森国科SiC功率器件KS20120-C/C2凭借低开关损耗、快速开关速度为充电桩模块提供解决方案
发布时间：
2024-01-18
类型：
应用方案，参考设计、解决方案
品牌：
森国科（SGKS）
型号：
KS20120-C; KS40120-C2
新能源汽车市场的快速发展推动了充电桩产业对效率与功耗的严苛要求，碳化硅技术凭借体积小、重量轻及优异的高温高频性能，成为实现充电桩小型化与高功率密度的关键。森国科推出的碳化硅二极管KS20120-C、KS40120-C2及SiC MOSFET，具备低开关损耗、快速开关速度及高电压能力，在直流与交流充电模块中分别承担整流保护与电流控制功能，有效提升充电效率、安全性与系统可靠性。森国科在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务，平台提供该品牌产品的正品保障，型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价，且库存充足。配合专职FAE团队提供的选型、设计、调试及验证技术支持，平台覆盖从研发打样到量产的全生命周期服务，有助于缩短供应链响应周期，加速产品上市。
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森国科官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是森国科的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供森国科的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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国内碳化（SiC）功率器件先进供应商——森国科（SGKS）
深圳市森国科科技股份有限公司（SGKS）是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT、SJMOS，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。公司总部在深圳市南山区深圳湾生态科技园10A栋，在深圳、成都、苏州设有研发及运营中心。
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现货平台 / 森国科 授权代理店
| 订货型号 | KS20120-C | 品牌 | 森国科 |
| 型号系列 | KS20120-C | 品类 | 碳化硅肖特基二极管 |
| 描述/说明 | 碳化硅肖特基二极管,VRRM:1200V;IF(TC=135℃):27.9A;QC:112nC | 封装/外壳/尺寸 | TO-247-2L |
| 最小包装量 | 30 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 安规 | RoHS;Halogen-Free | 工作结温 | -55℃ to +175℃ |
| Vʀʀᴍ | 1200V | Iғ(Tᴄ=135℃) | 27.9 |
| Qᴄ | 112nC | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥17.6000
库存：
20
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| 订货型号 | KS40120-C2 | 品牌 | 森国科 |
| 型号系列 | KS40120-C2 | 品类 | 碳化硅肖特基二极管 |
| 描述/说明 | 碳化硅肖特基二极管,VRRM:1200V;IF(TC=151℃):40A;QC:227nC | 封装/外壳/尺寸 | TO-247-2L |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 安规 | RoHS;Halogen-Free | 工作结温 | -55℃ to +175℃ |
| Vʀʀᴍ | 1200V | Vʀ | 1200V |
| Qᴄ | 227nC | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥33.6000
库存：
0
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| 订货型号 | KS08065-D | 品牌 | 森国科 |
| 型号系列 | KS08065-D | 品类 | 碳化硅二极管 |
| 描述/说明 | 碳化硅二极管,反向耐压BV(V):650,正向电流IF(A):8 | 封装/外壳/尺寸 | PDFN5x6 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 反向耐压BV(V) | 650 | 正向电流IF(A) | 8 |
| 工作结温TJ（℃） | 175 | Generation | G5（Thinned MPS） |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥7.2000
库存：
20
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| 订货型号 | KM040120-R | 品牌 | 森国科 |
| 型号系列 | KM040120-R | 品类 | 碳化硅功率场效应晶体管 |
