扬杰科技用于汽车电子的N60V SGT MOSFET，较低导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，支持更高频率与动态响应
发布时间：
2025-04-16
类型：
产品，产品介绍、产品概述、关键特性
品牌：
扬杰科技（YANGJIE TECHNOLOGY）
型号：
N60V; YJQ029N06AHQ; YJB5D0G06HQ; YJP5D4G06HQ; YJGD6D3G06HQ; YJD6D5G06AHQ; YJG6D9G06AHQ; YJB7D2G06AHQ; YJQ7D2G06AHQ; YJQ5D5G06AQ; YJB95G06AQ
扬杰科技于2024年推出了一系列面向汽车电子的N60V SGT MOSFET，该系列产品采用特殊优化的SGT技术，具备极低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，能够显著降低导通与开关损耗，从而支持更高频率与动态响应。产品涵盖PDFN5060、TO-252、TO-263及DFN3333等多种封装形式，凭借优异的UIS能力及优化的Qg与Rds参数，可完美适配车载大功率应用场景。扬杰科技在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务，平台确保所有产品均为正品，型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。依托平台配备的专职FAE团队，用户可获得从选型、设计、调试到验证的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购与服务，有效缩短供应链响应周期，加速产品上市进程。
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扬杰科技官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
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中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）
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现货平台 / 扬杰科技 授权代理店
| 订货型号 | YJQ029N06AHQ |
| 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | YJQ029N06AHQ |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 封装/外壳/尺寸 | PDFN3333-8L |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Configuration | Single |
| Type | N |
| VDSS (V) | 60 |
| ID(A) | 23 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0670
库存：
100
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| 订货型号 | YJQ7D2G06AHQ |
| 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | YJQ7D2G06AHQ |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN3333-8L-WF |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | 卷带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Configuration | Single |
| Type | N |
| VDSS(V) | 60 |
| ID(A) | 60 |
| PD(W) | 93 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥1.6670
库存：
0
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| 订货型号 | MURS160B |
| 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | MURS160B |
| 品类 | 快恢复二极管 |
| 描述/说明 | 超快恢复二极管,VRM=600V,lo=1A,Trr=50ns |
| 封装/外壳/尺寸 | SMB |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 最大反向峰值电压VRM(V) | 600 |
| 最大正向电流lo(A) | 1.0 |
| 最大正向浪涌电流IFSM(A) | 30 |
| 最大正向压降Rated lo(A) | 1.0 |
| 最大正向压降VF(V) | 1.25 |
| 最大反向漏电流 @25℃IR(uA) | 5 |
| 最大反向漏电流 @125℃IR(uA) | 50 |
| 最大反向恢复时间Trr（ns） | 50 |
| 典型热阻RθJA(℃/W) | 65 |
| 结电容Cj(PF) | 14 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3400
库存：
78,881
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| 订货型号 | BZT52C13 |
| 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | BZT52C13 |
| 品类 | 小信号稳压二极管 |
