【产品】1200V/55A的高压N沟道增强型单SiC功率MOSFET S2M0040120D，总导通损耗低
发布时间：
2023-06-09
类型：
产品，产品介绍、产品概述、关键特性
品牌：
SMC（桑德斯）
型号：
S2M0040120D
SMC推出的S2M0040120D是一款采用TO-247AD封装的高压N沟道增强型单SiC功率MOSFET，具备1200V耐压与55A电流处理能力。该器件拥有40mΩ的低导通电阻、极快的开关速度以及坚固耐用的本征体二极管，在极端温度下仍能保持极低的总导通损耗与稳定的开关特性，且正温度系数设计易于并联。凭借优异性能，该产品成为电动汽车快速充电模块、车载充电器、太阳能逆变器、工业UPS、开关电源及储能系统等高频与能源敏感型应用的理想选择。SMC在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务，平台提供该品牌产品的正品保障。相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台配备专职FAE团队，可提供从选型、设计、调试到验证的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购与服务，有助于缩短供应链响应周期，加速产品上市。
阅读原文
SMC官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是SMC的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供SMC的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
SMC 授权代理店 >>
拥有完整SIC产品体系——桑德斯（SMC）
桑德斯（SMC）成立于1997年，2000年建成晶圆生产线，并不断扩建改造。如今已经形成4英寸和6英寸片的关键工艺生产线。自量产以来，先后为韩国三星、LG、欧洲空客、松下，国内中兴通讯、熊猫电子等一批国际著名企业提供大量优质器件。
访问SMC 品牌主页 >>
现货平台 / SMC 授权代理店
| 订货型号 | S2M0040120D | 品牌 | SMC |
| 型号系列 | S2M0040120D | 品类 | 晶闸管, SILICON MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | 封装/外壳/尺寸 | TO-247-3 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| 安装类型 | 通孔 | Polarity | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V | 技术 | SiCFET（碳化硅） |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥74.9783
库存：
10
世强硬创平台提供S2M0040120D在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
S2M0040120D 在线购买 >>
世强硬创平台提供S2M0040120D样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
S2M0040120D 样品申请 >>
世强硬创平台提供S2M0040120D批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
S2M0040120D 批量询价 >>
世强硬创平台提供S2M0040120D交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优交期。
S2M0040120D 交期查询 >>
世强硬创平台提供S2M0040120D期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
S2M0040120D 期货订购 >>
| 订货型号 | S2M0080120K | 品牌 | SMC |
| 型号系列 | S2M0080120K | 品类 | SIC POWER MOSFET |
| 描述/说明 | A single SiC Power MOSFET packaged in TO-247-4 case. The device is a high voltage n-channel enhancement mode MOSFET that has very low total conduction losses and very stable switching characteristics over temperature extremes | 封装/外壳/尺寸 | TO-247-4 |
| 最小包装量 | 25 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS | 1200V | IDS | 41A |
| RDS(on) | 77mΩ | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥33.0392
库存：
5
世强硬创平台提供S2M0080120K在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
