【产品】 基本半导体 BTD21531x系列 双通道隔离型门极驱动器
发布时间：
-
类型：
产品，产品介绍、产品概述、关键特性
品牌：
基本半导体（BASiC semiconductor）
型号：
BTD21520EBPR
基本半导体 BTD21531x 系列是一款高性能双通道隔离型门极驱动器，专为满足工业及汽车领域的严苛需求而设计。该系列产品具备卓越的隔离性能，其隔离电压在 SOW-14 封装下高达 5000Vrms，在 SOP-16 封装下达到 3000Vrms，符合 UL1577 标准。在驱动能力方面，该系列支持最高 33V 的副边电源，峰值驱动电流可达 4/6A，并集成了禁用功能和死区时间设置功能，典型传输延时仅为 45ns，能够确保系统的高效与精准控制。此外，其工作环境温度范围覆盖 -40℃ 至 125℃，适应各种复杂工况。在应用层面，基本半导体 BTD21531x 广泛应用于工业类供电系统、电机控制系统、DC/DC 隔离供电、照明控制系统、等离子显示器、太阳能和工业变换器，以及汽车类车载充电机、电池管理系统、充电站、牵引逆变器、混合动力汽车和纯电动汽车等场景。基本半导体在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供研发和采购服务。平台提供数据手册、原理图、PCB 封装库、3D 模型等相关技术资料下载，型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价且库存充足。同时，平台配备专职 FAE 团队，提供选型、设计评审、调试验证等技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链周期，加速产品上市。
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基本半导体官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是基本半导体的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供基本半导体的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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中国第三代半导体行业领军企业，碳化硅功率器件领导品牌——基本半导体（BASiC）
基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平。
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| 订货型号 | BTD21520EBPR |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | BTD21531x |
| 品类 | 双通道隔离型门极驱动器 |
| 描述/说明 | 双通道隔离型门极驱动器，管脚配置：单 PWM 输入， 死区配置和禁用功能，绝缘电压：5000V，欠压阈值：8V。 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOP-16 |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | 卷带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 工作温度(℃) | -40~125℃ |
| 管脚配置 | 单 PWM 输入， 死区配置和禁用功能 |
| 绝缘电压（Vrms） | 5000V |
| 欠压阈值（V） | 8V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
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资料平台
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BTD21520x 双通道隔离型门极驱动器
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BTD21520x双通道隔离型门极驱动器
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BTD21520x双通道隔离式栅极驱动器
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应用/方案
【产品】基本半导体推出采用容耦隔离技术的单、双通道门极隔离驱动芯片，抗干扰能力达100V/ns
基本半导体针对多种应用场景研发推出单、双通道门极隔离驱动芯片，具有抗干扰能力强、传输延时低、可靠性高等优势，可适应不同的功率器件和终端应用，可适配耐压在1700V以内的功率器件的门极驱动，广泛应用于隔离式DC-DC/AC-DC电源、光伏逆变器等。
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新品速递 | 应用于新能源汽车的Pcore™6 HPD Mini碳化硅MOSFET模块
基本半导体推出汽车级Pcore6 HPD Mini封装碳化硅MOSFET模块，专为新能源汽车主驱逆变器设计。该模块搭载第三代车规级SiC芯片，覆盖750V至1400V电压规格，支持80~200kW功率范围，具备小型化、高集成、卓越能效及车规级可靠性特点。
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SiC科普小课堂 | 什么是米勒钳位？为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位？| 视频
今天的“SiC科普小课堂”中，基本半导体市场部总监魏炜老师将着重为大家讲解什么是米勒现象？为什么驱动碳化硅MOSFET需要使用米勒钳位功能？以及基本半导体的创新性产品选型推荐。
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【经验】碳化硅功率器件可靠性测试方法详解
