丽正国际
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丽正国际(Rectron)成立于1975年,台湾上市公司,是一家拥有超过40年的整流器制造经验的分立半导体优质制造商,产品涉及整流器,TVS/ESD二极管,碳化硅肖特基,晶体管,MOSFET,齐纳稳压管等器件,为Apple,ZTE,LG,Honeywell等全球知名品牌供货商。丽正国际(Rectron)通过了UL、AEC-Q101、IATF16949、ISO9001、ISO14001 & OHSAS18000等认证,采用 IPQC, SPC和TQM 方式提高半导体器件生产的质量水平,确保<10PPM的故障率,连续10年获得台湾政府颁发的卓越制造商奖。 查看更多
丽正国际产品选型帮助
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【选型】丽正国际整流器/二极管/晶体管/MOSFET选型指南
丽正国际(Rectron)的MOSFET全系列产品涵盖低压(below 60V),中压(below 200V),高压( 600V~650V~1200V),低导通阻抗(RDS on),可减少切换损失,提升效率。
型号 | 描述 | 品质保证 | 价格(含增值税) |
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RMA7P;RMA7P20ED1系列 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET;Vdss(V)=20;ID(TA=25℃)(A)=0.7;Rds-on(typ)(mOhms)=360;Total Gate Charge(typ)=0.8;Maximum Power Dissipation(W)=0.9;Vgs(th)(typ)=0.6;Input Capacitance(Ciss)(pF)=52 DFN 最小包装量:10,000 |
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RMA7N;RMA7N20ED1系列 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET;Vdss(V)=20;ID(TA=25℃)(A)=0.7;Rds-on(typ)(mOhms)=180;Total Gate Charge(typ)=1.1;Maximum Power Dissipation(W)=0.55;Vgs(th)(typ)=0.8;Input Capacitance(Ciss)(pF)=40 DFN 最小包装量:10,000 |
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RM5N150;RM5N150S8系列 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET;Vdss(V)=150;ID(TA=25℃)(A)=4.6;Rds-on(typ)(mOhms)=63;Total Gate Charge(typ)=6.5;Maximum Power Dissipation(W)=3.1;Vgs(th)(typ)=2;Input Capacitance(Ciss)(pF)=625 SOP-8 最小包装量:4,000 |
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RM495系列 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET;Vdss(V)=30;ID(TA=25℃)(A)=5.1;Rds-on(typ)(mOhms)=43;Total Gate Charge(typ)=11;Maximum Power Dissipation(W)=2.5;Vgs(th)(typ)=1.6;Input Capacitance(Ciss)(pF)=520 SOP-8 最小包装量:4,000 |
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RM100系列 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET;Vdss(V)=100;ID(TA=25℃)(A)=2;Rds-on(typ)(mOhms)=185;Total Gate Charge(typ)=5.2;Maximum Power Dissipation(W)=1.1;Vgs(th)(typ)=2;Input Capacitance(Ciss)(pF)=190 SOT-23 最小包装量:3,000 |
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RM230系列 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET;Vdss(V)=20;ID(TA=25℃)(A)=3;Rds-on(typ)(mOhms)=64;Total Gate Charge(typ)=3.3;Maximum Power Dissipation(W)=1;Vgs(th)(typ)=0.7;Input Capacitance(Ciss)(pF)=405 SOT-23 最小包装量:3,000 |
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RM340系列 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET;Vdss(V)=30;ID(TA=25℃)(A)=4.2;Rds-on(typ)(mOhms)=48;Total Gate Charge(typ)=8.5;Maximum Power Dissipation(W)=1.2;Vgs(th)(typ)=1;Input Capacitance(Ciss)(pF)=880 SOT-23 最小包装量:3,000 |
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RM200系列 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET;Vdss(V)=20;ID(TA=25℃)(A)=3;Rds-on(typ)(mOhms)=36;Total Gate Charge(typ)=2.9;Maximum Power Dissipation(W)=0.8;Vgs(th)(typ)=0.75;Input Capacitance(Ciss)(pF)=260 SOT-23-6L 最小包装量:3,000 |
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RM230系列 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET;Vdss(V)=20;ID(TA=25℃)(A)=4;Rds-on(typ)(mOhms)=37;Total Gate Charge(typ)=4;Maximum Power Dissipation(W)=1;Vgs(th)(typ)=0.85;Input Capacitance(Ciss)(pF)=300 SOT-23 最小包装量:3,000 |
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RM2305系列 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET;Vdss(V)=20;ID(TA=25℃)(A)=4.1;Rds-on(typ)(mOhms)=39;Total Gate Charge(typ)=7.8;Maximum Power Dissipation(W)=1.7;Vgs(th)(typ)=0.7;Input Capacitance(Ciss)(pF)=740 SOT-23 最小包装量:3,000 |
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【产品】50~1000V/2A的表面贴装硅整流器2A1~2A7系列,表面贴装应用的理想选择
丽正国际(RECTRON)的2A1~2A7系列是表面贴装硅整流器,最大重复峰值反向电压值为50~1000V,最大平均正向整流电流均为2A,低漏电流,采用冶金结合结构,是表面贴装应用的理想选择。
【产品】40V/1A的NPN晶体管FMMT491A,采用SOT-23封装
丽正国际推出的FMMT491A是NPN晶体管,最大集电极-发射极电压VCEO为40V,最大集电极电流1A,最大集电极功耗500mW,采用SOT-23封装,具有等效导通电阻低和无卤素的特点。
丽正国际(Rectron)汽车解决方案
Rectron’s solution of automotive
丽正国际(Rectron)功率因数校正(PFC)的先进技术介绍及解决方案
Advanced Techniques in Power FactorCorrection (PFC)
丽正国际(Rectron)直流风扇解决方案
Rectron’s solution of DC FAN
丽正国际(Rectron)AC-DC应用介绍
丽正国际(Rectron)LED灯具架构整流器应用介绍
【产品】600V的超快速回收整流器MUR6060PT/MUR6060PTS,可用于低压、高频逆变器
丽正国际(RECTRON)旗下采用TO-247和TO-247S封装的超快速回收整流器MUR6060PT和MUR6060PTS,具有低功耗、高效率、高电流能力、高速开关能力、高正向浪涌能力和高可靠性的特点,符合RoHS标准,可用于低压、高频逆变器。
丽正国际中压的MOSFET产品可以做CLASS D功放用吗?
