【产品】 丽正国际 MMSZ5246BS系列 Zener Diodes
发布时间：
-
类型：
产品，产品介绍、产品概述、关键特性
品牌：
丽正国际（RECTRON）
型号：
MMSZ5246BS-T
丽正国际 MMSZ5246BS 系列稳压二极管采用平面芯片结构，封装形式为超小表面贴装封装（SOD-323），具备通用型及中等电流特性。该系列产品无卤素，且特别适合自动化组装过程；其中，型号后缀带“V”的产品符合 AEC-Q101 标准，能够满足特定行业的高可靠性要求。丽正国际在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供研发和采购服务。平台为用户提供数据手册、原理图、PCB封装库及3D模型等技术资料下载，支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价，且库存充足。此外，平台配备专职 FAE 团队，提供选型、设计评审及调试验证等技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链周期，加速产品上市。
查看产品目录
丽正国际官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是丽正国际的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供丽正国际的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
丽正国际 授权代理店 >>
全球知名整流器厂商——丽正国际（Rectron）
丽正国际(Rectron)成立于1975年，台湾上市公司，是一家拥有超过40年的整流器制造经验的分立半导体优质制造商，产品涉及整流器，TVS/ESD二极管，碳化硅肖特基，晶体管，MOSFET，齐纳稳压管等器件，为Apple，ZTE，LG，Honeywell等全球知名品牌供货商。
访问丽正国际 品牌主页 >>
现货平台 / 丽正国际 授权代理店
| 订货型号 | MMSZ5246BS-T |
| 品牌 | 丽正国际 |
| 型号系列 | MMSZ5246BS |
| 品类 | Zener Diodes |
| 描述/说明 | Zener Diodes,Zener Voltage:16V |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Zener Voltage Vz (V) | 16 V |
| Zener Voltage Vz Min | 15.2 V |
| Zener Voltage Vz Max | 16.8 V |
| Zener Current Iz (mA) | 7.8 mA |
| Zener Impedance @ Iz (Ohms) | 15 Ohms |
| Reverse Current (Ir) | 0.1 uA |
| Voltage Tolerance | 0.05 |
| Power Rating | 500 mW |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
世强硬创平台提供MMSZ5246BS-T在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货0，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
MMSZ5246BS-T 在线购买 >>
世强硬创平台提供MMSZ5246BS-T样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
MMSZ5246BS-T 样品申请 >>
世强硬创平台提供MMSZ5246BS-T批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
MMSZ5246BS-T 批量询价 >>
世强硬创平台提供MMSZ5246BS-T交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。
MMSZ5246BS-T 交期查询 >>
世强硬创平台提供MMSZ5246BS-T期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
MMSZ5246BS-T 期货订购 >>
技术支持/研发服务
世强硬创平台整合丽正国际原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
立即获取 丽正国际 技术支持 >>