S2M0080120K 在线购买 >>
世强硬创平台提供S2M0080120K样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
S2M0080120K 样品申请 >>
世强硬创平台提供S2M0080120K批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
S2M0080120K 批量询价 >>
世强硬创平台提供S2M0080120K交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优交期。
S2M0080120K 交期查询 >>
世强硬创平台提供S2M0080120K期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
S2M0080120K 期货订购 >>
| 订货型号 | S2M0025120J | 品牌 | SMC |
| 型号系列 | S2M0025120J | 品类 | SIC POWER MOSFET |
| 描述/说明 | A single SiC Power MOSFET packaged in TO-263-7 case. The device is a high voltage n-channel enhancement mode MOSFET that hasvery low total conduction losses and very stable switching characteristics over temperature extremes | 封装/外壳/尺寸 | TO-263-7 |
| 最小包装量 | 800 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS | 1200V | VGSS | -10~+25V |
| VGSOP | -5~+20V | IDS | 63A(VGS=20V,Tj=25℃) |
| RDS(on) | 25mΩ | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
世强硬创平台提供S2M0025120J在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
S2M0025120J 在线购买 >>
世强硬创平台提供S2M0025120J样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
S2M0025120J 样品申请 >>
世强硬创平台提供S2M0025120J批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
S2M0025120J 批量询价 >>
世强硬创平台提供S2M0025120J交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优交期。
S2M0025120J 交期查询 >>
世强硬创平台提供S2M0025120J期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
S2M0025120J 期货订购 >>
技术支持/研发服务
世强硬创平台整合SMC原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
立即获取 SMC 技术支持 >>
企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供SMC快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
立即获取 SMC 企业采购服务 >>
加工定制
NLM（日轻）以铝挤+CNC+真空钎焊一体化工艺，为新能源电驱及工业逆变场景定制轻量化功率模块冷却器，热阻≤0.03 K/W。
立即提交 车规级高功率密度功率模块冷却器定制 >>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
立即提交 笔电热管/高功率热管/平头热管定制 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
S2M0040120D 1200V SiC功率MOSFET
2024/7/12
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
S2M0040120D 1200V SiC功率MOSFET
2023/7/13
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
S2M0040120D 1200V SiC功率MOSFET
2023/3/17
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
S2M0040120D 1200V SiC功率MOSFET
2022/11/22
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
S2M0040120D-1 1200V SiC功率MOSFET数据表
REV.A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
S2M0040120D-1 1200V SiC功率MOSFET数据表
REV.-
