【产品】基于1700V碳化硅MOSFET C2M1000170J设计的15W反激式辅助电源板CRD15DD17P
发布时间：
2019-08-19
类型：
新产品，新品发布、新器件、产品介绍
品牌：
WOLFSPEED（沃尔夫速度）
型号：
CRD15DD17P; C2M1000170J
本文将介绍Wolfspeed的15W反激式辅助电源板CRD15DD17P，该电源板是基于Wolfspeed的1700V碳化硅（SiC）MOSFET C2M1000170J设计的。该电源板能接受480VAC～530VAC或300VDC～1200VDC的输入电压，并提供12VDC的输出电压，适用于大功率、高压应用的小功率子系统的辅助电源。
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加工定制
可定制变压器电压最高4.5KV，高频30MHz；支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
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可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W； 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围：4W-60W。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
宽输入电压范围（300 Vdc-1200 Vdc）15 W反激辅助电源板
2018/06/20
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| 测试报告 - 英文 |
RoHS符合性声明RS3107022016
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
C2M1000170J碳化硅功率MOSFET C2MTM MOSFET技术
Rev. B
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| 测试报告 - 英文 |
REACh可报告物质申报MOSFET-TO-263-7->C2M1000170J、C3M0065090J、C3M0120090J、C3M0280090J
Revision: RE3107072017
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| 数据手册 - 英文 |
C2M1000170D碳化硅功率MOSFET C2MTM MOSFET技术
Rev. E
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| 测试报告 - 英文 |
MOSFET-TO-263-7 REACh可报告物质声明
1/24/2020
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| 数据手册 - 英文 |
C2M1000170D Silicon Carbide Power MOSFETC 2MTM MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement
Rev. E
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| 测试报告 - 英文 |
REACh可报告物质申报MOSFET-TO-263-7->C2M1000170J、C3M0065090J、C3M0075120J、C3M0120090J、C3M0280090J
7/16/2018
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技术论坛
和封装为TO247的C2M1000170D相比，碳化硅MOSFET C2M1000170J的优势是什么?
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如果50w开关电源上开关管选用Wolfspeed的C2M1000170J SIC MOSFET，请问对散热器有何要求？
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碳化硅MOS管1700V的背面可以直接与散热片涂导热硅脂用金属螺丝固定吗？我们一块板子在做环境高湿试验时管子炸裂。不知原因是什么？
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50w开关电源开关管需要一款1700V 5A以上的SIC MOSFET，请问是否有合适型号推荐？
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应用/方案
除了干掉双管反激电源，SiCMOSFET还能为辅助电源带来啥
双管反激电源降低了对MOSFET耐压的要求，但同时增加了功率管的数量和控制的复杂程度，使整个电源的损耗增大、效率降低。对此，CREE最新推出了最高耐压1700V、封装为TO-247的SiC MOSFET，应用在反激开关电源中只需单路开关控制。
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【应用】效率达到98.7%的低成本12KW组串式光伏逆变器