| 描述/说明 | SiC MOSFET,反向耐压BV(V):1200,正向电流IF(A): | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 反向耐压BV(V) | 1200 | 工作结温TJ（℃） | 175 |
| 导通电阻 Rdson(mΩ) | 40 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥48.0000
库存：
12
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| 订货型号 | KS20065-A2 | 品牌 | 森国科 |
| 型号系列 | KS20065-A2 | 品类 | 碳化硅二极管 |
| 描述/说明 | 碳化硅二极管,反向耐压BV(V):650,正向电流IF(A):20 | 封装/外壳/尺寸 | TO-220-2L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 反向耐压BV(V) | 650 | 正向电流IF(A) | 20 |
| 工作结温TJ（℃） | 175 | Generation | G5（Thinned MPS） |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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原厂认证
价格：
￥16.0000
库存：
0
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| 订货型号 | KS15065-C | 品牌 | 森国科 |
| 型号系列 | KS15065-C | 品类 | 碳化硅二极管 |
| 描述/说明 | 碳化硅二极管,反向耐压BV(V):650,正向电流IF(A):15 | 封装/外壳/尺寸 | TO-247-2L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 反向耐压BV(V) | 650 | 正向电流IF(A) | 15 |
| 工作结温TJ（℃） | 175 | Generation | G5（Thinned MPS） |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格：
￥12.8000
库存：
0
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| 订货型号 | KS20065-R2 | 品牌 | 森国科 |
| 型号系列 | KS20065-R2 | 品类 | 碳化硅二极管 |
| 描述/说明 | 碳化硅二极管,反向耐压BV(V):650,正向电流IF(A):20 | 封装/外壳/尺寸 | TO-247-3L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 反向耐压BV(V) | 650 | 正向电流IF(A) | 20 |
| 工作结温TJ（℃） | 175 | Generation | G5（Thinned MPS） |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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原厂认证
价格：
￥16.0000
库存：
0
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| 订货型号 | KS20065-R | 品牌 | 森国科 |
| 型号系列 | KS20065-R | 品类 | 碳化硅二极管 |
| 描述/说明 | 碳化硅二极管,反向耐压BV(V):650,正向电流IF(A):20 | 封装/外壳/尺寸 | TO-247-3L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 反向耐压BV(V) | 650 | 正向电流IF(A) | 20 |
| 工作结温TJ（℃） | 175 | Generation | G5（Thinned MPS） |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥16.0000
库存：
0
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| 订货型号 | KS20065-A | 品牌 | 森国科 |
| 型号系列 | KS20065-A | 品类 | 碳化硅二极管 |
| 描述/说明 | 碳化硅二极管,反向耐压BV(V):650,正向电流IF(A):20 | 封装/外壳/尺寸 | TO-220-2L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 反向耐压BV(V) | 650 | 正向电流IF(A) | 20 |
| 工作结温TJ（℃） | 175 | Generation | G5（Thinned MPS） |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥16.0000
库存：
0
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| 订货型号 | KS15065-A | 品牌 | 森国科 |
| 型号系列 | KS15065-A | 品类 | 碳化硅二极管 |