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
S2M0040120D-1 1200V SiC功率MOSFET
2023/8/22
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
S3M0025120N 1200V SiC功率MOSFET
2024/10/15
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
S3M0080120N SIC 功率 MOSFET
修订版 -
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
S3M0016120D 1200V SiC功率MOSFET
2024/8/15
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
S3M0030120J 1200V SiC 功率 MOSFET
修订版
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
S3M0016120N 1200V SiC 功率 MOSFET
修订版
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
S3M0016120N 1200V SiC功率MOSFET
2024/8/12
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
S3M0030120D SIC 功率 MOSFET
修订版 A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
S2M0160120D 1200V SiC功率MOSFET
2023/11/29
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
S1M1000170J 1700V SIC 功率MOSFET
REV.B
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
S1M1000170J 1700V SIC 功率MOSFET
REV.A
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
SiC MOSFET和SiC肖特基二极管和裸片SiC MOSFET和裸片SiC肖特基二极管
该资料详细列出了多种碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二极管的规格参数，包括型号、封装、额定电压、电流、导通电阻、阈值电压等关键性能指标。资料还提供了不同型号的碳化硅器件的封装类型、额定电压、正向电流、最大反向电流、最大正向电压、电容值以及产品状态（如“Active”表示活跃状态，“Comingsoon”表示即将上市）。此外，还包含了裸片形式的SiC MOSFET和肖特基二极管的详细信息，包括型号、额定电压、正向电流、最大正向电压、反向恢复电流、电容值、热阻等参数。
阅读原文 >>
应用 | 功率半导体赋能电池化成电源效率跃迁
文章探讨了功率半导体在电池化成电源中的应用，分析了从传统耗能式到回馈式电源的技术演进，比较了IGBT与SiC MOSFET的效率表现，并展望了功率器件在效率、功率密度和可靠性方面的未来趋势。
阅读原文 >>
SMC研发的功率器件在不间断电源上的应用，节能可靠，具有高性价比
2015年，SMC布局碳化硅产品的设计、研发与制造，并推出了一系列节能可靠、高性价比的大功率碳化硅产品器件，可广泛运用于包括新能源汽车、光伏、储能、电源等各个领域。本文介绍SMC产品在不间断电源上的应用。
阅读原文 >>
SMC观点 | 碳化硅将推动新能源车充性能达到全新水平
本文SMC将探讨车载充电器的重要性，以及半导体开关技术进步如何推动车载充电器的性能提升到全新水平。长久以来，“续航焦虑”都是新能源汽车发展的瓶颈问题，是车企和车主共同的焦虑。但随着高压电气技术的不断进步和快充时代的到来，碳化硅（SiC）一词已经登上了历史舞台。
阅读原文 >>
【产品】1200V/55A的高压N沟道增强型单SiC功率MOSFET S2M0040120K，具有正温度特性
S2M0040120K是SMC推出的一款采用TO-247-4封装的高压N沟道增强型单SiC功率MOSFET。该器件在极端温度下具有非常低的总导通损耗和非常稳定的开关特性，在具有挑战性的环境下，对于能源敏感型应用和高频应用来讲是理想之选。
阅读原文 >>
時科SKSC170N027-T7-4高性能SiC功率MOSFET， 适用于高压能量系统
SHIKUES時科推出的SKSC170N027-T7-4是一款1700V高压SiC功率MOSFET，具备27mΩ低导通电阻、高速开关与优异热性能，适用于新能源汽车、光伏储能、工业电源等高效率能量转换系统，支持高频、高功率密度设计。
阅读原文 >>
【产品】漏源电压650V的SiC功率MOSFET WM1A060065K，通态源漏电阻60mΩ
中电国基南方推出SiC功率MOSFET WM1A060065K，采用一代MOSFET技术，属于N沟道增强型器件，具有低导通电阻、快开关速度，易于并联等特点，可应用于开关电源，DC-DC以及电机驱动等。
阅读原文 >>
【产品】低导通电阻的N沟道SiC功率MOSFET SCT4036KRHR，耗散功率为176W
