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【产品】 ROHM SCS205KN系列 Silicon Carbide Schottky Diode
发布时间: -
类型: 产品,产品介绍、产品概述、关键特性
品牌:
ROHM(罗姆)
型号:
SCS205KNTRL
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ROHM官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是ROHM的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供ROHM的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
ROHM 授权代理店 >>
ROHM——专注功率,电源和模拟技术的全球知名半导体厂商
罗姆(ROHM)半导体集团是全球最知名的半导体厂商之一,创立于1958年,总部位于日本京都市。历经半个多世纪的发展,罗姆的生产、销售、研发网络遍及世界各地。为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的需求,在中国构建了与罗姆日本同样的集开发、生产、销售于一体的一条龙体制。
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现货平台 / ROHM 授权代理店
订货型号 SCS205KNTRL
品牌 ROHM
型号系列 SCS205KN
品类 Silicon Carbide Schottky Diode
描述/说明 1200V, 5A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD,Silicon Carbide Schottky Diode
封装/外壳/尺寸 TO-263-2L
最小包装量 1,000
包装形式 编带
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
Grade Automotive
Polarity Nch
VDSS [V] 100
ID [A] 12
RDS(on)(Typ) @Drive[Ω] 0.057
Drive Voltage [V] 4.5
Qg (Typ)[nC] 4
Package TO-252 (TL)
JEITA Package SC-63
Common Standard AEC-Q101 (Automotive Grade)
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
库存:
0
世强硬创平台提供SCS205KNTRL在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,世强仓现货0,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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世强硬创平台提供SCS205KNTRL样品申请服务,支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试;样品将由原厂审核,世强协助申请,物流全程可追踪,助力加速原型开发与方案选型。
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世强硬创平台提供SCS205KNTRL批量询价服务,提交产品信息、目标用量后,专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
SCS205KNTRL 批量询价 >>
世强硬创平台提供SCS205KNTRL交期查询服务,提交产品信息、目标用量后,专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。
SCS205KNTRL 交期查询 >>
世强硬创平台提供SCS205KNTRL期货订购服务,可提前预定产能;签订期货协议后,平台将按约定时间节点保障交付,降低供应链中断风险。
SCS205KNTRL 期货订购 >>
技术支持/研发服务
世强硬创平台整合ROHM原厂及授权代理商FAE资源,提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持,响应快、专业强,助力研发高效落地。
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供ROHM快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务,保障正品供应、响应高效,助力研发与生产无缝衔接。
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资料平台
产品变更通知及停产信息 - 中文
ROHM停产及即将停产料号表
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技术文档 - 英文
ROHM解决方案模拟器示意图信息
68UG088E Rev.001
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数据手册 - 英文
ROHM 晶体管/MOSFET SOT-346T(TSMT3)
2025/01/02
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技术文档 - 英文
ROHM虚拟专利标记列表
2026年1月30日
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技术文档 - 英文
ROHM客户支持系统
2025/12/20
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技术文档 - 英文
ROHM客户支持系统
Not specified
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技术文档 - 英文
ROHM客户支持系统
Not specified
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数据手册 - 英文
ROHM 片式电阻器 - 设计和规格
2025/12/20
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数据手册 - 英文
ROHM 高功率金属板式电阻器
2025/12/20
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数据手册 - 英文
ROHM 高压电阻器产品规格
2025/12/20
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数据手册 - 英文
ROHM ESR系列芯片电阻特性与规格
2025/09/17
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数据手册 - 英文
PPTC 0805低Rohm
Rev: B
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数据手册 - 英文
ROHM TSZ22111·15·001
Rev.001
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产品变更通知及停产信息 - 中文
【EOL】ROHM部分型号的停产通知
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技术文档 - 英文
从ROHM网站下载LTspice®模型。
2025 May. 68UG025E Rev.001
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技术文档 - 英文
LTspice® 模型来自ROHM网站
Rev.001
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技术论坛
ROHM的ML7661-NNNGDZ05BX、ML7670评估板有吗?
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ROHM的AFE ML5238芯片的RSENSE是什么功能?
