【应用】512M bit串行Flash闪存存储器GD25S512MD用于智能电表，采用多芯片封装MCP技术具有高存储密度
发布时间：
2020-06-17
类型：
应用方案，参考设计、解决方案
品牌：
兆易创新（GigaDevice）
型号：
GD25S512MD
随着国际新标准推行及智能电表功能日益丰富，传统EEPROM已难以满足大容量电能数据存储需求，兆易创新推出的GD25S512MD系列串行Flash闪存存储器成为理想解决方案。该产品采用多芯片封装MCP技术，将两颗独立存储器堆叠封装，在低引脚封装下实现了512M bit的高存储密度。其时钟频率达104MHz，页面编程时间仅0.4ms，配合24uA的空闲功耗，能够兼顾数据的快速读写与整机低功耗要求。此外，GD25S512MD工作温度覆盖-40～85℃，支持最少10万次编程擦除周期及20年数据保留，并集成OTP锁安全寄存器与唯一128位ID，有效保障数据安全与长期可靠性。兆易创新在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务，平台提供该品牌产品的正品保障，型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。依托平台配备的专职FAE团队，用户可获得从选型、设计到调试验证的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购与服务，有助于缩短供应链响应周期，加速产品上市。
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兆易创新（Gigadevice）GD25S512MD 3.3V Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash 数据手册
Version 1.6
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GD25S512MD产品介绍
Version No1.5
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GD25S512MD 3.3V Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash
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GD25S512MD 3.3V Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash
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GD25S512MD 3.3V均匀扇区双四路串行闪存
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GD25S513MD汽车3.3V均匀扇区双四路串行闪存
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兆易创新（Gigadevice）GD25S513MD 3.3V Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash 数据手册
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GD25S513MD 3.3V Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash
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GD25S513MD 3.3V Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash
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技术论坛
摄像头模块项目，兆易创新的GD25S512MDFIGR，工作温度范围为多少？
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摄像头模块项目，需要电压范围为2.7-3.6V,封装16-pin SOP、内存为512Mb的Flash有没有合适推荐？
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请教NOR FLASH有没有一款替换掉美光JS28F512P30TFA的料？因为JS28F512P30TFA 带铅，PC那款电压不稳定
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MICRON的Nor Flash，型号MT25QL512ABB1EW9-0SIT，寻求pin2pin替代，谢谢！
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需要一款 512Mbits/1Gbits serial Nor Flash WSON8*6封装，工作电压必须是2.5V（2.3V~3.6V），看了易兆的选型手册，没有这颗芯片，请问还有其他Flash的推荐吗？易兆有没有可能生产这颗料，对标 ISSI Nor Flash IS25LP512M-JLLE。
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小基站备用电源项目，目前在用MX25L51245GMI-10G,寻找替换型号，请推荐？
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GD25S513MDYJG 和GD25S513MDYIG区别
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规划机械激光雷达项目方案，FPGA需要外置Flash存储配置文件，Flash需求：512Mb，工规，WSON8封装，有没有合适推荐？
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应用/方案
兆易创新汽车市场产品介绍