可以的。功放选用MOSFET的时候考虑的因素主要是功率,电压,Rdson,还有开关频率等,这些因素会影响到THD,丽正国际的MOSFET产品可以满足D类功放的设计,但是需要根据产品设计的功放功率来选择一定的MOSFET,还有参数的选型,还有谐波失真的要求,最后再来选型MOSFET,当然MOSFET的选择后再需要设计其它元件一起配合,比如低通滤波器的LC选型等。
丽正国际推出的RM150N100AT2是一款N沟道功率MOSFET,产品应用场所多,但封装是否单一了?
丽正国际推出的RM8N700LD和RM8N700IP,适用于高压器件,高压是不是对散热要求很高?
【产品】40V/200mA的NPN三极管MMBT3904W,采用SOT-323封装
丽正国际推出的MMBT3904W是NPN三极管,最大集电极-发射极电压为40V,最大集电极电流200mA,最大集电极功耗200mW,采用SOT-323封装。
【产品】20V~40V/2A的低正向电压肖特基势垒整流器FMM220A系列
丽正国际推出的FMM220A、FMM230A、FMM240A是低正向压降肖特基势垒整流器,最大瞬时正向电压仅0.44V(直流电流为2A时),最大反向重复峰值电压从20V~40V,最大平均正向整流电流为2A,采用DO-214AC封装,具有高可靠性和高浪涌能力等特点。
丽正国际公司简介及MOSFET/肖特基桥/碳化硅肖特基产品介绍
丽正国际公司简介及产品介绍
Rectron Company profile(brief version)
【产品】80V/20A的肖特基势垒整流器ISRL2080C,ITO-220封装
丽正国际推出的ISRL2080C是肖特基势垒整流器,最大反向重复峰值电压为80V,最大平均正向整流电流为20A,采用 ITO-220封装,具有高可靠性和低开关损耗等特点。
丽正国际 官方授权代理证明/分销协议/授权书
丽正国际2RS101M~2RS107M单相玻璃钝化硅桥式整流器数据手册
RECTRON QUALITY / RELIABILITY PROGRAM
Rectron Fast-Rec Spice table.xlsx
Rectron LTD UL Certifications
CERTIFICATE OF REGISTRATION Zhejiang Rectron Electronic Co., Ltd. GB/T 24001-2016/ISO 14001:2015 related environmental management activities in the production of rectifier diode and the bridge type rectifier
CERTIFICATE OF REGISTRATION Zhejiang Rectron Electronic Co., Ltd. GB/T 28001-2011/OHSAS 18001:2007 related occupational health & safety management activities in the production of rectifier diode and the bridge type rectifier
Scope: This specification shall apply to all Rectron products with “Pb-free” external terminals.
【产品】1200V/1A的表面贴装高效整流器SH9,SOD-123F封装
丽正国际推出的表面贴装高效整流器SH9,最大反向重复峰值电压为1200V,最大平均正向整流电流为1A,采用SOD-123F封装,具有低功耗、高效率、低正向电压等特点,环氧树脂符合UL阻燃等级94V-O。
Rectron WOM package EOL (Final Product/Mterial Change Notification) (2020082103WOM)
Rectron WOM package EOL
Rectron RC2 package PCN
Rectron DO-201AD package PCN (Final Product/Mterial Change Notification) (2020042003DO201AD)
Rectron RB-15 package PCN
【产品】600V/16A的玻璃钝化硅整流器MUR1660,TO-220A封装
丽正国际(RECTRON)旗下采用TO-220A封装的玻璃钝化硅整流器MUR1660,具有低泄漏、低正向压降、高电流载流能力、高浪涌能力的特点,最大重复峰值反向电压600V,最大平均正向整流电流16A(Tc=100℃时),工作结温和储存温度范围-55~150℃。
【产品】200V/60A的肖特基势垒整流器MBR60200PT和MBR60200PTS,适用于过电压保护
丽正国际采用TO-247和TO-247S封装的肖特基势垒整流器MBR60200PT和MBR60200PTS,具有低正向电压、低热阻、大电流能力、高正向浪涌能力、低功耗、高效率的特点,最大重复峰值反向电压均为200V,最大平均正向整流电流均为60A,适用于过电压保护。
【产品】100V/20A的肖特基势垒整流器SRL20100C,采用 TO-220封装
丽正国际推出的SRL20100C是一款肖特基势垒整流器,其最大反向重复峰值电压为100V,最大平均正向整流电流为20A, 采用 TO-220封装,具有高可靠性、低开关损耗、低正向压降、高电流能力、高开关能力等特性。
【产品】1000V/8A的超快整流器MUR8100,适用于开关电路
丽正国际(RECTRON)旗下采用TO220A-1封装的超快整流器MUR8100,最大峰值反向电压1000V,最大平均正向整流电流8A,具有高可靠性、低泄漏、低正向电压、大电流能力、超快开关速度、高浪涌能力的特点,适用于开关电路。
【产品】200V/3A表面贴装肖特基势垒整流器KDB3200S,采用DB-S封装
丽正国际推出的KDB3200S是一种表面贴装肖特基势垒整流器。其最大反向重复峰值电压为200V,最大平均正向电流为3A,典型结电容为200pF,工作结温和储存温度范围均为-55~150℃。该产品采用SB-S封装,环氧树脂符合UL阻燃等级94V-O。
【产品】1400V/3A的硅整流器1N5414G,DO-201AD封装
丽正国际推出的1N5414G是硅整流器,其最大反向重复峰值电压为1400V,最大平均正向整流电流为3A, 采用DO-201AD封装,符合RoHS标准和阻燃性等级UL 94V-0,具有低漏电流和低正向压降等特点。
【产品】150V/60A肖特基势垒整流器SR60150CE,采用 TO-247封装
丽正国际推出的SR60150CE,SR60150CEV是肖特基势垒整流器,其最大反向重复峰值电压为150V,最大平均正向整流电流为60A, 采用TO-247封装;其中SR60150CEV通过了AEC-Q101认证,是车规级器件。
【产品】200V/30A肖特基势垒整流器ISRL30200C,采用 ITO-220封装
丽正国际推出的ISRL30200C是肖特基势垒整流器,其最大反向重复峰值电压为200V,最大平均正向整流电流为30A, 采用ITO-220封装。
【产品】300V/10A肖特基势垒整流二极管SR10300C,采用TO-220封装