| 描述/说明 | 碳化硅二极管,反向耐压BV(V):650,正向电流IF(A):15 | 封装/外壳/尺寸 | TO-220-2L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 反向耐压BV(V) | 650 | 正向电流IF(A) | 15 |
| 工作结温TJ（℃） | 175 | Generation | G5（Thinned MPS） |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥12.8000
库存：
0
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KS15065-A 交期查询 >>
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加工定制
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
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可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品，尺寸：0.6*0.3mm-3.2*2.7mm，波长：405-940nm，亮度：24-750mcd，电压：1.5-3.5V。
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资料平台
| 数据手册 - 中英文 |
KS20120-C碳化硅肖特基二极管(KS20120-C Silicon Carbide Schottky Diode)
Rev. 1.0
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| 产品变更通知及停产信息 - 中文 |
SGK-SCM-20211118: 产品型号名变更
2021-11-18
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| 数据手册 - 英文 |
KS20120-C碳化硅肖特基二极管
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
KS40120-C2碳化硅肖特基二极管
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
KS40120-R2碳化硅肖特基二极管
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
KS20120-E碳化硅肖特基二极管
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
KS20120-E碳化硅肖特基二极管
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
KS20120-E1碳化硅肖特基二极管
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
KS20120-A碳化硅肖特基二极管
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
KS20120-R2碳化硅肖特基二极管
Rev. 1.1
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| 数据手册 - 中英文 |
KS20120-E碳化硅肖特基二极管(KS20120-E Silicon Carbide Schottky Diode)
Rev.0.9
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| 数据手册 - 中文 |
KC100D12J1M1 1200V 碳化硅二极管双封模块
Rev. 1.0
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技术论坛
三相直流充电桩项目中，PFC部分采用三相维也纳拓扑，需要1200V,40A的SIC二极管，封装TO-247-3L；是否有合适的国产品牌推荐？
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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森国科1200V碳化硅二极管用于15kW充电桩模块中，具有高耐压、高耐温、开关速度快、低损耗等优势
随着新能源汽车的普及，充电桩、充电站的快速充电服务成为市场刚需，没有任何一个车主愿意耗费2个小时用来充满电，因而安全的高功率快充成为市场发展的新风向。不管是在住宅区充电、商超内充电还是在专业的公共充电站充电，都要能够满足车辆长时间行车的消耗需求，15kW充电桩模块在市场上具有较高的效率和可靠性，它们也成为了一些充电桩生产和运营企业的首选。
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森国科碳化硅二极管，高效率且降低运营成本，为充电桩运营商提供更具竞争力的充电服务
随着电动汽车市场的蓬勃发展，对于快速、高效的充电设备需求日益增长。在这一背景下，SiC模块因其卓越的性能，正逐渐成为超级充电桩的核心器件，有望取代传统的硅基器件。这一变革预计将推动充电技术的重大进步，为电动车的普及和能源结构的优化提供强有力的支撑。
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森国科碳化硅二极管用于DCDC系统中，具有低导通损耗和高开关速度等特性
