科技有限公司提供多种半导体元器件，涵盖手机、电子烟、TWS耳机、移动电源、安防监控、无刷电机、动力电池、电脑主板、扫地机器人、无线充、基站电源、快充充电器以及路由+WiFi6等多个行业应用。产品包括MOSFET、LDO、ESD保护、晶振、充电芯片等，满足不同应用场景的需求。
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【产品】栅极具有ESD保护的N沟道MOSFET CJBA3134K，耗散功率最大额定值仅为100mW
长晶科技推出的CJBA3134K是采用DFN1006-3L塑封的N沟道MOSFET。该器件采用表面贴片封装，低逻辑电平栅极驱动运行，具有低漏源导通电阻。该器件能够承受260°C/10s高温焊接，适用于负载/电源开关等领域。
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江苏长晶科技产品介绍-----MOSFET
江苏长晶科技（JSCJ）是一家专注于MOSFET研发、生产和销售的企业。公司拥有超过15年的晶圆设计经验，与国际一流封测基地合作，具备高品质和高可靠性的产品。JSCJ产品涵盖低压、中压和高压MOSFET，应用于电源、家电、电动工具、无人机等多个领域。公司拥有滁州、宿迁两大生产基地，具备世界顶级的封装测试能力。
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ESD产品介绍
本文介绍了瞬态电压抑制器（TVS）的原理和应用，详细阐述了TVS在ESD保护中的作用。文章中提到了不同封装尺寸和电压等级的TVS产品，包括0201、0402、01005等尺寸，以及针对不同应用场景的产品推荐。此外，还介绍了TVS在手机、TWS耳机充电盒、LCM模组等领域的应用案例。
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新产品市场规划与推广
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艾为最新发布宽电压、超低功耗LDO，多场景供电的卓越之选
艾为发布宽电压、超低功耗LDO AWP3720XBXXX系列，支持2.7V-18V或24V输入，静态电流低至1.5μA，具备高精度输出与多重保护机制，适用于智能家居、便携设备及工业系统，简化设计并提升续航能力。
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洺太SK6020 200纳安极致超低功耗LDO产品介绍 | 视频
洺太的SK6020是一款1.2至5.5V宽压输入，130mV超低压差，只有200纳安极致超低功耗的LDO，适用于各种穿戴产品，智能三表，烟雾探测器，医疗设备等对低功耗要求极致的电子产品。
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力芯微推出16V/300mA超低功耗LDO ET7H1XX系列，低噪声与快速启动，适用于对功耗要求严格的便携式设备
力芯微推出一系列超低功耗低压差线性稳压器ET7H1XX，静态电流1µA，输出电流300mA，采用先进的CMOS工艺和PMOSFET传输器件，具备低噪声与快速启动、动态瞬态增强、低静态电流等多种优势特性，适用于对功耗要求严格的便携式设备，以及对电源稳定性和瞬态响应有较高要求的无线通信设备等领域。
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【产品】维安超低功耗LDO WR0114系列，0.7μA(Typ)的超低静态功耗，助力实现续航时间、电池寿命最大化
维安（WAYON）超低功耗LDO产品 WR0114系列，适用于电池供电场景，通过减少待机功耗来延长电池寿命；与传统LDO的消耗电流对比优势更为突出。WR0114性能领先于国内绝大多数厂商的同类型产品，0.7μA(Typ)的超低静态功耗，待机功耗0.1µA(Typ)，输出电流150mA，主要封装形式为小型化DFN-4(1*1)封装和常规SOT23-3/5封装，可满足小空间、极低功耗的产品应用场景。
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【应用】国产超低功耗LDO LTP3637用于电动螺丝刀中8位MCU供电，静态电流低至0.8μA
在我们日常生活中，电动螺丝刀正逐渐替代掉传统的手动螺丝刀，大大节省了人力的消耗，通常电动螺丝刀的组成采用单节锂电池和USB供电模式，国产品牌先积集成超低功耗LDO LTP3637将5V或者4.2V电压稳压到3.3V给MCU供电。
