【产品】导通电阻最大仅110mΩ的增强型功率晶体管
发布时间：
2018-06-11
类型：
新产品，新品发布、新器件、产品介绍
品牌：
EPC（宜普电源转换公司）
型号：
EPC2110
EPC推出的EPC2110系列增强型功率晶体管，凭借超高效率与超小尺寸优势，成为高频功率应用的理想选择。该器件在VGS=5V、ID=4A条件下，导通电阻典型值仅为80mΩ，总闸极电荷低至0.8nC，能够有效处理高转换频率任务，特别适用于超级高频DC-DC转换、无线电力传输及同步整流等领域。其最大漏源电压为120V，连续漏极电流达3.4A，并具备优异的热性能与极低的反向恢复电荷，显著降低开关损耗。EPC在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务，平台提供该品牌产品的正品保障，型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。依托平台配备的专职FAE团队，用户可获得从选型、设计到调试验证的全流程技术支持，覆盖研发打样到量产的全生命周期服务，有助于缩短供应链响应周期，加速产品上市进程。
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EPC官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是EPC的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供EPC的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商
EPC（宜普电源转换公司）是基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商。EPC推出全球首款替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓（eGaN）场效应晶体管。GaN器件在速度，损耗，效率等性能上比硅材料的功率器件优越很多。
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现货平台 / EPC 授权代理店
| 订货型号 | EPC2110 | 品牌 | EPC |
| 型号系列 | EPC2110 | 品类 | Enhancement Mode Power Transistor |
| 描述/说明 | Enhancement Mode Power Transistor | 封装/外壳/尺寸 | BGA |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vᴅs (max) (V) | 120 | Vɢs (max) (V) | 6 |
| Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs | 110 | Qɢ (typ) (nC) | 0.8 |
| Qɢs (typ) (nC) | 0.25 | Qɢᴅ (typ) (nC) | 0.18 |
| Qᴏss (typ) (nC) | 4 | Iᴅ (A) | 3.4 |
| Pulsed Iᴅ (A) | 20 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥8.3763
库存：
2,386
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| 订货型号 | EPC2302 | 品牌 | EPC |
| 型号系列 | EPC2302 | 品类 | Enhancement Mode Power Transistor |
| 描述/说明 | The EPC2302 is a 1.8 mΩ max RDS(on), 100 V eGaN® power transistor in a low inductance 3 x 5 mm QFN package with exposed top for excellent thermal management. It is tailored to high frequency DC-DC applications to/from 40 V–60 V and 48 V BLDC motor drives. | 封装/外壳/尺寸 | 3mm x 5 mm QFN |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vᴅs (max) (V) | 100 | Vɢs (max) (V) | 6 |
| Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs | 1.8 | Qɢ (typ) (nC) | 23 |
| Qɢs (typ) (nC) | 8 | Qɢᴅ (typ) (nC) | 2.3 |
| Qᴏss (typ) (nC) | 85 | Iᴅ (A) | 101 |
| Pulsed Iᴅ (A) | 408 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥33.4480
库存：
15,225
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| 订货型号 | EPC2051 | 品牌 | EPC |
| 型号系列 | EPC2051 | 品类 | Enhancement Mode Power Transistor |
| 描述/说明 | Enhancement Mode Power Transistor | 封装/外壳/尺寸 | LGA |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vᴅs (max) (V) | 100 | Vɢs (max) (V) | 6 |
| Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs | 25 | Qɢ (typ) (nC) | 1.8 |
| Qɢs (typ) (nC) | 0.6 | Qɢᴅ (typ) (nC) | 0.3 |
| Qᴏss (typ) (nC) | 7.3 | Iᴅ (A) | 1.7 |