| 描述/说明 | 稳压二极管,PD=500mW,Vz=12.4~14.1V,Izt=5mA |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 损耗功率 PD(mW) | 500 |
| 稳压值VZ@IZT Min(V) | 12.4 |
| 稳压值VZ@IZT Nom(V) | 13 |
| 稳压值VZ@IZT Max(V) | 14.1 |
| 测试电流 IZT(mA) | 5 |
| 动态电阻 ZZT@IZT(Ω) | 30 |
| 测试电流 Izk (mA) | 1 |
| 动态电阻 Zzk@Izk | 170 |
| 反向漏电流 IR@VR(μA) | 0.1 |
| 反向测试电压 VR(V) | 8 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证,
供货保障,
研发推荐
价格：
￥0.0570
库存：
22,560
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| 订货型号 | BC847CQ |
| 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | BC847CQ |
| 品类 | 小信号三极管 |
| 描述/说明 | 小信号三极管,PC=300mW,IC=100mA |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT23 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 集电极耗散功率（mW） | 300 |
| 集电极电流（mA） | 100 |
| 集电极基极击穿电压（V） | 50 |
| 放大倍数 Min | 420 |
| 放大倍数 Max | 800 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0730
库存：
1,540
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| 订货型号 | YJL2301CQ |
| 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | YJL2301CQ |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Vᴅss(V) | -20 |
| Iᴅ(A) | -3.4 |
| Pᴅ(W) | 1 |
| Vɢs (V) | ±10 |
| Tj (℃） | 150 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.1800
库存：
890
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| 订货型号 | GS1GQ |
| 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | GS1GQ |
| 品类 | 整流二极管 |
| 描述/说明 | 整流二极管,VRM=400V,IO=1.0A |
| 封装/外壳/尺寸 | SMA |
| 最小包装量 | 7,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 最大反向峰值电压VRM (V) | 400 |
| 最大正向电流lo(A) | 1 |
| 最大正向浪涌电流IFSM(A) | 40 |
| 最大正向压降Rated lo(A) | 1 |
| 最大正向压降VF(V) | 1.1 |
| 最大反向漏电流@25℃IR(uA) | 5 |
| 最大反向漏电流@100℃IR(uA) | 50 |
| 典型热阻RθJA(℃/W) | 75 |
| 结电容Cj(PF) | 16 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0950
库存：
0
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| 订货型号 | BAT54S-F2-0001HF |
| 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | BAT54S-F2-0001HF |
| 品类 | 小信号肖特基二极管 |
| 描述/说明 | Schottky Barrier Diode,High frequency and low voltage rectifier |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VBR(V) | 30 |
| IF(A) | 0.2 |
| IFSM(A) | 0.6 |
| VF(V) | 1 |
| IR(μA) | 2 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0400
库存：
50,100
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| 订货型号 | SD103AWSQ-F2-0000HF |
| 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | SD103AWSQ |
| 品类 | 小信号肖特基二极管 |
| 描述/说明 | 小信号肖特基二极管,VRRM=40V,IF=0.35A,IFSM=1.5A |
| 封装/外壳/尺寸 | SOD-323 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 反向击穿电压VBR（V） | 40 |
| 平均电流IF（A） | 0.35 |
| 浪涌电流IFSM（A） | 1.5 |
| 正向电压VF（V） | 0.6 |
| 正向电流@IF（mA） | 200 |
| 反向漏电流IR(μA) | 5 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0630
库存：
0
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| 订货型号 | YJL02N10A |