随着碳化硅半导体技术的不断发展，其在DCDC（直流-直流）转换器中的应用越来越广泛。森国科碳化硅二极管1200V（KS40120-C2）、650V（KS20065-A、KS15065-A）的具有低导通损耗和高开关速度，使得DCDC转换器的效率得到显著提高。与传统的硅基二极管相比，碳化硅二极管的导通损耗降低了约80%，开关损耗降低了约90%。
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森国科推出KS系列碳化硅二极管，零反向恢复的特性大幅降低损耗，有效应用于3KW通信电源
在3KW高效通信电源无桥交错PFC电路中，可以采用2颗森国科半导体650V的碳化硅肖特基二极管KS20065-R2、KS30065-R2等，也可以选用森国科1200V碳化硅二极管KS20120-E、KS20120-R2。这些二极管具有零反向恢复的特性，可以大幅降低反向恢复带来的损耗，从而提升整体效率。
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森国科功率器件及模块产品介绍
深圳市森国科科技股份有限公司介绍其功率器件及模块产品，涵盖SiC功率器件、IGBT、SJMOS等，并涉及功率模块、驱动IC、无刷电机驱动IC等。公司强调新材料和特色工艺，提供650V至2000V不同电压等级的SiC二极管、MOSFET和模块，以及SJMOS和IGBT产品。应用领域包括新能源汽车、泛新能源、工业能源、消费电子等。
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森国科功率器件及模块产品介绍
深圳市森国科科技股份有限公司是一家专注于功率半导体设计公司，主要产品包括SiC功率器件、IGBT、SJMOS，及功率模块、功率器件驱动IC、无刷电机驱动IC等。公司拥有苏州和成都子公司，致力于新材料和特色工艺，提供SiC二极管、MOSFET、模块等产品，并应用于新能源汽车、光伏逆变器、储能系统等领域。
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SiC器件在光伏发电领域中的应用
全球化能源变革不断推进，绿色、低碳发展成为时代的主旋律，太阳能光伏发电成为未来清洁能源利用的重要组成部分。迄今为止，技术已经较为成熟，光伏逆变器的研发即将进入深层次阶段，以适应市场所持续追求的高效率、高功率密度、高可靠性和低成本等目标。未来如需从根本上提高光伏逆变器的性能，采用SiC等宽禁带器件将成为必然的趋势。
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【产品】森国科广泛用于“光、风、储、充、荷“的1200V碳化硅二极管系列产品，导通电阻低，开关损耗小，适用于中高压系统
深圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS®1200V碳化硅二级管，涵盖了10A、15A、20A、30A、40A、50A系列等数十款型号，相比Si器件，碳化硅肖特基二极管具有导通电阻低，开关损耗小的特点，完美满足中高压系统的需求，成为了光伏逆变器、风能逆变器、储能双向逆变器、充电桩模块、大功率工业电源、车载充电机等领域客户的不二选择。
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【产品】碳化硅肖特基二极管KS20120-R2，具有零开关损耗，适用于工业电源、不间断电源等领域
森国科推出的碳化硅肖特基二极管KS20120-R2，VRRM为1200V，该产品的工作频率高，具有零反向恢复电流和零正向恢复电压以及不受温度影响的开关特性。产品为单极器件，零开关损耗，易于并联使用，可应用于工业电源、不间断电源等领域。
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【产品】规格为1200V/40A的森国科碳化硅二极管KS40120-R2，工作频率高，易于并联使用
森国科推出的碳化硅二极管KS40120-R2，VRRM为1200V，IF（TC=152℃）为40A，QC为112nC，具有不受温度影响的开关特性，工作频率高。产品为单级器件，零开关损耗，采用TO-247-3L封装。
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【产品】规格为1200V/40A的森国科碳化硅二极管KS40120-C2，采用TO-247-2L封装
森国科碳化硅二极管KS40120-C2，VRRM为1200V，IF（TC=155℃）为40A，QC为223nC，具有不受温度影响的开关特性，工作频率高。采用TO-247-2L封装，适用于工业电源、不间断电源、光伏系统等应用。
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【产品】具有正温度特性的高效率碳化硅肖特基二极管KS20120-C，高工作频率，便于并联使用
森国科碳化硅肖特基二极管KS20120-C，该产品具有便于并联使用；高工作频率；不受温度影响的开关特性 ；高速开关；正温度特性等特点，应用广泛可用于电机驱动和开关电源等领域。
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【产品】森国科1200V高性能碳化硅二极管KS20120/KS40120，漏电流纳安数量级，封装类型可定制
碳化硅二极管器件具有正向压降低、反向特性好、频率响应快、等特点，在光伏逆变MPPT为200V-1000V大功率的条件下更具有优势。针对光伏逆变器市场的特殊需求，森国科推出1200V/20A(KS20120)、1200V/40A( KS40120 ) JBS碳化硅器件。
