【产品】55V/2.1A的N沟道增强型MOSFET AM3422，采用SOT-23封装
发布时间：
2019-10-29
类型：
新产品，新品发布、新器件、产品介绍
品牌：
AIT（创瑞科技）
型号：
AM3422
AiT推出的AM3422是一款55V/2.1A N沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装，符合RoHS标准，具备高可靠性与稳定性。该器件在VGS=4.5V时漏源导通电阻最大值为130mΩ，VGS=2.5V时为180mΩ，凭借低导通电阻实现低损耗运行。其体二极管反向恢复时间典型值仅21ns，开通上升时间与关断下降时间分别为9ns和3ns，动态响应迅速，适用于DC/AC逆变系统中的电源管理。AiT在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务，平台确保产品正品保障，型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。依托平台配备的专职FAE团队，用户可获得从选型、设计、调试到验证的专业技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购与服务，有效缩短供应链响应周期，加速产品上市进程。
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AIT官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是AIT的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供AIT的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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电源管理IC国内领导品牌——创瑞科技(AiT)
创瑞科技(AiT)，致力于设计和行销高性能的类比与混合信号IC，为全球消费类电子产品市场提供音频放大及电源管理等解决方案，结合控股集团高品质的电感、晶振及保险丝提供技术整合支援，缩短产品设计周期。
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现货平台 / AIT 授权代理店
| 订货型号 | AM3422E3R | 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM3422 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| type | N | V(BR)DSS (V) | 55V |
| VGS (V) | ±12V | IDS (A) (25°C) | 2.1A |
| VGS(TH) (V) Min/Max | 0.6/2.0V | Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 90mΩ |
| Vgs=±2.5V (mΩ) Typ | 140mΩ | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | AM3406AE3SVR | 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM3406A | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| type | N | V(BR)DSS (V) | 30V |
| VGS (V) | ±20V | IDS (A) (25°C) | 6A |
| VGS(TH) (V) Min/Max | 1.0/3.0V | RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ | 22mΩ |
| Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 35mΩ | ||
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世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥1.2476
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3,000
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| 订货型号 | AM3406AE3SR | 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM3406A | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| type | N | V(BR)DSS (V) | 30V |
| VGS (V) | ±20V | IDS (A) (25°C) | 6A |
| VGS(TH) (V) Min/Max | 1.0/3.0V | RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ | 22mΩ |
| Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 35mΩ | ||
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世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥1.2476
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| 订货型号 | AM2312E3SVR | 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM2312 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| type | N | V(BR)DSS (V) | 20V |
| VGS (V) | ±8V | IDS (A) (25°C) | 4.9A |
| VGS(TH) (V) Min/Max | 0.4/1.0V | Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 21mΩ |
| Vgs=±2.5V (mΩ) Typ | 24mΩ | Vgs=±1.8V (mΩ) Typ | 31mΩ |
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世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥12.4752
库存：
3,000
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| 订货型号 | AM3406E3VR | 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM3406 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| type | N | V(BR)DSS (V) | 30V |
| VGS (V) | ±20V | IDS (A) (25°C) | 6.7A |
| VGS(TH) (V) Min/Max | 1.0/2.0V | RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ | 18mΩ |
| Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 23mΩ | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥1.2476
库存：
2,960
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| 订货型号 | AM4920M8VR | 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM4920 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| type | Dual N | V(BR)DSS (V) | 30V |
| VGS (V) | ±20V | IDS (A) (25°C) | 7.8A |
| VGS(TH) (V) Min/Max | 1.0/2.5V | RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ | 16mΩ |
| Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 28mΩ | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥2.9941
库存：
2,500
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| 订货型号 | AM3400AE3VR | 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM3400A | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Storage Temperature(℃) | −55°C ~150°C | V-DSS, Drain-Source Voltage(V) | 30V |
| V-GSS, Gate-Source Voltage(V) | ±12V | I-D, Continuous Drain Current , VGS = -4.5V | TA = 25°C 6.2A |
| T-J, Operation Junction Temperature(℃) | −55°C ~150°C | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥0.9981
库存：
2,000
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| 订货型号 | AM3400AE3R | 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM3400A | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| type | N | V(BR)DSS (V) | 30V |
| VGS (V) | ±12V | IDS (A) (25°C) | 6.2A |
| VGS(TH) (V) Min/Max | 0.4/1.0V | RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ | 20mΩ |
| Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 23mΩ | Vgs=±2.5V (mΩ) Typ | 27mΩ |
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价格：
库存：
0
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| 订货型号 | AM3406E3R | 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM3406 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| type | N | V(BR)DSS (V) | 30V |
| VGS (V) | ±20V | IDS (A) (25°C) | 6.7A |
| VGS(TH) (V) Min/Max | 1.0/2.0V | RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ | 18mΩ |
| Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 23mΩ | ||
授权代理商：
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价格：
库存：
0
世强硬创平台提供AM3406E3R在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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| 订货型号 | AM3416E3R | 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM3416 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Storage Temperature(℃) | -55°C~150°C | V-DSS, Drain-Source Voltage(V) | 20V |
| V-GSS, Gate-Source Voltage(V) | ±12V | I-D, Continuous Drain Current , VGS = -4.5V | T-A=25°C 6A T-A=100°C 3.7A |
| I-DM, Pulsed Drain Current | 20A | T-J, Operation Junction Temperature(℃) | 150°C |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
世强硬创平台提供AM3416E3R在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
AM3416E3R 在线购买 >>
世强硬创平台提供AM3416E3R样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
AM3416E3R 样品申请 >>
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AM3416E3R 交期查询 >>
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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加工定制
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
AM3422 MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
REV1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AM3443C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