企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供丽正国际快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
立即获取 丽正国际 企业采购服务 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
MMSZ5221BS-MMSZ5259BS ZENER DIODE
REV:B
|
下载 |
| 技术文档 - 中文 |
股東常會出席委託書
0520-8210 8696-1092 (70) 2019
|
下载 |
| 技术文档 - 中文 |
取得或處分資產處理程序
111.6.23
|
下载 |
| 技术文档 - 中文 |
取得或處分資產處理程序
111.6.23
|
下载 |
| 技术文档 - 中文 |
資金貸與他人作業程序
2025/08/14
|
下载 |
| 技术文档 - 中文 |
背書保證施行辦法
2025/08/14
|
下载 |
技术论坛
电动车T-BOX项目，之前选用了工作电压 24V， WS24M2T-B SOT23封装物料，现在想找替代物料，望推荐！
查看官方回答 >>
麻烦推荐N-MOS，要求100V,150A，TO-220封装，国产品牌。
查看官方回答 >>
请推荐替代MCC的2N7002KDW的国产三极管？
查看官方回答 >>
推挽放大电路需一颗大电流NPN三极管，要求耐压80V以上，电流8A以上，是否有合适推荐？
查看官方回答 >>
滤波器项目，需要用到 -60V/-16A的 PMOS，TO252封装，是否有合适型号推荐？
查看官方回答 >>
请问有兼容BSL215CH6327XTSA1替代推荐吗？
查看官方回答 >>
有可替代Si7997DP的型号吗
查看官方回答 >>
MJD44H11和MJD45H11这两款三极管的国产替代品有吗？做功率放大用的。
查看官方回答 >>
有在用英飞凌IRFB4227PbF，NMOS，200V，46A@100℃，TO-220封装，想在替换，要求PTP替换，性能参数相近，有合适的推荐吗？
查看官方回答 >>
电源项目需要替代HSS0127和MSK4010的方案，请帮忙推荐，要求封装兼容，国产品牌。
查看官方回答 >>
一个医疗设备新项目，需要一颗NMOS，30V,2.5A,66mΩ,TSMT3，帮忙推荐下
查看官方回答 >>
一个新项目，需要N沟道MOS,100V,29A,36mohm/10V,20V，帮忙推荐一个型号
查看官方回答 >>
需要一颗NMOS，30V,10A,20mΩ,SO-8，用在医疗新项目上，帮忙推荐下
查看官方回答 >>
在选一颗PMOS，用在医疗新项目上，20V,0.7A,0.3Ω,SOT-23，帮忙推荐下
查看官方回答 >>
世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答，帮助您快速完成研发及采购。
我要提问 >>
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
【产品】采用SOD-123封装的小信号二极管BAV21W，最大耗散功率250mW，可用于高速开关
丽正国际推出的SOD-123封装的小信号二极管BAV21W，其非重复反向峰值电压为250V，最大反向重复峰值电压为200V，最大耗散功率为250mW，其工作温度和存储温度范围为-65℃~+150℃，适用于恶劣温度环境，可在恶劣环境下保持稳定工作。该产品可用于高速开关应用。
阅读原文 >>
【产品】采用TO-92封装的NPN型晶体管MMBT5401，耗散功率仅0.625W
MMBT5401是丽正国际公司生产的NPN晶体管，采用TO-92封装，耗散功率仅0.625W。器件的集电极发射极反向击穿电压 VCEO为80V, 集电极电流最大为500mA。直流增益hFE最小值为100。产品可用于开关等领域。
阅读原文 >>
【产品】30V/5mΩ的N沟道增强型功率MOSFET RMN3N5R0DN，采用PMPAK 3x3 封装
丽正国际一款N沟道增强型功率MOSFET RMN3N5R0DN，采用先进的功率创新设计以及硅工艺技术，从而实现了尽可能低的开启电阻和快速开关的性能。RMN3N5R0DN的漏源电压为30V，漏源通态电阻仅为5mΩ，采用PMPAK 3x3 封装。
阅读原文 >>
【产品】300V/5A肖特基势垒整流二极管SR5300，采用DO-201AD封装
丽正国际（RECTRON）旗下采用DO-201AD封装的肖特基势垒整流二极管SR5300。最大重复峰值反向电压300V，最大平均正向整流电流为5A，具有低开关损耗、低导通压降、高电流载流能力的特点。
阅读原文 >>
【产品】-40V/-1.5A/625mW的硅PNP型晶体管8850T，采用SOT-89塑料封装