基本半导体的碳化硅功率器件产品在批量投入市场前都需要通过规定的可靠性测试，以确保每一款器件的性能长期稳定可靠。本文基本半导体将为您详解碳化硅功率器件可靠性测试方法。
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【产品】破解绝缘和导热痛点！基本半导体力推内绝缘型TO-220封装碳化硅肖特基二极管
近期，基本半导体推出内绝缘型的TO-220封装碳化硅肖特基二极管产品。该产品在内部集成一个陶瓷片用于绝缘和导热，可简化生产步骤，提高生产质量和整机的长期可靠性，有效解决产业界痛点问题。内绝缘TO-220封装外形跟普通铁封TO-220产品基本一致，但其背面散热器不再是二极管的阴极，属于悬浮电位。
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基本半导体第三代碳化硅MOSFET顶部散热封装系列，解锁光储充与服务器电源能效新高度
基本半导体推出基于第三代碳化硅MOSFET技术的QDPAK、TOLT、T2PAK-7顶部散热封装产品，覆盖650V及1200V电压段，具备低损耗、高效率及优异散热性能，适用于光储充、服务器电源及车载系统。
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基本半导体新推出Pcore™2汽车级DCM碳化硅MOSFET模块，工作结温高达175℃
汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块PcoreTM2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块。产品具有低动态损耗、低导通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点，可支持连续运行峰值结温至175℃，以及具备650Arms以上连续峰值相电流输出。
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应用笔记 | 基本半导体碳化硅功率器件在125kW工商业储能PCS中的应用
本文介绍基本半导体碳化硅MOSFET在125kW工商业储能PCS中的应用，重点分析BMF240R12E2G3模块在高温、满负载工况下的结温与损耗表现。该器件具备低导通电阻、内嵌SBD、开关损耗随温度升高而降低等优势，适用于三相四桥臂拓扑，显著提升系统效率与可靠性。
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基本半导体工业级碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 ED3系列
基本半导体推出1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块Pcore™2 ED3系列，采用新一代碳化硅芯片技术，结合高性能Si3N4 AMB基板与铜基板封装，在提升功率密度的同时显著增强产品可靠性。
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基本半导体正激DCDC开关电源芯片BTP1521x，最高工作频率可达1.3MHz
基本半导体自主研发的BTP1521x是一款正激DCDC开关电源芯片，集成上电软启动功能及过温保护功能，输出功率可达6W。该电源芯片工作频率通过OSC脚设定，最高工作频率可达1.3MHz，适用于给隔离驱动芯片副边电源供电。芯片有SOP-8封装、DFN3*3-8封装两种封装形式。
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应用笔记 | 基本半导体碳化硅功率器件在有源滤波器APF中的应用
本文介绍基本半导体碳化硅MOSFET及驱动方案在APF中的应用，通过仿真数据展示BMF240R12E2G3模块和B3M011C120Z单管在提升效率、功率密度和可靠性方面的优势。
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基本半导体盛装亮相PCIM Asia 2025，推出工业级碳化硅模块及配套驱动等众多新品
基本半导体在PCIM Asia 2025展会上发布多款工业级与汽车级碳化硅MOSFET模块及配套驱动方案，涵盖ED3、E3B、L3、62mm、HPD Mini、PM6及嵌入式封装产品，并推出T2PAK-7、QDPAK、TOLT等顶部散热封装新品，广泛应用于储能、光伏、充电桩、新能源汽车等领域，展现其在碳化硅功率器件领域的技术实力与产业链整合能力。
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基本半导体碳化硅MOSFET通过AEC-Q101车规级认证，全力推进新能源汽车高效应用
近日，基本半导体自主研发的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H顺利通过AEC-Q101车规级可靠性认证，产品性能和可靠性满足汽车电子元器件在极端环境下的严苛要求，至此公司获车规级认证的碳化硅功率器件产品家族再添一员。
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【应用】DFN 8X8封装的国产SiC二极管B2D10065Q助力200W PD快充，实现更小体积
这里主要介绍国产基本半导体的碳化硅二极管B2D10065Q应用于200W PD多口快充电源PFC电路的优势：反向耐压650V；连续正向电流为10A@Tc=155℃，满载下快充的原边最大电流约2至3A；工作结温为-55℃~175℃，耐高温特性强。
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基本半导体推出工业级Pcore™2 E2B碳化硅MOSFET半桥模块BMF240R12E2G3
BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块，该模块采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅（Si3N4）AMB陶瓷基板等技术。