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【产品】2 x 256M-bit，3.3V均匀扇区双和四串行闪存GD25S512MD
兆易创新推出的GD25S512MD（2 x 256M-bit）串行MCP（多芯片封装）闪存基于流行的GD25B系列，将两个独立的GD25B256D堆叠成一个标准的8引脚封装。它为低引脚数封装提供了最高的存储密度，并为需要高编程和擦除数据吞吐量的应用提供串行闪存中的并发操作。
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【产品】512M bit，3.3V统一扇区大小的2线/4线SPI NOR Flash GD25S513MD
兆易创新推出的GD25S513MD（2 x 256M bit）串行MCP（多芯片封装）闪存基于流行的GD25B系列，通过将两个单独的GD25B257D芯片堆叠到一个标准的8-pin封装中。它为低引脚数封装提供最高的存储密度，并且也可以在串行闪存中对数据吞吐量要求较高的编程/擦除并行操作中应用。
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【应用】国产Nor Flash GD25Q80C用于指纹识别模块存储，容量8Mbit，读写次数超过100000次
指纹识别模块是集指纹图像的采集、识别以及身份验证结果的显示为一体，软硬件相结合的系统，需要Nor Flash来存储原始指纹数据，推荐国产兆易创新的GD25Q80C系列串行闪存存储器，存储容量8M bit，实现最少100000个程序/擦除周期，保留数据20年，是指纹识别模块数据存储应用的优秀解决方案。
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【应用】1Gbit的NAND FLASH GD5F1GQ4UBYIGR用于电能质量分析仪表数据存储，实现可靠性存储
随着智能电能表的发展,需要存储的数据量日益增大,在笔者项目设计中选用了兆易创新1Gbit 的NAND FLASH GD5F1GQ4UBYIGR作为数据的存储空间。超高性价比、高密度的非易失性存储器GD5F1GQ4UBYIGR，对外提供的是SPI接口，总管脚数为8，显著低于并行NAND管脚数，此低管脚数NAND闪存遵循行业标准串行外围接口，并且始终保持从一个密度到另一个密度的相同管脚。
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【产品】2G bit容量GD5F2GQ5xExxG系列SPI NAND Flash，具有卓越的写入性能
兆易创新(Gigadevice)公司新推出的 GD5F2GQ5xExxG系列 SPI（串行外设接口）NAND闪存为嵌入式系统提供了超高性价比的高容量非易失性存储器存储解决方案，基于业界标准的NAND闪存内核。它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存富有吸引力的替代品，具有以下先进功能，总引脚数为8，包括VCC和GND，容量为2G bit
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【产品】GD5F2GQ5xFxxH系列2G bit SPI NAND Flash，超高性价比的高容量非易失性存储器
兆易创新(Gigadevice)公司新推出的 GD5F2GQ5xFxxH系列 SPI（串行外设接口）NAND闪存为嵌入式系统提供了超高性价比的高容量非易失性存储器存储解决方案，基于业界标准的NAND闪存内核。它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存富有吸引力的替代品，具有以下先进功能：总引脚数为8，包括VCC和GND；容量为2G bit；具有卓越的写入性能；显著低于并行NAND闪存的成本。
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【产品】4G bit容量SPI NAND Flash GD5F4GQ6xExxG系列，成本显著低于并行NAND闪存
兆易创新(Gigadevice)公司新推出的 GD5F4GQ6xExxG 系列 SPI（串行外设接口）NAND闪存为嵌入式系统提供了超高性价比的高容量非易失性存储器存储解决方案，基于业界标准的NAND闪存内核。它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存富有吸引力的替代品，具有以下先进功能：总引脚数为8，包括VCC和GND。
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【产品】2G bit SPI NAND闪存GD5F2GQ5xExxH，具有卓越写入性能和SPI-NOR相同的每比特成本
兆易创新(Gigadevice)公司新推出的 GD5F2GQ5xExxH系列 SPI（串行外设接口）NAND闪存为嵌入式系统提供了超高性价比的高容量非易失性存储器存储解决方案，基于业界标准的NAND闪存内核。它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存富有吸引力的替代品，具有以下先进功能：总引脚数为8，包括VCC和GND
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【产品】SPI串行FLASH闪存存储器GD5F2GQ4系列，宽工作电源，存储空间2Gb
兆易创新(Gigadevice)GD5F2GQ4系列SPI串行FLASH闪存存储器，共包含12个型号，工作电压满足单电源1.7-2.0V或2.7V-3.6V，超宽工作电压范围，应用范围广，符合工业级设计要求。存储容量2G位，支持SPI规范中 MODE 0和MODE 3两种模式，SPI总线速率最高达120MHz，耐久性支持100K编程/擦除周期，存储数据可以保存10年不丢失。
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【产品】待机电流仅0.1uA的串行FLASH存储器GD25Q16C，支持双/四路SPI
GD25Q16C（16M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP＃）和I/O3（HOLD＃）。双I/O接口数据传输速度为240Mbits/s，四路I/O和四路输出数据以480Mbits/s的速度传输。
