晟驰在PV光伏逆变BESS储能推出全套电路保护方案，单颗器件防护可达30KW
发布时间：
2023-10-17
类型：
应用方案，参考设计、解决方案
品牌：
晟驰微电子（Semicon Champion）
型号：
30KPA360CA; SMAK3; 30KPA; SMBJ18CA; P6SMB440A; P6SMB480A; P6SMB510A; P6SMB530A; SCM035P120T; SCM070P120T; SMDJ64A; SMDJ78A; SMAJ5.0A; SMBJ5.0A; SMAJ12A; SMBJ12A; SMAJ24A; SMBJ24A; CSH712E2B; SMBJ7.0CA; P0080SBLRP-LVS
随着新能源加速融入主流能源体系，提升太阳能收集与转换效率成为行业焦点，PV光伏逆变与BESS储能逆变系统正从分离架构向高效率的共用电路拓扑演进。在此过程中，电路的瞬态过压过流防护至关重要，晟驰推出的全套保护方案涵盖了从L/N输入端到辅助电源的各个环节。针对储能逆变器L/N输入端，晟驰30KPA360CA单颗最大功率可达30KW，有效应对雷击等恶劣环境；在逆变桥IGBT防护上，SMBJ18CA与高压TVS分别负责Gate保护及Vcg端有源钳位，配合SiC MOSFET控制电流；电池端则采用独家单向浅回扫TVS，其钳位电压较行业普遍低20%，在保持启动电压不变的同时更可靠地保护BMS管理芯片。此外，SMAK3系列及30KPA系列大功率浪涌保护器件，通过玻璃钝化工艺或串并联方式，为高压直流断路器电路提供通流高达3000A或峰值功率30000W的强效防护。针对RS-485通信接口，晟驰亦能根据静电及不同波形浪涌需求提供定制化防护。目前，晟驰在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。平台提供该品牌产品的正品保障，型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。依托平台配备的专职FAE团队，用户可获得从选型、设计、调试到验证的全流程技术支持，覆盖研发打样到量产的全生命周期采购与服务，有效缩短供应链响应周期，加速产品上市进程。
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晟驰微电子官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是晟驰微电子的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供晟驰微电子的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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国际领先的功率保护器件IDM厂商——晟驰微电子（Semicon Champion）
晟驰微电子（Semicon Champion）是一家集自主设计、研发、生产、销售于一体的高新技术型企业，公司主营半导体芯片、电子器件的研发、制造及销售，先后通过IATF16949等管理体系认证，获得江苏省省级智能车间和国家级高新技术企业认可。
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合晟驰微电子原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供晟驰微电子快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
提供多系列惯性测量单元（IMU）定制化服务，涵盖工业级、车规级、机器人与消费级产品线，满足不同场景下对精度、体积、接口、温漂与功耗的特殊需求
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根据用户的接口模块，使用是德示波器及夹具查看实时眼图演示，测试USB/MIPI/DDR/SATA/HDMI协议,支持最高到1.2GHz的实时眼图协议测试。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
SMAK3系列
Version 1.0
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| 型号命名规则 - 中文 |
晟驰保护器件命名规则
2022/9/20
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| 数据手册 - 英文 |
轴向30000W_30KPA系列
Version 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
轴向30000W_30KPA系列
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| 数据手册 - 英文 |
SMAK6系列
Version 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
高功率TVS在SMTO-218封装中
1.0
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】晟驰微电子推出的P6SMB系列表贴型TVS二极管，峰值脉冲功率为600W，响应速度小于1nS
晟驰微电子推出的P6SMB系列表贴型TVS二极管，采用玻璃钝化工艺保护PN结，产品性能稳定，可靠。产品制造从电阻率到工艺制程进行严格管控，产品参数一致性高；低压产品漏电达到国际领先水准。
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【视频】晟驰低钳位TVS，行业首发单向浅回扫技术，钳位电压降低20%，助力BMS稳定运行
