耗尽型MOSFET的替代选型：ARK（方舟微）DMZ42C10S更低导通电阻，以及更大电流能力，可靠性高
发布时间：
2025-04-04
类型：
器件选型
品牌：
方舟微（ARKMICRO）
型号：
DMZ42C10S
ARK（方舟微）推出的DMZ42C10S是一款耐压100V的N沟道耗尽型MOSFET，其采用SOT-23封装，参数定义范围与Infineon BSS169基本一致。相较于竞品，该器件具备更低的导通电阻和更大的电流能力，能够有效降低直通状态下的电压降，适用于DAC芯片供电、过压保护及恒流限流等场景，实现对BSS169的高性能替代。ARK在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务，平台提供该品牌产品的正品保障，型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价，且库存充足。同时，平台配备专职FAE团队，可提供选型、设计、调试、验证等技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购与服务支持，有助于缩短供应链响应周期，加速产品上市。
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方舟微官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是方舟微的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
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专注耗尽型MOSFET设计——方舟微（ARK）
方舟微（ARK）成立13年来，专业从事功率半导体器件的研发、设计、生产与销售，并提供电源管理、电路保护解决方案，是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。方舟微产品一直从设计、生产工艺、选材等坚持严格的品质管控、严苛的考核标准，使器件具有高品质。
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现货平台 / 方舟微 授权代理店
| 订货型号 | DMZ42C10S | 品牌 | 方舟微 |
| 型号系列 | DMZ42C10S | 品类 | 耗尽型MOSFET |
| 描述/说明 | 耗尽型MOSFET_N-Channel_100V_6Ω_0.09A_SOT-23 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | 卷盘 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| BVDSX | 100V | RDS(ON) (Max.) | 6Ω |
| ID | 90mA | Operating Temperature Range | -55℃~150℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格：
￥0.4368
库存：
0
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| 订货型号 | DMZ6005E | 品牌 | 方舟微 |
| 型号系列 | DMZ6005E, SOT-23 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 耗尽型MOSFET_N Channel _600V_700Ω_0.02A_SOT-23 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥0.3564
库存：
55
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| 订货型号 | DMZ6005EH | 品牌 | 方舟微 |
| 型号系列 | DMZ6005EH | 品类 | 耗尽型MOSFET |
| 描述/说明 | 耗尽型MOSFET_N Channel Depletion Mode_600V_0.02A_0.5W_SOT-23 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 击穿电压(V) | 600 | 额定电流(A) | 0.02 |
| 阈值电压(V) | -1.96~-2.39 | 导通电阻典型值(Ohm) | 500 |
| 导通电阻最大值(Ohm) | 700 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥0.7357
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50
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| 订货型号 | DMZ1315EL | 品牌 | 方舟微 |
| 型号系列 | DMZ1315EL | 品类 | 耗尽型MOSFET_N-Channel |
| 描述/说明 | 130V_30Ω_0.1A_SOT-23 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 |
授权代理商：
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￥0.4598
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50
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| 订货型号 | DMZ1521E | 品牌 | 方舟微 |
| 型号系列 | DMZ1521E | 品类 | 耗尽型MOSFET_N-Channel |
| 描述/说明 | 150V_15Ω_0.2A_SOT-23 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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￥0.4506
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50
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| 订货型号 | DMZ1015E | 品牌 | 方舟微 |
| 型号系列 | DMZ1015E | 品类 | 耗尽型MOSFET_N-Channel |
| 描述/说明 | 100V_30Ω_0.1A_SOT-23 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 |
授权代理商：
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价格：
￥0.4023
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50
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| 订货型号 | FTZ30P35G | 品牌 | 方舟微 |
| 型号系列 | FTZ30P35G | 品类 | 增强型MOSFET_P-Channel_ |
| 描述/说明 | 350V_30Ω_0.2A_SOT-23 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 |
授权代理商：
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￥2.8736
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| 订货型号 | DMZ1315E | 品牌 | 方舟微 |
| 型号系列 | DMZ1315E | 品类 | 耗尽型MOSFET_N-Channel |
| 描述/说明 | 130V_30Ω_0.1A_SOT-23 | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥0.4598
库存：
0
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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加工定制
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
立即提交 位移传感器量程定制 >>
可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
立即提交 粘结钕铁硼磁铁定制 >>
资料平台
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DMZ42C10S 100V N沟道耗尽型功率MOSFET
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ARK 专业设计耗尽型 MOSFET 系列产品
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600V N沟道耗尽型功率MOSFET
2025/08/27
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60V N沟道耗尽型功率MOSFET
2026/02/19
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60V N沟道耗尽型功率MOSFET
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100V N沟道耗尽型功率MOSFET
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100V N沟道耗尽型功率MOSFET
2025/08/27
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技术论坛
耗尽型 MOSFET 与 JFET 的 D、S 管脚一样具有对称性吗？
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
DMZ42C10S/DMZ6012E/DMZ1015E PD Fast Charging Solutions
This article introduces the domestic alternative solutions ARK DMZ42C10S/DMZ6012E/DMZ1015E for 140W/240W PD fast charging. No need to change the PCB design, just replace directly!