丽正国际(RECTRON)旗下采用TO-220封装的肖特基势垒整流二极管SR10300C,具有低开关噪声、低正向压降、高电流载流能力、高浪涌能力的特点。最大重复峰值反向电压300V,最大平均正向整流电流10A,工作结温和存储温度范围均为-55~175℃。
【产品】50V/100mA的NPN数字晶体管DTC123JE/JUA/JKA/JCA/JSA
丽正国际(RECTRON)的NPN数字晶体管DTC123JE、DTC123JUA、DTC123JKA、DTC123JCA、DTC123JSA,内置偏置电阻器,无需连接外部输入电阻器,即可实现逆变器电路的配置;只需设置开/关条件即可进行操作,电路设计简单。
【产品】60V/10A肖特基势垒整流二极管SR1060CK,采用D-PAK封装
丽正国际(RECTRON)旗下采用D-PAK封装的肖特基势垒整流二极管SR1060CK。具有低开关噪声、低导通压降、高电流载流能力等特点。最大重复峰值反向电压60V,最大平均正向整流电流10A,工作结温150℃。
【产品】300V/5A肖特基势垒整流二极管SR5300,采用DO-201AD封装
丽正国际(RECTRON)旗下采用DO-201AD封装的肖特基势垒整流二极管SR5300。最大重复峰值反向电压300V,最大平均正向整流电流为5A,具有低开关损耗、低导通压降、高电流载流能力的特点。
【产品】150V/86A N沟道增强型功率MOSFET RM86N150DF,采用 DFN5X6-8L封装
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。RM86N150DF是丽正国际推出的一款采用 DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,适用于多种应用。
【产品】采用表面贴装的45V/10A肖特基势垒整流二极管SRL1045,低剖面设计适用于智能手机充电器
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术,其推出了采用表面贴装的肖特基势垒整流二极管SRL1045。具有低导通压降、高正向浪涌能力的特点,低剖面设计可适用于智能手机充电器。
【产品】DFN2x2-3L封装的PNP双极型功率晶体管RT2N46,小尺寸适用于充电电路和电源管理应用
丽正国际(RECTRON)推出的PNP双极型功率晶体管RT2N46,具有非常低的饱和电压和高集电极电流,封装为DFN2x2-3L,尺寸非常小,该器件适用于充电电路和电源管理等应用。标准的RT2N46是无铅产品。
【产品】-20 V/-4.1A P沟道增强型功率MOSFET RM4P20ES6,栅极电压低至2.5V
丽正国际(Rectron)推出的P沟道增强型功率MOSFET RM4P20ES6,采用先进的沟槽技术设计,可提供优良的低导通电阻RDS(ON),低栅极电荷,并以低至2.5V的栅极电压工作。该器件采用SOT23-6封装, 适用于负载开关或PWM应用等。
【产品】100V/4A表面贴装肖特基势垒整流二极管FM4100A,DO-214AC封装
丽正国际(RECTRON)表面贴装肖特基势垒整流二极管FM4100A,最大重复峰值反向电压100V,最大平均正向整流电流为4A,具有低漏电流的特点,采用冶金结合结构,是表面封装应用的理想选择。该产品采用DO-214AC封装。
【产品】120V/30A的肖特基势垒整流器ISRL30120C,采用ITO-220封装
ISRL30120C是丽正国际推出的一款肖特基势垒整流器,其最大重复峰值反向电压120V,最大平均正向整流电流高达30A,具有高电流载流能力、高浪涌电流承受能力、低正向压降、低转换损耗、高可靠性稳定性等特点。
【产品】150V/8A表面贴装肖特基势垒整流器SR8150P,采用DO277封装
SR8150P是丽正国际推出的一款150V/8A的表面贴装肖特基势垒整流器,具有低转换噪声、低正向压降、低热阻、高电流载流能力、高浪涌电流承受能力、高稳定可靠性等特点,工作结温和储存温度范围均为-55~150℃,采用DO277封装
【产品】100V/1A表面贴装肖特基势垒整流二极管SSL100
丽正国际(RECTRON)推出了采用表面贴装的100V/1A肖特基势垒整流二极管SSL100。具有低功耗、低漏电流、快速开关、高浪涌能力的特点。
【产品】20V/0.87A的N沟道增强型功率MOSFET RMA9N20S5,导通电阻小于230mΩ
丽正国际(Rectron)推出的RMA9N20S5 N沟道增强型功率MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,具有超低的RDS(ON)和低栅极电荷,漏源击穿电压20V,ID为0.87A,应用范围包括开关电源(SMPS)、硬开关和高频电路和不间断电源等。
【产品】200V/30A肖特基势垒整流器SR30200CE,采用TO-247封装
SR30200CE是丽正国际推出的肖特基势垒整流器,最大反向重复峰值电压200V,最大平均正向整流电流30A,采用TO-247封装,典型热阻值2℃/W,有着低开关噪声,低正向压降等特点。该产品符合ROHS标准。
【产品】1200V/0.5A表面贴装高效整流器05H12,采用SOD-123F封装
丽正国际(RECTRON)的表面贴装的高效整流器05H12,最大重复峰值反向电压为1200V,最大平均正向整流电流为0.5A,采用SOD-123F封装,具有低功耗、低漏电流、快速开关、高浪涌能力的特点。
【产品】45V/10A肖特基势垒整流二极管SR1045L,采用DO-201AD封装
丽正国际(RECTRON)推出了采用DO-201AD封装的肖特基势垒整流二极管SR1045L。具有低开关损耗、低导通压降、高电流载流能力的特点。该产品符合ROHS标准。
【产品】50~600V/3A快速软恢复整流二极管RL850~RL856系列,采用DO-201AD封装
丽正国际(RECTRON)采用DO-201AD封装的快速软恢复整流二极管RL850、RL851、RL852、RL854和RL856。具有快速开关、低泄漏、低导通压降、高电流载流能力、高浪涌能力的特点。
【产品】50~1000V的单相玻璃钝化硅桥式整流器KBL401~KBL410/601~KBL610系列
丽正国际(RECTRON)推出的单相玻璃钝化硅桥式整流器KBL401~KBL410,KBL601~KBL610系列,最大反向重复电压范围为50至1000V,最大正向平均整流电流分别为4A/6A,具有低漏电流,低正向电压等特点。引线为镀银铜材料,采用环氧树脂材料,符合UL 94V-0阻燃等级,可安装在任意位置。
【产品】SBAT116表贴式开关二极管,正向持续电流215mA,采用DFN1006-2超小封装,反向恢复时间仅为3us
SBAT116是丽正国际全新推出的一款表贴式开关二极管,其峰值反向电压为85V,正向持续电流215mA,正向导通电压VF为0.9V(IF=1mA),反向恢复时间最大只有3us,采用DFN1006-2超小封装,能够大大减少pcb占用面积。
【产品】200V/10A的肖特基整流器SR10200/1045CK,采用D-PAK封装
丽正国际(RECTRON)推出肖特基整流器SR10200CK,SR1045CK,具有低开关噪音,低正向压降,低热阻,高浪涌能力和高可靠性等特点。此外,SR10200CK,SR1045CK具有较宽的储存温度范围:-55℃ 到+ 150℃,采用环氧树脂材料,通过UL 94V-O阻燃等级,可安装在任何位置。
