【应用】导通电阻最低可达1.2mΩ的SGT系列MOSFET满足电动车控制器需求，为客户提供高效且可靠的设计支持
发布时间：
2023-04-22
类型：
应用方案，参考设计、解决方案
品牌：
LONTEN（龙腾）
型号：
LSGC085R029; LSGN10R042; LSGN085R050; LSGN085R036; LSGG085R052; LSGE10R042; LSGE085R052; LSGE085R036; LSGE085R027; LSGE085R023; LSGD10R047; LSGC10R047; LSGC085R055; LSGC085R038; LSGC085R025; LSGB085R014
电动车控制器作为核心部件，其性能主要取决于功率器件的品质。LONTEN推出的SGT系列产品，凭借极低的导通电阻（最低可达1.2mΩ）和较低的栅电荷，能够有效降低损耗，为电动车控制器的高效与可靠运行提供了强有力的设计支持。目前，LONTEN在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务，平台确保所有产品均为正品。该系列MOSFET支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，可快速响应研发需求。同时，平台配备专职FAE团队，能够提供从选型、设计到调试、验证的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期，有助于缩短供应链响应周期，加速产品上市进程。
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LONTEN官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
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世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供LONTEN的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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领先的功率半导体器件及系统解决方案提供商——龙腾半导体（LONTEN）
龙腾半导体股份有限公司是一家致力于新型功率半导体器件研发、生产、销售和服务的高新技术企业，推出的超结MOSFET、IGBT、中低压SGT MOSFET、中低压沟槽MOSFET及功率模块等完整的功率器件产品系列具有低功耗高能效、高可靠性及高性价比的优点。
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现货平台 / LONTEN 授权代理店
| 订货型号 | LSGC10R047 |
| 品牌 | LONTEN |
| 型号系列 | LSGC10R047 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Lonten N-channel 100V,140A Power MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS(V) | 100 |
| ID(A)25℃ | 140 |
| RDS(ON)Typ (mΩ)(VGS=10V) | 4.2 |
| RDS(ON)Max (mΩ)(VGS=10V) | 4.7 |
| Qg(nC)(VGS=10V) | 65 |
| VGS(V) | 20 |
| VGS(th)(V) | 3 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
20
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| 订货型号 | LSGD10R047 |
| 品牌 | LONTEN |
| 型号系列 | LSGD10R047 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Lonten N-channel 100V,63A Power MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220F |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS(V) | 100 |
| ID(A)25℃ | 63 |
| RDS(ON)Typ (mΩ)(VGS=10V) | 4.2 |
| RDS(ON)Max (mΩ)(VGS=10V) | 4.7 |
| Qg(nC)(VGS=10V) | 65 |
| VGS(V) | 20 |
| VGS(th)(V) | 3 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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原厂认证
价格：
库存：
20
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| 订货型号 | LSGC085R038 |
| 品牌 | LONTEN |
| 型号系列 | LSGC085R038 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Lonten N-channel 85V,120A Power MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS(V) | 85 |
| ID(A)25℃ | 120 |
| RDS(ON)Typ (mΩ)(VGS=10V) | 3.2 |
| RDS(ON)Max (mΩ)(VGS=10V) | 3.8 |
| Qg(nC)(VGS=10V) | 116 |
| VGS(V) | 20 |
| VGS(th)(V) | 3 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
20
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| 订货型号 | LSGB085R014 |
| 品牌 | LONTEN |
| 型号系列 | LSGB085R014 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Lonten N-channel 85V,240A Power MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-247 |
| 最小包装量 | 30 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS(V) | 85 |
| ID(A)25℃ | 240 |
| RDS(ON)Typ (mΩ)(VGS=10V) | 1.2 |
| RDS(ON)Max (mΩ)(VGS=10V) | 1.45 |
| Qg(nC)(VGS=10V) | 435 |
| VGS(V) | 20 |
| VGS(th)(V) | 3.5 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
20
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| 订货型号 | LSGN085R036 |
| 品牌 | LONTEN |
| 型号系列 | LSGN085R036 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Lonten N-channel 85V,80A Power MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN5×6 |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS(V) | 85 |
| ID(A)25℃ | 80 |
| RDS(ON)Typ (mΩ)(VGS=10V) | 3.15 |
| RDS(ON)Max (mΩ)(VGS=10V) | 3.6 |
| Qg(nC)(VGS=10V) | 116 |
| VGS(V) | 20 |
| VGS(th)(V) | 3 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.1429