| Pulsed Iᴅ (A) | 37 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证,
供货保障,
研发推荐
价格：
￥4.4771
库存：
10,475
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| 订货型号 | EPC2052 | 品牌 | EPC |
| 型号系列 | EPC2052 | 品类 | Enhancement-Mode Power Transistor |
| 描述/说明 | Enhancement-Mode Power Transistor | 封装/外壳/尺寸 | BGA |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vᴅs (max) (V) | 100 | Vɢs (max) (V) | 6 |
| Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs | 13.5 | Qɢ (typ) (nC) | 3.5 |
| Qɢs (typ) (nC) | 1.5 | Qɢᴅ (typ) (nC) | 0.5 |
| Qᴏss (typ) (nC) | 13 | Iᴅ (A) | 8.2 |
| Pulsed Iᴅ (A) | 74 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥5.8518
库存：
8,907
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| 订货型号 | EPC2036 | 品牌 | EPC |
| 型号系列 | EPC2036 | 品类 | Enhancement Mode Power Transistor |
| 描述/说明 | Enhancement Mode Power Transistor | 封装/外壳/尺寸 | BGA |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vᴅs (max) (V) | 100 | Vɢs (max) (V) | 6 |
| Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs | 73 | Qɢ (typ) (nC) | 0.7 |
| Qɢs (typ) (nC) | 0.17 | Qɢᴅ (typ) (nC) | 0.14 |
| Qᴏss (typ) (nC) | 3.9 | Iᴅ (A) | 1.7 |
| Pulsed Iᴅ (A) | 18 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证,
供货保障,
研发推荐
价格：
￥4.3592
库存：
2,500
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| 订货型号 | EPC2016C | 品牌 | EPC |
| 型号系列 | EPC2016C | 品类 | Enhancement Mode Power Transistor |
| 描述/说明 | Enhancement Mode Power Transistor | 封装/外壳/尺寸 | LGA |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vᴅs (max) (V) | 100 | Vɢs (max) (V) | 6 |
| Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs | 16 | Qɢ (typ) (nC) | 3.4 |
| Qɢs (typ) (nC) | 1.1 | Qɢᴅ (typ) (nC) | 0.55 |
| Qᴏss (typ) (nC) | 16 | Iᴅ (A) | 18 |
| Pulsed Iᴅ (A) | 75 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥9.0645
库存：
7,664
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| 订货型号 | EPC2038 | 品牌 | EPC |
| 型号系列 | EPC2038 | 品类 | Enhancement Mode Power Transistor |
| 描述/说明 | Enhancement Mode Power Transistor with Integrated Reverse Gate Clamp Diode | 封装/外壳/尺寸 | BGA |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vᴅs (max) (V) | 100 | Vɢs (max) (V) | 6 |
| Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs | 3300 | Qɢ (typ) (nC) | 0.044 |
| Qɢs (typ) (nC) | 0.02 | Qɢᴅ (typ) (nC) | 0.004 |
| Qᴏss (typ) (nC) | 0.134 | Iᴅ (A) | 0.5 |
| Pulsed Iᴅ (A) | 0.5 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥4.3592
库存：
4,290
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| 订货型号 | EPC2040 | 品牌 | EPC |
| 型号系列 | EPC2040 | 品类 | Enhancement Mode Power Transistor |
| 描述/说明 | Enhancement Mode Power Transistor | 封装/外壳/尺寸 | BGA |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vᴅs (max) (V) | 15 | Vɢs (max) (V) | 6 |
| Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs | 30 | Qɢ (typ) (nC) | 0.745 |