| 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | YJL02N10A |
| 品类 | MOS |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor,VDSS=100V,ID=2A |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 结构 | Single |
| 产品极性N/P | N |
| 漏源电压VDSS=(V) | 100 |
| 工作电流Id (A) | 2 |
| 耗散功率Pd（W） | 1.3 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格：
￥0.1330
库存：
32,264
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用于吸尘器N40V SGT MOSFETs新品
2023/6/16
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汽车电机驱动用N40V SGT MOSFET新产品发布
2023/11/7
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MMBD1501/1503/1504/1505小信号二极管
Rev.1.1
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1SS400小信号快速开关二极管
Rev. 1.2
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世强AI
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应用/方案
扬杰科技SGT工艺N60V MOSFET新品，点亮清洁能源新效能
扬杰科技最新推出了一系列用于清洁能源的N60V MOSFET产品，产品采用特殊优化的SGT技术，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，同时提升了MOSFET抗冲击电流能力，非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。
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用于以太网供电（Poe/Poe+）的新型N150V SGT MOSFET新产品发布
IEEE 802.3bt PoE新标准于2018年批准，提升通过双绞线以太网电缆传输的最大功率。Yangjie推出N150V系列IEEE802.3af/at/bt产品，采用SGT技术，具有高开关速度和低损耗。产品具有低内阻和优异的开关特性，可选PDFN5060、SO-8、TO252、ITO220AB等多种封装，适用于IEEE802.3af/at/bt协议PD电源。更多信息请访问www.21yangjie.com。
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用于光伏微型逆变器的SGT MOSFET新产品发布
随着能源消耗需求的增加，储能技术和可再生能源的重要性日益凸显。光伏逆变器作为将光伏板产生的直流电转换为交流电的设备，在新能源市场中扮演着重要角色。YangJie Technology近期推出的N800V SJ TO-263和N150V SGT PDFN5X6 MOSFET，适用于光伏微型逆变器产品的输出逆变器及主电路控制。这些器件采用N800V超结TO-263封装和N150V SGT PDFN5X6封装，具备强 UIS 能力，Qg 和 Rds 参数表现优异。
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用于光伏微逆的SGT MOSFET新产品发布
光伏逆变器在新能源市场中的重要性日益凸显，扬杰科技推出N800V超结TO-263和N150V SGT PDFN5X6 MOSFET，用于光伏微逆产品输出逆变与初级电路控制。产品具有强UIS能力，优化Qg与Rds参数，支持高频率与动态响应。
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用于汽车电机驱动的N40V SGT MOSFET新产品发布
该资料宣布了新型元器件产品的发布，包括多种封装类型如DFN、PDFN、TO-263、TO-247、ToLL等。产品具备强过流能力、低热阻和更宽的SOA范围。适用于汽车电机驱动应用，如电子助力转向系统、车身控制、电子水泵、电子油泵等。特别设计用于体二极管，具有更好的EMI特性。详细信息和更多产品细节请访问官方网站www.21yangjie.com。
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用于清扫机的N40V SGT MOSFET
该产品采用PDFN5060-8L封装，比TO252封装更适合紧凑型设计；具备强大的过流能力、低热阻和更宽的SOA范围；适用于电机驱动应用；特别设计体二极管，具有更好的EMI特性。
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用于以太网供电（PoE/PoE+）的N150V SGT MOSFETs新品
以太网供电协议（PoE）新标准IEEE 802.3bt提升传输功率，推动PoE应用追求更高功率密度。扬杰科技推出N150V系列化产品，采用SGT技术，具有高开关速度和低损耗，支持多种封装，适用于IEEE802.3af/at/bt协议PD电源。
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120V SGT工艺N-Channel MOSFET
采用扬杰科技SGT特殊工艺制程的电机驱动和电源应用元器件，优化导通内阻和栅极电荷性能，降低损耗，提升系统效率。解决高速GaN电源应用中的副边电压尖峰问题，提高产品可靠性。产品具有高工艺稳定性、快速开关速度、小栅电荷和高效应用，采用PDFN5060封装，具备良好热阻特性。