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基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列，能高效可靠地抑制碳化硅MOSFET的误开通
在驱动碳化硅MOSFET时引入米勒钳位功能非常必要，采用基本半导体自研的BTD25350MM驱动芯片能够高效可靠地抑制误开通，该驱动芯片目前被广泛应用于光伏储能、充电桩、车载OBC、服务器电源等领域中。大家在使用碳化硅MOSFET进行方案设计时，为规避误导通风险，建议选择BTD25350驱动芯片系列产品。
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基本半导体推出单通道智能带短路保护的隔离驱动芯片BTD3011R系列，绝缘电压高达5000Vrms
BTD3011R单通道智能带短路保护的隔离门极驱动芯片采用磁隔离技术，集成退饱和短路保护、软关断功能、原副边欠压保护、副边电源正压稳压器，极大简化外部电路设计，用于电压等级1200V内的IGBT或碳化硅MOSFET驱动。
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【经验】以碳化硅肖特基二极管B1D20065HC为例说明如何进行散热设计
当SiC JBS器件在高于Tj(max)的温度下运行时，芯片可能发生热击穿损坏。选择冷却系统（散热器）时，需以芯片金属上或芯片中央正下方的温度为准。本文以基本半导体的碳化硅肖特基二极管B1D20065HC为例进行散热设计说明。
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基本半导体推出新一代碳化硅MOSFET，产品性能进一步提升，封装形式更加丰富
基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，产品性能进一步提升，封装形式更加丰富。首发规格包括面向车用主驱等领域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、储能等领域的1200V/40mΩ系列，以及面向AI算力电源、户储逆变器等领域的650V/40mΩ系列产品。
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基本半导体新品工业级全碳化硅MOSFET功率模块，更好满足客户对高功率密度需求
基本半导体开发推出了工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E1B和Pcore™4 E1B。该系列产品采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅（Si3N4）AMB基板等技术，在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
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【技术】基本半导体SiC科普小课堂 | 什么是MOSFET的漂移区及体二极管？｜视频
漂移区电阻是MOSFET导通电阻RDS(on)的主要组成部分。那么什么是漂移区？这其中涉及到的另一个重要概念——体二极管，二者有何关系？在MOSFET截止时，谁是承担电压的主要角色？
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基本半导体Pcore™2 E2B工业级碳化硅半桥模块——革新您的电源体验
基本半导体Pcore™2 E2B工业级碳化硅半桥模块不仅在材料选择上具有领先优势，其内置的高性能器件也确保了其在高效能电源转换领域的领先地位。无论是对于设计者还是终端用户而言，PcoreTM2 E2B模块都是提升系统性能、可靠性和经济性的优选方案。
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铜流激荡，智驱新章 | 基本半导体铜烧结技术在碳化硅功率模块中的应用
铜烧结技术在碳化硅车载功率模块封装领域大有可为，基本半导体将积极推动该技术的产业化进程，充分发挥行业引领作用。未来，基本半导体将继续深化产学研合作，加速推进铜烧结技术的成熟和应用，为碳化硅车载功率模块的发展注入新的动力，助力新能源汽车产业实现更优性能、更高可靠、更低成本，推动行业生态良性发展。
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基本半导体将加快研发更高功率密度、更大电压电流等级的碳化硅功率器件，实现碳化硅功率器件的自主可控、国产替代
近日，国内第三代半导体行业领军企业——深圳基本半导体宣布了一则重磅消息：一辆搭载了基本半导体碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二极管的新能源汽车，至今已累计无故障行驶120天、运行里程超过1万公里！
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凶猛来袭！基本半导体领先碳化硅功率模块技术赋能埃安霸王龙，强悍超长续航引领绿色出行新风尚
2024年7月23日，埃安全球战略车型第二代AION V上市发布会正式启幕，第二代AION V以“纯电霸王龙”的姿态震撼登场，展现在外观、空间、续航、补能、舒适、智能和安全等方面的八大核心产品力。基本半导体以领先的碳化硅功率模块技术，赋能埃安霸王龙凶猛来袭，以强悍的超长续航、超高效能引领绿色出行新风尚！
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【产品】汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore™2，具有低开关损耗、低温度依赖性特点，工作结温达175℃
汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore™2是基本半导体针对新能源商用车等大型车辆客户对主牵引驱动器功率器件的高功率密度、长器件寿命等需求而专门开发的产品。
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【 技术】低损耗、高结温，基本半导体混合碳化硅分立器件性能优势介绍
在强调低开关损耗、高结温的场合下，混管比传统IGBT有着更出色的表现。因此，当您在进行相关方案设计时，为进一步减小器件的开关损耗，建议选择基本半导体混合碳化硅分立器件。
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【产品】基本半导体推出通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET
基本半导体采用业内最成熟可靠的平面栅工艺，结合自身技术优势和特点，开发出了高可靠性、各项技术指标优异的1200V系列碳化硅MOSFET，特别是在器件短路耐受能力方面，基本半导体运用其独有的技术优势，将器件的短路耐受时间提升到6μs级别，给工程师应用带来更多选择的同时，大大降低了驱动保护电路的设计成本和要求。
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基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350，能高效可靠地抑制碳化硅MOS误开通
基本半导体自主研发推出可支持米勒钳位功能的双通道隔离驱动芯片BTD25350，此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计，能高效可靠地抑制碳化硅MOSFET的误开通，该驱动芯片目前被广泛应用于光伏储能、充电桩、车载OBC、服务器电源等领域中。
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【产品】国产1200V碳化硅 MOSFET，具有低的RDS(ON)
基本半导体（BASiC）碳化硅 MOSFET具有低的RDS(ON)，开关性能优良，可提高器件工作效率，减少芯片面积。它们能在更高的开关频率下，通过更低的热损耗实现高效率。这些产品可在电机驱动器、开关电源、太阳能逆变器和UPS等领域广泛使用。
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基本半导体助力国创中心进行国产半导体极限高温测试，打造高质量的国产车规级碳化硅功率器件
8月14日，国家新能源汽车技术创新中心（简称“国创中心”）邀请基本半导体等13家国内整车和半导体企业的专家，实地开展“中国车规半导体首批测试验证项目吐鲁番高温试验”活动，并举行了车规半导体测试验证项目高温测试技术研讨会。
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【应用】基本半导体650V/10A的碳化硅二极管B1D10065KF用于PFC，实测效率92.11%
基本半导体650V/10A的碳化硅二极管B1D10065KF，主要用在PFC电路上D5位置，启动续流防反的效果。笔者在一款矿机产品中采用B1D10065KF实测的效率数据是92.11%，相比于A公司的91.49%和B公司的92.00%，实测效率更高，产品更具高性能优势。
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基本半导体车规级全碳化硅功率模块BMB200120P1荣获“中国芯”优秀技术创新产品奖
2019年10月25日，第十四届“中国集成电路产业促进大会”在青岛举办，现场揭晓了“中国芯”优秀产品征集结果，基本半导体车规级全碳化硅功率模块（BMB200120P1）荣获优秀技术创新产品奖。“中国芯”是国内集成电路产业的最高荣誉，被誉为我国集成电路设计业发展的风向标。
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【技术】SiC科普小课堂 | 碳化硅MOSFET的RDS(on)构成情况 ∣ 视频
今天的“SiC科普小课堂”中，基本半导体市场部总监魏炜老师将继续围绕碳化硅MOSFET的话题，为大家介绍其RDS(on)的构成情况，以及降低该电阻、提高器件性能需要攻克的主要方向。
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【经验】 碳化硅肖特基二极管可靠性及应用注意事项
dv/dt、di/dt破坏通常情况下，当给硅快恢复二极管和碳化硅肖特基二极管施加过大的dv/dt 时，器件都有可能因过压而损坏，因此在碳化硅肖特基二极管器件设计使用过程中需参考规格书中的参数，本文基本半导体碳化硅肖特基二极管可靠性及应用注意事项。
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【经验】碳化硅肖特基二极管器件散热设计指导
本文中国产碳化硅领先厂牌基本半导体将为各位读者讲解碳化硅肖特基二极管器件散热设计，从器件散热选择、器件散热注意事项、器件安装、验证芯片温度等四个角度进行介绍。
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【应用】碳化硅肖特基二极管B2D10065Q用于升压电源模块，反向耐压650V，损耗仅0.34%@380V
在升压电源模块中，会用到肖特基二极管，但常规硅二极管一般耐压低、损耗大。推荐基本半导体的碳化硅肖特基二极管B2D10065Q，具备耐压高、损耗小、体积小、可靠性高的特点，能够满足28V升压到380V的电源模块设计需要。
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【产品】650V/30A肖特基二极管B1D30065HC，VF具有正温度系数
基本半导体肖特基二极管B1D30065HC的反向重复峰值电压为650V，每台设备在临界温度为155°C时正向电流为30A，具有极低的反向电流、无反向恢复电流、不受温度影响的开关。
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