| Qɢs (typ) (nC) | 0.23 | Qɢᴅ (typ) (nC) | 0.14 |
| Qᴏss (typ) (nC) | 0.42 | Iᴅ (A) | 3.4 |
| Pulsed Iᴅ (A) | 28 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证,
限量折扣
价格：
￥4.0138
库存：
3,124
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| 订货型号 | EPC2308 | 品牌 | EPC |
| 型号系列 | EPC2308 | 品类 | Enhancement Mode Power Transistor |
| 描述/说明 | Enhancement Mode Power Transistor;VDS:150V;RDS(on):6mΩ max | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS | 150 V | RDS(on) | 6 mΩ max |
| ID | 48 A | 脉冲 ID | 157 A |
| Operating Temperature | -40℃ to 150℃ | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥27.7142
库存：
3,000
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| 订货型号 | EPC2306 | 品牌 | EPC |
| 型号系列 | EPC2306 | 品类 | Enhancement Mode Power Transistor |
| 描述/说明 | Enhancement Mode Power Transistor;VDS :100V;RDS(on):3.8mΩ max | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS | 100 V | RDS(on) | 3.8 mΩ max |
| ID | 48A | Operating Temperature | -40℃ to 150℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥22.2672
库存：
3,000
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世强硬创平台提供EPC2306样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
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EPC2306 批量询价 >>
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供EPC快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
立即提交 晶体回路匹配测试 >>
NLM（日轻）以铝挤+CNC+真空钎焊一体化工艺，为新能源电驱及工业逆变场景定制轻量化功率模块冷却器，热阻≤0.03 K/W。
立即提交 车规级高功率密度功率模块冷却器定制 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
EPC2110–双共源模式氮化镓功率晶体管
Revised November, 2017
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明
11/9/2017
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
数据手册变更为EPC2110
01/17/2025
|
下载 |
| 评估板使用说明 - 英文 |
EPC（宜普）开发板EPC9038/39/40快速入门指南
2017年07月13日
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
EPC（宜普）EPC2110双增强型功率晶体管数据手册
Revised December, 2015
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
EPC氮化镓晶体管合格报告EPC2110
November 15, 2017
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
EPC2001C产品/工艺变更通知单
September 20, 2018
|
下载 |
技术论坛
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
面向医疗应用技术的 eGaN® FET及集成电路
氮化镓（eGaN）场效应晶体管在医疗应用技术中展现出显著优势，包括提高成像速度、增强诊断效率和推动可移植设备发展。eGaN技术通过小型化、高散热效率和快速开关速度，为医疗成像、诊断、可移植设备和机器人手术提供高效能解决方案。资料详细介绍了eGaN器件在医疗领域的应用，并提供了相关产品型号和规格信息。
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用于医疗技术的镓氮化物®FET和IC应用简介
eGaN® FETs和ICs在医疗技术领域的应用主要包括：提高成像设备的扫描速度和分辨率，实现无线充电植入式设备，以及用于医疗机器人的高精度电机控制。这些技术通过提高效率、减小尺寸和增强开关速度，为医疗设备提供更快的性能和更高的能效。
阅读原文 >>
面向医疗应用的氮化镓场效应晶体管 （eGaN® FET）及集成电路技术
本文介绍了面向医疗应用的氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）及集成电路技术。eGaN技术应用于移植器件无线充电、MRI接收线圈、X射线源检测器、结肠镜检查丸和机器人等医疗设备，提高了设备性能和效率。文章详细列出了适用于不同医疗应用的eGaN器件型号、配置和性能参数。
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面向医疗应用的氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）及集成电路技术