罗姆（ROHM）半导体集团是全球最知名的半导体厂商之一，其推出的SCT4036KRHR是一款汽车级N沟道SiC功率MOSFET，该器件具有导通电阻低、开关速度快、反向恢复快、易于并联、驱动简单等特点。
阅读原文 >>
【产品】TO-247-3封装的通道SiC功率MOSFET CL1M045170D，兼备高阻断电压及低导通电阻
CL1M045170D是长联推出的一款N通道SiC功率MOSFET，其VDS=1700V,RDS(on）=45mΩ，ID@25℃=72A，采用TO-247-3封装，有着高阻断电压和低导通电阻的特性。此外，它的优势还包括可降低冷却要求和提高功率密度。
阅读原文 >>
【经验】碳化硅功率MOSFET的开关特性以及如何评估？
碳化硅（SiC）功率MOSFET受到很多关注，因为它们即可以快速切换，又能同时保持高阻断电压。但是它们出色的开关特性也存在潜在的缺点。本篇，Littelfuse将为大家讲述为什么很难描述SiC功率MOSFET的特性以及如何评估碳化硅器件的开关性能。
阅读原文 >>
【产品】1700V SiC功率MOSFET C2M1000170D，冷却需求更低！
针对 600V 以上的应用,科锐公司近日宣布推出了低冷却需求的 1700V 碳化硅功率 MOSFET：C2M1000170D，可提供更低的开关损耗和更高的效率；在更高的开关频率下工作时，也能有效地降低 BOM 成本；允许更低的操作温度，发热量更少。
阅读原文 >>
SKSC170N027-T7-4面向高压能量系统的旗舰级SiC功率MOSFET，驱动未来高压系统的SiC功率核心
SHIKUES時科推出SKSC170N027-T7-4 SiC MOSFET，具备1700V耐压、27mΩ低导通电阻及卓越热性能，适用于新能源汽车、光伏储能及工业驱动等高压能量变换系统。
阅读原文 >>
【应用】国产1700V N沟道SiC功率MOSFET WM1A650170K用于清华电源的实际案例分享
本文将介绍中电国基南方推出的N沟道SiC功率MOSFET WM1A650170K应用在清华电源，分享在设计过程中WM1A650170K应用方面的优势。
阅读原文 >>
【产品】漏源电压750V的N沟道SiC功率MOSFET裸片S4503，静态漏源导通电阻仅26mΩ
S4503是罗姆推出的一款N沟道SiC功率MOSFET裸片。在绝对最大额定值方面，其漏源电压为750V，连续漏极电流为56A，脉冲漏极电流为91A，等效结温为175°C，存储温度范围为-40°C~+175°C。
阅读原文 >>
时科750V SiC功率MOSFET SKSC075N005-S7，连续漏极电流达355A，高效能与高可靠性的完美结合
SiC材料相比于传统的Si材料，具备诸多优越性能，使其在功率电子器件中愈发受到青睐。时科推出的750V SiC功率MOSFET——SKSC075N005-S7，以其卓越的性能和广泛应用前景成为众多高效能和高可靠性要求设备的理想选择。
阅读原文 >>
【产品】漏源电压1700V的N沟道SiC功率MOSFET WM1A650170K，连续漏极电流为7A
中电国基南方推出的N沟道SiC功率MOSFET WM1A650170K采用TO-247-3封装，其漏源电压VDSmax为1700V，连续漏极电流ID为7.0A，漏源导通电阻RDS(on)的典型值为650mΩ，结壳热阻的典型值为1.8℃/W。
阅读原文 >>
【产品】1200V/43A SiC功率MOSFET裸片S4603，静态漏源导通电阻仅36mΩ
S4603是罗姆推出的一款N沟道SiC功率MOSFET裸片；在Tvj=25℃条件下，RDS(on)典型值仅为36mΩ（VGS=18V, ID=21A）；可用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关模式电源、感应加热、电机驱动领域。
阅读原文 >>
【产品】易于并联的N沟道SiC功率MOSFET S4504，漏源电压为750V，导通电阻低至45mΩ
S4504是罗姆（ROHM）推出的一款N沟道SiC功率MOSFET。在绝对最大额定值方面，其漏源电压为750V，脉冲漏极电流为61A，等效结温为175℃，存储温度范围为-40℃~+175℃。该器件还具有开关速度快、反向恢复快、易于并联和驱动简单的特点。
阅读原文 >>
【产品】35.5A/1200V的N沟道SiC功率MOSFET WM1A080120B/K
WM1A080120B、WM1A080120K是中电国基南方的35.5A/1200V N沟道SiC功率MOSFET，漏源通态电阻80 mΩ，工作结温最高可达175℃。WM1A080120B晶片尺寸为3.0×4.5 mm²，WM1A080120K采用TO-247-3封装。两款产品具有阻断电压高、导通电阻低，电容低、能高速开关等特点，并且易于并联使用，驱动简单。
阅读原文 >>
【产品】车规级N沟道SiC功率MOSFET SCT4036KW7HR，导通电阻低且开关速度快
罗姆（ROHM）推出的SCT4036KW7HR是一款车规级N沟道SiC功率MOSFET；无铅电镀，符合AEC-Q101和RoHS标准；采用TO-263-7L封装，可用于汽车、开关电源领域；漏源电压绝对最大额定值为1200V。
阅读原文 >>
【产品】21A/1200V的N沟道SiC功率MOSFET WM1A160120B1/K1
WM1A160120B1、WM1A160120K1是中电国基南方（CETC）推出的两款21A/1200V N沟道SiC功率MOSFET，漏源通态电阻160 mΩ，工作结温最高可达175℃。WM1A160120B1晶片尺寸小，仅为2.44×3.33mm²，WM1A160120K1采用TO-247-3封装。