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【产品】DO-214AA封装的600W表贴型TVS二极管SMBJ系列，响应速度小于1ns，参数一致性高
晟驰微电子SMBJ系列表贴型TVS二极管，采用玻璃钝化工艺保护PN结，性能稳定可靠。产品制造从电阻率到工艺制程进行严格管控，产品参数一致性高；低压产品漏电达到国际领先水准。峰值脉冲功率为600W，重复频率为0.01%。
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电源类保护方案
本资料详细介绍了多种电源系统的保护方案，包括开关电源、PV光伏逆变与BESS储能系统、基站电源、OBC车载充电器、服务器电源和PoE电源等。内容涵盖了不同电源系统的拓扑结构、保护元件的选择、浪涌防护方案以及具体应用案例。资料中提到了多种保护器件，如TVS、SMBJ、GDT、SCAK等，并针对不同电压等级和浪涌类型提供了相应的保护措施。
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SSCB拓扑和保护解决方案
本文主要介绍了电路断路器（Circuit Breaker）的分类、革新背景、保护方案以及相关应用。文章对比了传统空气断路器和混合式断路器（SSCB/SSPC）的性能，强调了SSCB在快速断开故障、无电弧、长寿命等方面的优势。同时，文章还讨论了不同电压和电流条件下的断路器保护方案，包括TVS保护、全钳位保护等，并针对不同应用场景提出了相应的保护措施。
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PV光伏逆变&BESS储能保护
本资料主要介绍了PV光伏逆变与BESS储能系统的拓扑结构、逆变器保护措施以及系统通信保护。资料详细阐述了太阳能板、逆变器、升压变压器、电网等组件的连接方式，并对比了PV太阳能逆变和BESS逆变在安装和效率方面的差异。此外，资料还重点介绍了逆变器保护中的TVS保护、BMS电池管理系统保护、高压直流断路器保护以及系统通信保护等内容。
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PV 光伏逆变 & BESS 储能保护
本报告主要讨论了PV光伏逆变与BESS储能系统的拓扑结构、保护措施以及相关元件。报告详细介绍了太阳能板、逆变器、升压变压器、电网等组件的连接方式，并对比了PV太阳能逆变和BESS逆变在安装和效率方面的差异。此外，报告还涵盖了逆变器保护措施，包括TVS、SMBJ、P6SMB等元件的应用，以及SiC MOSFET在逆变器中的应用。同时，报告还介绍了BMS电池管理系统保护、中高压直流断路器保护、逆变器辅助电源保护和系统通信保护等方面的内容。
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SiC MOSFET：破解能效困局的秘密武器
在追求高效、轻量、低损耗的电子设计时代，碳化硅（SiC）MOSFET凭借其高频高效、耐压性强、可靠性高等特性，成为新能源与工业领域的“性能加速器”。本文结合新能源汽车与光伏逆变器的真实案例，解析SiC MOSFET如何助力工程师攻克能效与成本难题。
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SiC MOSFET非钳位电感(UIS)测试与重复可靠性退化机制
本文简要介绍了SiC MOSFET非钳位电感测试的电路原理及其对应的器件物理机制，定量分析了器件在测试过程中的电路参数和波形参数。进一步地，从芯片结构和封装的角度分别说明了SiC MOSFET的可靠性机制，旨在帮助读者更全面地了解SiC MOSFET非钳位电感测试的整体流程、原理和失效表现，以便对SiC MOSFET的可靠性筛选和可靠性优化有更深入认识。
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昕课堂丨一文了解SiC MOSFET鲁棒性原理
昕感科技基于车规平台推出的1200V SiC MOSFET系列产品拥有优异的鲁棒性。在800V母线电压条件下短路耐受时间达到3us，可以为系统提供充分的反应时间，提升了系统的可靠性。昕感N2M120007PP11同样拥有优秀的最大雪崩击穿耐受能量EAS 。
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技术分享 | 解析SiC MOSFET串扰特性
随着SiC MOSFET开关频率的不断增加，在半桥结构（如逆变电路、全桥电路等）桥臂串扰现象越发严重，易造成桥臂直通短路或影响可靠性，限制了SiC MOSFET开关频率及系统功率密度进一步提高。本文瑶芯微将为您解析SiC MOSFET串扰特性。
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解析SiC MOSFET器件五大特性
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET与传统硅MOSFET和IGBT相比具有显著优势。开关超过1,000V的高压电源轨以数百kHz运行并非易事，即使是最好的超结硅MOSFET也难以胜任。本文将为您介绍SiC MOSFET器件五大特性。
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大功率TVS 3.0SMBJ系列通流量大，适用于各种需要防雷击及浪涌保护的电子设备
3.0SMBJ系列的一个显著特点就是它具有更大的通流量。3.0SMBJ系列能够吸收高达3KW的浪涌功率，这意味着在面对突发的浪涌电流时，3.0SMBJ系列能够更有效地进行分流和耗散，从而防止这些浪涌电流对电子线路中的精密元器件造成损害。