【产品】P沟道增强型功率MOSFET RMN3P10R0DN,具有快速开关特性,导通电阻最低10mΩ
丽正国际推出P沟道增强型功率MOSFET ——RMN3P10R0DN,是一款性能优良的产品。来自APEC的先进功率MOSFET为设计者提供了快速开关、加固器件设计、低导通电阻和性价比的最佳组合。PMPAK 3x3封装是专门用于DC-DC转换器应用和较低的1.0毫米外形和背面散热器。
【产品】40V/3A的表面贴装肖特基整流器3SS40/3SS40L
丽正国际(RECTRON)推出的表面贴装肖特基整流器3SS40,3SS40L,具有较宽的工作/储存温度范围:-55 到+ 150℃,低漏电流,采用冶金结合结构,材料采用环氧树脂,通过UL 94 V-0阻燃等级,可安装于任何位置,适合表面贴片安装应用。3SS40采用SOD-123F封装,3SS40L采用SOD-123FL封装。
【产品】100/200V的肖特基整流器SRL10100/200,采用DO-201AD封装
丽正国际(RECTRON)的肖特基整流器SRL10100,SRL10200,具有低开关损耗,低正向压降和高电流能力,高开关能力,高可靠性等特点,具有较宽的储存温度范围:-55℃ 到+ 150℃,最大反向重复峰值电压VRRM分别为100 V(SRL10100),200 V(SRL10200),采用DO-201AD封装。
【产品】超低导通电阻的N沟道增强型功率MOSFET RM5N500IP,漏源击穿电压的最小值为500V
丽正国际(Rectron)推出的RM5N500IP N沟道增强型功率MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,具有超低的RDS(ON)和较低的栅极电荷,应用范围广。全面表征雪崩电压和电流,具有较好的稳定性和均匀性,采用出色的封装,散热性能好;采用特殊的工艺技术,ESD耐受能力高。
【产品】600V/4A的N沟道增强型MOSFET RMP4N60,反向传输电容低至8pF
丽正国际(Rectron)推出的RMP4N60是一款N沟道增强型MOSFET,采用了Jiexin半导体专利技术。自对准平面工艺和改进的端子技术减少了传导损耗,改善了开关性能,提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种开关电源电路,以实现更高效率和系统小型化。
【应用】超快硅整流器EFM206/207用于电动汽车自举电路,最大反向恢复时间不超过50ns
在电动汽车中,电机负责为电动汽车提供动力,是电动汽车的动力源,但是电机无法独立工作,要实现电机的可靠稳定运行,还需完成逆变器及其驱动部分的设计,本文介绍了丽正国际的超快硅整流器EFM206、EFM207用于逆变器自举电路中,分析了自举二极管的作用以及EFM系列二极管符合自举电路设计的原因,为设计者提供参考。
【产品】600V/2A的玻璃钝化表面贴装超快硅整流器UFM207,采用DO-214AA封装
丽正国际(Rectron)推出的玻璃钝化表面贴装的超快硅整流器UFM207,最大反向重复峰值电压600 V,最大平均正向整流电流2.0 A,工作温度为-55℃至150℃,超快的恢复时间和低正向电压、低功率损耗等特点。
【选型】国产N沟道MOS RM150N100DF可PIN-PIN替换BSC070N10NS5,导通电阻更小、性能更优
目前市面上主流采用的MOSFET有英飞凌的BSC070N10NS5等,不过因供货交期和价格压力等因素,很多客户会选择一款低成本、供货交期好的国产替代方案,本文重点推荐丽正国际(Rectron)的N沟道MOSFET RM150N100DF做替换,可pin-pin替代,导通电阻低至4.2mΩ,可使系统功耗更低、效率更高且通流能力更大。
【产品】40V/10A表面贴装肖特基势垒整流器FM1040C
丽正国际推出了采用表面封装的肖特基势垒整流器FM1040C具有低漏电流的特点,采用冶金结合结构,是表面封装应用的理想选择。
【产品】肖特基势垒二极管BAT54WS,采用SOD-323小型塑料封装
丽正国际推出BAT54WS肖特基势垒二极管,采用SOD-323小型塑料封装,器件在IF=0.1mA条件下的正向电压最大值仅为240mV,具有低正向电压,高电流承受能力等特性。
【产品】-40V/-1.5A/625mW的硅PNP型晶体管8850T,采用SOT-89塑料封装
8850T是丽正国际推出的一款硅PNP型晶体管,采用SOT-89塑料封装,专为功率放大应用所设计。其与8050T为互补器件。集电极-基极电压为-40V,连续集电极电流为-1.5A,集电极耗散功率为625mW。
全球知名整流器厂商——丽正国际(Rectron)
丽正国际(Rectron)成立于1975年,台湾上市公司,是一家拥有超过40年的整流器制造经验的分立半导体优质制造商,产品涉及整流器,TVS/ESD二极管,碳化硅肖特基,晶体管,MOSFET,齐纳稳压管等器件,为Apple、ZTE、LG、Honeywell等全球知名品牌供货商。世强是丽正国际(Rectron)官方授权一级代理商,代理丽正国际(Rectron)旗下整流器,TVS/ESD二极管等产品。
【产品】550V/6A的NPN硅扩散型功率晶体管BUJ403A,采用TO-220封装
BUJ403A是丽正国际推出的一款NPN硅扩散型功率晶体管,采用TO-220封装,具有高电压、高速平面钝化的特点,专为高频电子照明镇流器、转换器、逆变器、开关调节器、电机控制系统等应用而设计。结至环境的最小热阻值为60K/W。
【产品】20V/6A的N沟道双路MOSFET RM8205F,采用SOT23-6塑料封装
RM8205F是丽正国际推出的一款采用SOT23-6塑料封装的N沟道双路MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术,使其具有较低的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,栅极电压低至2.5V,适用于电池保护和开关应用。
【产品】100V/3A/2W的硅NPN型三极管TIP31CK,采用TO-252封装
TIP31CK是丽正国际推出的一款NPN型三极管,采用TO-252封装,集电极-基极电压和集电极-发射极电压均为100V,集电极电流为3A,集电极耗散功率为2W,结温和储存温度均为-65~150℃,专为中功率线性开关应用所设计,与TIP32C为互补器件。
【产品】20V/7A的N沟道双MOSFET RM8810,提供ESD保护
RM8810是丽正国际推出的一款采用SOT23-6塑料封装的N沟道双MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,可以提供ESD保护,适用于PWM应用或负载开关。
【产品】30V/1.5A的N沟道MOSFET RM1A5N30S3AE,采用SOT-323封装
RM1A5N30S3AE是丽正国际推出的一款采用SOT-323封装的N沟道MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,广泛适用于功率开关应用,硬开关和高频电路,DC/DC转换器等多种应用。
【产品】60V/5A N沟道增强型功率MOSFET RM5N60S4,采用SOT-223-3L封装
RM5N60S4是丽正国际推出的一款采用SOT-223-3L封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,广泛适用于多种应用。
