【产品】 芯际探索 CSS70R180系列 SJ MOSFETs
发布时间：
-
类型：
产品，产品介绍、产品概述、关键特性
品牌：
芯际探索（XJTS）
型号：
CSS70R180-W; CSS70R180-F; CSS70R180-A; CSS70R180-P
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| 订货型号 | CSS70R180-W |
| 品牌 | 芯际探索 |
| 型号系列 | CSS70R180 |
| 品类 | SJ MOSFETs |
| 描述/说明 | Type:SJ MOSFETs,Mode:N-Channel,VDS(Max):700V,ID(Max):23A,RDS(on)(Max):180mΩ,Qg(Typ):43nC |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-3PN |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Type | SJ MOSFETs |
| Mode | N-Channel |
| VDS(Max)（V） | 700V |
| ID(Max)（A） | 23A |
| RDS(on)(Max)（mΩ/Ω） | 180mΩ |
| Qg(Typ)（nC） | 43nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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原厂认证
价格：
库存：
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| 订货型号 | CSS70R180-F |
| 品牌 | 芯际探索 |
| 型号系列 | CSS70R180 |
| 品类 | SJ MOSFETs |
| 描述/说明 | Type:SJ MOSFETs,Mode:N-Channel,VDS(Max):700V,ID(Max):23A,RDS(on)(Max):180mΩ,Qg(Typ):43nC |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-247 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Type | SJ MOSFETs |
| Mode | N-Channel |
| VDS(Max)（V） | 700V |
| ID(Max)（A） | 23A |
| RDS(on)(Max)（mΩ/Ω） | 180mΩ |
| Qg(Typ)（nC） | 43nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
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| 订货型号 | CSS70R180-A |
| 品牌 | 芯际探索 |
| 型号系列 | CSS70R180 |
| 品类 | SJ MOSFETs |
| 描述/说明 | Type:SJ MOSFETs,Mode:N-Channel,VDS(Max):700V,ID(Max):23A,RDS(on)(Max):180mΩ,Qg(Typ):43nC |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220F |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Type | SJ MOSFETs |
| Mode | N-Channel |
| VDS(Max)（V） | 700V |
| ID(Max)（A） | 23A |
| RDS(on)(Max)（mΩ/Ω） | 180mΩ |
| Qg(Typ)（nC） | 43nC |
授权代理商：
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商品标签：
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价格：
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| 订货型号 | CSS70R180-P |
| 品牌 | 芯际探索 |
| 型号系列 | CSS70R180 |
| 品类 | SJ MOSFETs |
| 描述/说明 | Type:SJ MOSFETs,Mode:N-Channel,VDS(Max):700V,ID(Max):23A,RDS(on)(Max):180mΩ,Qg(Typ):43nC |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Type | SJ MOSFETs |
| Mode | N-Channel |
| VDS(Max)（V） | 700V |
| ID(Max)（A） | 23A |
| RDS(on)(Max)（mΩ/Ω） | 180mΩ |
| Qg(Typ)（nC） | 43nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
库存：
0
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资料平台
| 技术文档 - 中文 |
芯际探索应用-储能方向
2023.10
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| 数据手册 - 英文 |
CSC16N120碳化硅功率MOSFET
Ver1.0
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| 数据手册 - 英文 |
CSS70R180
Ver1.1
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技术论坛
现在项目上使用的是IGBT单管， FGB40T65SP_F085这个，请问有没有替代料可以使用，具体参考为650V 30-40A TO-263封装的IGBT单管，要有车规认证的
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新能源汽车的最强大脑“IGBT”都用在了哪儿？
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1200V/120A N-channel Enhancement Type Planar MOSFET CSC16N120 with Low On-resistance, Low Capacitance, Low Gate Charge and Superior Switching Performance
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MOSFET与IGBT的区别
本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS(零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。
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