【产品】20V/0.75A规格的科信N沟道MOSFET 2KK6009DFN，耗散功率低至100mW
发布时间：
2022-10-20
类型：
产品，产品介绍、产品概述、关键特性
品牌：
科信（KEXIN）
型号：
2KK6009DFN
科信（KEXIN）推出了一款采用DFN1006-3封装的N沟道MOSFET 2KK6009DFN，该器件在25℃环境温度下具备20V漏源电压与0.75A连续漏极电流的处理能力，耗散功率低至100mW。其电气特性表现优异，在VGS为4.5V、2.5V及1.8V时，漏源导通电阻分别低于380mΩ、450mΩ和800mΩ，适用于对空间与能效要求严苛的电路设计。科信在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务，平台确保所有产品均为正品，且型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，库存充足。依托平台配备的专职FAE团队，用户可获得从选型、设计、调试到验证的全程技术支持，覆盖研发打样到量产的全生命周期，有效缩短供应链响应周期，加速产品上市进程。
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科信官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是科信的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供科信的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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SMD表面贴片分立器件专业制造商——科信（KEXIN）
科信（KEXIN）从事SMD表面贴片分立器件生产、研发、销售30年，一直专注SMD表面贴片分立器件小型化，产品均通过ISO9001认证和IATF16949认证，广泛应用于各类电子设备。当市场对新功能有需求，公司全力搜寻最合适的物料，以提供最优质的产品与服务。
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现货平台 / 科信 授权代理店
| 订货型号 | 2KK6009DFN | 品牌 | 科信 |
| 型号系列 | 2KK6009DFN | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | DFN1006-3 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| BVDSS(V) | 20 | ID(A) | 0.75 |
| VGSS(V) | 10 | VTH(V)(Min.) | 0.35 |
| VTH(V)(Max.) | 1.1 | RDSON(mΩ) | 0.38 |
| PD(W) | 0.1 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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价格：
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0
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| 订货型号 | KI8205T | 品牌 | 科信 |
| 型号系列 | KI8205T | 品类 | Dual N-Channel MOSFET |
| 描述/说明 | VDS (V):20;VGS (±V):12;ID* (A) at 25°C:4.3;PD* (W) at 25°C:1.25 | 封装/外壳/尺寸 | SOT23-6 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | N | ESD Diode | No |
| VDS (V) | 20 | VGS (±V) | 12 |
| ID* (A) at 25°C | 4.3 | PD* (W) at 25°C | 1.25 |
| RDS(ON) (mΩ max)* at VGS=4.5V | 30 | VGS(th)(min V) | 0.45 |
| VGS(th) (max V) | 1 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥0.2000
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| 订货型号 | 2KK5014DFN | 品牌 | 科信 |
| 型号系列 | 2KK5014DFN | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Dual N-channel MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | DFN2*2-6 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 20V | Gate-Source Voltage | ±8V |
| Continuous Drain Current | 8A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥0.4250
库存：
0
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| 订货型号 | AO6800 | 品牌 | 科信 |
| 型号系列 | AO6800 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Dual N-Channel MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS | 30V | ID (VGS = 10V) | 3.4 A |
| VGS | ±12V | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥0.2500
库存：
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| 订货型号 | KQS4901 | 品牌 | 科信 |
| 型号系列 | KQS4901 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 400V Dual N-Channel MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | SOP-8 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| BVDSS(V) | 400 | ID(A) | 0.45 |
| VGSS(V) | 25 | RDSON(mΩ) | 3200 |
| PD(W) | 2 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
库存：
0
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| 订货型号 | KI1N60DS | 品牌 | 科信 |