【产品】65V/95A的N沟道增强型功率MOSFET RM95N65T2,采用TO-220-3L封装
RM95N65T2是丽正国际推出的一款采用TO-220-3L封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,广泛适用于功率开关应用,硬开关和高频电路,不间断电源等应用。
【产品】-20V/-4.1A P沟道增强型功率MOSFET RM2305C
RM2305C是丽正国际推出的一款采用SOT-23封装的P沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,栅极电压低至2.5V,适用于负载开关或PWM应用。
【产品】高集电极电流低集电极-发射极饱和压降的NPN型中功率晶体管BCP5616
BCP5616是丽正国际推出的一款NPN型中功率晶体管,采用SOT-223封装,具有高集电极电流、低集电极-发射极饱和压降的特点,适用于AF驱动和输出级。
【产品】集电极-基极电压为80V的NPN型晶体管FMMT491V
FMMT491V是丽正国际推出的一款NPN型晶体管,采用SOT-23封装,集电极-基极电压为80V,集电极电流为1A,具有低等效电阻的特点,P/N后缀V表示AEC-Q101认证,例如:FMMT491V,且为无卤素。封装及引脚图如下,其中1为基极,2为发射极,3为集电极,标记为491。
【产品】采用SOT-323封装的快速开关二极管BAS316WSV,耗散功率为250mW
BAS316WSV是丽正国际推出的一款采用SOT-323封装的快速开关二极管,耗散功率为250mW,标记代码为A6。TRR<4ns,反向漏电流低。反向重复峰值电压为85V,工作结温为150℃。
【产品】30V/81A的N沟道增强型功率MOSFET RM80N30DF,采用DFN5X6-8L封装
RM80N30DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,适用于负载开关或PWM应用。
【产品】高电流增益的PNP型贴片三级管MMBT2907S3,采用SOT-323封装
MMBT2907S3是丽正国际推出的一款采用SOT-323封装的PNP型贴片三级管,集电极-基极电压-60V,集电极电流0.6A,集电极耗散功率0.3W,结温为150℃,可用于电子设备的一般放大器中。
【产品】60V/100A的N沟道增强型功率MOSFET RM100N60HD,采用TO-263封装
RM100N60HD是丽正国际推出的一款采用TO-263封装的N沟道增强型功率MOSFET,漏源电压最大额定值为60V,漏极连续电流最大额定值为100A,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,广泛适用于功率开关应用,硬开关和高频电路,不间断电源等多种应用。
【产品】30V/10A N沟道增强型功率MOSFET RM10N30D2
RM10N30D2是丽正国际推出的一款采用PQFN 2mm x 2mm封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,适用于电池保护或其他开关应用。
【产品】互补型数字晶体管ST9014(NPN型)和ST9015(PNP型)
ST9014和ST9015系列是丽正国际推出的两款互补型数字晶体管,其中ST9014为NPN极性,ST9015为采用SOT-89-3L 封装的PNP型晶体管。
【产品】采用Super Trench技术的 100V/80A N沟道功率MOSFET RM80N100T2
RM80N100T2是丽正国际推出的一款采用TO-220-3L封装的N沟道功率MOSFET,经过独特优化的超级沟槽技术,可提供最高效的高频开关性能,由于极低RDS(ON)和Qg的组合,传导和开关功率损耗都被最小化,因此是高频开关和同步整流的理想选择。
【产品】-30V/-5.1A P沟道增强型功率MOSFET RM5A1P30S6,采用SOT-23-6封装
RM5A1P30S6是丽正国际推出的一款采用SOT-23-6封装的P沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,栅极电压低至2.5V,适用于负载开关或PWM应用。
【产品】采用TO-220塑料封装 500V/5A N沟道MOSFET RM830
RM830是丽正国际推出的一款采用TO-220塑料封装的N沟道MOSFET,该器件具有低栅极电荷、低反向传输电容、快速开关的特点,适用于高效开关、DC/DC转换器和开关电源应用。
【产品】30V/50A/6.5 mΩ的N沟道MOSFET RM50N30DN,采用DFN 3x3封装
RM50N30DN是丽正国际推出的一款采用DFN 3 x 3封装的N沟道MOSFET,其采用先进的功率创新设计与硅工艺技术,最大可能的实现了低导通电阻和快速开关性能,导通电阻RDS(ON)为6.5 mΩ。在大多数功率应用中,该器件都给设计者提供了极高的效率。
【产品】-30V/-70A的P沟道增强型MOSFET RM70P30LD,采用TO-252-2L封装
RM70P30LD是丽正国际推出的一款采用TO-252-2L封装的P沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,广泛适用于多种功率开关、DC/DC转换等应用。该器件提供ESD保护。
【产品】-30V/-70A的P沟道增强型功率MOSFET RM70P30DF,采用DFN5X6-8L封装
RM70P30DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的P沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻、低栅极电荷,适用于PWM和负载开关应用。在TA=25°C时,RM70P30DF可以承受的漏源电压最大额定值为-30V,栅源电压最大额定值为±20V,漏极连续电流最大额定值为-70A,漏极脉冲电流最大额定值为-200A。
【产品】高密度单元设计的80V/80A N沟道增强型功率MOSFET RM80N80HD,导通电阻<8.5mΩ
RM80N80HD是丽正国际推出的一款采用TO-263-2L封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,适用于PWM、负载开关及其他通用应用。
【产品】-40V/-70A P沟道增强型功率MOSFET RM70P40LD,导通电阻低至10mΩ
RM70P40LD是丽正国际推出的一款采用TO-252-2L封装的P沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,适用于高电流负载应用。
【产品】高密度单元设计的60V/5A N沟道增强型功率MOSFET RM6005AR,可提供优良的低导通电阻
RM6005AR是丽正国际推出的一款采用SOT-223-3L封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,广泛适用于多种应用。
【产品】60V/50A的N沟道增强型功率MOSFET RM50N60TI,采用TO-220F封装