查看官方回答 >>
BAT54,请推荐ROHM合适替代物料
查看官方回答 >>
世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
新品资料 | 宽爬电距离封装 SiC肖特基势垒二极管
SCS2xxAN(650V)和SCS2xxKN(1,200V)是采用小型表贴封装、实现了宽爬电距离的SiC肖特基势垒二极管。虽为小型表贴封装,但通过确保足够的爬电距离,可减轻采取特殊绝缘对策(灌封处理)的负担。产品采用ROHM自有的封装形状,确保业界超宽的爬电距离;实现了Si快恢复二极管(Si FRD)无法实现的低开关损耗。
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SCS2xxAN(650V) SCS2xxKN(1,200V) 宽爬电距离封装SiC肖特基势垒二极管
ROHM公司推出新型SiC肖特基势垒二极管,采用小型表贴封装,实现宽爬电距离,适用于xEV系统电压提升。产品具有低开关损耗,有助于降低设备功耗。产品包括650V和1,200V两种电压等级,适用于车载和工业设备。
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ROHM新推支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管,确保最小5.1mm爬电距离
ROHM开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管(SBD)。新产品去除了以往封装底部的中心引脚,采用了ROHM原创的封装形状,将爬电距离延长至最小5.1mm,约为普通产品的1.3倍。通过确保更长的爬电距离,可以抑制引脚之间的漏电起痕(沿面放电),因此在高电压应用中将器件贴装在电路板上时,无需通过树脂灌封进行绝缘处理。
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采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
ROHM开发出引脚间爬电距离更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管。目前产品阵容中已经拥有适用于车载充电器(OBC)等车载设备应用的“SCS2xxxNHR”8款机型。计划2024年12月再发售8款适用于FA设备和光伏逆变器等工业设备的“SCS2xxxN”。
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ROHM’s New SiC Schottky Barrier Diodes for High Voltage xEV Systems: Featuring a Unique Package Design for Improved Insulation Resistance
ROHM has developed surface mount SiC Schottky barrier diodes (SBDs) that improve insulation resistance by increasing the creepage distance between terminals. They are designed for high voltage xEV systems, automotive applications and industrial equipment.
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【经验】ROHM分享如何估算桥式电路中理想的死区时间
在本文中,ROHM将探讨如何估算桥式电路中理想的死区时间,供各位工程师参考及使用。
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ROHM LED 仿真模型概要
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ROHM PLECS 仿真器快速入门指南
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【技术】ROHM介绍第4代SiC MOSFET的特点
ROHM推出的SiC MOSFET第4代产品,进一步改进了第3代确立的沟槽栅极结构,实现了更低的导通电阻和更出色的高速开关特性。为了更好地了解第4代SiC MOSFET使用效果,我们先来了解一下其特点。
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ROHM NFC 配置工具手册
本手册详细介绍了ROHM NFC配置工具的操作方法。该工具是一款基于GUI的软件,用于配置ROHM NFC LSI的相关参数,包括NFC通信和电源操作。主要功能包括读取和写入配置数据、轮询测试、读取/写入用户数据、写入URI和读取固件版本。手册涵盖了硬件准备、软件安装、基本功能操作、配置参数设置、通信测试、通用读写、URI写入和固件版本读取等内容。
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LTspice® 模型下载 - ROHM 半导体
这份资料主要介绍了如何使用LTspice®软件进行电路仿真,特别是针对ROHM公司提供的68UG099E Rev.001电路设计。内容包括下载LTspice®模型、添加组件、修改仿真条件、使用特定器件和下载其他组件模型。此外,还提供了仿真结果波形和默认设置说明,并强调了使用ROHM产品时的注意事项和责任声明。
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【技术】ROHM介绍N沟道IGBT的结构
正如ROHM在“什么是IGBT”一文中所介绍的,通过MOSFET和双极晶体管相结合,使IGBT成为同时具备这两种器件优点的功率晶体管。下面以目前主流的N沟道IGBT为例,来介绍IGBT的基本结构。只用“IGBT”描述的是指N沟道IGBT。
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ROHM客户支持系统
本资料提供了ROHM公司产品的技术规格和注意事项。内容包括产品尺寸、公差、使用注意事项、技术限制、知识产权声明、应用领域、可靠性要求、法律法规遵从性以及出口法规等。资料强调在使用ROHM产品时需遵守安全措施和最新规格,并对信息准确性不提供保证。
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ROHM客户支持系统
本资料提供了ROHM公司产品的详细规格参数,包括尺寸、公差、重量等。同时,资料中包含了使用产品的注意事项,如产品信息可能随时变更、使用前需确认最新规格、信息准确性等。此外,还强调了在使用产品时应遵守的安全措施和法规要求,以及与产品相关的知识产权声明。
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ROHM客户支持系统
本资料提供了ROHM公司产品的技术规格和一般注意事项。内容包括产品尺寸、公差、使用注意事项、技术信息、应用领域、安全措施等。资料强调在使用产品前需仔细阅读并理解内容,同时指出信息可能随时更新,并提醒用户在使用过程中应遵守相关法律法规。
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ROHM罗姆LAPIS系列单片机的编程器FT200-ROHM系列烧录演示应用指南
本文介绍ROHM罗姆LAPIS系列单片机的编程器FT200-ROHM系列烧录演示应用指南
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【产品】ROHM(罗姆)MOSFET的寄生电容及其温度特性
本文主要介绍MOSFET存在寄生电容,寄生电容是影响开关特性的重要参数。ROHM功率MOSFET寄生电容对于温度影响几乎无变化,因此开关特性几乎不受温度变化的影响
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ROHM免费提供电子电路仿真工具ROHM Solution Simulator,轻松验证验证功率元器件、驱动IC等产品
全球知名半导体制造商ROHM面向汽车和工业设备等电子电路设计者和系统设计者,开发出可以在解决方案电路上一并验证功率元器件(功率半导体)、驱动IC及电源IC等的Web仿真工具“ROHM Solution Simulator”,并在ROHM官网上公开了该工具能支持的44个电路解决方案。
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ROHM IPM短路保护设计方法
ROHM的30A/600V 高速IPM,型号为BM63967S,其datasheet里对短路保护引脚CIN的介绍,建议RC滤波时间常数在1us~2us之间。滤波时间太短可能会导致IPM频繁误保护,抗干扰性能较差,而滤波时间太长又会导致IPM不能在短路故障时及时关断,有损坏IPM的风险。
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【经验】如何分辨Rohm激光管RLD84NZJ2-00A的脚位?