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方舟微DMZ42C10S/DMZ6012E/DMZ1015E耗尽型MOSFET快充应用介绍
本文介绍ARK（方舟微）140W/240W PD快充国产替代方案DMZ42C10S/DMZ6012E/DMZ1015E，无需更改PCB设计，直接替换！
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方舟微耗尽型MOSFET在智能变送器、压力传感器等各类传感器的应用
在智能变送器、压力传感器等各类传感变送方案的数模转换电路中，常使用耗尽型MOSFET给DAC芯片供电并提供过压保护，可直接将较高环路电压转换为稳定的低电压。能在复杂的电磁环境中抵抗较大的瞬变电压干扰，有效抑制电路浪涌，为DAC芯片提供过压保护。
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Depletion-Type MOSFETs For Intelligent Sensor and Smart Transmitter
In the digital-to-analog conversion circuits of various sensing and transmission schemes such as smart transmitters and pressure sensors, depletion-type MOSFETs are often used to supply power to the DAC chip and provide overvoltage protection. In the power supply and protection solution of the loop power supply type 4-20mA digital-to-analog converter (DAC), the DMZ42C10S, DMX1072, and DMX4022E developed by ARK can achieve Pin-to-Pin substitution.
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智能传感器、变送器系列N沟道耗尽型MOSFET，具有极低的泄漏电流和优异的热稳定性
在智能变送器、压力传感器等各类传感变送方案的数模转换电路中，常使用耗尽型MOSFET给DAC芯片供电并提供过压保护，在环路供电型4~20mA数模转换器（DAC）的供电及保护方案中，ARK（方舟微）研发的DMZ42C10S、DMX1072、DMX4022E可对Infineon的BSS169实现Pin-to-Pin替代。
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基于方舟微DMZ42C10S N沟道耗尽型MOSFET的智能变送器电路设计
方舟微DMZ42C10S系列N沟道耗尽型MOSFET在智能变送器，工业自动化、汽车电子、物联网等领域的传感器、变送器中的应用。具有优异的热稳定性，超低泄漏电流，2Ω（Typ.）低导通电阻，BVDSX＞100V高耐压，切换速度极快等特点。
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突破工业接口壁垒！ ARK（方舟微）DMZ42C10S耗尽型MOSFET让PLC“万能适配“成为现实！
PLC与驱动器、传感器间的多电压接口壁垒仍困扰着85%的制造企业。方舟微DMZ42C10S耗尽型MOSFET + 自适应限流电路为工业自动化升级中PLC接口兼容性难题提供解决方案。 DMZ42C10S导通电流530mA能从容应对工业标准电流输出要求；导通电阻典型值2Ω，功耗低、发热小；耐压值100V助力轻松应对工业环境电压波动。
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方舟微15mΩ超低电阻N沟道耗尽型MOS DMB34C06A/DMB16C20A，有效增强系统安全性
ARK（方舟微）研发的超低导通电阻耗尽型MOSFET系列产品，15mΩ超低导通电阻，平面工艺设计，可靠性高 。DMB34C06A具备常开导通、低导通电阻和高通流能力等特点，非常适用于储能电容的短路保护设计，可有效增强系统安全性。DMB16C20A导通电阻低、通流能力强。系统上电时，凭借其常通特性，可为负载电路提供所需电流，并同时对储能电容充电。
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恒流保护系列N沟道450V高压耗尽型MOSFET，具有ESD增强设计，保障系统安全可靠运行
ARK（方舟微）研发的DMD4523E高压耗尽型MOSFET产品，ESD增强设计，低导通电阻：RDS(on)＜2Ω 。在具备强抗浪涌能力的电压调节方案中，可有效抑制电路中的浪涌，将输入高电压转换为稳定的低电压，从而保障传感器系统在高压浪涌冲击下仍能安全可靠运行。
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超高耐压N沟道耗尽型MOS系列，850V~1200V超高耐压，用于高压电源PWM IC启动供电
许多电源系统的工作电压超过600V，且需在较宽的电压范围内稳定运行，因此PWM IC需在高电压、宽范围条件下完成启动。ARK（方舟微）研发的850V和1200V耗尽型MOSFET，特别适合用于高压电源PWM IC的启动供电。
