【产品】带宽/增益可设置的射频混频器助力MIMO系统应用，射频范围400MHz ~ 3800MHz
发布时间：
2019-04-17
类型：
新产品，新品发布、新器件、产品介绍
品牌：
IDT（艾迪悌）; RENESAS（瑞萨电子）
型号：
F1792NLGI; F1792NLGI8
IDT推出的F1792是一款带宽与增益可设置的射频混频器，凭借极低功耗和出色线性度，在400MHz至3800MHz的射频范围内表现卓越。该器件支持11dB至2dB四种动态增益设置，采用专利技术及内部匹配设计，具备固定BOM和独立通道关断模式，能够有效集成于高阶TDD MIMO系统及2G至5G射频拉远单元等应用中。IDT在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务，平台确保产品正品保障，型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。依托平台配备的专职FAE团队，用户可获得从选型、设计到调试验证的全方位技术支持，覆盖研发打样到量产全生命周期，从而缩短供应链响应周期，加速产品上市进程。
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加工定制
可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
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通宇通讯 macroWiFi 系列以 IP68 一体化天线+射频头设计，为智慧城市、矿区、港口提供 -40 ℃~+75 ℃ 稳定运行的 802.11ax 高带宽回传，单扇区容量 1.8 Gbps。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
F1792 RF宽带增益可设置下变频混频器400MHz至3800MHz
February 9, 2022
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
VFQFPN-20产品/工艺变更通知单
21-Mar-2017
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| 数据手册 - 英文 |
射频宽带增益可设置下变频混频器400mhzto3800mhz F1792产品介绍
Rev O
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
TB1912-02产品/工艺变更通知单
December 20,2019
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| 数据手册 - 英文 |
VersaMixer系列高柔性单/双通道射频混频器
2018/02/16
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| 技术文档 - 英文 |
VersaMixer系列高柔性单/双通道射频混频器
REVA1
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| 数据手册 - 英文 |
F1792 RF Wideband Gain-Settable Downconverting Mixer 400MHz to 3800MHz
December 13, 2019
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| 技术文档 - 中文 |
VersaMixer 系列 高灵活单／双通道 RF 混频器
2017/11/28
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| 数据手册 - 英文 |
F1792射频宽带增益可设置下变频混频器400MHz至3800MHz数据表
December 13, 2019
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| 数据手册 - 英文 |
VersaMixer 系列高灵活单／双通道 RF 混频器 F1792 数据手册
2018/02/16
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| 数据手册 - 英文 |
RF Mixers 数据手册 F1150
2018/02/16
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技术论坛
RF频率DC-3GHz，IF频率DC-350MHz，LO频率DC-3GHz的混频器推荐
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世强AI
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应用/方案
IDT RF业务和产品概述