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森国科碳化硅在PD市场的应用介绍
森国科成立于2013年11月14日，拥有专业的研发设计团队，现推出SiC二极管等碳化硅（SiC）器件，在新能源、电动汽车、国防军工等领域应用前景巨大。
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森国科碳化硅产品介绍
森国科公司简介：成立于2013年，专注于功率半导体领域，包括SiC器件及模组、Motor Driver、电源芯片等。公司拥有强大的研发团队，产品应用于新能源、电动汽车、家用电器等领域。
SiC产品性能介绍：森国科SiC产品包括650V/1200V系列，具有高BV值、低Vf、低Qr、低Ir等特点。产品广泛应用于电源、电动汽车、工业动力等领域。
产品应用及可靠性测试：森国科SiC产品在新能源、电动汽车、家用电器等领域具有广泛应用，并通过了JEDEC可靠性实验认证。
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森国科SIC二极管在120W PD快充的应用 | 功率器件专场 世强硬创新产品研讨会
森国科SIC二极管在120W PD快充应用中表现优异，具有高效率、小尺寸等特点。公司介绍涵盖公司背景、产品线、技术优势等，强调SiC产品在新能源、电动汽车等领域的应用前景。资料详细介绍了森国科SiC二极管的产品目录、封装形式、性能参数和应用示例，并分析了选择森国科产品的优势。
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森国科发布创新TOLL+Cu-Clip封装SiC MOSFET KM025065K1与 KM040120K1，重新定义功率密度与散热新标准
森国科推出KM025065K1与KM040120K1两款SiC MOSFET，创新融合TOLL封装与铜夹片技术，实现超低导通电阻与极致散热，树立高性能电源新标杆。
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森国科第五代TMPS碳化硅二极管KS06065D应用于讯天宏100W 3C1A氮化镓充电器设计
充电头网的拆解报告显示：东莞市讯天宏智能科技推出的一款氮化镓充电器的PFC升压整流管采用了森国科第五代TMPS碳化硅二极管：型号为KS06065D，耐压650V，正向电流6A，最高工作温度175℃，采用PDFN5*6封装。
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400kW大功率刚需驱动，SiC在充电桩市场的应用进展如何？
SiC相比传统硅基功率半导体，在大功率、高电压的应用场景中具有很大的优势，因此充电桩一直以来都是SiC行业的重要目标市场之一。如今在新能源汽车上风生水起的SiC器件，在充电桩市场的表现又如何？
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以小搏大，以硅基成本享碳化硅性能：森国科微型化750V SiC MOSFET晶圆的破局之道
森国科推出微型化750V SiC MOSFET晶圆，以硅基成本实现碳化硅性能，具备热导率高、热阻稳定、高效散热、高频低损耗等优势，适用于合封与独立封装场景，推动SiC技术在主流功率市场的普及。
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森国科SiC MOSFET产品矩阵再扩容：三款PDFN8 * 8 + Cu-Clip封装新品引领高功率密度革命
森国科推出三款PDFN8 * 8 + Cu-Clip封装SiC MOSFET新品，覆盖650V-1200V电压范围，提升功率密度与散热性能，适用于新能源汽车、光伏逆变器、工业电源等应用。
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森国科突破性推出SOD123封装1200V/1A碳化硅二极管
森国科成功推出采用SOD123封装的1200V/1A碳化硅二极管，突破传统高压器件封装限制，适用于高频ACF电路、小功率适配器等多种场景。
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TOLL封装SiC二极管KS50120-K2：高密度时代的封装新宠
在功率半导体飞速迭代的进程中，碳化硅（SiC）功率器件凭借高频、高压、低损耗、耐高温等优异性能，成为高效功率转换的核心器件。而要将这些晶圆级的性能优势完美转化成系统级价值，先进封装技术的支撑不可或缺——它如同一座桥梁，直接影响着器件的散热、稳定性、功率密度及可靠性。特别是在追求极致空间利用率的砖块电源、服务器电源、新能源车载充电器（OBC）等场景下，传统封装正逐渐暴露瓶颈。
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SiC MOSFET短路时间偏弱：破解瓶颈，森国科新品K3M040120-J给出强劲答案
SiC MOSFET以其优异的耐压、高开关频率和低损耗性能，正持续推动着新能源车、光伏逆变和工业电源等领域的变革。然而，相比传统硅基IGBT，大多数SiC MOSFET暴露出一个明显的技术挑战：短路耐受时间（TSC）相对偏短（通常≤ 3μs），这一特性增加了工程师在实际使用时候的应用难度，阻碍了其在大功率、高可靠性应用场景中快速使用进程。