本文介绍了面向医疗应用的氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）及集成电路技术。eGaN技术应用于移植器件无线充电、MRI接收线圈、X射线源、结肠镜检查丸、机械人等医疗设备，提高了设备性能和效率。文章还提供了eGaN器件型号、配置、性能参数等信息，以及相关开发板和封装类型。
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面向医疗应用的氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）及 集 成 电 路 技 术
本文介绍了eGaN®技术及其在医疗应用中的氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）及集成电路技术。eGaN® FET在移植器件应用中实现无线充电，提高设备性能；在成像设备及X射线检测器中，提升成像分辨率和降低功耗；在医疗机械人中，提供高分辨率马达控制。文章还提供了针对不同应用的推荐器件型号和配置。
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面向无线充电应用的eGaN® FET 及集成电路
本文介绍了eGaN® FET及集成电路在无线充电应用中的优势，包括低功耗、高效率、低EMI等特点。文章重点介绍了AirFuel™无线充电标准和eGaN FET在无线充电系统中的应用，以及不同功率等级的eGaN FET及集成电路产品。此外，还提供了eGaN FET及集成电路的详细参数和评估套件信息。
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面向无线充电应用的eGaN® FET 及集成电路
本文介绍了eGaN® FET及集成电路在无线充电应用中的优势，包括低功耗、高效率、低EMI等特点。文章重点介绍了AirFuel™无线充电标准和eGaN FET及集成电路在各类无线充电应用中的适用性，并提供了相应的评估套件和器件型号。此外，还详细列出了不同型号eGaN FET及集成电路的性能参数和封装信息。
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面向医疗应用的氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）及集成电路技术市场简介
本文介绍了面向医疗应用的氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）及集成电路技术。eGaN技术应用于移植器件无线充电、MRI接收线圈、X射线源、结肠镜检查丸、机械人等医疗设备，提高了设备性能和效率。文章还提供了eGaN器件型号、配置、性能参数等信息，以及相关开发板和封装类型。
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面向医疗应用的氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）及集成电路技术市场简介
本文介绍了面向医疗应用的氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）及集成电路技术。eGaN技术应用于移植器件无线充电、MRI接收线圈、X射线源、检测器、电池、结肠镜检查丸、机械人等领域，提高了医疗设备的性能和效率。文章还提供了eGaN技术相关器件的型号、配置、性能参数等信息。
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面向医疗应用的氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）及集成电路技术 市场简介
本文介绍了eGaN® FET技术在医疗领域的应用，包括无线充电移植器件、MRI接收线圈、X射线诊断系统、机械人等。eGaN FET技术具有高频开关性能，能够提高设备性能，同时实现高功率密度。文章还提供了针对不同应用的推荐器件型号和配置信息。
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Design Higher Density and Lower Cost Lidar Systems with New 80V, 15A GaN eToF™ Laser Driver IC
“This new family of GaN integrated circuits dramatically improves the performance while reducing size and cost for time-of-flight lidar systems,“ said Alex Lidow, CEO, and co-founder of EPC. “
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EPC推出新型80V、40A eToF™激光驱动器GaN IC，实现更高功率密度激光雷达系统
宜普电源转换公司（EPC）推出新型氮化镓集成电路EPC21701，这是一款80V激光驱动器IC，可提供15A脉冲电流，适用于飞行时间激光雷达应用（ToF激光雷达应用），包括真空吸尘器、机器人、3D安全摄像头和3D传感器。
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【视频】EPC 80~100V集成GAN IC，契合ToF高频及DCDC应用
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GaN ePower Integrated Circuits Applied to Motor Drives
The latest ePower™ integrated circuits based on gallium nitride technology by Efficient Power Conversion（EPC）are revolutionizing motor drive applications such as industrial drones, e-bikes, scooters, power tools.