库存：
20
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| 订货型号 | LSGG085R052 |
| 品牌 | LONTEN |
| 型号系列 | LSGG085R052 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Lonten N-channel 85V,80A Power MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS(V) | 85 |
| ID(A)25℃ | 80 |
| RDS(ON)Typ (mΩ)(VGS=10V) | 4.6 |
| RDS(ON)Max (mΩ)(VGS=10V) | 5.2 |
| Qg(nC)(VGS=10V) | 78.5 |
| VGS(V) | 20 |
| VGS(th)(V) | 3 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.4858
库存：
20
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| 订货型号 | LSGE085R027 |
| 品牌 | LONTEN |
| 型号系列 | LSGE085R027 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Lonten N-channel 85V,180A Power MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-263 |
| 最小包装量 | 800 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS(V) | 85 |
| ID(A)25℃ | 180 |
| RDS(ON)Typ (mΩ)(VGS=10V) | 2.38 |
| RDS(ON)Max (mΩ)(VGS=10V) | 2.75 |
| Qg(nC)(VGS=10V) | 159 |
| VGS(V) | 20 |
| VGS(th)(V) | 3 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥3.5715
库存：
20
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| 订货型号 | LSGC085R025 |
| 品牌 | LONTEN |
| 型号系列 | LSGC085R025 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Lonten N-channel 85V,180A Power MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS(V) | 85 |
| ID(A)25℃ | 180 |
| RDS(ON)Typ (mΩ)(VGS=10V) | 2.15 |
| RDS(ON)Max (mΩ)(VGS=10V) | 2.55 |
| Qg(nC)(VGS=10V) | 211 |
| VGS(V) | 20 |
| VGS(th)(V) | 3.5 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥4.5858
库存：
20
世强硬创平台提供LSGC085R025在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货20，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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世强硬创平台提供LSGC085R025批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
LSGC085R025 批量询价 >>
世强硬创平台提供LSGC085R025交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。
LSGC085R025 交期查询 >>
世强硬创平台提供LSGC085R025期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
LSGC085R025 期货订购 >>
| 订货型号 | LSGE085R023 |
| 品牌 | LONTEN |
| 型号系列 | LSGE085R023 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Lonten N-channel 85V,180A Power MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-263 |
| 最小包装量 | 800 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS(V) | 85 |
| ID(A)25℃ | 180 |
| RDS(ON)Typ (mΩ)(VGS=10V) | 2 |
| RDS(ON)Max (mΩ)(VGS=10V) | 2.35 |
| Qg(nC)(VGS=10V) | 211 |
| VGS(V) | 20 |
| VGS(th)(V) | 3.5 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥4.6572
库存：
20
世强硬创平台提供LSGE085R023在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货20，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
LSGE085R023 在线购买 >>
世强硬创平台提供LSGE085R023样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
LSGE085R023 样品申请 >>
世强硬创平台提供LSGE085R023批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
LSGE085R023 批量询价 >>
世强硬创平台提供LSGE085R023交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。
LSGE085R023 交期查询 >>
世强硬创平台提供LSGE085R023期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
LSGE085R023 期货订购 >>
| 订货型号 | LSGE085R036 |
| 品牌 | LONTEN |
| 型号系列 | LSGE085R036 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Lonten N-channel 85V,120A Power MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-263 |
| 最小包装量 | 800 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS(V) | 85 |
| ID(A)25℃ | 120 |
| RDS(ON)Typ (mΩ)(VGS=10V) | 3.1 |
| RDS(ON)Max (mΩ)(VGS=10V) | 3.6 |
| Qg(nC)(VGS=10V) | 116 |
| VGS(V) | 20 |
| VGS(th)(V) | 3 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.2572
库存：
20
世强硬创平台提供LSGE085R036在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货20，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
LSGE085R036 在线购买 >>
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LSGE085R036 样品申请 >>