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封装随心选，能效任掌控：森国科650V/10A SiC二极管七大封装形态与应用全解析
森国科推出KS10065碳化硅二极管（650V/10A），提供7种封装形态，覆盖车规、工业电源及消费电子领域。通过多封装与高性能结合，满足不同场景的散热、空间及绝缘需求，助力提升效率、降低损耗。
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7家企业实现SiC MOS新突破：8吋、沟槽等
本文汇总了Wolfspeed、瞻芯电子、瑶芯微、森国科、天狼芯半导体、芯合半导体、九峰山实验室等企业在碳化硅领域的最新技术与产品进展。涵盖第四代1200V SiC MOSFET、8英寸晶圆、浅结MOS芯片、沟槽栅结构、车规级认证及短路耐受时间提升等关键技术突破，广泛应用于新能源汽车、光伏、充电桩等领域。
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TOLL封装SiC二极管：高密度时代的封装新宠
本文介绍了TOLL封装作为碳化硅功率器件的先进封装形式，其在空间利用率、散热性能、机械强度及SMT便捷性方面的显著优势，并以森国科推出的KS50120-K2型号SiC JBS二极管为例，说明其在PFC电路、变频驱动及OBC桥臂应用中的优化表现。
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降本＆高效！采用1200V 40mΩ SiC MOSFET的开关电源有效提高系统效率和增强可靠性
开关电源上使用1200V 40mΩ SiC MOSFET能够提高系统的效率、可靠性和性能，在工业级电源、数据中心电源和新能源汽车充电桩等应用中表现尤为突出。相比传统的硅基MOSFET，SiC MOSFET具有更低的导通电阻和更高的工作温度，这使其在高功率密度和高效率的应用中具有显著优势。
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森国科先后推出650V、1200V的碳化硅二极管，大幅提升100W PD电源使用寿命
森国科先后推出650V、1200V的碳化硅二极管，有效提升充电效率，缩短充电时间，同保持较低的发热水平，大幅提升100W PD电源使用寿命。
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40kW充电模块选用森国科KS02120-I碳化硅二极管，有效提升充电速度
KS02120-I碳化硅二极管能够提供高效、高耐压、高频率和高可靠性的解决方案。这款二极管具有1200V的高耐压和20A的电流容量，十分适用于高功率充电模块的需求。KS02120-I碳化硅二极管在40kW充电模块中的应用，可以显著提高充电速度，减少能量损耗，提升系统可靠性，并有助于缩小充电设备的体积。
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森国科KS10065-A碳化硅二极管助力1500W充电器实现更高的效率和更小的温升
SiC二极管KS10065-A超低的正向导通电压（VF值），这有助于降低正向导通损耗，提高整体效率。同时，由于其零反向恢复特性，它在反向恢复过程中极大地减少了反向恢复损耗，并减少了EMI干扰，这使得1500W充电器能够实现更高的效率和更小的温升。
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250W开关电源对碳化硅功率器件的需求正逐渐加大，碳化硅二极管KS10065-A的应用可提升电源效率
碳化硅二极管以其高效的导电性、耐高温和低能耗特点，在高频开关电源设计中显得尤其重要。相比于传统的硅二极管，森国科KS10065-A二极管能在更高的频率下工作，同时保持较低的热量输出，这直接提高了开关电源的效率和可靠性。
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KS50120-C2碳化硅二极管用于三相逆变器，具有更低的正向压降和更高的开关速度
在电力电子领域，随着技术进步和能效要求的提高，新型半导体材料碳化硅（SiC）因其卓越的性能而越来越受到关注。尤其是在高功率应用中，碳化硅二极管被广泛应用于三相逆变器中，表现出其独特的优势。5000W三相逆变器采用碳化硅二极管的优势、应用情况及其对行业的影响。森国科作为领先的国产化半导体供应商目前可以提供80多种型号的二极管产品，其中1200V、60A的二极管可适用于三相逆变器中。
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森国科KS10065-D碳化硅二极管助力330W适配器更高效，专为高功耗设备设计的电源供应设备
随着电子设备尤其是笔记本、游戏本和高性能工作站等的功耗日益增加，传统的低功率适配器已无法满足需求，因此330W适配器应运而生。330W适配器是专为高功耗设备设计的电源供应设备，用于确保足够的电力支持设备的运行。在330W适配器中采用650V SiC二极管不仅提高能效、优化热管理，而且在增加功率密度方面也有着巨大潜力。
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森国科碳化硅二极管用于轨道交通电源，具有高达97%以上的良率
近期，深圳市森国科科技股份有限公司的1200V 30A碳化硅二极管在轨道交通上得到了验证，碳化硅二极管在高压、大功率的工作场景中，各项数据表现亮眼，未来有助于加快提升国内轨道交通系统的技术水平。
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