本方案源于知名企业的光伏逆变器成功案例，选取高性价比、库存充足、供货稳定的升压电路和逆变电路的功率模块，以及对应的驱动产品，可以保证12kW组串式光伏逆变器的整体功率转换效率达到98.7%。
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【方案】高效率12kW组串式光伏逆变器优选元器件方案
本方案通过采用Vincotech的升压和逆变功率模块、Silicon Labs的电容隔离驱动器件及相关的产品，相比于分立器件方案，集成度高且寄生参数小，模块效率更高，同时能够提高系统稳定性和可靠性。
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【方案】100kVA高效率APF优选元器件方案
本方案针对业内广泛使用的100kVA容量APF，主功率电路采用了I型三电平拓扑，提高了整机的开关频率（最高40kHz），功率器件采用Vincotech高集成度NPC IGBT模块以及Power Integrations高可靠性SCALE-iDriver驱动，辅助电源采用Littelfuse高耐压1700V的SiC MOS管，控制电路采用进芯电子高性能DSP。
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【方案】高效率10kw三相光伏逆变器优选元器件方案
本方案通过采用WOLFSPEED高效SIC肖特基二极管，Vincotech MNPC T字型逆变IGBT模块及相关的器件，相比于分立器件方案，集成度高且寄生参数小，模块效率更高。
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【经验】利用高速SIC MOSFET C2M1000170D实现高倍压电压脉冲
在超声波医疗仪器应用中，经常需要高电压窄脉冲电源，有时需要几千伏的电压，通常会采用倍压电路的方法得到高压，普通器件由于开关速率不高，很难产生窄脉冲，脉冲电压的上升沿和下降沿也不符合要求，本文推荐利用高速WOLFSPEED的高速SIC MOSFET C2M1000170D实现高倍压脉冲电源。
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【方案】30~80kW组串式光伏逆变器优选器件方案
该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器，采用多路BOOST升压电路，减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况，最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑，开关频率支持16kHz（最佳频率点），效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET，单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时，在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计，集成度更高。
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【技术】Wolfspeed 采用独立Kelvin驱动源极引脚封装，降低SiC MOSFET 开关损耗3.5倍
Wolfspeed 开发了两种分立SiC MOSFET 封装TO-247-4L和TO-263-7，采用独立Kelvin驱动源极引脚。，应用于SiC MOSFET，突破了传统封装对di/dt的限制，能够发挥出SiC MOSFET开关速度快和开关损耗低的特点。
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Wolfspeed（cree）CRD15DD17P（CPWR-AN22）应用指南
本文介绍了Cree公司生产的CRD15DD17P宽电压输入范围（300VDC-1200VDC）15W反激式辅助电源板。该板基于Cree的C2M1000170J硅碳化物（SiC）MOSFET，适用于高功率和高电压应用，如太阳能逆变器、储能系统和牵引应用。该板可接受480VAC-530VAC或300VDC-1200VDC输入，输出12VDC。文章详细介绍了设计规格、电气操作、性能数据、PCB布局和物料清单。
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【产品】1700V SiC MOSFETC2M1000170J，辅助电源电路显著系统成本节约方案首选
Wolfspeed继续其在碳化硅（SiC）功率器件技术的创新，打包推出了业内首个 1700V SiC MOSFET C2M1000170J，该产品提高优化表面贴装组合，以用于高压逆变电源系统辅助电源的商业使用。
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SiC mosfet
Wolfspeed SiC MOSFETs在提高电力电子逆变器系统的功率密度方面具有显著优势。这些器件具有高速切换、低导通电阻和低开关损耗，相比硅基IGBT和超级结MOSFET，能实现更高的效率和功率密度。Wolfspeed的SiC MOSFET产品基于可靠的技术平台，具有高可靠性，适用于各种应用，包括电池充电器等。资料还提供了SiC MOSFET与IGBT的对比，以及不同型号的SiC MOSFET的详细参数。
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【产品】1700V SiC功率MOSFET C2M1000170D，冷却需求更低！