REV2.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AM3424 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
REV1.0
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| 数据手册 - 英文 |
AM3483 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
REV1.0
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技术论坛
请帮忙推荐一款带ESD的mosfet，pintopin替代AO3416。
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AO3401是否有推荐替代物料，封装SOT-323，电流1A
查看官方回答 >>
在设计中需要用到一款NMOS作为二次保护开关，要求VDSS 30V，ID 6.2A，封装SOT-23，有没有合适的推荐？
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
一家专注于模拟与混合信号电路的无晶圆厂IC设计公司
创瑞科技（AiT Semiconductor Inc.）发布2020年第二季度产品介绍，涵盖消费、医疗、工业和汽车等市场。公司提供成本效益和性能优异的IC，包括电源管理、音频放大、LED/OLED驱动、MOSFET/IGBT闸驱动等。产品目录详细介绍了各类IC的规格和应用，包括直流电源转换器、交直流转换控制器、复位IC、稳压器、LED驱动、OLED驱动、闸驱动控制等。
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【产品】最大耗散功率1W的P沟道增强型MOSFET AM3419，连续漏极电流为-3.5A
AiT推出的AM3419是一款P沟道增强型MOSFET。当环境温度为25℃时，AM3419的绝对最大额定参数为：漏源电压-20V、栅源电压±12V、连续漏极电流-3.5A、300μs脉冲漏极电流-14.2A、二极管连续正向电流-1A、最大耗散功率1W。
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【产品】-30V/-4.2A的P沟道增强型功率MOSFET AM3401，采用SOT-23封装
AiT推出的AM3401是一款P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS(ON)，低栅极电荷，操作栅极电压低至2.5V。这款产品适用于负载开关或PWM应用。
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【产品】采用沟槽技术的P沟道增强型功率MOSFET AM3415A，操作栅极电压低至1.8V
AiT推出的AM3415A是一款P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)，低栅极电荷，操作栅极电压低至1.8V。该设备适用于负载开关或PWM应用，具有ESD保护。
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【产品】采用SOT-23封装的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管AM3415，ESD保护为3kV
AiT推出的AM3415是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，制作采用高单元密度设计。采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS(ON)，低栅极电荷，操作栅极电压低至1.5V。该装置适用于负载开关或便携式移动应用场合。
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【产品】漏源电压20V的N沟道增强型MOSFET AM3416，连续漏极电流为6A，最大耗散功率1.4W
AiT推出的AM3416是一款N沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM3416的绝对最大额定参数为：漏源电压20V、栅源电压±12V、连续漏极电流(VGS=4.5V)为6A、300μs脉冲漏极电流(VGS=4.5V) 为20A。
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【产品】采用超高密度单元设计的P沟道增强型MOSFET AM3483，符合RoHS要求
AiT推出的AM3483是一款P沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM3483的绝对最大额定参数为：漏源电压-30V、栅源电压±20V、当VGS=-10V时，连续漏极电流为-7.5A。
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【产品】采用SOT-23封装的P沟道增强型MOSFET AM3407A，连续漏极电流为-4.3A
AiT推出的AM3407A是一款P沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则在环境温度为25℃时，AM3407A可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压-30V、栅源电压±20V、连续漏极电流-4.3A、脉冲漏极电流-20A、耗散功率1.5W。
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【产品】漏源电压-30V的P沟道增强型MOSFET AM3401B，适用于极低的RDS(ON)
AiT推出的AM3401B是一款P沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压-30V、栅源电压±12V、连续漏极电流-4.2A。
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【产品】30V N沟道增强型功率MOSFET AM3400，具备高功率与电流处理能力
AiT推出的AM3400是一款30V，N沟道增强型功率MOSFET。该产品的绝对最大额定参数为：漏源电压30V、栅源电压±12V、连续漏极电流5.8A、脉冲漏极电流30A、最大耗散功率1.4W、工作结温与存储温度均为-55°C~150°C。
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【产品】VDS-20V的P沟道增强型MOSFET AM3413A，适合1.8V的低压栅极驱动应用
AiT推出的AM3413A是一款P沟道增强型MOSFET，在环境温度为25℃时，AM3413A可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压-20V、栅源电压±12V、连续漏极电流-3.2A、脉冲漏极电流12.8A、耗散功率1.3W。工作结温和储存温度均为−55°C ~ +150°C。
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【产品】采用SOT-23S封装的P沟道增强型MOSFET AM3415B，漏源电压-20V、栅源电压±8V