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氮化镓(GaN)器件的优势
本文探讨了氮化镓（GaN）器件在电源转换技术中的应用及其优势。文章对比了GaN FET与硅MOSFET的性能参数，突出了GaN器件在高电流脉冲、快速动态响应等方面的优越性。此外，文中还介绍了适用于不同距离激光雷达系统的GaN器件方案，并展示了EPC公司提供的多种GaN产品和应用案例。
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增强型氮化镓技术产品简介
本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。eGaN®晶体管和集成电路相比硅基器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章强调了GaN器件在降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需功率方面的优势。此外，还提到了GaN技术的可靠性、成本效益和广泛的应用领域，包括汽车、无线电源、电机驱动和医疗设备等。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
氮化镓场效应晶体管及集成电路的开关性能可实现更高功率密度、更高频率、更高开关精确度、更高总线电压及更少电压过冲。基于氮化镓技术的器件可在不同的功率及电压条件下高效地工作。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出低阻抗、低导通损耗、快速开关、低开关损耗和没有反向恢复等特点。此外，eGaN FET器件具有低成本、成熟工艺、低系统成本、简单易用、可靠性和耐辐射等优点。文章还提供了eGaN FET器件的选型和应用示例，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。
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增强型氮化镓功率晶体管技术 应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，氮化镓器件在成本效益、可靠性、耐辐射性等方面也具有显著优势。文章还介绍了eGaN FET在汽车、射频放大器、DC/DC转换器、马达驱动、激光雷达、医疗应用、D类音频放大器、模拟开关和无线充电等领域的应用。
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增强型氮化镓 功率晶体管技术 应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件在成本效益、可靠性、耐辐射性等方面也具有显著优势。文章还提供了eGaN FET器件的选型和应用实例，以及相关的设计资源和开发板信息。
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增强型氮化镓功率晶体管技术 应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓元件通过降低阻抗、导通损耗和开关损耗，实现更高效的功率转换。此外，eGaN FET在汽车、无线充电、LED照明等领域具有广泛的应用。文章还提供了eGaN FET器件的选型和设计支持信息。
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增强型氮化镓功率晶体管技术 应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术适用于多种应用，包括汽车、DC/DC转换器、负载点转换器、激光雷达、D类音频放大器、无线充电、射频功率放大器、马达驱动器、医疗应用和LED照明等。文章还提供了eGaN® FET器件的选型和设计支持信息。
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【视频】EPC GaN驱动脉宽短至2ns，尺寸有硅MOS的10%，完美匹配激光二极管ToF方案
本文主要介绍了激光雷达技术，包括其组成、种类、应用案例以及激光雷达专用eToF GaN IC的设计与控制。文章详细阐述了激光雷达的驱动设计与控制，包括杂散电感的影响、使用氮化镓的优势等。此外，还比较了DTOF与iToF的优缺点，并分析了脉冲形状的重要性。最后，文章介绍了EPC公司提供的GaN FET和IC解决方案，以及其在激光雷达系统中的应用。
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EPC耐压100V、瞬时电流高达75A的车规级GaN FET及实现<2ns的超短脉冲GaN IC
本文主要介绍了激光雷达技术，包括其组成、种类、应用案例、工作原理以及相关技术细节。重点讨论了激光雷达的驱动设计与控制，特别是使用氮化镓（GaN）FET的优势，以及GaN IC在激光雷达中的应用。文章还分析了激光雷达系统对脉冲功率的要求，以及如何通过优化PCB布局设计来降低寄生电感。
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增强型氮化镓技术
该资料主要介绍了eGaN®技术及其在功率转换领域的应用。eGaN®技术基于氮化镓（GaN）材料，相比传统硅材料具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。资料详细阐述了eGaN®器件的优势，包括低导通电阻、快速开关、低电容、低驱动功率和集成化设计。此外，还提供了eGaN®器件在汽车、无线电源、电机驱动、医疗和LED照明等领域的应用案例，以及相关的开发板和演示电路信息。
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增强型氮化镓技术
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增强型氮化镓技术
本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率转换技术，eGaN®技术具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®技术的可靠性、成本效益和设计支持，以及其在汽车、无线电源、医疗和LED照明等领域的应用。
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增强型氮化镓技术
本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率电子解决方案。与传统的硅基功率电子器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章强调了eGaN®器件在降低导通电阻、减少开关损耗、降低驱动电路所需的功率以及集成化设计方面的优势。此外，还提到了eGaN®器件的可靠性、成本效益和广泛的应用领域，包括汽车、无线电源、LED照明和医疗设备等。
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氮化镓器件测试信息
EPC与Spirit Electronics合作，提供更广泛的制造批次特定数据服务。资料详细介绍了EPC商用器件的数据包提供，包括不同型号的GaN FET和IC产品及其规格参数，如电压、电流和封装尺寸等。资料还提供了可变性和图表信息，以及联系方式以获取更多详细信息。
