鲁光LGE3D10065G 650V碳化硅二极管，不受反向恢复限制，可以实现MHz级别高频开关
发布时间：
2025-11-11
类型：
产品，产品介绍、产品概述、关键特性
品牌：
鲁光电子（LGE）
型号：
LGE3D10065G
在追求更高效率、更高功率密度和更高工作温度的现代电力电子领域，碳化硅应运而生，成为推动下一代功率转换系统发展的关键。鲁光电子推出的LGE3D10065G，便是一款在紧凑的DFN8x8封装内集成了优异性能的碳化硅二极管，为众多高效能应用提供了理想的解决方案。
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鲁光电子官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是鲁光电子的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
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国产功率半导体知名品牌——鲁光电子（LGE)
鲁光电子（LGE)成立于2002年，是一家专注于功率半导体器件研发生产的国家高新技术企业，其TVS ，ZENER，SCHOTTKY，RECTIFIERS、FRED，TRANSISTOR、MOS、IGBT等半导体器件广泛应用于各领域，主要产品获得美国UL安全认证，并符合最新欧盟RoHS、REACH要求。
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现货平台 / 鲁光电子 授权代理店
| 订货型号 | LGE3D10065G | 品牌 | 鲁光电子 |
| 型号系列 | LGE3D10065G | 品类 | SiC Schottky Diode |
| 描述/说明 | DFN8×8 SiC Schottky Diode,VF（V）Typ:1.5,IF（A）:10 | 封装/外壳/尺寸 | DFN8×8 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | 卷带包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VF（V）Typ | 1.5 | IF（A） | 10 |
| Typ IR（µA） | 10 | VR（V） | 650 |
| QC（nC） | 23 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | LGE3D30065H | 品牌 | 鲁光电子 |
| 型号系列 | LGE3D30065H | 品类 | 碳化硅二极管 |
| 描述/说明 | 碳化硅二极管,175°C Operating Junction Temperature,Replace Bipolar with Unipolar Device,Essentially No Switching Losses | 封装/外壳/尺寸 | TO-247-2 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | 卷带包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VRRM | 650V | VRSM | 650V |
| IFSM | 210A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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加工定制
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
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可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品，尺寸：0.6*0.3mm-3.2*2.7mm，波长：405-940nm，亮度：24-750mcd，电压：1.5-3.5V。
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资料平台
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LGE3D10065G碳化硅肖特基二极管
Revision:20230210
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LGE3D10065G碳化硅肖特基二极管
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ES2AB-ES2KB 2.0 安培。表面贴装超快速整流器。
20230810-P2
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LGE2312 N沟道增强型功率MOSFET
Revision:20170701-P1
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S2AB..S2YB表面贴装硅整流二极管
Revision:20170701-P1
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S1AB-S1YB 1.0Amp.表面贴装整流器
Revision:20230809-P1
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FM4001-FM4007 1.0A表面贴装通用整流器
Revision:20230810-P1
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FM4001-FM4007 1.0A表面贴装通用整流器
20230810