世强硬创平台提供LSGE085R036批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
LSGE085R036 批量询价 >>
世强硬创平台提供LSGE085R036交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。
LSGE085R036 交期查询 >>
世强硬创平台提供LSGE085R036期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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技术支持/研发服务
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
LSGC085R029 Lonten N沟道85V，180A，2.95mΩ功率MOSFET
Rev 1.1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
LSGN085R050 Lonten N沟道85V，88A，5.0mΩ功率MOSFET
Rev 1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
LSGG085R052 Lonten N沟道85V，80A，5.2mΩ功率MOSFET
Version 1.1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
LSGN10R042 Lonten N沟道100V，107A，4.35mΩ功率MOSFET
Rev 1.2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
LSGN085R036 Lonten N沟道85V，80A，3.6mΩ功率MOSFET
Rev 1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
LSGN085R036 Lonten N沟道85V，62A，3.6mΩ功率MOSFET
Rev 1.1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
隆腾N沟道650V，2A功率MOSFET
Revision 1.5
|
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隆腾N沟道650V，2A功率MOSFET
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隆腾N沟道500V，5A功率MOSFET
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隆腾N沟道500V，5A功率MOSFET
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隆腾N沟道500V，5A功率MOSFET
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隆腾N沟道500V，5A功率MOSFET
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Lonten N沟道800V，10A功率MOSFET
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Lonten N沟道85V、360A、1.4mΩ功率MOSFET
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Lonten N沟道500V，9A功率MOSFET
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Lonten N沟道500V，9A功率MOSFET
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世强AI
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应用/方案
龙腾半导体MOS和IGBT助力电池化成电源应用，增强di/dt能力，有效降低损耗提升驱动抗干扰
锂电池化成是锂电池刚生产出来后对其做一次充电，借以激活电池，其作用类似于对软盘的“格式化“，化成完成后电池才能开始正常的充放电。本文将为大家介绍LONTEN MOS和IGBT在化成电源上的应用。
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龙腾半导体不同MOSFET产品可满足服务器电源应用需求，更大程度降低开关、导通损耗
服务器电源主要用在数据中心场景中，主要应用于服务器、存储器等设备。它和PC电源一样，都是一种开关电源。本文介绍龙腾半导体的高压SJMOS和龙腾半导体的SGT MOS在服务器电源市场应用上面得产品优势。
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龙腾半导体MOSFET优化Qg和Coss/Ciss比值，降低驱动损耗，助力便携储能提升抗干扰能力
户外电源是多功能型便携式交直流应急移动电源装置，是一种内置锂离子电池，自身可储备电能且具备交流输出的多功能便携式储能电源。本文针对便携储能市场应用介绍LONTEN的高压SJ MOS和SGT MOS的产品优势。
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【应用】龙腾半导体的高压SJ MOS和SGT MOS助力PD快充，优化开关速度，更易通过EMI测试
本文介绍了龙腾半导体的高压SJ MOS、SGT MOS及PD快充MOSFET在PD快充上的应用。
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【应用】LONTEN SGT、Trench系列MOSFET为电池管理系统设计提供可靠的支持，延长使用寿命提高电池效率
电池管理系统通过时刻监控电池的状态，通过该系统对电池组充放电的有效控制，减少因电池意外失效而导致的故障，延长使用寿命提高电池效率。LONTEN推出的SGT系列、Trench系列产品为设计提供的支持。
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Rsp 突破 9.0 mΩ·cm²！龙腾半导体全新第三代（G3）超结MOSFET技术平台正式发布
龙腾半导体发布第三代（G3）超结MOSFET技术平台，Rsp突破9.0 mΩ·cm²，带来元胞结构、工艺、性能与可靠性的全面升级，适用于高频电源、车载充电、数据中心等应用。
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突破功率密度极限：龙腾半导体发布150V G3平台SGT MOSFET新品LSGT15R032
龙腾半导体推出150V G3平台SGT MOSFET新品LSGT15R032，突破功率密度极限，适用于BMS、电驱系统、DC-DC转换器等高可靠性应用。
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突破功率密度极限：龙腾半导体发布150V G3平台SGT新品MOSFET LSGT15R032
龙腾半导体推出新一代150V G3平台屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品LSGT15R032，具备超低导通电阻与强大电流能力，适用于高端BMS、电驱及DC-DC转换应用。
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LONTEN 150V G3 SGT MOSFET LSGT15R032: Ultra-low 3.25mΩ Resistance ＆ 279A Current for High-efficiency
Lonten Semiconductor launched the 150V G3 platform SGT MOSFET LSGT15R032, featuring ultra-low on-resistance of 3.25m and 279A current capability. It targets high-end BMS, electric drive, and DC-DC conversion with high efficiency and reliability.