针对 600V 以上的应用,科锐公司近日宣布推出了低冷却需求的 1700V 碳化硅功率 MOSFET：C2M1000170D，可提供更低的开关损耗和更高的效率；在更高的开关频率下工作时，也能有效地降低 BOM 成本；允许更低的操作温度，发热量更少。
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业内首个 1700VSIC MOS，大幅减少辅助开关电源成本
Wolfspeed推出了业内首个 1700V SiC MOSFET，该产品提高优化表面贴装组合，以用于高压逆变电源系统辅助电源的商业使用。
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【应用】C2M0080120D碳化硅MOSFET在DC/DC Boost电路设计中优势
Cree Inc.在2013年3月商业发布了下一代SiC MOSFET C2M0080120D，其参数优于第一代SiC MOSFET。器件采用全新C2M SiC MOSFET技术，具有更高的系统效率，更高的功率密度和更高的系统开关频率。MOSFET可应用于太阳能逆变器，高压DC/DC转换器等领域。本文主要介绍C2M0080120D型碳化硅MOSFET 在DC/DC boost电路设计中的应用优势。
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两款全新1200V碳化硅MOSFET助力光伏逆变器设计，具有超低导通电阻80/160毫欧姆
LITTELFUSE推出1200V全新高性能SiC MOSFET分别为 LSIC1MO120E0080和LSIC1MO120E0160，该产品符合RoHS标准、无铅、不含卤素，非常适用于光伏逆变器等效率、体积及发热要求较高的应用。 LSIC1MO120E0080和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET具有超低导通电阻(RDS(ON))，分别仅为80毫欧姆和160毫欧。
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【经验】SiC MOSFET双脉冲测试夹具为功率器件开关、功率等特性提供评估方案
在特制的双脉冲测试夹具上，通过采集SiC MOSFET开通过程、关断过程的驱动电压、开关电压和电流波形，可以有效的评估SiC MOSFE的开通、关闭时间，器件应力，功率回路杂散电感等参量，以及根据测试数据计算导通电阻、开关损耗等，本文介绍Wolfspeed公司推荐的双脉冲测试夹具的原理、设计、使用要点。
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【产品】新型C3M™ 1200V SiC MOSFET，超高效率的电动汽车功率转换系统
2018年6月4日，CREE旗下Wolfspeed于近日宣布推出最新第三代1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）系列，为电动汽车动力传动系统带来性能突破。并能在1200V电压条件下实现目前业界最低的漏源电阻RDS(on)，同时实现最低的开关损耗，从而提供目前市面上最高的品质因数。
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【经验】采用碳化硅MOSFET C2M0040120D 设计150A/20V电解电源模块，替代原IGBT方案
出于提升效率和缩小体积的考虑，本人决定采用SiC MOSFET替换原IGBT重新设计150A20V电源模块。整体方案仍然采用半桥硬开关拓扑结构，用一个Wolfspeed 的SiC MOSFET C2M0040120D替换原双管IGBT IXDR30N120D1的并联。
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【应用】基于SiC MOSFET C3M0065090J设计的图腾柱无桥PFC，结构简单且具有高效率
在现有的PFC拓扑结构中，最具发展前景的是图腾柱无桥PFC。这种结构中没有全波整流桥，因此少了相关的传导损耗，该结构还具有高功率密度、高效率、低THD和低共模噪声。本文介绍了基于Wolfspeed C3M0065090J SiC MOSFET设计的图腾柱无桥PFC电流及其工作原理。
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【应用】全新C2M SIC MOSFET助力充电桩高效输出，比传统SI材料IGBT在开关损耗上降低很多
直流快速充电型的充电桩要求输出电流大，电压高，一般都是15KW以上的功率等级，如果内部损耗大，势必造成较大的能源浪费，因此高效率是大功率快速充电桩的核心指标，要实现快速高效，必须有损耗低的SIC 器件。
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【经验】一款基于PWM控制SIC MOSFET的充电设备设计方案
本文探讨的充电设备设计方案主要通过PWM控制SIC MOSFET的导通和关断，进而控制电压电流的大小，电路结构类似BUCK电路，为获得好的波形，采用工作在开关频率100KHZ以上的SIC MOSFET C2M0040120D做驱动方案。
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【产品】900V碳化硅MOSFET,C3M0280090D、C3M0120090D，有效降低了BOM成本