| 型号系列 | KI1N60DS | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | N Channel MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23-3 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| BVDSS(V) | 600 | ID(A) | 0.4 |
| VGSS(V) | 30 | RDSON(mΩ) | 30 |
| PD(W) | 0.4 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥0.3500
库存：
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合科信原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供科信快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
2KK6009DFN N沟道MOSFET
2020/2/24
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AO6420（KO6420）N沟道MOSFET
2020/2/24
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2SK1589 N沟道MOSFET
2020/2/24
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2SK1590 N沟道MOSFET
2020/2/24
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2SK1590-3 N沟道MOSFET
2020/2/24
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2SK3274S硅N沟道MOSFET
2020/2/24
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2KK5092 N沟道MOSFET
2021/7/10
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2KK5099 N沟道MOSFET
2024/2/26
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| 数据手册 - 英文 |
KI1912双通道N沟道MOSFET
2020-02-24
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AO4466（KO4466）N沟道MOSFET
2020/2/24
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AO4292（KO4292）N沟道MOSFET
2020/2/24
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AO6408（KO6408）N沟道MOSFET
2020/2/24
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AO4438（KO4438）N沟道MOSFET
2020/2/24
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AO6432（KO6432）N沟道MOSFET
2020/2/24
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AO4702（KO4702）N沟道MOSFET
2020/2/24
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AO4476（KO4476）N沟道MOSFET
2020/2/24
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| 数据手册 - 英文 |
2SK3147S硅N沟道MOSFET
2020/2/24
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| 数据手册 - 英文 |
2KK5056 N沟道MOSFET
2022/10/26
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| 数据手册 - 英文 |
2KK5095 N沟道MOSFET
2021/9/8
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AO4588（KO4588）N沟道MOSFET
2020/2/24
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AO4940（KO4940）双通道N沟道MOSFET
2020-02-24
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AO4918（KO4918）双通道N沟道MOSFET
2020-02-24
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AO4408（KO4408）N沟道MOSFET
2020/2/24
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AO4492（KO4492）N沟道MOSFET
2020/2/24
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2KK7103双N沟道MOSFET
2020-02-24
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KI9926A双通道N沟道MOSFET
2020-02-24
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AO4486（KO4486）N沟道MOSFET
2020/2/24
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AO4240（KO4240）N沟道MOSFET
2020/2/24
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AO3434（KO3434）N沟道MOSFET
2020/2/24
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AO3434（KO3434）N沟道MOSFET
2020/2/24
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AO4704（KO4704）N沟道MOSFET
2020/2/24
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AO4354（KO4354）N沟道MOSFET
2020/2/24
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AO4418（KO4418）N沟道MOSFET
2020/2/24
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AO4482（KO4482）N沟道MOSFET