RM50N60TI是丽正国际推出的一款采用TO-220F封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,适用于功率开关应用,硬开关和高频电路,不间断电源等应用。
【产品】直流电流增益最低可达10K的NPN型晶体管MMBTA28TFS
MMBTA28TFS是丽正国际推出的一款采用SOT-346封装的NPN型晶体管,具有极高电流增益,其直流电流增益hFE最低10K。集电极-基极电压为80V,集电极电流为500mA,集电极耗散功率为200mW。
【产品】75V/80A N沟道增强型功率MOSFET RM80N75T2
RM80N75T2是丽正国际推出的一款采用TO-220-3L封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,适用于PWM、负载开关及其他通用应用。
【产品】采用SOT-223-3L封装的60V/5AN沟道增强型功率MOSFET RM6005S4
RM6005S4是丽正国际推出的一款采用SOT-223-3L封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,广泛适用于多种应用。
【产品】-30V/-50A P沟道增强型功率MOSFET RM50P30D3,采用DFN 3X3封装
RM50P30D3是丽正国际推出的一款采用DFN 3X3封装的P沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,广泛适用于多种应用。
【产品】漏极电流高达6.5A、通态电阻低至25mΩ的P沟道增强型功率MOSFET,适用于PWM类应用
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。其中,RM6A5P30S8是丽正国际推出的一款采用SOP-8封装的P沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,栅极电荷低,栅极电压低至4.5V,导通电阻较小。适用于负载开关或PWM应用。
【产品】75V/80A N沟道增强型功率MOSFET RM80N75HD,采用TO-263-2L封装
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。RM80N75HD是丽正国际推出的一款采用TO-263-2L封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,适用于PWM、负载开关及其他通用应用。
【产品】±30V/44.5A的N沟道高电压功率MOSFET RM45N600T7/2
RM45N600T7和RM45N600T2是丽正国际推出的两款N沟道高电压功率MOSFET,采用先进的端子方案,使用过程中可不降低器件性能的前提下,增强器件的电压阻断能力。另外,这款先进的MOSFET也能承受高能量脉冲雪崩和换流模式,这种新型的能量效率设计同样提供了快速的漏源节点恢复能力。
【产品】60V/50A N沟道增强型功率MOSFET RM50N60IP,采用TO-251封装
RM50N60IP是丽正国际推出的一款采用TO-251封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供出色的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,广泛适用于多种应用。
【产品】100V/60A N沟道功率MOSFET RM60N100ADF, 采用Super Trench技术
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。RM60N100ADF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道功率MOSFET,经过独特优化的Super Trench技术,可提供最高效的高频开关性能,由于RDS(ON)和Qg的极低组合,传导和开关功率损耗都被最小化,因此是高频开关和同步整流的理想选择。
【产品】±20V/47A的N沟道功率MOSFET RM47N600T7/2,采用耐压的高电压端子增强了电压阻断能力
RM47N600T7和RM47N600T2是丽正国际推出的两款高电压N沟道功率MOSFET,采用先进的端子方案,使用过程中可不降低器件性能的前提下,增强器件的电压阻断能力。另外,这款先进的MOSFET也能承受高能量脉冲雪崩和换流模式,这种新型的能量效率设计同样提供了快速的漏源节点恢复能力。
【产品】-40V/-40A P沟道增强型功率MOSFET RM40P40LD,采用TO-252-2L封装
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。 RM40P40LD是丽正国际推出的一款采用TO-252-2L封装的P沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,良好适用于高电流负载应用。
【产品】-30V/-35A P沟道增强型功率MOSFET RM35P30LDV,采用TO-252-2L封装
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。 RM35P30LDV是丽正国际推出的一款采用TO-252-2L封装的P沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,广适用于多种应用。
【产品】40V/40A的N沟道增强型功率MOSFET RM40N40DF,采用DFN5X6-8L封装
RM40N40DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,广适用于多种应用。
【产品】-30V/-9.1A的P沟道增强型功率MOSFET RM4435,采用SOP-8封装
RM4435是丽正国际推出的一款采用SOP-8封装的P沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和低栅极电压,栅极电压低至4.5V,广适用于多种应用。在TA=25°C时,RM4435可以承受的漏源电压最大额定值为-30V,栅源电压最大额定值为±20V,漏极连续电流最大额定值为-9.1A。
【产品】30V/58A N沟道增强型功率MOSFET RM60N30DF,采用DFN5X6-8L封装
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。RM60N30DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,适用于PWM和负载开关应用。
【产品】-30V/-4.3A的P沟道增强型功率MOSFET RM3407,具有高功率和大电流处理能力
RM3407是丽正国际推出的一款采用SOT-23封装的P沟道增强型功率MOSFET,采用先进的沟槽技术,可以提供低导通电阻RDS(ON)。该器件具有高功率和大电流处理能力,适用于负载开关或PWM应用。
【产品】40V/42A N沟道增强型功率MOSFET RM40N40LD