WOLFSPEED的C3M0120090D和C3M0280090D均采用最新的C3M SiC MOSFET技术，可提供行业领先的功率密度和高切换效率，，最大漏极电流分别为23A和11.5A，导通电阻分别为120mΩ和280mΩ，具有高反向击穿电压和低导通电阻的特点，确保该SiC MOSFET器件具有耐高压的优势。主要面向应用广泛的电源和转换器开关应用。
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1200V高耐压SiC MOSFET，导通电阻仅280mΩ
C2M0280120D是一款1200V SiC MOSFET，导通电阻仅为280mΩ，开关损耗大幅降低，且拥有高温工作特性，结壳热阻为1.8℃/W，无需额外添加散热器。
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【产品】工程师干货福利：SiC MOSFET评估板详解！
CREE针对SiC 产品推出了型号为CRD8FF1217P-1/2的评估板，用于演示高性能的CREE 1200 V SiC MOSFET（碳化硅场效应晶体）和基于TOP-247封装的SiC 肖特基二极管。
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重新定义分立式功率MOSFET格局，业界首款900V SiC
Cree的SiC MOSFET C3M0065090J额定工作电压/电流分别为900V/32A；在25°C条件下，可以实现最低至65 mΩ的额定导通电阻。
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秋天到！SiC MOSFET发热少更凉爽！成本再降20%
面向600 v 以上应用的1200 V SiC MOSFET： C2M0040120D，旨在提高终端产品的系统效率，简化系统设计难度，并将整体系统成本降低 20% ！
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【产品】基于C3M碳化硅MOSFET的6.6 kW双向EV车载充电器CRD-06600FF10N
WOLFSPEED推出了基于C3MTM 1000V，65mΩ碳化硅（SiC）MOSFET（P / N：C3M0065100K）的CRD-06600FF10N-6.6 kW双向EV车载充电器（如图1所示），其中MOS采用TO-247-4封装，具有Kelvin 源可用性。 Cree的C3M SiC MOSFET的主要特性包括低开关损耗，快速本征体二极管和高频操作，这降低了系统的整体重量和尺寸。
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【应用】CCS050M12CM2三相碳化硅MOSFET模块用于工业电源，具有25mΩ超低内阻
工业是推动经济发展的引擎，而所有工业产品的应用都离不开电源（比如工业自动化控制、LED照明、工控设备、通讯设备、电力设备、仪器仪表等工业领域电源）。因此，工业电源需要SiC功率器件来满足不同工业应用领域电源的安全性和可靠性要求。据此，本文推荐Wolfspeed的一款CCS050M12CM2的三相碳化硅MOSFET模块。
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【经验】两电平SiC MOSFET PFC对比传统硅半导体三电平Vienna PFC，提供更高效率、功率密度和更低成本
本文展示了一款新设计，采用Wolfspeed 推出的1000 V/65 mΩ SiC MOSFET C3M0065100K，两电平六开关拓扑的PFC，与传统硅半导体三电平六开关Vienna PFC进行对比，实现了更高的效率，更高的功率密度，更低的成本，并且具备双向功能。
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【应用】1.2kv的CCS050M12CM2三相碳化硅MOSFET模块，是太阳能光伏逆变器的理想选择
围绕Wolfspeed SiC设计的太阳能系统可提供巨大的效率提升，并允许更小的系统尺寸，重量和成本，从而提高全球太阳能的使用率，是太阳能光伏逆变器的理想选择。据此，本文推荐Wolfspeed的一款CCS050M12CM2的三相碳化硅MOSFET模块。
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Wolfspeed TO247-4封装SIC MOSFET在大功率直流充电桩上的应用
Wolfspeed公司生产的SiC-MOSFET功率管 C3M0075120K漏源阻断电压高达1200V，连续导通电流可达30A，导通电阻仅75mΩ，输出电容仅58pf，采用新型低阻抗封装TO247-4，适合应用在直流充电桩功率单元中。
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【应用】全碳化硅MOS C3M0075120K助力光伏逆变器升压电路设计，性能更优异
为了提高功率密度需要BOOST开关频率越高，可以降低BOOST电感体积，因此需要选择开关速度快、损耗低的SiC MOSFET作为功率开关，本文推荐Wolfspeed（科锐）推出的SIC MOSFET，型号为C3M0075120K
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