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静态电流＜20μA！ARK（方舟微）高压集成稳压器，集成温度补偿与高耐压！
ARK（方舟微）基于专利MOSovp®技术，推出AKZ16V18R、AKZ25V19R和AKZ35V20R三款高压集成稳压器（HVIR），专为宽输入电压场景设计。该系列产品静态电流均低于20μA，集成温度补偿电路，具备优异的温度特性和高可靠性。通过内部集成的高耐压N沟道耗尽型MOSFET，实现快速瞬态响应和高效浪涌抑制，可为负载提供稳定的电压输出与过压保护。
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ARK（方舟微）850V系列硅基高压N沟道耗尽型MOSFET，填补国内高压产品空白
ARK（方舟微）推出的850V系列产品，是一款自主研发的硅基高压N沟道耗尽型MOSFET。基于ARK（方舟微）自有的先进平面工艺设计，可靠性高，性能优异，具备高 ESD 防护能力，并采用小尺寸封装。填补了国内高压（600V以上）领域耗尽型MOSFET的产品空白。
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如何选型？方舟微600V N沟道耗尽型MOSFET产品系列关键参数解析（二）DMS40R60A
ARK（方舟微）最新推出了600V N沟道耗尽型MOSFET系列产品，采用先进的平面工艺设计，可靠性高，性能优异，是实现过流、过压保护的优选元件。对该系列三款产品的参数特性及典型应用进行介绍，本文介绍DMS40R60A产品。
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如何选型？方舟微600V N沟道耗尽型MOSFET产品系列关键参数解析（三）DMS60R60A
ARK（方舟微）最新推出了600V N沟道耗尽型MOSFET系列产品，采用先进的平面工艺设计，可靠性高，性能优异，是实现过流、过压保护的优选元件。对该系列三款产品的参数特性及典型应用进行介绍，本文介绍DMS60R60A产品。
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如何选型？方舟微600V N沟道耗尽型MOSFET产品系列关键参数解析（一）DMS04R60A
ARK（方舟微）最新推出了600V N沟道耗尽型MOSFET系列产品，采用先进的平面工艺设计，可靠性高，性能优异，是实现过流、过压保护的优选元件。对该系列三款产品的参数特性及典型应用进行介绍，本文首先介绍DMS04R60A产品。
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国产替代新突破 - ARK（方舟微）耗尽型MOSFET赋能碳纳米管冷阴极电源电路新革新
ARK（方舟微）公司自主设计研发并于2025年重点市场推广1200V N沟道耗尽型MOSFET产品DMD10R120A，采用 ARK-DMMOS-H 工艺，实现更小芯片体积，同时具有业界领先的低导通电阻和高耐压可靠性；有助于降低损耗，提高电源效率。可广泛应用于医疗CT检测设备、工业DR检测设备，以及安全X射线源等应用场景中。
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方舟微基于专利MOSovp®技术AKZ25V19R/AKZ35V20R高压集成稳压器/过压保护器系列，专为宽输入电压设计
AKZ25V19R/AKZ35V20R是ARK（方舟微）基于专利MOSovp®技术开发的一款高压集成稳压器（HVIR），专为宽输入电压场景设计。静态电流低于20μA，同时集成了温度补偿设计，具有优异的温度特性。该产品通过内部集成的高耐压N沟道耗尽型MOSFET，具备快速瞬态响应和高效浪涌抑制，可为负载提供稳定的电压输出和可靠的过压保护。
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方舟微AKZ16V18R基于专利MOSovp®技术开发的180V高压集成稳压器，为负载提供稳定的电压输出和可靠的过压保护
AKZ16V18R是ARK（方舟微）基于专利MOSovp®技术开发的一款高压集成稳压器（HVIR），专为宽输入电压场景设计。其输入电压高达180V，典型输出电压为16.5V@1mA，静态电流低于20μA，同时集成了温度补偿设计，具有优异的温度特性。该产品通过内部集成的高耐压N沟道耗尽型MOSFET，实现了快速瞬态响应和高效浪涌抑制，可为负载提供稳定的电压输出和可靠的过压保护。
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一文了解MOSFET分类、工作原理及工作区域
MOSFET，全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种利用电场效应来控制导通和关断的晶体管，广泛应用于电子电路中。本文介绍MOSFET概念、分类、工作原理及工作区域。
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耗尽型 MOSFTE 相关知识点及应用介绍
本文介绍了MOSFET的基本知识，包括半导体的导电原理、MOSFET的类型（N沟道、P沟道、增强型、耗尽型）及其工作原理。重点阐述了N沟道耗尽型MOSFET的特点和应用，如传感器芯片供电与保护、固态继电器、PWC IC启动电路等。此外，还讨论了耗尽型MOSFET在消费类和工业类领域的其他应用，如直接给电源IC供电、搭配LDO供电、稳压电路、过流保护和过压保护等。