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DSR0.5A~DSR0.5M表面贴装标准整流器
Revision:20230810-P1
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SM4001-SM4007表面贴装整流器
Revision:20230809-P1
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SM4001-SM4007表面贴装整流器
20230809
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SM513-SM2000表面贴装整流器
Revision:20230809-P2
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SM513-SM2000表面贴装整流器
20230809
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应用/方案
鲁光焊机专用LGE3D40030H碳化硅二极管，反向恢复电荷趋近于零
在现代电力电子领域，追求更高效率、更高功率密度和更高工作温度已成为不可逆转的趋势。鲁光电子推出的LGE3D40030H正是一款基于先进碳化硅技术的碳化硅二极管，以其卓越的特性，成为众多高效能电源设计的理想选择。
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LGE3D20065A：鲁光650V/20A碳化硅二极管，应对工业级应用游刃有余
在追求高效能、高可靠性的现代电力电子领域，以碳化硅为代表的第三代半导体材料正扮演着越来越关键的角色。鲁光电子推出的LGE3D20065A碳化硅二极管，正是这一技术趋势下的代表性产品，以其卓越的性能参数，为众多高效能应用场景提供了理想的解决方案。
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鲁光 LGE3D20065A 碳化硅二极管，近乎零的反向恢复时间与电荷
鲁光LGE3D20065A碳化硅二极管具备650V/20A额定规格、零反向恢复开关特性、1.7V正向压降及-55°C~+175°C工作结温，适用于工业电源、能源转换、电机驱动和不间断电源等高频高效场景。
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鲁光 LGE3D10120A 碳化硅二极管，具有1200V的耐压、10A的电流能力
鲁光LGE3D10120A碳化硅二极管采用先进碳化硅技术，具备高效率、高频率及高可靠性特性，适用于工业电源、新能源发电、充电桩及电机驱动、UPS等领域，提升系统性能。
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鲁光1200V耐压LGE3D20120H碳化硅二极管，为工业级应用提供充足的安全裕量
在现代电力电子领域，对高效率、高功率密度和高可靠性的追求。碳化硅作为新一代的宽禁带材料，正以其卓越的性能，逐步取代传统硅基器件，成为实现这一目标的关键。鲁光推出的LGE3D20120H 碳化硅二极管，便是这一技术浪潮中的很受一款产品，广泛应用于各种高效功率转换场景。
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鲁光 LGE3D20120H 碳化硅二极管：1200V耐压，零反向恢复，为高效功率转换应用提供理想选择
鲁光LGE3D20120H碳化硅二极管具备1200V耐压、20A电流、零反向恢复及175°C高温工作能力，适用于高频开关电源、光伏逆变器、UPS和工业变频器等高效功率转换场景，提升系统效率与功率密度。
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鲁光650V/6A碳化硅二极管LGE3D06065N，高效能电源设计的理想选择
在追求更高效率、更高功率密度和更高工作温度的现代电力电子领域，碳化硅半导体技术正扮演着越来越重要的角色。鲁光电子推出的LGE3D06065N 是一款采用紧凑的DFN5*6封装的碳化硅二极管，以其卓越的性能，成为众多高效能电源设计的理想选择。
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鲁光 LGE3D06065N 碳化硅二极管，采用紧凑的DFN5*6封装
鲁光LGE3D06065N是一款采用DFN5*6封装的碳化硅二极管，具备零反向恢复、快速开关和优异温度特性，适用于高频高效场景。广泛用于服务器电源、光伏逆变器、OBC充电机及工业电机驱动等高功率密度应用，显著降低开关损耗，提升系统效率。
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鲁光650V DFN紧凑型碳化硅二极管LGE3D06065N，众多高效能电源设计的理想选择
在追求更高效率、更高功率密度和更高工作温度的现代电力电子领域，碳化硅半导体技术正扮演着越来越重要的角色。鲁光电子推出的LGE3D06065N是一款采用紧凑的DFN5*6封装的碳化硅二极管，以其卓越的性能，成为众多高效能电源设计的理想选择。
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鲁光LGE3D30120H标准TO-247AC封装碳化硅二极管，可以实现数百kHz甚至MHz级别的高频开关
在追求高效率、高功率密度和高可靠性的现代电力电子世界中，碳化硅技术正以前所未有的速度取代传统硅基器件。鲁光电子推出的 LGE3D30120H，便是一款采用标准TO-247AC封装的碳化硅肖特基二极管，它以其卓越的性能，成为中大功率应用领域升级换代的理想选择。
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揭秘鲁光LGE3D20065D碳化硅二极管：650V高压加持，新能源与工业领域的理想之选