创瑞科技（AiT）推出的AM3415B是一款采用SOT-23S封装的P沟道增强型MOSFET，漏源电压-20V，栅源电压±8V，连续漏极电流-4.2A，静态漏源导通电阻典型值35mΩ@-4.5V、45mΩ@-2.5V、55mΩ@-1.8V、70mΩ@-1.5V，ESD耐受3kV。
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【产品】采用SOT-23S封装的N沟道增强型MOSFET AM3406A，漏源极电压最大额定值为30V
AiT推出的一款N沟道增强型MOSFET AM3406A，该产品采用了SOT-23S封装。它的漏源极电压最大额定值为30V，连续栅源极电压最大额定值为±20V，连续漏极电流最大额定值为6A（TA=25℃），脉冲漏极电流最大额定值为30A。其工作结温和存储温度范围为-55~150℃，较宽的温度范围使其在恶劣温度环境下也能保持产品的稳定性。
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【产品】-20V/-5.6A P沟道增强型MOSFET AM3443C，采用SOT-26封装
AiT推出的AM3443C是一款P沟道增强型MOSFET，采用SOT-26封装，在环境温度为 25°C时，AM3443C可以承受的极限漏源电压为-20V，极限栅源电压为±12V，可以承受的极限漏极连续电流为-5.6A，总功率耗散为2.1W，可用于笔记本电脑的电源管理,便携式设备和电池供电系统中。
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【产品】N沟道MOSFET AM3406，采用SOT-23封装，极限漏源电压30V
AiT推出的AM3406是N沟道增强型MOSFET，采用了沟槽DMOS技术，适合高效率的快速开关应用。AM3406可以承受的极限漏源电压为30V，极限栅源电压为±20V，在环境温度为 25°C时，可以承受的极限漏极连续电流为6.7A，功率耗散为1.6W。
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【产品】采用SOT-23封装P沟道增强型功率MOSFET AM3407，极限漏源电压-30V，极限漏极连续电流-4.1A
AiT推出的AM3407是一款P沟道增强型功率MOSFET，它采用先进的沟槽技术，可以提供低导通电阻，小栅极电荷，可低至4.5V栅极驱动电压。在25℃的环境温度下，AM3407可以承受的极限漏源电压为-30V，极限栅源电压为±20V，极限漏极连续电流为-4.1A，工作结温和存储温度范围为-55°C ~150°C，适用于负载开关或PWM应用中。
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【产品】30V，N沟道增强型功率MOSFET AM3400A，适合高效率、高开关频率的应用
AiT推出的AM3400A是N沟道增强型功率MOSFET，采用沟槽DMOS技术，在25°C的环境温度下，AM3400A可以承受的极限漏源电压为30V，极限栅源电压为±12V，极限漏极连续电流为6.2A，非常适合高效率、高开关频率的应用。
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【产品】N沟道增强型MOSFET AM3460，极限漏源电压达60V
AiT推出的AM3460是一款N沟道增强型MOSFET，开关频率高，导通电阻小，可以承受的极限漏源电压为60V，极限栅源电压为±20V，可以用于便携式设备、笔记本电脑/个人计算机、电源管理以及DC / DC变换器中。
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【产品】P沟道MOSFET AM3423，助力电源管理、便携式设备和电池供电系统的设计
AM3423是AiT推出的P沟道MOSFET，导通电阻低，在25℃的环境温度下，AM3423可承受的极限漏源电压为-20V，极限栅源电压为±10V，极限漏极连续电流为-2A，可用于电源管理、便携式设备和电池供电系统中。
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【产品】SOT-23S封装N沟道增强型MOSFET AM3412，栅极阈值电压最大仅为1.5V
AM3412是AiT推出的一款N沟道MOSFET，在25℃的环境温度下，可承受50V的漏源电压，±20V的栅源电压，最大漏极连续电流为0.1A，可用于DC / DC变换器中的电源管理、便携式和电池供电产品中。
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【产品】采用SOT-23S封装的P沟道增强型MOSFET AM3403，导通电阻可低至55mΩ
AiT推出的AM3403是P沟道增强型MOSFET，导通电阻小，极限漏源电压为-30V，极限栅源电压为±12V，极限漏极连续电流为-3.2A，可用于能源管理,便携式设备和电池供电系统中
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【 产品】SOT-26封装的增强型N沟道MOSFET AM3424，BVDSS电压最高达30V
AM3424是AiT（创瑞科技）生产的增强型N沟道MOSFET，RDS（ON）最大为21.5mΩ，VGS（th）阈值电压最大为2.5V，BVDSS电压最高达30V，非常适用于电池供电和电源转换开关使用。
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【产品】采用SOT-23S封装的N沟道增强型MOSFET，工作结温与存储温度均为-55°C~150°C
AiT推出的AM2308是一款N沟道增强型MOSFET，除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，该产品的绝对最大额定参数为：漏源电压60V、栅源电压±20V、连续漏极电流3.3A、脉冲漏极电流13.4A、雪崩电流5A、耗散功率1.6W、工作结温与存储温度均为-55°C~150°C。
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【产品】采用SC89-3封装的N沟道增强型MOSFET AM4452，耗散功率0.3W
AiT推出的AM4452是一款N沟道增强型MOSFET。AM4452在环境温度为25℃时，可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压20V、栅源电压±8V、连续漏极电流0.83A、脉冲漏极电流1.8A、耗散功率0.3W。工作结温与存储温度均为-55°C ~ 150°C。
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【产品】AiT推出N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管AM2342，高密度工艺专为最小化通态电阻定制
AiT推出的AM2342是一颗N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，先进的沟槽技术可提供卓越的RDS(ON)，采用高密度工艺是特别为最小化通态电阻而定制的。AM2342系列特别适用于低电压应用，低导通功率损耗更是小外形表面贴装封装产品所需求的。
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【产品】采用封装DFN8的N沟道增强型MOSFET AM7520，最高结温150℃
AiT推出的AM7520是一款N沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM7520可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压30V、栅源电压±20V、连续漏极电流24A、最大耗散功率1.78W。