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氮化镓器件测试信息
EPC与Spirit Electronics合作，提供扩展的制造批次特定数据服务。资料详细列出了可用的服务，包括不同型号的eGaN® FETs和ICs的尺寸、电压、电流和认证信息。资料还提供了数据包服务，包括可变性和图表信息。
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增强型氮化镓功率晶体管技术
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、更低的导通损耗和更小的电容。此外，氮化镓器件在成本效益、可靠性、耐辐射性等方面也具有显著优势。文章还提供了eGaN FET器件的选型和应用示例。
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【应用】eGaN FET和eToF™激光驱动器IC为1550nm脉冲激光雷达解决功率问题
EPC利用eGaN® FET技术，针对脉冲激光雷达系统，提出了一种解决方案，既可供驱动1550nm激光器所需的高功率，同时也能保证脉冲激光雷达应用中高分辨率所需的边沿速度和脉冲，极大地提升了对眼睛的安全性。
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【产品】适用于高级自主激光雷达的eToF™激光驱动IC EPC21601
用于光距和测距（激光雷达）的激光驱动器是以脉冲功率模式使用的，基本要求为大电流、高速、小尺寸、低成本。EPC新的集成激光驱动器IC EPC21601轻松满足所有要求。通过在单个芯片中集成多个器件，使设计、布局、组装更容易，节省PCB空间，提高效率，降低成本。
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EPC扩展了eToF激光驱动器IC产品系列，并针对增强现实进行了优化
2021年3月，EPC宣布推出一款激光驱动器EPC21603，将40V、10A的FET与栅极驱动器和低压差分信号(LVDS)逻辑电平输入电路集成在一个芯片中，用于机器人、无人机、增强现实和游戏应用中的飞行时间激光雷达系统。
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增强型氮化镓工艺简介
本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率器件，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件的可靠性、成本效益和设计支持，以及其在汽车、无线电源、医疗和LED照明等领域的应用。
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EPC2152 GaN Integrated Power Stage – Redefining Power Conversion
This complete power stage, the EPC2152 ePower™ Stage, can be driven at multi-megahertz frequencies and controlled by a simple ground-referenced CMOS IC, and with just a few added passive components, could become a complete DC-DC regulator. Integrated devices in a single chip are easier to design, easier to layout, easier to assemble, save space on the PCB, and increase efficiency.
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【应用】基于单片GaN ePower™stage EPC2152x设计紧凑型低压BLDC电机驱动逆变器
本文展示了采用EPC公司的GaN ePower stage：EPC21521设计的60V三相BLDC电机驱动逆变器。 FET和栅极驱动器的单片集成不仅可确保小尺寸，而且即使在驱动器的开关频率较高时也可确保低开关损耗。最终结论是展示了紧凑的驱动解决方案，可以轻松地与电动机集成。
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EPC2152 ePower™ Stage – Redefining Power Conversion
The EPC2152 is a single-chip driver plus eGaN® FET half-bridge power stage using EPC’s proprietary GaN IC technology. Input logic interface, level shifting, bootstrap charging and gate drive buffer circuits along with eGaN output FETs configured as a half-bridge are integrated within a monolithic chip. This results in a chip-scale LGA form factor device that measures only 3.9 mm x 2.6 mm x 0.8 mm for an 80 V, 12.5 A gallium-nitride based power stage integrated circuit.
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The Power and Evolution of GaN: Bringing Precision Control to Surgical Robots with eGaN FETs and IC
Robotic surgical systems require a motor with high efficiency, minimal vibration, and precision control. eGaN FETs and ICs are ideal devices for sinusoidally modulated motor drives given their higher efficiency and higher operating frequency. eGaN FETs and ICs used in the motor control circuit yield higher precision and result in a more compact drive for the motors. This combination allows designers to design surgical robots that are more compact and with superior dexterity over MOSFET equivalent solutions.
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