在半导体器件不断演进的进程中，碳化硅（SiC）二极管凭借其卓越的性能优势，逐渐成为众多高要求应用领域的关键组件。鲁光 LGE3D20065D SiC 二极管作为该领域的一款典型产品，在高频开关电源、新能源发电系统、工业电机驱动应用场景中发挥重要作用。
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从快充到光伏，鲁光LGE3D10065F碳化硅二极管解锁多领域高效应用
鲁光LGE3D10065F碳化硅二极管以10A/650V的精准参数定位，填补了中小功率碳化硅应用的空白。其低损耗、高频化、小型化特性，不仅为消费电子快充、工业辅助电源等领域提供了高效解决方案。在碳化硅器件逐步普及的趋势下，LGE3D10065F凭借性能与成本的平衡优势，有望成为中小功率电力电子系统的优选器件。
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森国科创新推出PDFN8*8结合Cu-Clip封装碳化硅二极管，实现高功率密度新突破
森国科推出PDFN8*8结合Cu-Clip封装的碳化硅二极管，实现高功率密度突破，适用于新能源汽车、光伏逆变器等高功率密度场景。
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碳化硅二极管（SiC Diode）的特点和应用
碳化硅二极管凭借其高压、高温、高频和高效率特性，正在逐步替代硅基器件，成为下一代电力电子系统的核心元件，尤其在电动汽车、可再生能源等领域展现优势。
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650V平台碳化硅二极管的应用
碳化硅（SiC）二极管，作为第三代半导体材料的应用之一，因其更高的热导率、更高的临界击穿电场以及更高的电子饱和漂移速度，在电力电子领域展现出卓越的性能和广泛的应用前景。
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碳化硅二极管与大功率PD快充：利用SiC和GaN等材料，提高充电功率，满足市场对轻薄热的需求
随着业界对电源功率密度和整机效率的追求，主动式PFC需要提高工作频率来减小磁芯体积，这为碳化硅 (SiC) 二极管在PFC上的应用创造了有利条件。
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探讨碳化硅二极管的优势有哪些
通常大家所用的基本都是以硅为原料的二极管，但是最近比较热门的碳化硅二极管是用碳化硅为原料的二极管。目前常见的多为高压的肖特基碳化硅二极管，其优点：反向恢复特性很好，媲美肖特基硅二极管。但是可以做高压的二极管。在PFC中已有较多应用。缺点：正向导通压降比较大。还有一点与硅二极管不同的是其导通压降随温度上升反而增大。
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【经验】碳化硅二极管对比硅二极管之8大优势
碳化硅作为第三代半导体材料，可实现以前使用硅无法实现的许多高功率应用。650V/1200V碳化硅肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用，可应对高电压和高电流应用的挑战。那么碳化硅二极管和硅二极管相比，哪些优势？
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【技术】澎芯碳化硅二极管在各领域的应用优势介绍
澎芯半导体是一家专注于碳化硅（SIC）功率半导体器件研发的高科技芯片公司，专业从事SIC功率器件的研发与产业化。如今碳化硅二极管在各个领域的应用优势主要如下。
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【产品】漏源电压VDS最大1200V的碳化硅二极管CL3M100N1200MK-62，阻断电压高，易于并联使用
长联半导体推出的1200V碳化硅二极管CL3M100N1200MK-62，漏源电压VDS最大为1200V（VGS=0V，ID=200μA的测试条件下）具有高阻断电压，低导通电阻RDS典型值为20mΩ，低电容高速开关的特点，易于并联使用，驱动简单。
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【应用】绿能芯创650V/10A碳化硅二极管GT1A6D065N用于服务器电源，IFSM可达110A
绿能芯创650V/10A碳化硅二极管GT1A6D065N用于某客户的1100W服务器电源前端PFC，IFSM值可达110A，耐冲击性比较好；在230Vac输入，满载时效率大于95%；115Vac输入，满载时效率大于93%，有效提高工作频率和电源使用效率。
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【产品】1200V碳化硅二极管MSD02120V1采用TO-252（DPAK）封装，连续正向电流最大9.5A
美浦森推出的MSD02120V1是一款1200V碳化硅二极管，采用TO-252（DPAK）封装，具有恢复时间短、开关速度快、工作频率高等特点，拥有更高的过电压安全裕度、比硅二极管替代品更高的效率、基本无开关损耗等优势。
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【应用】基本半导体650V/10A的碳化硅二极管B1D10065KF用于PFC，实测效率92.11%
基本半导体650V/10A的碳化硅二极管B1D10065KF，主要用在PFC电路上D5位置，启动续流防反的效果。笔者在一款矿机产品中采用B1D10065KF实测的效率数据是92.11%，相比于A公司的91.49%和B公司的92.00%，实测效率更高，产品更具高性能优势。
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【应用】1200V、20A碳化硅二极管LSIC2SD120A20应用于光伏逆变器的升压电路