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超紧凑型MOSFET逆变器平台 输出功率达55kVA的MOSFET逆变器系统 SKAI® 3LV 产品介绍
赛米控推出超紧凑型MOSFET逆变器平台SKAI 3 LV，采用第7代MOSFET逆变器技术，输出功率达55kVA。该平台遵循平台化理念，提供标准型号和定制化设计，支持客户控制板集成。逆变器系统具备IP66外壳、低电感、低功耗等特点，适用于物料运输和电池供电车辆。
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【经验】采用隔离驱动器+MOSFET替换传统SSR的电源优化方案
Silicon Lbs推出的SI875X加MOS FET的方案来替代传统的设计，Si875x无需使用庞大的机械继电器，这些继电器可能难以组装到PCB上并向系统添加开关噪声。 可以支持全面的工业和汽车温度范围，稳定性更高，寿命更长。
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汽车燃油泵/水泵控制解决方案 预驱动集成电路：TB9061FNG/MOSFET:TK100S04N1L&TJ80S04M3L
TB9061FNG/MOSFET:TK100S04N1L&TJ80S04M3L
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【产品】高电流、高能效的N沟道增强型MOSFET，能量敏感型应用理想选择
Central的CMPDM203NH是一款SOT-23F封装的N沟道增强型MOSFET，是需要更高漏极电流的能量敏感型应用的理想选择。
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【产品】50V，80A的N沟道功率MOSFET，导通电阻典型值仅为3mΩ
新电元的P80FH5ENK 是一款由FH封装的N沟道功率MOSFET，它拥有结壳热阻小，静态漏源导通电阻低，开关速度快以及电容低等优势，主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。
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【产品】100V三引脚N沟道功率MOSFET，总损耗功率最大值仅为35W
新电元的P22F10SN是一款采用FTO-220AG三引脚封装的N沟道功率MOSFET，它拥有绝缘封装、低导通电阻、10V门驱动以及低电容等特长，主要用于负载/电源开关、电源转换器电路、DC-DC转换器、电源管理。
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【产品】栅极电荷总量仅15nC的3A大电流MOSFET管,工作电压可达100V
Central的CZDM1003NMOSFET管额定电压为栅极电荷总量为15nC，可有低的开关损耗,是继电器和电机控制电路首选。
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【产品】导通延迟时间仅7ns的N沟道功率MOSFET，高频开关电路首选
新电元的P20B12SN是一款120V，20A的N沟道功率MOSFET，其静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为33mΩ,器件具有高电压、高能效、低R（DS）ON和低电荷等优势，专为负载/电源开关、电机控制、DC-DC转换和继电器驱动应用而设计。
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【产品】ESD保护高达1800V的低功耗N沟道MOSFET，为电源设计保驾护航
Central带有ESD保护功能的2N7002型的N沟道增强型MOSFET——CEDM7002AE，具有导通电阻小、低功耗、低栅极电荷等优点。
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【产品】40V，60A的N沟道功率MOSFET，零门极电压漏电流最大仅1uA
新电元的P60B4EL是一款N沟道功率MOSFET，其导通延迟时间td（on)典型值为10ns，静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为4.6mΩ（ID＝30A,VGS＝4.5V），主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。
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【产品】高耐压低噪声的600V/0.5A的MOSFET
新电元的P0R5B60HP2是一款SMD封装的N沟道耐高压MOSFET，总门极电荷Qg典型值仅为4.3nC，有着较好的开关性能。可用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。
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【应用】小尺寸功率MOSFET为以太网供电提供60V/50V的电压, 280mA的电流
Central推出的CMLDM7002A/CMLDM8002A分别采用双N通道/双P通道增强模式，在故障状态下会以20nS的极短时间快速关断，即使在高达-65°C到150°C的工作温度下仍能实现。
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【产品】50V抗雪崩N沟道MOSFET，单脉冲雪崩能量达245mJ
新电元的P70F5EN是一款采用FTO-220AG三引脚绝缘封装的N沟道MOSFET，其主要优势在于拥有低静态漏源导通电阻以及极高的单脉冲雪崩能量，主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。
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