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为什么SiC MOSFET需要更高的驱动电压？
各位工程师应该已经发现了，我们在使用Si MOSFET的时候，只需要使用10V的驱动电压就可以了，但是换成SiC MOSFET的时候，我们需要更高的驱动电压，一般会达到15-20V之间。这就使得我们在使用SiC MOSFET去替代Si MOSFET的时候需要对驱动电路的驱动电压进行一个调整之后才能使用。那么到底是什么原因，不得不大费周章去使用成高的驱动电压来驱动SiC MOSFET呢？
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SiC MOSFET缓冲电路设计方法
与传统的功率半导体相比，SiC MOSFET的开关速度更快，因此其电压和电流变化更急剧。这使得器件自身的封装电感和外围电路的布线电感等的影响变大（已经不容忽视），最终会导致较大的浪涌。关于这种浪涌的抑制方法，我们已经介绍过其中一种，即缓冲电路的增加方法和设计方法。
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SiC MOSFET中的交流应力退化
本文汇集了 SiC MOSFET 最新结果的特定方面，涉及由于应用交流栅极偏置应力（也称为栅极开关应力）导致的阈值电压 (VT) 退化及其影响沟槽几何器件对负偏压过应力 (NBO) 效应的强烈依赖。
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SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制（下）
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能让系统效率显著提升，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而在驱动电压上产生更大的尖峰。抑制驱动电压尖峰，成为发挥SiC MOSFET优势的关键课题。本篇主要介绍驱动电压尖峰的抑制方法。
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【产品】国产单向12V大功率TVS防护器件GSD12T，容值为350pF，采用SOD-323小型封装
高特微电子的浪涌型防护二极管（TVS防护器件）GSD12T，设计用于保护寄生敏感系统免受过电压和过电流瞬态事件。其工作电压为12V，IPP为55A，钳位电压最低可达28V。
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【产品】通过AEC-Q101认证的0.2KP系列大功率TVS，关断电压5V~220V，结温达150℃
韬略科技推出的0.2KP系列TVS，符合RoHS标准，器件通过AEC-Q101认证，具有快速响应特性，器件具有200W的峰值脉冲功率@10×1000μs波形，采用SMF/SOD-123FL外壳封装，模压塑封，阻燃等级符合UL 94V-0级标准。
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【经验】如何简化浪涌防护的大功率TVS小型化应用电路设计？
在浪涌测试过程中，一般都会选用空气放电管+保险丝+电感+TVS的组合方式进行高能脉冲的处理，从而达到保护后级电路不受击穿或干扰的问题。对于小型化的应用场景，以上的方案占用了很大的PCB空间，器件多、设计布线比较麻烦。因此客户咨询有没有简单可靠的方案提供。
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【经验】解析大功率TVS管与小功率TVS管的区别
TVS二极管，是一种新型高效电路保护器件，凭借快速响应时间、大瞬态功率、低漏电流、击穿电压偏差小、箝位电压容易控制、小体积等优势，广泛应用于汽车电子、消费电子、电仪仪表、电源、计算机系统等各个领域。本文辰达行为您介绍大功率TVS管与小功率TVS管的区别有哪些。
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【产品】国内最早量产1200V SiC MOSFET在工业领域的应用 | 视频
在世强硬创新产品研讨会中，中电国基南方FAE为我们做了演讲，视频介绍了中电国基南方SiC MOSFET产品。重点讲解高可靠性国产SiC MOSFET在工业设备小型化中的应用，包括了中电国基南方WM1A080120K1和Cree公司C2M0080120D特性对比优势。
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Achieve Zero Switching Loss with SiC MOSFET
A technical report published in IEEE Transactions on Power Electronics, demonstrated that the switching loss of SiC MOSFET can be completely eliminated under some control strategies.The study was conducted by Prof. Alex Q. Huang’s group at University of Texas at Austin and Prof. Bo Zhang’s group at University of Electronic Science and Technology of China.