该资料概述了IDT公司在射频领域的业务和产品，包括RF开关、放大器、DSAs、混频器、IF VGAs、集成接收器调制器、RF VGAs、VVAs和集成DPD解调器等。产品特点包括高可靠性、低功耗、GaAs替代品等。资料还介绍了IDT的独特技术创新，如FlatNoise、Glitch-Free、KLIN和Zero-Distortion，以及这些技术在提高RF性能方面的优势。此外，资料还展示了IDT的数字步进衰减器、电压可变衰减器和高可靠性开关等产品的详细规格和应用。
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IDT RF业务和产品概述
IDT公司射频业务概述，包括技术创新、射频架构和产品概述。重点介绍了RF业务增长、技术路线图、市场多元化与规模扩大。技术方面，IDT专注于创新IP和产品，如Glitch-Free™、FlatNoise™、Zero-Distortion™等。产品涵盖DSA、VVA、开关、RFVGA、IFVGA等，针对不同应用场景提供高性能射频解决方案。
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射频混频器系列产品概述
IDT的RF混频器家族采用专利Zero-Distortion技术，显著提高接收器在所需信噪比下的最大信号水平（IM3音调）。这些设备可扩展，可选择在降低功耗的同时保持高线性度。混频器可减少三阶互调（IM3）失真，提高覆盖范围，简化射频前端和软件设计。IDT混频器具有优异的带外杂散性能，内部集成RF和LO平衡变压器，IF端口配置为差分200欧姆，以驱动预ADC滤波器，提供高抑制带内2x2和3x3杂散。混频器具有强大的掉电模式，适用于现代TDD系统。所有IDT混频器均包括外部电阻选项，以进一步降低功耗。产品概述中列出了不同型号的混频器及其配置、OIP3、频率和封装信息。
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射频产品系列
该资料概述了Integrated Device Technology（IDT）的射频产品系列。产品涵盖多个类别，包括集成接收射频前端、发射链、毫米波波束成形器、数字步进衰减器、可变电压衰减器、射频开关、宽带混频器、可变增益放大器、放大器、宽带调制器以及DPD解调器等。IDT的产品特点包括低噪声、高线性度、低功耗和小型化设计。这些产品广泛应用于无线基础设施、卫星通信、工业和宽带CATV等领域，旨在满足不断增长的数据速率和无线电频谱的需求。IDT通过结合多种技术和先进知识产权，提供创新的解决方案，以应对设计挑战。
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IDT通信产品的优势实时互连电源管理RAPIDIO射频解决方案PCI EXPRESS
IDT公司提供一系列针对通信、计算、消费、汽车和工业领域的系统级解决方案。其产品包括RF、实时互联、无线电力传输、串行切换、接口和传感解决方案，广泛应用于4G和5G基础设施、网络通信、云数据中心和计算及移动设备的电源管理。IDT的产品优势在于其高性能网络通信和无线基础设施解决方案，包括RapidIO、PCI Express、电源管理、RF和高级定时解决方案。此外，IDT还提供智能PWM控制器芯片组和可扩展PMIC解决方案，以满足低、中、高功率需求。
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射频采样资源指南
本指南提供关于射频采样数据转换器的博客链接，涵盖高速数据转换器设计、FPGA固件设计和通信工程相关主题。内容包括射频采样架构、优势、数据速率管理、混叠、过采样、数字混频器、交错ADC、频率规划、时钟、窄带接收器、带宽提升、数字下变频器、噪声、线性性能和相位噪声等。
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射频通信中常见知识问题汇总
射频通信系统是现代通信技术的重要组成部分，在无线电通信、广播电视、卫星通信等领域都有广泛应用。在射频工作中，会面临各种问题和挑战。本文优译将射频中常涉及到一些知识问题作出汇总并解答。
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SMA射频同轴连接器简介
SMA连接器是一种广泛应用的半精度超小型射频和微波连接器，特别适合用于频率高达18GHz及更高的电子系统中的射频连接。SMA连接器有多种类型，包括公头、母头、直头、直角和隔板配件等，能够满足各种需求。其超小尺寸使得它即使在相对较小的电子设备中也能被广泛使用。
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【产品】信号频率范围25MHz～3GHz的SG3000Pro型便携式射频信号源，可用于射频放大器、开关等测试
芯同汇科技推出SG3000Pro型便携式射频信号源，信号频率范围25MHz～3GHz，功率动态范围-41.5dBm～15dBm（参考值）。此款射频信号源频率和功率可调，可用于射频放大器、开关等测试，也可用于无线通信与射频电路研发。
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【产品】XN6570和XN6569导航射频接收器模块，模块尺寸21.7mm×21.7mm×4.2mm，体积小