本文推荐Littelfuse的1200V、20A碳化硅二极管产品LSIC2SD120A20用于光伏逆变器的升压电路。LSIC2SD120A20的结温温度范围均为-55°C-175°C，符合军工级器件的温度要求，能够适应苛刻的温度环境。反向漏电流典型值为不超过1uA，因此在反向截止状态时LSIC2SD120A20具有较低的电能消耗，使整个电路效率更高。
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现货替换Cree碳化硅二极管C4D10120D，C4D15120D，C4D20120D， C4D30120D价格便宜5%
LITTELFUSE碳化硅二极管可替换Cree碳化硅二极管C4D10120D，C4D15120D，C4D20120D，
C4D30120D，C4D40120D，且货期较短，价格较Cree碳化硅二极管C4D10120D，C4D15120D，C4D20120D，
C4D30120D，C4D40120D便宜5% 。
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森国科突破性推出SOD123封装1200V/1A碳化硅二极管
森国科成功推出采用SOD123封装的1200V/1A碳化硅二极管，突破传统高压器件封装限制，适用于高频ACF电路、小功率适配器等多种场景。
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碳化硅二极管JBS和MPS物理机制和应用场景的区别
在实际应用中，需根据具体的电路要求和工作条件来选择使用JBS二极管或MPS二极管，以达到最佳的性能和效果。同时，随着技术的不断进步，碳化硅二极管的性能还在不断提升，市场也在持续发展和变化。
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【产品】1200V碳化硅二极管CL3M036N1200MK3-B，具有高阻断电压、低导通电阻，易于并联使用
长联推出的1200V碳化硅二极管CL3M036N1200MK3-B，具有高阻断电压，低导通电阻RDS典型值为80mΩ，低电容高速开关的特点，易于并联使用，驱动简单。用于不间断电源、充电桩、电机驱动和开关电源。
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【应用】绿能创芯1200V/20A碳化硅二极管可用于光伏逆变器，减少器件损耗，提高整机效率
绿能芯创GT1A2D120R（碳化硅二极管 1200V20A TO247-2 ）在客户的10kW光伏逆变器系统的升压BOOST部分二极管与1200V/30A硅基的快恢复二极管进行了整机效率对比以及开关损耗测试。
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【产品】1200V碳化硅二极管MSP05120G1，恢复时间短
美浦森（Maplesemi）推出的碳化硅二极管MSP05120G1，具有恢复时间短，可以进行高速开关，高频操作等特点，反向重复峰值电压VRRM为1200 V，工作结温和储存温度为-55 至 +175 ̊ C。此外，该器件有更高的过压安全裕度，提高了所有负载条件下的效率，与硅二极管替代品相比，效率提高，降低了散热器需求，基本没有开关损耗，可应用于开关电源，功率因数校正，电机驱动，HID照明等领域。
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瞻芯电子碳化硅二极管批量助力麦格米特充电模块制造
2019年底瞻芯电子的碳化硅二极管产品系列在深圳麦格米特电气股份有限公司认证通过并启动小批量验证试产。经过半年的生产实践，麦格米特同意瞻芯电子该产品系列在充电模块产品线上可逐步全方位替代进口器件，进入批量采购阶段。
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Cree碳化硅二极管替换，货期更短，价格便宜5%
LITTELFUSE碳化硅二极管可替换Cree碳化硅二极管，货期较Cree 碳化硅二极管更短，价格较Cree 碳化硅二极管便宜5%，性能也较Cree碳化硅二极管优越。世强是LITTELFUSE官方授权代理商，大量现货，供货稳定，且LITTELFUSE碳化硅二极管已获得市场上大量客户使用验证，性价比高。
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森国科先后推出650V、1200V的碳化硅二极管，大幅提升100W PD电源使用寿命
森国科先后推出650V、1200V的碳化硅二极管，有效提升充电效率，缩短充电时间，同保持较低的发热水平，大幅提升100W PD电源使用寿命。
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【产品】开关速度极快的1200V碳化硅二极管MSF10120G1，可应用于开关电源/功率因数矫正等领域
美浦森（Maplesemi）推出的碳化硅二极管MSF10120G1，具有恢复时间短，可以进行高速开关，高频操作等特点，反向重复峰值电压VRRM为1200 V，工作结温和储存温度为-55 至 +175 ̊ C。此外，该器件有更高的过压安全裕度，提高了所有负载条件下的效率，与硅二极管替代品相比，效率更高。可应用于开关模式电源，功率因数校正，电机驱动，HID照明等领域。
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【经验】反向电流低于1uA 碳化硅二极管LSIC2SD120A05 pin to pin替换C4D05120A
延续2017年缺货、涨价的势头，今年MOSFET、二极管、电阻、电容等元器件纷纷涨价缺货。其中碳化硅二极管供应紧张，交期持续延长。对于需要短时间内拿货，同时想要提高效率和可靠性的应用而言，Littelfuse推出经过扩展的碳化硅二极管产品LSIC2SD120A05是理想的选择，可以pin to pin替换Wolfspeed公司的C4D05120A。
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