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【产品】600V N沟道增强型MOSFET AM60R380F系列，具有快速开关且工作结温150℃
AiT推出的AM60R380F系列为600V，N沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当芯片封装表面温度为25℃时，AM60R380F的绝对最大额定参数为：漏源电压600V、连续漏极电流11A、脉冲漏极电流33A、栅源电压±30V。
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【产品】N沟道增强型MOSFET AM2304A，最大额定漏极连续电流5.5A，耗散功率1.3W
AiT推出的AM2304A是N沟道增强型MOSFET，在环境温度为25℃时，AM2304A可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压30V、栅源电压±20V、漏极连续电流5.5A、脉冲漏极电流22A、雪崩电流8A、耗散功率1.3W。工作结温和储存温度均为−55°C∼+150°C。
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【产品】采用SOP8封装的N沟道增强型MOSFET AM4406，最高结温150°C
AiT推出的AM4406是一款N沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM4406的绝对最大额定参数为：漏源电压30V、栅源电压±20V、当VGS=10V时，连续漏极电流12A、当VGS=10V时， 300μs脉冲漏极电流为40A。
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【产品】N沟道增强型功率MOSFET AM9926，采用SOP8封装，温度范围-55°C~150°C
AiT推出的AM9926是一款N沟道增强型功率MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM9926可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压20V、栅源电压±12V、连续漏极电流6A、脉冲漏极电流25A、最大耗散功率1.25W，工作结温和存储温度范围均为-55°C~ 150°C。
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【产品】SC70-6封装的双N沟道增强型MOSFET AM6N7002K，温度范围-55°C~150°C
AiT推出的AM6N7002K是一款双N沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM6N7002K可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压60V、栅源电压±20V、连续漏极电流0.29A、脉冲漏极电流1A、耗散功率0.26W。工作结温与存储温度范围均为-55°C~ 150°C。
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【产品】采用SOT-26封装的双N沟道增强型MOSFET AM6802，最大结温150℃
AiT推出的AM6802是一款双N沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM6802可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压30V、栅源电压±20V、连续漏极电流4A、VGS=10V时，300μs脉冲漏极电流为16A、最大耗散功率1W。
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【产品】采用SOT-23S封装的N沟道增强型MOSFET，最小额定击穿电压为30V
AiT推出的AM4003是N沟道增强型MOSFET，在环境温度为25℃时，AM4003可以承受的绝对最大额定参数为漏源电压30V、栅源电压±20V、稳态漏极连续电流0.5A，工作结温和储存温度均为−55 °C∼ +150°C、焊接最高温度260°C。
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【产品】AM0904型双N沟道增强型MOSFET，DFN8（5x6）封装，通过100％UIS + Rg测试
AiT公司推出的AM0904是一款双N沟道增强型MOSFET，采用DFN8（5x6）小型封装，通过100％UIS + Rg测试，坚固耐用，可用于台式计算机的电源管理或DC / DC转换器等领域。
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【产品】漏源电压100V的N沟道增强型MOSFET AM0292，采用TO-220封装
创瑞科技（AiT）推出的AM0292是一款100V N沟道增强型MOSFET，采用TO-220封装，通过100% UIS和Rg测试，具有可靠性和坚固性。适用于开关电源的高效同步整流、不间断电源、硬开关和高频电路中。
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【产品】提供DFN8 (3x3)封装的63V/31A N沟道增强型MOSFET AM7410
AiT公司推出N沟道增强型MOSFET产品AM7410，提供DFN8 (3x3)封装，漏源电压最大额定值为63V，栅源电压最大额定值为±20V。
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【产品】采用SOT-23S封装的20V/5A N沟道增强型MOSFET AM2300，应用于手持仪器、负荷开关等领域
AiT推出的一款N沟道增强型MOSFET AM2300，该产品采用了SOT-23S封装。它的漏源极电压最大额定值为20V，栅源极电压最大额定值为±12V，环境温度为 25℃时，连续漏极电流最大额定值为5A，具有高功率和电流处理能力。
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【产品】SOT-23封装的20V / 2.0A N沟道增强型MOSFET AM2318，可用于便携式设备和电池电源系统
AiT推出的一款N沟道增强型MOSFET AM2318，该产品可靠且坚固，采用了SOT-23封装。其漏源极电压最大额定值为20V，栅源极电压最大额定值为±8V，连续漏极电流最大额定值为2A。AM2318可主要应用于电源管理、便携式设备和电池电源系统等领域。
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【产品】采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET AM2304，漏源极电压最大额定值为30V
AiT推出的一款N沟道增强型MOSFET AM2304，该产品可靠且坚固，采用了SOT-23封装。其漏源极电压最大额定值为30V，栅源极电压最大额定值为±20V。环境温度为25℃时，连续漏极电流最大额定值为5.1A，环境温度为70℃时，连续漏极电流最大额定值为4.1A。AM2304可主要应用于笔记本电脑的电源管理、便携式设备和电池电源系统等领域。
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