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【经验】SiC MOSFET的驱动特性及优化
SiC MOSFET（碳化硅MOSFET）以低导通电阻、低开关损耗、高开关频率、高工作结温等优势称为工业界的“明日之星“，但是相对于传统硅基器件，碳化硅器件需要优化相应的外部驱动，以发挥其优异的性能。本文中，国产品牌美浦森将具体分析应该如何优化碳化硅MOSFET的驱动电路。
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【经验】SiC MOSFET双脉冲测试夹具为功率器件开关、功率等特性提供评估方案
在特制的双脉冲测试夹具上，通过采集SiC MOSFET开通过程、关断过程的驱动电压、开关电压和电流波形，可以有效的评估SiC MOSFE的开通、关闭时间，器件应力，功率回路杂散电感等参量，以及根据测试数据计算导通电阻、开关损耗等，本文介绍Wolfspeed公司推荐的双脉冲测试夹具的原理、设计、使用要点。
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解读SiC MOSFET关键参数——Vth
当代电子技术的发展不仅需要高效性能，还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件，我们要聊的是碳化硅MOSFET中另一个关键参数——Vth，这个参数不仅关系到器件的开启与关闭，还直接影响到器件的导通损耗和开关速度，进而影响到整个系统的效率和可靠性。本文解读SiC MOSFET关键参数——Vth ，希望通过本文的介绍，您能对SiC MOSFET的Vth有更深入的了解。
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里阳半导体最新大功率TVS SMB封装系列，为电子设备保护领域注入新的活力
里阳半导体最新推出3.0SMBJ系列TVS，这款产品的推出，无疑为电子设备保护领域注入了新的活力。3.0SMBJ系列能够吸收高达3KW的浪涌功率，这意味着在面对突发的浪涌电流时，3.0SMBJ系列能够更有效地进行分流和耗散，从而防止这些浪涌电流对电子线路中的精密元器件造成损害。
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【技术】ROHM介绍第4代SiC MOSFET的特点
ROHM推出的SiC MOSFET第4代产品，进一步改进了第3代确立的沟槽栅极结构，实现了更低的导通电阻和更出色的高速开关特性。为了更好地了解第4代SiC MOSFET使用效果，我们先来了解一下其特点。
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SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制（上）
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能显著提升系统效率，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而让驱动电压产生更大的尖峰。设计可靠的驱动电路来抑制的驱动电压尖峰，成为发挥SiC MOSFET优势特性的关键课题。为此，我们首先测试复现驱动尖峰波形并分析原因，然后采取相应措施来抑制尖峰。本篇主讲第一部分：驱动电压尖峰复现与分析。
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【产品】国产单向7V大功率TVS防护器件GSD07T，容值为600pF，采用SOD-323小型封装
高特微电子的浪涌型防护二极管（TVS防护器件）GSD07T，设计用于保护寄生敏感系统免受过电压和过电流瞬态事件。其工作电压为7V，IPP为105A，钳位电压最低可达20V，工作电压下可达1μA的超低漏电电流。
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【产品】响应时间典型值＜1ns的大功率TVS 15KP15A-15KP43CA系列，峰值脉冲功率高达15000W
韬略科技推出的15KP15A-15KP43CA系列大功率TVS，采用玻璃钝化结工艺设计，具有快速响应时间（典型值＜1ns）特性，峰值脉冲功率高达15000W(10/1000μs)，主要用于I/O端口，电源线，汽车和电信领域，用户传感器模块信号传输线，工业电子领域以及计算机应用等领域。
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【应用】12000W超大功率TVS TH8D33CA用于车载ADAS，车载浪涌通过ISO7637-2标准的174V 2Ω
有客户ADAS（高级驾驶辅助系统）产品需直供车厂，对产品要求很严格，需要进行很多EMC测试，其中车载浪涌部分需要通过ISO7637-2标准中的174V 2Ω 350ms。此防护等级很高，一般单个器件很难通过此项测试，为此硕凯研制出一款超大功率的TVS，功率高达12000W，型号是TH8D33CA。
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【视频】低损耗，高可靠SiC MOSFET助力工业全面升级
在工业自动化专场世强硬创新产品在线研讨会中，中电国基南方技术专家为我们做了演讲。视频介绍了中电国基南方的碳化硅器件，目前6英寸650V-的SiC MOSFET以达到量产，SIC器件帮助系统功能提升，降低损耗，提供产品可靠性，助力工业全面升级。
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