8850T是丽正国际推出的一款硅PNP型晶体管，采用SOT-89塑料封装，专为功率放大应用所设计。其与8050T为互补器件。集电极-基极电压为-40V，连续集电极电流为-1.5A，集电极耗散功率为625mW。
阅读原文 >>
【应用】国产车规MOS管助力24V/400w卡车水泵，最大导通电阻仅5.5mΩ
汽车电子水泵是常见的发动机冷却水循环系统的核心零部件，主要给发动机冷却用；在水泵驱动方面，其控制板的功率器件主要采用MOS管作为驱动电机转动的主要核心器件，要求具备低的导通电阻，以降低蓄电池电量损耗。这里介绍丽正国际MOS管RM130N100HDV运用在卡车水泵上。
阅读原文 >>
【产品】采用SOD-123塑封的肖特基势垒二极管，满足AEC-Q101车规认证和无卤要求
丽正国际是一家优秀的分立半导体制造商，致力于二极管、晶体管、整流器等产品研发。其推出的肖特基势垒二极管B5817W，B5818W，B5819W均采用SOD-123塑料封装，最大重复峰值反向电压分别为20V、30V、40V，最大平均正向整流电流均为1A。
阅读原文 >>
【产品】丽正国际推出单相玻璃钝化硅桥式整流器SLDB207S，正向峰值浪涌电流达50A
SLDB207S是丽正国际推出的一款单相玻璃钝化硅桥式整流器，它的最大反向重复峰值电压可达1000V，最大平均正向电流2.0A（TA=40℃），正向峰值浪涌电流可达50A。工作和存储温度范围-55~+150℃。
阅读原文 >>
【产品】5V低钳位电压TVS ESD5.0XM3，峰值耗散功率92W，最大反向峰值脉冲电流可达7.5A
ESD5.0XM3是丽正国际推出的一款SOD323F封装5V低钳位电压TVS，峰值耗散功率可达92W，最大反向峰值脉冲电流7.5A，ESD防护等级：空气放电±30kV, 接触放电±30kV，结温150℃。
阅读原文 >>
【产品】采用SOD-523封装的快速开关二极管BAS516，反向恢复时间最大值为4ns
丽正国际推出采用SOD-523封装的快速开关二极管BAS516，耗散功率为150mW，反向恢复时间最大值为4ns，低反向电流，开关速度快，表面贴装封装非常适合自动插入。
阅读原文 >>
【产品】600V/16A的玻璃钝化硅整流器MUR1660，TO-220A封装
丽正国际（RECTRON）旗下采用TO-220A封装的玻璃钝化硅整流器MUR1660，具有低泄漏、低正向压降、高电流载流能力、高浪涌能力的特点，最大重复峰值反向电压600V，最大平均正向整流电流16A（Tc=100℃时），工作结温和储存温度范围-55~150℃。
阅读原文 >>
【产品】DO-35封装的快速开关二极管1N4148，反向恢复时间最大额定值为4ns
丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。丽正国际在2019年9月最新推出的DO-35封装的快速开关二极管1N4148，典型反向恢复时间最大额定值为4ns，其工作结温和存储温度范围为-65℃~200℃，在恶劣温度环境下也能保持产品的稳定性。该产品可主要应用于高速开关、信号处理。
阅读原文 >>
【产品】30V/58A N沟道增强型功率MOSFET RM60N30DF，采用DFN5X6-8L封装
丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。RM60N30DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于PWM和负载开关应用。
阅读原文 >>
【产品】20V/0.7A的N沟道沟槽式MOSFET RMA7N20ED1，可用于负载开关
RMA7N20ED1是丽正国际推出的一款采用DFN1006-3封装的N沟道沟槽式MOSFET，该器件采用沟槽处理技术，以实现尽可能低的导通电阻、高开关速度及提升的有效传输率，适用于负载开关。
阅读原文 >>
【产品】丽正国际单相玻璃钝化硅桥整流器产品4RS201M~4RS207M，最大平均正向整流电流4.0A
4RS201M~4RS207M是丽正国际推出的一款单相玻璃钝化硅桥整流器产品，产品的电压范围为50~1000V，最大平均正向整流电流为4.0A。该产品有着低漏电流、低正向电压等优良特性，采用了环氧树脂材质，符合UL94V-0阻燃等级。
阅读原文 >>
【产品】耗散功率200mW的开关二极管BAV70W，集电极电流为150mA
BAV70W是丽正国际推出采用SOT-323塑料封装的开关二极管，其耗散功率为200mW，集电极电流150mA，反向击穿电压为75V，反向漏电流最大2.5mA，电容最大为2pF，反向恢复时间小于4ns，工作及存储结温范围-55℃~150℃。
阅读原文 >>
【产品】耗散功率250mW的快速开关二极管BAV19WS~BAV21WS，反向恢复时间最大额定值为50ns