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。 RM40N40LD是丽正国际推出的一款采用TO-252-2L封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,广泛适用于多种应用。
【产品】采用高密度单元设计的100V/6A N沟道增强型MOSFET RM6N100S4V,可实现超低RDS(ON)
RM6N100S4V是丽正国际推出的一款采用SOT-223-3L封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,广泛适用于多种应用。
【产品】200V/40A N沟道增强型功率MOSFET RM40N200TI
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。 RM40N200TI是丽正国际推出的一款采用TO-220F封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,广适用于多种应用。
【产品】32V/6.5A/2.7W的N沟道增强型MOSFET RM6A5N30S6,采用SOT-23-6封装
RM6A5N30S6是丽正国际推出的一款采用SOT-23-6封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,广泛适用于多种应用。RM6A5N30S6V是该器件的车规级版本,通过了AEC-Q101认证。
【产品】40V/5A/1.25W的N沟道增强型功率MOSFET RM5N40S2,采用SOT-23封装
RM5N40S2是丽正国际推出的一款采用SOT-223-3L封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻、低栅极电荷,可以承受的漏源电压最大额定值为40V,栅源电压最大额定值为±20V,连续漏极电流最大额定值为5A,脉冲漏极电流最大额定值为16A,最大耗散功率为1.25W,适用于负载开关或PWM应用。
【产品】60V/45A N沟道增强型功率MOSFET RM45N60DF,采用DFN5X6-8L封装
RM45N60DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,广适用于多种应用。
【应用】小体积、低功率损耗的肖特基二极管FM3100用于新能源汽车空调压缩机反激式辅助电源
新能源汽车空调压缩机控制器常用图1功能图框,其中反激式辅助电源模块,电路图框如图2所示,该模块主要用于给IGBT驱动芯片提供15V供电、单片机以及晶振、运放芯片等提供3.3V低压供电;这里主要介绍丽正国际肖特基二极管FM3100(D6位置所示)运用在反激式辅助电源模块的优势。
【产品】-30V/-4.2A的P沟道增强型功率MOSFET RM4P30S6,具有高功率和优秀的载流能力
RM4P30S6是丽正国际推出的一款采用SOT-23-6封装的P沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,栅极电荷低,栅极电压低至2.5V,导通电阻小。适用于负载开关或PWM应用。
【产品】30V/35A的N沟道增强型MOSFET RM35N30DF,最大功率耗散为40W
RM35N30DF是丽正国际推出的一款采用DFN 5x6 EP封装的N沟道功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,栅极电荷低,导通电阻小,广泛适用于多种应用。该设备可以承受的极限漏源电压为30V,极限栅源电压为±20V,可以承受的极限漏极连续电流为35A,漏极脉冲电流为120A,最大功率耗散为40W。
【产品】采用超高密度单元设计的 -100V/-35A P沟道增强型MOSFET RM35P100T2
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。 RM35P100T2是丽正国际推出的一款采用TO-220-3L封装的P沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,广适用于多种应用,提供ESD保护。
【产品】60V/380mA 小信号N沟道增强型MOSFET 2N7002KS3,采用SC70封装
丽正国际推出的2N7002KS3是一款小信号N沟道增强型MOSFET,在环境温度为 25°C时,2N7002KS3可以承受的极限漏源电压为60V,极限栅源电压为±20V,可以承受的极限漏极连续电流为380mAdc,结温和储存温度范围为-55 ~ 150℃,采用SC70封装。该产品的材料符合RoHS要求且不含卤素。具有ESD保护。
【产品】-20V/-4A P沟道增强型功率MOSFET RM3415,采用SOT-23封装
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。RM3415是丽正国际推出的一款采用SOT-23封装的P沟道增强型功率MOSFET,采用先进的沟槽技术,导通电阻RDS(ON)低、栅极电荷低,栅极电压低至1.8V。该器件适用于负载开关或PWM应用,抗静电ESD。
【产品】30V/6.5A N沟道增强型功率MOSFET RM3404Y,采用SOT-23-3L封装
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。RM3404Y是丽正国际推出的一款采用SOT-23-3L封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件适用于负载开关或PWM应用。
【选型】可Pin-to-pin替代先科ST 9013的NPN三极管2N4401,具有60V更高的集电极-发射极电压
Rectron(丽正国际)的NPN晶体管2N4401,可替代先科的9013,2N4401基本能覆盖先科9013的各参数要求,Rectron(丽正国际)的2N4401具有60V更高的集电极-发射极电压,可承受更高的工作耐压;封装都是TO-92,可Pin-to-pin替换。
【产品】DO-35封装的快速开关二极管1N4148,反向恢复时间最大额定值为4ns
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。丽正国际在2019年9月最新推出的DO-35封装的快速开关二极管1N4148,典型反向恢复时间最大额定值为4ns,其工作结温和存储温度范围为-65℃~200℃,在恶劣温度环境下也能保持产品的稳定性。该产品可主要应用于高速开关、信号处理。
【产品】采用DO-35封装的小信号开关二极管1N4151,反向恢复时间不超过2ns
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。丽正国际推出的DO-35封装的小信号开关二极管1N4151,反向恢复时间最大额定值为2ns,其工作结温和存储温度范围为-65℃~175℃,适用于恶劣温度环境,在恶劣环境下也能保持产品的稳定性。该产品可主要应用于信号处理、高速开关等。
【产品】采用DO-35封装的小信号二极管1N914B,反向恢复时间最大额定值为4ns
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。丽正国际推出的DO-35封装的小信号二极管1N914B,反向恢复时间最大额定值为4ns,功耗最大额定值为0.5W,其工作结温和存储温度范围为-65℃~175℃,在恶劣温度环境下也能保持产品的稳定性。该产品可主要应用于信号处理、高速开关等。