西南集成XN6570和XN6569型导航射频接收器模块采用HTCC一体化基板外壳工艺，内部主要包括低噪声放大器、射频混频器、中频混频器、中频可变增益放大器、射频声表滤波器、中频声表滤波器、频率合成器、中频驱动器等单元电路。
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【应用】什么类型的射频/微波应用中适合增加衰减器？
RF 衰减器是一种无源电子元件，可降低输入信号的幅值水平。衰减器可以是固定的、开关的或连续可变的。添加衰减器有助于控制和降低射频/微波系统中的信号电平。以下是添加衰减器的 8 个有益应用。
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【经验】基于下变频混频器CHR3762-QDG的混频杂散计算方法
本文结合实际的项目设计，来对混频器杂散的计算及分析做下简要的介绍，希望对从事射频行业的工程师有所帮助。本项目为C波段下变频通道，UMS的CHR3762-QDG混频器是一款下变频混频器，它允许的射频频率fRF范围为5.5～9GHz,中频频率fIF范围为DC～3.5GHz，本振频率fLO范围为4～12GHz,完全能满足本项目中对工作频率的要求。
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AV8270X 系列 毫米波平衡混频器
AV8270X系列毫米波平衡混频器采用肖特基二极管作为混频元件，覆盖40GHz～60GHz/50GHz～75GHz波导频段，具有宽中频带宽和低变频损耗。主要技术指标包括变频损耗8.5dB，中频覆盖4GHz～18GHz，射频输入1dB压缩点5dBm。产品适用于-20℃～+70℃工作温度范围，-55℃～+85℃储存温度范围。
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【产品】25V/10mA插针封装硅N沟道JFET 2N1919，适用于射频放大器和混频器
Central Semiconductor公司推出了一种用于射频放大器和混频器应用的硅N沟道JFET 2N1919，其漏源电压和门源电压都为25V，额定漏极电流为100mA。硅N沟道JFET 2N1919具有低阻抗、低功耗和低保持电压的优点，其功耗只有360mW，低的功耗可减少发热量，降低热故障率。
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混频器介绍API技术公司双平衡混频器三平衡混频器I/R混频器倍频器坚固结构密封
API Technologies Corp. 的 RF、微波和微电子业务部门提供高精度、高性能的射频、微波、毫米波和微电子解决方案，服务于全球国防、商业和太空市场的高可靠性和关键任务应用。公司拥有丰富的品牌遗产，包括C-MAC、Sage、Amplifonix等知名品牌。API Technologies 在全球设有多个生产基地，提供系统、子系统、集成组件和高可靠性模块及组件。产品应用于国防、航空航天、商业和工业等领域，包括电子战、C4ISR、雷达、通信、卫星和基础设施等。公司提供多种频率控制组件，包括双平衡混频器、三平衡混频器、图像拒绝混频器和频率倍增器等，满足不同应用需求。
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两个射频有源混频器提供出色的线性度，降低功耗
Linear Technology推出两款新型RF有源混频器，LT5525和LT5526，具有低功耗和高性能特点，适用于无线基础设施收发器和便携式无线电应用。这两款混频器功耗仅为其他高性能混频器的一半，同时提供优异的线性度，满足蜂窝和无线中继器、皮基站、点到点无线链路和移动无线电的要求。LT5526在900MHz频段的IIP3为16.5dBm，噪声系数为11dB，转换增益为0.6dB。LT5526的LO漏损极低，为-65dBm，降低了外部滤波需求。LT5525具有片上RF输入变压器，提供RF和LO输入的内部50欧姆阻抗匹配，简化了使用并降低了成本。两款设备均采用单电源供电，电压范围为3.6V至5.3V，典型工作电流为28mA。
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混频器一般用在哪些地方？
本文介绍了混频器的基本原理与关键性能参数，包括噪声系数、变频损耗、1dB压缩点、动态范围、交调失真、隔离度等，并详细阐述了混频器在频率变换、鉴相、可变衰减器、相位调制、QPSK、镜像抑制和单边带调制中的典型应用，适用于射频系统设计与通信工程领域。
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射频前端芯片的应用场景概览
射频前端芯片是一种集成电路，用于处理无线通信系统中的射频信号。它通常包括放大器、滤波器、混频器、振荡器和其他相关组件，这些部件协同工作，以确保信号的接收、传输和处理的质量和效率。本文介绍了常见的射频前端芯片应用领域。
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【产品】采用两级变频方式的导航射频接收器模块XN695X，支持62MHz低相噪时钟输出