RLD84NZJ2-00A是840nm不可见光单模激光二极管,内部除了LD以外,还自带PD,总共三个引脚。本文将介绍ROHM激光管RLD84NZJ2-00A的脚位分辨方式。
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ROHM LED 产品信息
本资料主要介绍了ROHM公司LED产品的相关信息,包括产品类型、包装、MSDS合规性要求、注意事项等。资料强调MSDS合规性适用于交易上述化学品的商业企业,但某些产品如含量低于1%的化学品、特定产品等无需遵守。同时,资料还提到了产品使用时的安全措施、技术信息、应用范围、可靠性要求、法律法规遵守等注意事项。
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ROHM Musical Device: MUS-IC
ROHM, which supports musicians creating music and environments as well as audio fans enjoying music. The IC for music, which is created by our passion and technology for all those who love music. That is ROHM Musical Device “MUS-IC”
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ROHM EVK GUI SW 手册,用于加速度计
本资料介绍了ROHM公司推出的加速度计评估套件RKX-EVK-001及其配套软件ROHM EVK GUI SW的使用方法。资料详细说明了软件的下载、硬件连接、基本操作、数据记录、寄存器修改、唤醒和休眠功能等。此外,还提供了相关参考手册和产品页面的链接,方便用户获取更多信息。
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从ROHM网站下载LTspice®模型。
本资料介绍了如何使用ROHM提供的LTspice®模型进行电路仿真。内容包括下载LTspice®模型、添加组件到原理图、更改仿真条件、使用特定参数和器件进行仿真,并提供了仿真结果波形。此外,还包含了注意事项和ROHM客户支持信息。
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从ROHM网站下载LTspice®模型。
本资料介绍了如何使用LTspice软件进行DC-DC相移降压转换器的仿真。内容包括下载LTspice模型、添加组件、设置仿真参数、选择元件和查看仿真结果波形。资料还提供了注意事项和ROHM客户支持系统的信息。
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从ROHM网站下载LTspice®模型。
本资料提供了ROHM公司SCT4018KE SiC MOSFET的LTspice®模型下载和使用方法。内容包括LTspice®模型下载链接、如何添加组件到原理图、如何更改仿真条件、仿真参数和设备列表、仿真结果波形以及注意事项。资料还提供了如何使用LTspice®模型和设计仿真模型的链接。
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ROHM的Si功率二极管
ROHM公司提供丰富的Si功率二极管产品,包括肖特基势垒二极管、快速恢复二极管、标准整流二极管、TVS二极管和齐纳二极管。产品具有低VF、低IR、超快trr等特性,适用于车载、工业和消费电子等领域。ROHM拥有完善的生产体系和丰富的封装阵容,确保产品质量和稳定性。
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仿真工具 在 ROHM Solution Simulator 中添加新器件的方法
本文介绍了在ROHM Solution Simulator中添加新器件的方法。通过使用PartQuest™ Explore,用户可以将电路数据导入并添加新器件。详细步骤包括选择仿真电路、导入电路数据、登录PartQuest Explore、添加新器件(通过数据表参数或SPICE参数),以及保存和查看新添加的器件。此外,还介绍了ROHM Solution Simulator与PartQuest™ Explore的关系和功能对比。
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【产品】业界唯一带报错模式鉴别功能的ROHM新一代IPM | 视频
ROHM技术专家罗魁为我们介绍了ROHM最新一代的IPM产品,区别于其他同类产品,ROHM具有业界唯一带报错模式鉴别功能,可以很容易区分错误来源。整个产品系列从10-30A都有覆盖。
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LTspice® 模型下载,适用于ROHM 68UG023E
本资料介绍了ROHM的LTspice®仿真模型及其使用方法。内容包括下载LTspice®模型、添加组件、修改仿真条件、组件类型和默认设置、仿真结果波形等。同时,资料还提供了关于ROHM产品使用注意事项和客户支持系统的信息。
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利用Rohm的Nano系列尖端电源技术解决电源问题
ROHM公司推出了一系列先进的电源技术,包括Nano Power Supply技术,旨在解决电源供应问题。这些技术包括Nano Pulse Control™、Nano Energy™和Nano Cap™,旨在提高电源转换效率、降低功耗、减少外部元件数量,并实现更小的尺寸。ROHM还提供了多种电源管理IC和驱动IC,适用于各种应用,如48V电池系统和移动设备。此外,ROHM还强调了其在模拟技术方面的专长,以及如何通过这些技术满足系统需求。
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