【产品】采用DO-35封装的信号开关二极管1N4454,反向恢复时间不超过4ns
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。DO-35封装的信号开关二极管1N4454,反向恢复时间不超过4ns,其存储温度范围为-65℃~175℃,适用于恶劣温度环境,在恶劣环境下也能保持产品的稳定性。该产品可主要应用于信号处理、高速开关等。
【产品】SOT-363 塑封的双N通道MOSFET 2N7002KS6,ESD额定值为2200V HBM
丽正国际(Rectron)生产的型号为2N7002KS6的采用SOT-363 塑封的双N通道MOSFET为灵敏的栅极触发电流和低保持电流ESD保护二极管,它的ESD额定值为2200V HBM可以应用于通用开关和相位控制应用。
【产品】75V/0.5A小信号开关二极管1N4148W,采用SOD-123封装
1N4148W是丽正国际(RECTRON)推出的一款小信号开关二极管。具有高击穿电压、非常高的开关速度、400mW功率耗散等特点,具有高电导率,采用SOD-123封装。
【产品】SOT-23塑料封装开关二极管BAS19,开关速度快
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。丽正新推出的SOT-23塑料封装开关二极管BAS19,开关速度快,符合UL 94V-O阻燃等级,其工作结温范围为-55℃~150℃,适用于恶劣温度环境,为恶劣环境下工作提供了可靠保障。该产品可主要应用于电子设备、通用开关电路等。
【产品】采用SOT-23封装的表面贴装开关二极管BAS21,反向电压为200V
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。丽正推出的SOT-23封装的表面贴装开关二极管BAS21,反向恢复时间不超过75 ns,反向电压为200V,其存储温度范围为-55℃~150℃,适用于恶劣温度环境,在恶劣环境下也能保持产品的稳定性。该产品可主要应用于电子设备、通用开关电路等。
【产品】采用SOT-23封装的表面贴装开关二极管BAS20,反向恢复时间不超过75ns
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。丽正推出的SOT-23封装的表面贴装开关二极管BAS20,反向恢复时间不超过75ns,其存储温度范围为-55℃~150℃,适用于恶劣温度环境,在恶劣环境下工作也能保持产品的稳定性。该产品可主要应用于电子设备、通用开关电路等。
【产品】SOT-23塑料封装开关二极管BAS16,功耗为225mW
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。丽正新推出的SOT-23塑料封装开关二极管BAS16,反向恢复时间短,符合UL 94V-O阻燃等级,其存储温度范围为-55℃~150℃,适用于恶劣温度环境,为恶劣环境下工作提供了可靠保障。该产品可主要应用于计算机、通用开关电路等。
【产品】30V/85A N沟道增强型功率MOSFET RM002N30DF,适用于用作负载开关或PWM应用
RM002N30DF是丽正国际(RECTRON)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,漏源电压30V,连续漏极电流为85A,使用先进的沟槽技术来提供出色的低导通电阻,低栅极电荷。 该设备适用于用作负载开关或PWM应用。
【产品】采用TO-3P塑封的绝缘栅双极晶体管RI15N1200TP,低栅极电荷
丽正国际(Rectron)生产的型号为RI15N1200TP的采用TO-3P塑封的绝缘栅双极晶体管具有如下特征:低栅极电荷,低饱和电压,正温度系数,符合RoHS标准产品。
【产品】TO-92封装的NPN双极晶体管2N4401,集电极电流高达600mA
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。NPN双极晶体2N4401,采用TO-92封装,集电极电流高达600mA,最大稳态功耗低至0.6W。该产品可主要应用于信号处理、开关、放大等领域。
【产品】20~60V/0.5A表面贴装肖特基势垒整流器05S2L~05S6L
丽正国际(RECTRON)推出的05S2L~05S6L(05S2L、05S3L、05S4L、05S5L、05S6L)是丽正国际推出的5款最大反向重复峰值电压范围为20~60V,最大平均正向电流为0.5A的表面贴装肖特基势垒整流器。
为iPhone、iMac充电器供应桥式整流器,丽正国际8000多种分立器件上线
台湾丽正国际,为iPhone、iMac充电器供应桥式整流器,与世强签订代理合作。世强元件电商新增分立器件厂商选择,及桥式整流器、二极管整流器、开关二极管、齐纳二极管、TVS二极管等近8000多种器件选择。
【产品】采用T0-92封装的硅NPN外延平面晶体管L8050,集电极-基极击穿电压最小值为40V
RECTRON(丽正国际)提供一款采用T0-92封装的硅PNP外延平面晶体管,集电极-发射极击穿电压最小值为25V,发射极-基极击穿电压最小值为5V,直流电流增益范围为85~400,主要用于电子设备的一般放大器、中等功率驱动器及中速开关应用等。
【产品】采用T0-92封装的硅PNP外延平面晶体管L8550,直流电流增益的最大值为400
RECTRON(丽正国际)推出的L8550硅PNP外延平面晶体管,集电极-基极击穿电压最小值为-40V,集电极-发射极击穿电压最小值为-25V,发射极-基极击穿电压最小值为-5V,主要用于电子设备的一般放大器、中等功率驱动器及中速开关应用等。
【产品】采用TO – 92封装的PNP晶体管2N5401,集电极电流高达-600mA
丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。其新推出的TO – 92 PNP晶体管2N5401,采用TO-92封装,集电极电流高达-600mA,存储温度范围为-55℃~150℃,适用于恶劣温度环境,为恶劣环境下工作提供了可靠保障。该产品可主要应用于信号处理、开关、放大等领域。
【产品】TO - 92封装的PNP双极晶体管2N4403, 最大稳态功耗低至0.6W
丽正国际(RECTRON)推出的TO - 92 封装PNP双极晶体管2N4403(PNP),集电极电流为-600mA,最大稳态功耗低至0.6W。该产品可主要应用于信号处理、开关、放大等领域。
【产品】采用SOD-323封装的超快恢复二极管05S200WS,具有低正向压降,低功耗和高效率等特性
丽正国际推出超快恢复二极管05S200WS,采用SOD-323封装,可实现自动安装。器件具有低正向压降,低功耗和高效率,高浪涌电流承受能力等优良特性,产品无卤素,可焊性符合MIL-STD-750(方法2026)。
【产品】50~600V/0.5A表面贴装快恢复整流器05F1L~05F5L,具有开关速度快等特点
05F1L~05F5L(05F1L、05F2L、05F3L、05F4L、05F5L)是丽正国际推出的5款最大反向重复峰值电压范围为50~600V,最大平均正向电流为0.5A的表面贴装快恢复整流器,有开关速度快、低漏电流、低正向压降等特点。