西南集成的XN695X型导航射频接收器模块采用PCB基板与金属屏蔽罩封装的小型化表贴模块电路。内部主要包括低噪声放大器、射频混频器、中频混频器、中频可变增益放大器、射频声表滤波器、中频声表滤波器、频率合成器、中频驱动器等单元电路。
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【应用】35-45GHz砷化镓单片/单边带混频器CCHM1294-99F在射频收发芯片中的应用
UMS推荐砷化镓单片/单边带混频器CHM1294-99F，该器件采样次谐波平衡二极管混频，将2Lo（Lo本振信号）泄露和镜像信号抑制到较低水平，进一步降低转换损耗和本振噪声，其2*Lo泄露抑制典型值-35dBm，镜频抑制典型值达15dBc；同时该器件Lo输入功率可达10dBm，并内置自偏压Lo缓冲放大器，实现更优的动态性能和线性度，是一款经过多重优化设计、适应极高频混频应用的优异器件。
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【产品】适用于射频放大器和混频器的高增益PNP-硅射频晶体管模CP681
Central 推出的CP681 PNP-硅射频晶体管模，TA=25℃时，集电极电压最大20V，连续的集电极电流最大50mA，最适用于射频放大器和混频器等应用领域。
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高线性度有源射频混频器简化了3G无线基站接收机的设计
Linear Technology推出了一款新型高线性度有源下变频射频混频器LT5527，该产品显著降低了3G无线基站接收器设计的成本并简化了设计过程。LT5527混频器工作频率范围可达3.7GHz，在1.9GHz时提供23.5dBm的IIP3线性度、2.3dB的转换增益和12.5dB的噪声系数，满足3G基站及其他高性能无线基础设施接收器的动态范围要求。该混频器内置低噪声本振缓冲器，可在-3dBm的本振驱动电平下工作，解决了射频隔离问题并减少了外部滤波的需求。LT5527采用单5V电源供电，典型工作电流为78mA，并可通过ENABLE引脚关闭，关闭时最大静态电流为100uA。该产品采用16引脚4mm x 4mm表面贴装QFN封装，价格为5.80美元/1000件。
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射频芯片的工作原理详细解析
射频芯片是一种集成电路，专门用于处理射频信号。它们可以在无线通信设备、雷达系统、遥感技术等领域中发挥作用。这些芯片通常包含放大器、混频器、滤波器、发射器和接收器等模块，用于处理高频信号。通过调制、解调、放大和过滤等功能，射频芯片能够实现信号的传输、接收和处理。文章介绍了射频芯片的工作原理以及产业链。
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射频实验教学哪家强？现在只需一套射频培训套件
Y1800A是Keysight公司推出的一款射频培训套件，该套件采用超外差式结构体系，由发射机单元和接收机单元组成，包括不同的射频模块，如滤波器、功率放大器、低噪声放大器、混频器和振荡器，由基于 Windows 的软件通过 USB 进行控制。涵盖的实验包括频谱分析、矢量网络分析等八个实验。
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【应用】频率范围为25GHz~35GHz的自偏置单边带混频器CHR2294-99F，助力Ka波段卫星通信系统设计
针对Ka波段卫星通信中的混频器，本文推荐采用UMS公司推出的一款多功能自偏置单边带混频器CHR2294-99F，其内部集成有一个自偏压LO缓冲放大器和一个次谐波平衡二极管混频器，射频（RF）频率范围为25GHz~35GHz，变频损耗典型值可低至11dB，镜像抑制典型值可高达15dBc，LO输入功率可达9dBm，漏极偏压4V时偏压电流为55mA，采用pHEMT工艺制造，非常适合用于Ka波段卫星通信。
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高线性下变频混频器覆盖4-6GHz射频频率范围
Linear Technology公司推出LTC5544，一款4GHz至6GHz的高动态范围下变频混频器。该混频器具备高线性度（25.9dBm IIP3）、高转换增益（7.4dB）和低噪声系数（11.3dB），适用于主接收器和数字预失真接收器。LTC5544在单3.3V供电下工作，功耗低，适用于无线系统，包括点对点宽带微波链路、WiMAX无线电、卫星接收器等。该产品采用16引脚4mm x 4mm塑料QFN封装，价格为8.50美元起。
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【应用】23GHz~26GHz频率卫星通信系统低转换损耗方案：CHM1290-99F谐波混频器
针对23GHz~26GHz频率的卫星通信系统，UMS公司提供了优秀的谐波混频器解决方案，该公司推出的CHM1290-99F，转换损耗典型值低至10dB，射频带宽范围为20GHz~30GHz，具备超宽的频带特性，LO频率范围为10GHz~15GHz，IF频率范围为DC~6GHz，非常适合用于23GHz~26GHz卫星通信系统。