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【产品】存储容量高达4 Gb的GD5F4GQ4xCxIG系列国产SPI NAND闪存存储器
兆易创新推出GD5F4GQ4xCxIG系列的SPI（串行外设接口）NAND闪存存储产品， SLC NAND闪存容量大小范围为4 Gbit，读取和编程页空间大小高达4096字节备用空间大小256字节。SPI分为标准型、双路型和四路型接口。该系列产品具有高速时钟频率，30PF负载快速读取时可达120MHz，四路I / O数据传输速率高达480 Mbits / s。
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【产品】容量为4G bit的GD5F4GQ4xC 系列SPI（串行外设接口）NAND Flash闪存
兆易创新(Gigadevice)公司新推出的 GD5F4GQ4xC 系列SPI（串行外设接口）NAND闪存为嵌入式系统提供了超高性价比的高容量非易失性存储器存储解决方案，基于业界标准的NAND闪存内核。
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【产品】容量为1G bit的GD5F1GQ4xExxG 系列SPI（串行外设接口）NAND Flash闪存
兆易创新(Gigadevice)公司新推出的 GD5F1GQ4xExxG 系列SPI（串行外设接口）NAND 闪存为嵌入式系统提供了超高性价比的高密度非易失性存储器存储解决方案，基于业界标准的NAND闪存内核，是SPI-NOR和标准并行NAND闪存富有吸引力的替代品。
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【产品】容量为1G bit的GD5F1GQ4xExxS系列SPI（串行外设接口）NAND Flash闪存芯片
兆易创新(Gigadevice)公司新推出的 GD5F1GQ4xExxS 系列 SPI（串行外设接口）NAND闪存为嵌入式系统提供了超高性价比的高容量非易失性存储器存储解决方案，基于业界标准的NAND闪存内核。密度为1G bit，总引脚数为8，包括VCC和GND。
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【产品】GD5F1GQ4xBxIG系列SPI NAND Flash高容量非易失性存储器解决方案
兆易创新(Gigadevice)公司新推出的 GD5F1GQ4xBxIG 系列SPI（串行外设接口）NAND闪存为嵌入式系统提供了超高性价比的高容量非易失性存储器存储解决方案，基于业界标准的NAND闪存内核。
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【产品】容量为2Gbit的GD5F2GQ4xC系列SPI（串行外设接口）NAND闪存芯片
兆易创新(Gigadevice)公司推出的GD5F2GQ4xC系列SPI（串行外设接口）NAND闪存为嵌入式系统提供了超高性价比的高容量非易失性存储器存储解决方案，基于业界标准的NAND闪存内核。
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【产品】容量为1G bit的GD5F1GQ4xExxH系列SPI NAND Flash
兆易创新(Gigadevice)公司推出的 GD5F1GQ4xExxH 系列SPI（串行外设接口）NAND闪存为嵌入式系统提供了超高性价比的高容量非易失性存储器存储解决方案，基于业界标准的NAND闪存内核，是SPI-NOR和标准并行NAND闪存富有吸引力的替代品。
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【产品】集成业界标准NAND闪存内核的4Gbit SPI(x1/x2/x4) NAND Flash
兆易创新(GigaDevice)公司新推出的 GD5F4GQ4xBxIG 系列 SPI（串行外设接口）NAND闪存为嵌入式系统提供了超高性价比的高密度非易失性存储器存储解决方案，基于业界标准的NAND闪存内核。它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存芯片富有吸引力的替代品。
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【产品】存储密度高达2 GB的GD5F2GQ4xBxIG系列国产SPI NAND闪存存储器
兆易创新推出GD5F2GQ4xBxIG系列的SPI（串行外设接口）NAND闪存存储产品， SLC NAND闪存密度高达2GB，SPI分为标准型、双路型和四路型接口。该系列产品具有高速时钟频率，30PF负载快速读取时可达120MHz，四路I / O数据传输速率高达480Mbits / s。采用1.8V/3.3V单电源供电，最大有效电流为40mA，最大待机电流为110uA。
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【产品】GD5FxGQ4xC系列SPI NAND闪存芯片，适用于嵌入式系统，NAND Flash闪存芯片等
兆易创新(Gigadevice)公司新推出的 GD5FxGQ4xC 系列SPI（串行外设接口）NAND闪存为嵌入式系统提供了超高性价比的高密度非易失性存储器存储解决方案，基于业界标准的NAND闪存内核。
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芯炽科技深化“Analog ”战略布局，推出NOR Flash新产品SC9209串行接口 (SPI) 闪型存储器
芯炽科技深化“Analog+”战略布局，推出NOR Flash新产品SC9209。该产品为3.3V 128M-bit串行闪存存储器，支持双通道/四通道SPI及QPI接口，具备高可靠性、低延迟及宽温度范围等优势，广泛应用于消费电子、工业医疗及汽车电子等领域。
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One-Renesas存储器解决方案