丽正国际推出采用SOD-323封装的快速开关二极管BAV19WS、BAV20WS和BAV21WS，耗散功率为250mW，反向恢复时间最大额定值为50ns，反向漏电流低，具有高稳定性和高可靠性，可任意位置安装。
阅读原文 >>
【产品】正向峰值浪涌电流可达35A的单相玻璃钝化硅桥式整流器SLDB157S，最大反向重复峰值电压1000V
SLDB157S是丽正国际推出的一款单相玻璃钝化硅桥式整流器，它的最大反向重复峰值电压可达1000V，最大平均正向整流电流1.5A，正向峰值浪涌电流可达35A。工作和存储温度范围-55~150℃。
阅读原文 >>
【产品】表面贴装型硅齐纳二极管ISMB5913B~1SMB5956B，齐纳电压范围3.3~200V，耗散功率3.0W
丽正国际推出的ISMB5913B~1SMB5956B表面贴装型硅齐纳二极管，齐纳电压范围3.3~200V，耗散功率3.0W。具有内置应力消除装置、低电感、高反向峰值耗散功率、用于高额定功率的稳压和削波等特点。阻燃登记UL94V-0。
阅读原文 >>
【产品】采用R-6封装的硅整流二极管10A05~10A10，最大重复峰值反向电压范围为50~1000V
丽正国际推出的采用R-6封装的硅整流二极管10A05、10A1、10A2、10A4、10A6、10A8、10A10，该系列整流二极管最大重复峰值反向电压范围为50~1000V，最大平均正向整流电流可达10A（TA=50℃）。该产品具有高浪涌电流能力、低正向压降和大电流等特点。
阅读原文 >>
【产品】100V/1A表面贴装肖特基势垒整流二极管SSL100
丽正国际（RECTRON）推出了采用表面贴装的100V/1A肖特基势垒整流二极管SSL100。具有低功耗、低漏电流、快速开关、高浪涌能力的特点。
阅读原文 >>
【产品】采用DO-214AC封装的硅齐纳二极管1SMA5913B～1SMA5957B，电压范围为3.3V～240V
丽正国际推出采用DO-214AC表面贴装封装的硅齐纳二极管1SMA5913B～1SMA5957B系列产品，多个型号可选，齐纳电压范围为3.3V～240V，直流耗散功率最大额定值为1.5W（TA=25℃），具有高峰值反向耗散功率、高可靠性、低漏电流特性，可任意位置安装。
阅读原文 >>
【产品】肖特基势垒二极管BAT54WS，采用SOD-323小型塑料封装
丽正国际推出BAT54WS肖特基势垒二极管，采用SOD-323小型塑料封装，器件在IF=0.1mA条件下的正向电压最大值仅为240mV，具有低正向电压，高电流承受能力等特性。
阅读原文 >>
【产品】80V/20A的肖特基势垒整流器ISRL2080C，ITO-220封装
丽正国际推出的ISRL2080C是肖特基势垒整流器，最大反向重复峰值电压为80V，最大平均正向整流电流为20A，采用 ITO-220封装，具有高可靠性和低开关损耗等特点。
阅读原文 >>
【产品】采用SOT-323封装的快速开关二极管BAS316WSV，耗散功率为250mW
BAS316WSV是丽正国际推出的一款采用SOT-323封装的快速开关二极管，耗散功率为250mW，标记代码为A6。TRR＜4ns，反向漏电流低。反向重复峰值电压为85V，工作结温为150℃。
阅读原文 >>
【产品】具备快速开关能力的小信号二极管BAV20W，采用SOD-123塑料封装，适用于通用开关应用
丽正国际推出的小信号二极管BAV20W，其最大重复峰值反向电压可达150V，具备快速开关能力，采用SOD-123塑料封装，其工作温度和存储温度范围为-65℃~150℃，适用于恶劣温度环境，适合通用开关等应用。
阅读原文 >>
【产品】60V/10A肖特基势垒整流二极管SR1060CK，采用D-PAK封装
丽正国际（RECTRON）旗下采用D-PAK封装的肖特基势垒整流二极管SR1060CK。具有低开关噪声、低导通压降、高电流载流能力等特点。最大重复峰值反向电压60V，最大平均正向整流电流10A，工作结温150℃。
阅读原文 >>
【产品】100V/20A的肖特基势垒整流器SRL20100C，采用 TO-220封装
丽正国际推出的SRL20100C是一款肖特基势垒整流器，其最大反向重复峰值电压为100V，最大平均正向整流电流为20A， 采用 TO-220封装，具有高可靠性、低开关损耗、低正向压降、高电流能力、高开关能力等特性。
阅读原文 >>
【产品】SBAT116表贴式开关二极管，正向持续电流215mA，采用DFN1006-2超小封装，反向恢复时间仅为3us
SBAT116是丽正国际全新推出的一款表贴式开关二极管，其峰值反向电压为85V，正向持续电流215mA，正向导通电压VF为0.9V（IF=1mA），反向恢复时间最大只有3us，采用DFN1006-2超小封装，能够大大减少pcb占用面积。
阅读原文 >>