2020/2/24
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】漏源电压30V的N沟道MOSFET 2KK5779DFN，最大续漏极电流额定值50A
科信电子推出了一款N沟道MOSFET 2KK5779DFN，其漏源电压的绝对最大额定值为30V，漏源通态电阻较小，采用PDFN3.3x3.3-8封装，非常适用于各类紧凑型产品设计和大电流应用中。
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【产品】科信推出的N沟道MOSFET AO7400，连续漏极电流最大为1.7A，最大结温可达150℃
科信推出的N沟道MOSFET在Ta = 25℃时，绝对最大额定值方面，漏源电压VDS (V) = 30V，栅源电压VGS (V) = ±12V，连续漏极电流最大为1.7A，最大结温可达150℃，存储温度范围为-55℃到150℃，性能十分的好。
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【产品】表面贴装N沟道MOSFET KI1304BDL，采用SOT-323封装，漏源电压30V
科信（KEXIN）推出KI1304BDL表面贴装N沟道MOSFET，采用SOT-323封装，Ta=25℃条件下，该产品漏源电压为30V，漏源击穿电压最小值为30V，栅源电压为±12V。
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【产品】采用SOT-23封装的N沟道MOSFET管IRLML0100，其额定漏源电压为100V
IRLML0100 (KRLML0100)是科信推出的一款N沟道MOSFET，采用SOT-23封装；该产品的漏-源电压VDS为100V，栅源电压VGS为±16V，连续漏极电流ID为1.6A(VGS=10V，TA=25℃)，存储温度范围为-55℃~+150℃。
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【产品】漏源电压为100V的N沟道MOSFET 2KK5081DFN，连续漏极电流为100A
科信（KEXIN）推出一款采用PDFN5x6-8（PDFNWB5x6-8L）封装的N沟道MOSFET 2KK5081DFN。TA=25℃条件下，漏源电压为100V，连续漏极电流为100A（TC=25℃），栅源电压为±20V。
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【产品】采用PDFN5x6-8封装的N沟道MOSFET 2KK5075DFN，最大漏源导通电阻为5.4mΩ
科信（KEXIN）推出一款采用PDFN5x6-8封装的N沟道MOSFET 2KK5075DFN。TA=25℃条件下，漏源电压为30V，连续漏极电流为36A（TC=25℃），栅源电压为±20V。
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【产品】漏源电压为50V的N沟道MOSFET BSS138，ESD保护HBM达1.5kV
科信（KEXIN）推出一款采用SOT-23-3封装的N沟道MOSFET BSS138（KSS138）。Ta=25℃条件下，漏源电压为50V，连续漏极电流为300mA，栅源电压为±20V，耗散功率为300mW。
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【产品】采用PDFN5x6-8封装的N沟道MOSFET 2KK5777DFN，漏源电压30V，连续漏极电流为36A
科信（KEXIN）推出一款采用PDFN5x6-8封装的N沟道MOSFET 2KK5777DFN。TA=25℃条件下，漏源电压为30V，连续漏极电流为36A（TC=25℃），栅源电压为±20V。
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【产品】采用SOT-23-3封装的N沟道MOSFET AO3406，漏源电压最大额定值为30V
科信推出一款采用SOT-23-3封装的N沟道MOSFET——AO3406（KO3406）。Ta=25℃条件下，漏源电压最大额定值为30V，栅源电压最大额定值为±20V，连续漏极电流最大额定值为3.6A（VGS=10V)。
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【产品】规格为-30V/5.8A的N沟道MOSFET KO3400，存储温度为-55℃至150℃
KO3400是科信推出的一款N沟道MOSFET，该产品的漏源电压VDS为30V，连续漏极电流ID为5.8A（栅源电压VGS为10V时），产品采用SOT-89封装，工作结温和存储温度为-55至150℃。
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【产品】结温达150℃的N沟道MOSFETFDC86244（KDC86244），开关速度快
科信推出一款采用SOT-163（SOT-23-6）封装的N沟道MOSFET——FDC86244（KDC86244），具有快速开关的特点。Ta=25℃条件下，漏源电压最大额定值为150V，栅源电压最大额定值为±20V。
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【产品】存储温度范围为-55~150℃的N沟道MOSFET 2KK5012，采用SOT-23-3封装
科信推出N沟道MOSFET，型号为2KK5012，该产品采用SOT-23-3封装。Ta = 25℃，该产品绝对最大额定参数：漏源电压100V，栅源电压±20V，脉冲漏极电流7A。存储温度范围-55~150℃。
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【产品】国产硅基N沟道MOSFET2SK3065，具有低导通电阻特点，适用于口袋产品
科信新推出的2SK3065硅基N沟道MOSFET，具有低导通电阻，高速开关等特点，其驱动电路简单，易于并联使用，对静电放电有很强抗干扰能力，同时，驱动电压低（2.5V 驱动），适用于口袋产品。
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【产品】N沟道MOSFET 2KK6014DFN，漏源电压为60V，连续漏极电流为95A
科信（KEXIN）推出一款采用DFN5x6-8(PDFNWB5x6-8L)封装的N沟道MOSFET 2KK6014DFN，TA=25℃条件下，漏源电压为60V，栅源电压为±20V，连续漏极电流为95A（TC=25℃）。
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【产品】规格为100V/6A的N沟道MOSFET 2KK5041DFN，耗散功率为105W
科信（KEXIN）推出一款采用DFN5x6-8(PDFNWB5x6-8L)封装的N沟道MOSFET 2KK5041DFN。TC=25℃条件下，漏源电压为100V，栅源电压为±20V，耗散功率为105W。
阅读原文 >>
【产品】40V/200A N沟道MOSFET 2KK5046DFN，漏源导通电阻＜1.4mΩ
科信（KEXIN）推出一款采用DFN5x6-8(PDFNWB5x6-8L)封装的N沟道MOSFET 2KK5046DFN，Tc=25℃条件下，漏源电压为40V，连续漏极电流为200A，耗散功率为92.6W。
阅读原文 >>