Renesas提供全面的内存解决方案，涵盖低功耗SRAM、异步和同步SRAM、多端口内存、FIFO逻辑产品、EEPROM、PROM和闪存。这些产品适用于工业和通信应用，具有高可靠性、稳定供应和长期支持的特点。Renesas的内存产品包括多种类型和密度，满足不同应用的需求。
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Zetta存储器-EEPROM/NOR/NAND/DRAM
澜智集成电路（苏州）有限公司（Zetta）提供多种存储解决方案，包括SPI NOR Flash、SD-Nand和eMMC、I2C EEPROM以及DDR3L。其产品具备高性能、低功耗、高可靠性等特点，适用于工业、汽车、计算、消费电子、物联网、移动、网络和通信等多个领域。产品线涵盖不同电压、容量和封装类型，以满足不同应用需求。
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【经验】基于灵动微MM32F0140系列MCU的SPI与串行闪存存储器W25Q80通信应用指南
本文介绍Mindmotion（灵动微电子）MM32F0140系列MCU与外置FLASH W25Q80通信应用的操作流程。
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【应用】128M位串行外围接口闪存的存储芯片BY25Q128ASSIG(R)用于遥控器设计，电压范围2.7V~3.6V
在遥控器产品中，使用锂电池进行供电，通过LDO进行降压后给主控芯片供电，该方案钟使用蓝牙SOC芯片作为主控，使用蓝牙协议，信号通过无线收发器进行发射与接收。对于功能较为复杂的遥控器，还配有一Flash芯片进行功能信息的存储，推荐使用博雅的BY25Q128ASSIG(R)存储芯片。
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LPC2930FBD208 不带flash的Arm9™微控制器，带CAN、LIN和USB
LPC2930FBD208是一款不带闪存的Arm9™微控制器，集成了ARM968E-S CPU内核、高速TCM模块、全速USB 2.0控制器、CAN、LIN接口、56 kB SRAM、外部存储器接口、ADC和多种串行/并行接口。适用于消费品、工业和通信市场，具备灵活的时钟产生单元以优化功耗。
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具有SPL、双SPL、四SPI和QPL的SPIFlash存储器
Winbond的W25X和W25Q SpiFlash®多I/O存储器采用流行的串行外设接口(SPI)，密度从512K位到512M位，具有更小的可擦除扇区，并拥有行业最高的性能。W25X系列支持双SPI，有效加倍标准SPI时钟速率。W25Q系列是25X系列的“超集”，具有双I/O和四I/O SPI，以实现更高的性能。时钟速率高达104MHz，使用四SPI时相当于416MHz（50MB/s传输速率），甚至超过了异步并行闪存，同时使用更少的引脚和更少的空间。更快的传输速率意味着控制器可以直接从SPI接口执行代码（XIP），或在将代码阴影到RAM时进一步缩短启动时间。一些SpiFlash®设备提供新的四外围接口(QPI)，支持真正的四命令，以改善XIP性能并简化控制器电路。此外，新的超小型封装非常适合空间受限的移动和手持式应用。Winbond还提供W29N系列行业标准的SLC NAND产品，密度从1Gb到8Gb，以及QspiNAND，密度从512Mb到4Gb。
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MTR9833 28针8位闪存微控制器产品简介
MTR9833是一款28引脚8位闪存微控制器，具有与PIC16F726相同的引脚布局和功能。它具备35条指令，操作速度可达20 MHz，拥有8K x 14字节的闪存程序存储器和368字节的RAM。该微控制器具备中断能力、8级深度硬件堆栈，并支持直接、间接和相对寻址模式。它还具备高精度内部振荡器、1.8V至5.5V的运行电压、多种复位功能、高耐久性闪存单元和省电睡眠模式。此外，MTR9833还包含模拟和外围功能，如A/D转换器、多个定时器、捕获/比较/PWM模块、通用同步/异步接收/发送器（USART）和同步串行端口（SSP）。
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【应用】国产串行Flash闪存存储器可用于智能灯具蓝牙模块，最高时钟频率达到104MHz
推荐国产紫光青藤的串行Flash闪存存储器TH25Q-16HB-MSBK，容量16M bit，最高工作温度105 ˚C，时钟频率104MHz，SOP8封装，是智能灯具中蓝牙功能数据存储应用的优秀解决方案。
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Keysight Utility Card的闪存编程与深度串行存储器编程
本案例研究对比了Keysight Technologies的Medalist i3070系列5在电路测试仪（ICT）与实用卡闪存编程解决方案，与Teradyne ICT的深度串行内存编程解决方案在闪存编程性能上的差异。研究通过编程8 Mbits闪存设备，详细比较了Keysight和Teradyne解决方案的编程时间。此外，还展示了Keysight实用卡闪存编程解决方案如何应用于吞吐量倍增模式，以显著提高吞吐量，验证其在高产量生产环境中的可行性。
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【产品】容量64M的SPI接口NOR Flash存储器A25Q64，数据传输速率高达432M bits/s
AiT推出的A25Q64是一款64M-bit串行外围设备接口（SPI）接口的NOR Flash存储器。该闪存支持双/四SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（/WP）和I/O3（/HOLD）。Dual SPI输入/输出数据的传输速率可达240Mbits/s；Quad SPI输入/输出和四路输出数据的传输速率可达480Mbits/s。
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