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耗尽型（Depletion-Mode）MOSFET简介
本文介绍了N沟道耗尽型功率MOSFET（Depletion-Mode MOSFET）的结构、工作原理和应用优势。文章详细阐述了耗尽型MOSFET的选型标准，包括击穿电压、导通电流和截止电压等关键参数。此外，文章还通过多个实际应用案例，如电流源、逆变器、离线开关模式电源、电压斜坡发生器、线性电压调节器和电流监测电路等，展示了耗尽型MOSFET在不同电路设计中的应用。
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浅析耗尽型MOS在变送器AD421中的供电与保护（2）
近年来，耗尽型MOSFET（Depletion-Mode MOSFET）日益受到重视，广泛应用于固态继电器（NC继电器）、“常闭”开关、恒流源、恒压源和开关电源等设备中。本系列文章中方舟微将为大家浅析耗尽型MOS在变送器AD421中的供电与保护。
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浅析耗尽型MOS在变送器AD421中的供电与保护（1）
具有ESD保护功能的耗尽型MOSFET代替JFET器件和普通耗尽型MOSFET，能有效抑制各种干扰，极大提高整个系统的稳定性和安全性。本文中方舟微将为大家浅析耗尽型MOS在变送器AD421中的供电与保护。
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【技术】解析N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势
本文方舟微将介绍目前行业最新的N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势，同时与应用工程师共同探讨关于Depletion-Mode MOSFET在不同应用环境中的选型问题。
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【产品】连续工作电流达100A的N沟道耗尽型MOSFET DMZ1511E，采用SOT-23封装
方舟微推出了一款N沟道耗尽型MOSFET， 型号为DMZ1511E，该器件采用SOT-23封装，支持100mA连续工作电流，器件可用于电源管理，同步整流，恒流电路等应用场合。
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关于充电桩，工业车辆领域的N沟道耗尽型MOSFET
Supertex.inc的DN3545和ARK（成都方舟微电子有限公司）的DMS4022/DMX4022均为N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管，具有高输入电阻、低输入电容、快速开关速度等特性，适用于充电桩、工业车辆等领域。DN3545参数对标，DMS4022/DMX4022可替代DN3545，已应用于多个领域，具备高可靠性和稳定性。
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【应用】方舟微耗尽型MOSFET用于智能变送器，可实现高电压供电，有效抑制浪涌或瞬态干扰
方舟微DMX1072或DMS4022耗尽型MOSFET用于智能变送器，给环路供电型4mA~20mA数模转换电路AD421供电，可实现高电压供电，有效抑制浪涌或瞬态干扰，保证系统安全、正常工作。
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Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的800V N沟道耗尽型MOSFET
本文介绍Littelfuse推出的CPC3981Z耗尽型MOSFET，采用改进型SOT-223-2L封装，具有更大引脚间距和爬电距离，适用于高电压应用。该产品支持800V额定阻断电压，适用于工业、能源、电信和LED照明等多个领域，有助于提升电路可靠性并降低成本。
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【经验】浅析MOS开关管的基础知识、开关特性和选用PMOS作为控制开关时的应用
MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。本文浅析MOS开关管的基础知识、应用和开关特性。
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【经验】解析如何选择最适合的MOS管驱动电路
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。本文SLKOR主要解析如何选择最适合的MOS管驱动电路。
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耗尽型MOSFET在工业传感器、智能变送器中的应用
本文介绍了耗尽型MOSFET在工业传感器和智能变送器中的应用。文章首先阐述了耗尽型MOSFET的分类、工作原理和特点，随后详细说明了如何利用耗尽型MOSFET构建高电压调节器和恒流源，并强调了其在抑制瞬态电压和浪涌电流方面的优势。最后，文章以成都方舟微电子有限公司的DMX1072和DMS4022两款耗尽型MOSFET为例，展示了其在智能变送器中的应用，并介绍了公司的产品和技术优势。
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