阅读原文 >>
【产品】罗姆汽车级N沟道SiC功率MOSFET SCT4026DRHR，符合AEC-Q101标准
罗姆（ROHM）推出的SCT4026DRHR是一款汽车级N沟道SiC功率MOSFET，具有导通电阻低、开关速度快、反向恢复快、易于并联、驱动简单等特点；在绝对最大额定值 (Tc=25℃)方面，其漏源电压为750V，耗散功率为176W。
阅读原文 >>
【产品】60.5A/1200V的N沟道SiC功率MOSFET WM1A040120B1/K1
WM1A040120B1、WM1A040120K1是中电国基南方的两款60.5A/1200V N沟道SiC功率MOSFET，漏源通态电阻50 mΩ，工作结温最高可达175℃。WM1A040120B1晶片尺寸为4.6×5.0mm²，WM1A040120K1采用TO-247-3封装。阻断电压高、导通电阻低，电容低、能高速开关，易于并联使用，驱动简单。
阅读原文 >>
【产品】ROHM 750V/26mΩ N沟道SiC功率MOSFET SCT4026DE，脉冲漏极电流达91A
ROHM（罗姆）推出的SCT4026DE是一款N沟道SiC功率MOSFET，该器件具有导通电阻低、开关速度快、反向恢复快等特点。其导通电阻降低约40%，开关损耗降低约50%，15V的栅源电压使应用设计更容易。
阅读原文 >>
【产品】750V/56A无铅N沟道SiC功率MOSFET SCT4026DR，最大漏源导通电阻44mΩ
罗姆（ROHM）公司最近推出了一款TO-247-4L封装的N沟道SiC功率MOSFET——SCT4026DR，该产品采用无铅电镀，符合RoHS标准。驱动电路简单，易于并联使用，可用于太阳能逆变器，DC/DC转换器，开关电源，感应加热和电机驱动。
阅读原文 >>
【产品】ROHM新推的N沟道SiC功率MOSFET SCT2160KEHR，导通电阻仅为160mΩ
ROHM新推出的N沟道SiC功率MOSFET-SCT2160KEHR，符合AEC-Q101标准的车规级产品；其漏源电压为1200V，漏极电流达22A，导通电阻仅为160mΩ（典型值）；具有耐压高、低导通电阻、开关速度快等特点。
阅读原文 >>
【产品】1200V N沟道SiC功率MOSFET SCT4018KR，采用TO-247-4L封装，符合RoHS标准
罗姆（ROHM）公司推出了一款采用TO-247-4L封装的N沟道SiC功率MOSFET——SCT4018KR，该产品采用无铅电镀，符合RoHS标准。驱动电路简单，易于并联使用，可用于太阳能逆变器，DC/DC转换器，开关电源，感应加热和电机驱动。
阅读原文 >>
【产品】漏源电压750V的SiC功率MOSFET SCT4045DE，静态漏源导通电阻为45mΩ
ROHM推出的SCT4045DE是一颗有助于实现应用小型化和低功耗的SiC功率MOSFET，可在不牺牲短路耐受时间的情况下实现行业领先的低导通电阻，其静态漏源导通电阻典型值为45mΩ；产品开关速度快，漏源电压750V，连续漏源极电流34A。
阅读原文 >>
【产品】ROHM新推的N沟道SiC功率MOSFET SCT2450KEHR，导通电阻仅450mΩ
ROHM旗下的N沟道SiC功率MOSFET-SCT2450KEHR，采用TO-247N封装，符合AEC-Q101标准的车规级产品；其漏源电压为1200V，漏极电流达10A，导通电阻仅为450mΩ（典型值）；具有耐压高、低导通电阻、开关速度快等特点。
阅读原文 >>
【产品】17A/1200V汽车级N沟道SiC功率MOSFET SCT3160KLHR
SCT3160KLHR是ROHM公司推出的N沟道SiC功率MOSFET，该MOSFET具有低导通电阻、开关速度快与快速反向恢复等特征，且易于驱动，符合RoHS标准，符合AEC-Q101标准汽车级产品，可应用于汽车、开关电源等应用领域。SCT3160KLHR的漏源电压VDSS为1200V,连续漏极电流ID在Tc=25°C条件下为17A，T采用TO-247N封装。
阅读原文 >>
【产品】漏源电压650V/1200V的SiC功率MOSFET，极小封装适用于受限空间设计
SCT3030ALHR / SCT3030KLHR是ROHM推出的两款N沟道SiC功率MOSFET，具有高耐压，低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于汽车应用和开关电源。
阅读原文 >>
【产品】1200V N沟道SiC功率MOSFET SCT3105KL，采用TO-247N封装
SCT3105KL是ROHM推出的一款1200V/24A的N沟道SiC功率MOSFET，产品损耗低，可靠性高，在各种应用中有助于设备实现更低功耗和小型化设计，可用于太阳能逆变器、DC / DC转换器、开关电源、感应加热器件、电机驱动等应用。
阅读原文 >>
1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用
1700V SiC MOSFET的低开关损耗可提高开关频率，且每个单元的总体尺寸大幅减小。同时，1700V的高阻断电压还可减少达到相同直流电压所需的单元数。在以上种种简化和优化后，终端应用的系统可靠性大大提升，而更少的有源开关和栅极驱动器也降低了整体成本。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。
阅读原文 >>