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【产品】扬杰新推120V SGT工艺N-Channel MOSFET YJG88G12A，应用效率更高
扬杰科技推出120V SGT工艺N-Channel MOSFET，优化导通内阻（Rdson)和 栅极电荷（Qg)性能，降低导通损耗和开关损耗，提升系统效率。解决高速Gan电源应用时di/dt大带来的副边电压尖峰高的问题，提升整体可靠性。
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【产品】采用SGT制程工艺的N80-85V系列MOSFET，TO-220等多种封装形式可选
扬杰科技最新推出的N80-85V SGT系列MOSFET，采用SGT(Shield Gate Trench MOSFET) MOSFET结构及工艺制造方法，具有传统Trench MOSFET低导通损耗的优点，同时具有更低的开关损耗。
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应用于PD电源的100V 3.2mΩ SGT MOSFET新品
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SGT N80-85V功率MOSFET
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【产品】Copper Clip PDFN5060封装系列SGT MOSFET，漏源击穿电压100V，可用于PD电源
扬杰科技推出先进的Copper Clip PDFN5060封装系列SGT MOSFET产品，在减小传统PDFN5060的封装电阻的同时，不仅降低了封装的寄生参数，同时还大大增强了产品散热能力，为各种大电流的PD电源应用，提供了更优的解决方案。
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【产品】扬杰科技新推DFN5060封装系列功率MOSFET，采用SGT工艺，有效解决终端尺寸结构限制
在大量的工业和消费类电子应用中，高功率密度的需求日益增加。扬杰科技最新推出的Copper Clip DFN5060封装系列功率MOSFET，采用先进封装工艺，在保留电气和热稳定的同时，有效解决了终端在尺寸结构方面的限制，为越来越多的高功率密度产品设计提供更优的解决方案。
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80V SGT工艺N-Channel MOSFET
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【产品】80V SGT工艺N-Channel MOSFET ，适用于电机驱动和电池管理，多种封装类型可选
扬杰科技针对储能、BMS电池管理、电机驱动等领域，推出全新的N-80V SGT 产品，GT特殊工艺制程，根据电机驱动和电池管理应用要求，优化导通内阻（Rdson)和栅极电荷（Qg)性能，降低导通损耗和开关损耗，提升系统效率。
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扬杰科技SGT工艺P-Channel MOSFET
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N40-150V SGT MOSFET 新品宣告
N40-150V SGT MOSFET是一款采用屏蔽栅沟槽型功率MOSFET技术的产品，具备电荷平衡功能，优化了开关和导通特性，降低了特征导通电阻和栅极电荷。产品特点包括优异的开关和导通特性，良好的导通电阻温度特性，以及增强的高温电流能力和抗冲击特性。适用于电机驱动、锂电保护电路和同步整流电路等领域。
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【产品】扬杰科技发布N40-150V SGT功率MOSFET新品，全面提升开关和导通特性，可应用于电机驱动等领域
扬杰科技最新推出的Split Gate Trench MOSFET 屏蔽栅沟槽型功率MOSFET系列产品采用电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽技术，全面提升器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷（Qg）。
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【产品】100V/15A N沟道增强型场效应晶体管，采用SGT MOSFET技术
扬杰科技推出的YJS15G10A为N通道增强型场效应晶体管，漏源电压100V，漏电流15A（@TA=25°C）。采用SGT MOSFET技术，具有出色散热能力的封装。静态漏源导通电阻典型值仅为8.0mΩ（@VGS=10V, ID=10A），较低的导通电阻可降低开关损耗。YJS15G10A非常适用于DC/DC初级侧开关、电信/服务器和同步整流等相关领域。
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【产品】扬杰科技针对负载开关等领域推出国内首款采用SGT工艺的P-100V MOSFET新品
扬杰科技针对负载开关，DCDC,电机驱动领域，推出全新的SGT P-100V产品。和N Channel MOSFET产品相比，P Channel MOSFET产品需求远小。但在某些应用领域， P Channel MOSFET因其本身的电性特点，有其不可替代性；目前可以提供-15 ~ -100V，-1.5~-55A的P Channel MOSFET解决方案。
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SGT电容的组成部分介绍