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宽带射频混频器实现26.9dBm IIP3，功耗仅为294mW
Linear Technology宣布推出LTC5567，一款300MHz至4GHz的宽带射频混频器，具有26.9dBm的优异IIP3（输入三阶截距），低功耗294mW，以及2.5GHz的宽中频带宽，适用于4G无线基站和多种高动态范围接收器应用。该混频器具有1.9dB的转换增益和11.8dB的噪声系数，提供出色的动态范围。此外，其中频输出频率范围为5MHz至2500MHz，支持宽带应用，如有线电视下行发射机和数字预失真（DPD）接收机。LTC5567集成了射频和本振输入的RF平衡变压器，可在1.4GHz至3GHz范围内单端运行，减少外部组件需求，降低系统成本和解决方案尺寸。该产品采用4mm x 4mm QFN封装，适用于-40°C至105°C的温度范围，具有单3.3V供电和89mA电流消耗，功耗最低。
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【产品】25-35GHz自偏置单边带混频器CHR2294，商业通信系统的首选
UMS近期推出了GaAs单片集成自偏置单边带混频器CHR2294，RF频率范围为25GHz ~35GHz，LO频率范围为11GHz ~19GHz，IF频率范围为DC~3.5GHz，转换损耗典型值为11dB, 具有优良的2LO抑制与镜像抑制，能够作为上变频器或下变频器进行使用。
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【产品】RF/LO频率范围76GHz~77GHz的双通道射频混频器CHM2378a，W波段应用首选
UMS公司是全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商, 同时也是全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商,主要服务于航空、通信、汽车雷达、工业、仪器等市场。UMS公司近日推出了一款GaAs单片W波段混频器CHM2378a，它采用双通道架构。CHM2378a混频器内部的非线性器件是高质量的肖特基二极管，可产生低转换损耗和非常低的噪声。
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【产品】55-65GHz单边带混频器CHM1298-99F，可实现2LO抑制和镜像抑制
CHM1298-99F是UMS推出的一款单边带混频器，它集成了LO缓冲放大器和次谐波平衡二极管混频器，可实现2LO抑制和镜像抑制。它既可用于上变频器也可用于下变频器。CHM1298-99F以芯片形式提供服务的，芯片的背面是RF和DC接地，这有助于简化装配过程，其电路基于pHEMT工艺，具有0.25μm栅极长度，连接到衬底的通孔、空气桥和电子束栅极光刻的特点。
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【产品】RF频率范围20~30GHz的GaAs次谐波混频器CHM1290-99F，可用于LMDS通信系统
UMS推出的CHM1290-99F是一款多功能电路，集成了自偏置LO缓冲放大器和次谐波二极管混频器，可实现2LO抑制，它既可用于上变频也可用于下变频。芯片的背面是RF和DC接地，有助于简化装配处理。该电路采用pHEMT工艺制造，栅极长度为0.25μm，通孔穿过基板，空气桥和电子束栅极光刻，通常用于宽带本地接入（LMDS）的商业通信系统。
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【产品】集成FET mixer、LO和RF低噪声放大器的下变频器，工作频率12~16GHz
CHR3763-QDG是UMS推出的一款多功能单片接收器。它集成了平衡冷FET混频器，LO缓冲器和RF低噪声放大器。CHR3763-QDG是以芯片形式提供产品的，其电路采用pHEMT工艺制造，栅极长度为0.25μm，并采用符合RoHS标准的SMD封装。
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【产品】15-30GHz采用GaAs工艺和SMD无铅封装倍频器CHX3068-QDG，适用于电通信，如DVB-RCS等
CHX3068-QDG是UMS公司推出的一款Ka波段的GaAs集成电路倍频器，输入频率为14～15 GHz，输出频率为28~30GHz。其具有输入功率低的特点，采用24L-QFN4X4 SMD无铅封装，适用于电通信，如DVB-RCS等。
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【产品】 集成平衡cold FET技术的混频器的单芯片多功能下变频器，射频带宽为17-24GHz
MS的CHR3663-QEG无引脚SMD封装，工作频率在17到24GHz，可输出直流到3.5GHz的中频信号。
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