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【应用】耐压高达7.5V、超低功耗LDO SGM2034用于智能门锁，满足四节干电池的供电要求
智能门锁主流还是采用四节干电池进行供电，四节串联的电压高达6.6V。大多数低功耗LDO耐压仅为5.5V，当满足6.6V耐压要求时，又为36V耐压的高压LDO，低功耗特点不明显。针对这一应用，圣邦微电子推出了超低功耗LDO SGM2034，可专用于此应用。
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【应用】具有热过载保护的超低功耗LDO RS3221-3.3YF5用于物联网井盖，静态工作电流低至1μA
智能井盖通常处于睡眠状态，在工作时根据心跳周期定时上传数据到平台。设备采用物联网电池供电，电源器件需要采用低功耗， 根据此方案的低功耗需求，电源部分本文推荐润石科技的超低功耗LDO RS3221-3.3YF5。
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【应用】4.3V转3.3V的超低功耗LDO，漏电流仅1uA，应用于智能穿戴设备
目前智能穿戴设备中的无线模块大都采用的蓝牙，而蓝牙的供电电压是3.3V，锂电池的电压是4.3V，因此，都会需要一款4.3V转3.3V的LDO，推荐圣邦微的LDO SGM2034，是一款小封装，超低功耗的线性转换器，依附其仅1uA的功耗，在压差无法改变的情况下，实现低功耗，广泛应用于智能穿戴等设备。
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【应用】待机电流仅1uA的超低功耗LDO SGM2040助力于燃气表方案设计，外围电路简单，最小封装尺寸仅1×1mm
智能燃气表一般由锂电池供电，对智能燃气表的待机使用时间提出了更高要求，一般要求电池至少使用5~6年，这对整个系统的功待机耗提出了苛刻的要求。燃气表供电部分多采用DC-DC升压芯片、LDO等器件，为了提高电池的续航能力，本文介绍SGMICRO超低功耗LDO SGM2040助力于智能燃气表设计。SGM2040其小体积和简单的外围设计非常适用燃气表这种有空间限制的方案设计。
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【应用】待机仅1μA的超低功耗LDO SGM2040、SGM2034助力物联网智能锁、单火开关设计
近年来物联网行业高速发展，每年近数十亿物联网设备部署在各行各业。无缝连接，自主工作的物联网设备通常采用电池供电或特殊供能，而且希望生命周期免维护。这时候系统功耗的设计变得非常严苛，工程师花大量的时间和精力优化硬件和软件，在设备待机和工作之间寻求平衡，在系统元器件选型中不断优化。本文介绍SGMICRO超低功耗LDO SGM2040助力物联网智能锁设计，SGM2034助力物联网单火开关设计。
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润石科技RS8034超低功耗运放&RS3221超低功耗LDO在人体红外感应PIR的应用
本文介绍了人体红外感应PIR产品的应用和电路设计。主要内容包括PIR感应电路原理框图，通过菲涅耳透镜增强红外信号汇聚，PIR探头基于热释电原理产生脉冲信号。电路设计注重低功耗，选用超低功耗运放和LDO，并设置了放大倍数、带宽和窗口比较器阈值等设计要点。
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【应用】典型待机电流仅1uA的超低功耗LDO SGM2040应用于手写笔，封装尺寸可小于1×1mm
学生用手写交互板和手写笔开始进入了校园，由于手写笔的体积有限，电池容量比较小，所以对器件的功耗要求非常高，为了提高电池的续航能力，本文将介绍应用于手写笔的超低功耗LDO SGM2040，器件外围电路简单，加两个贴片电容即可，设计简单，所占体积非常小，并且其中一种封装UTDFN-1×1-4AL尺寸仅1×1mm；输出电流最高为250mA，但典型待机电流仅1uA，可以大大减少芯片功耗，减少其发热量。
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【应用】超低功耗LDO，静态电流仅1uA，应用于单火线供电
圣邦微的线性稳压器SGM2040，其静态电流仅1uA，非常适合应用于对于对功耗有严苛要求的设备，应用于单火线中时，可有效降低电能损失，降低“鬼火”出现的概率
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