SGT和普通MOSFET一样，其寄生电容分为三大部分：栅源电容CGS，栅漏电容CGD以及漏源电容CDS（也可分为输入电容Ciss和输出电容Coss）。栅源电容CGS分为四部分，主要由栅极与源电极之间的电容CGS1，栅极与N+源区之间的电容CGS2，栅极与P型体区之间的电容CGS3，以及栅极与屏蔽栅（与源极共端）之间的电容CGS4。
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【元件】采用优化的沟槽屏蔽栅设计及工艺制造技术的SGT-MOSFET系列产品，具有低导通损耗的特点
辰达行SGT MOSFET产品采用优化的沟槽屏蔽栅设计及工艺制造技术，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻Rsp和栅极电荷Qg。SGT MOSFET被作为开关器件广泛应用于电机驱动系统，逆变器系统及电源管理系统，是核心功率控制部件。
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探讨SGT MOSFET击穿电压BV
反向击穿电压是功率器件最重要的电学参数之一，限制了器件正常工作状态下能承受的最大反向电压。与传统VDMOS相比，同等反向耐压下SGT MOSFET的外延层掺杂浓度更高，导通损耗更小。
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扬杰科技新推用于PC主板的High-side+Low-side PDFN5060 N30V MOSFETS
扬杰科技近日推出了针对于PC主板应用的High-side+Low-side PDFN5060 N30V Mosfets，产品采用SGT技术，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，在300kHz以上高频率应用有优异的表现。
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扬杰科技推出一系列TO-247和TOLL N600V/650V SJ MOSFET，用于光伏微逆变、工业电源、服务器电源
扬杰科技近日推出了一系列TO-247和TOLL N600V/650V SJ MOSFET，产品采用深沟槽技术与多层外延技术制造，具有较低的导通电阻Rds和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，可以支持更高频率与动态响应,非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。
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扬杰科技推出用于散热风扇控制的N+P双芯片合封MOSFET，适合对尺寸有极高要求的小型风扇
扬杰科技近日推出采用TSMT8封装的N+P双芯片合封MOSFET，简化产品电路桥接结构的同时保留了工程师应用的灵活性，并可较大限度节省PCB尺寸面积，适用于内部空间狭小的各类散热风扇产品。
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扬杰科技3GBJ三相插件桥封装新品，电压范围600V-1600V，适用于工业电源和变频器
扬杰科技充分调研市场需求，3GBJ在工业领域需求量较多，为此开发3GBJ三相插件桥系列产品；外置5只引脚，本体更大，内置6颗芯片，电流档包含15A、25A、35A、50A，电压覆盖600V-1600V，具有正向压降低、反向漏电流小、浪涌能力强等特点。
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【应用】玻璃钝化三相整流桥MD250S16M5用于伺服驱动器上，高耐压1600V，正向电流250A
伺服驱动器在工业上广泛应用，本文推荐扬杰科技的玻璃钝化三相整流桥MD250S16M5运用在交流输入侧的整流处，反向重复峰值电压VRRM可达1600V，正向平均电流ID 250A，结温-40—+150℃，具有更高的耐压特性及通流能力，满足高可靠性设计要求同时又可以满足产品大功率设计的电流要求。
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【产品】采用TO-252封装的肖特基二极管，具有高频应用特点，工作结温范围-55~+175℃
扬杰科技（YANGJIE）推出的肖特基二极管MBR10100CD，MBR10150CD，MBR10200CD采用TO-252封装，具有高频应用等特点。反向重复峰值电压VRRM值分别为100V，150V，200V，平均整流输出电流IO值均为10A，工作结温范围-55至+175℃。
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【应用】国产车规级60V NMOS YJQ53G06AQ用于汽车IBCU产品，导通内阻低于8.2mΩ
本文主要介绍的是国产扬杰科技推出的车规级60V NMOS应用于汽车IBCU产品。该芯片漏源电压60V，完全可以满足12V升24V的开关电源应用；漏电流53A，导通内阻低于8.2mΩ，已通过AEC-Q100车规认证。
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【应用】扬杰三相整流桥模块MD160S12M3助力伺服驱动器设计，正向平均电流160A
伺服驱动器简单地说是用来控制伺服电机的一种控制器，属于伺服系统的一部分，主要应用于高精度的定位系统。一般是通过位置、速度和力矩三种方式对伺服电机进行控制，实现高精度的传动系统定位，扬杰推出的MD160S系列三相整流桥模块，采用玻璃钝化芯片。
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【产品】SOT-563封装的开关二极管BAS16V，反向不重复峰值电压100V，工作结温范围-55℃至+150℃
扬杰科技推出的开关二极管BAS16V采用SOT-563封装，具有开关速度快、高电导、表面贴装型封装适用于自动贴片设备等特点。在Ta=25℃时，反向不重复峰值电压VRM为100V，平均整流输出电流IO值为0.2A，工作结温范围-55至+150℃。
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