丽正国际

【选型】丽正国际整流器/二极管/晶体管/MOSFET选型指南

【产品】150V/20A N沟道功率MOSFET RM20N150LD，采用Super Trench技术

丽正国际推出的N沟道MOSFET ，型号为RM20N150LD，漏极-源极电压为150V，栅极-源极电压为±20V，漏极连续电流为20A，漏极脉冲电流为80A，最大耗散功率为68W，单次脉冲雪崩能量为65mJ，结壳热阻RθJC为2.2℃/W，工作和存储温度范围为-55℃ ~ +175℃。

【产品】100V/130A N沟道功率MOSFET RM130N100T2，导通电阻可低至5.5mΩ

丽正国际推出的RM130N100T2是一款N沟道功率MOSFET，采用经过特殊优化的Super Trench技术，可提供最高效的高频开关性能，是高频开关和同步整流的理想选择。在TC=25°C时，RM130N100T2可以承受的极限漏源电压为100V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为130A，结温和储存温度范围为-55~150℃。

丽正国际 公司简介及产品介绍

丽正国际 公司简介及产品介绍

丽正国际 官方授权代理证明/分销协议/授权书

RECTRON QUALITY / RELIABILITY PROGRAM

Rectron Fast-Rec Spice table.xlsx

Scope: This specification shall apply to all Rectron products with “Pb-free” external terminals.

【产品】采用SOT-23封装的表面贴装开关二极管BAS20，反向恢复时间不超过75ns

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。丽正推出的SOT-23封装的表面贴装开关二极管BAS20，反向恢复时间不超过75ns，其存储温度范围为-55℃~150℃，适用于恶劣温度环境，在恶劣环境下工作也能保持产品的稳定性。该产品可主要应用于电子设备、通用开关电路等。

【产品】600V/25A单相玻璃钝化硅桥整流器RBU2505M-C-LV

丽正国际单相玻璃钝化硅桥整流器RBU2505M-C-LV，最大重复峰值反向电压达600V，最大有效工作电压为420V，最大直流阻断电压为600V，最大平均整流电流为25A，隔离电压达2500V，正向峰值浪涌电流可达350A(60Hz，8.3ms，半正弦波)，电流的平方*时间为508A2s；热阻RθJC为5℃/W，热阻RθJA为22℃/W，工作和存储温度范围-55℃~+150℃

【产品】100V/150A N沟道功率MOSFET RM150N100AT2，使用Super Trench技术

丽正国际推出的RM150N100AT2是一款N沟道功率MOSFET，传导和开关功率损耗都被最小化，因此是高频开关和同步整流的理想选择。在TC=25°C时，RM150N100AT2可以承受的极限漏源电压为100V，极限栅源电压为20/-12V，可以承受的极限漏极连续电流为150A（封装限制）。

【产品】100V/150A N沟道功率MOSFET RM150N100HD，导通电阻极小

丽正国际推出的RM150N100HD是一款N沟道MOSFET，该器件使用经过独特优化的Super Trench技术，可提供最高效的高频开关性能，在TC=25°C时，RM150N100HD可以承受的极限漏源电压为100V，极限栅源电压为20/-12V，可以承受的极限漏极连续电流为150A（封装限制），是高频开关和同步整流的理想选择。

【产品】20V~200V/30A肖特基二极管SR3020C~SR30200C，低开关噪声

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。其新推出的TO220封装的肖特基SR3020C~SR30200C，电流高达30A，反向峰值电压范围为20V~200V。

【产品】-60V/-1.9A P沟道增强型功率MOSFET RM2P60S2

丽正国际推出了一款P沟道增强型功率MOSFET，其型号为RM2P60S2。该产品采用了先进的沟道技术，具有极小的导通电阻RDS(ON)，适用于负载开关或PWM类应用。

【产品】-30V/-0.3A新型P沟道增强型功率MOSFET RM03P30D1E

RM03P30D1E是丽正国际公司生产的新型P沟道增强型功率MOSFET。RM03P30D1E采用先进的深槽技术，提供优良的RDS(ON)。RM03P30D1E总耗散功率为350mW，漏源电压为-30V，连续漏电流为-0.3A。

【产品】1200V/40A碳化硅功率肖特基二极管SC3S12040B，采用TO47封装

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。其新推出的TO47封装的碳化硅肖特基二极管SC3S12040B

【产品】1200V/20A采用低VCE（sat）沟道IGBT技术的RC-IGBT RI20N1200TT

RI20N1200TT是一款由丽正国际推出的IGBT芯片，其可以提供超低的传导损耗以及极低的开关损耗。 集电极-发射极电压1200V，集电极电流高达20A（TC=100℃）。其专为电磁炉、感应加热设备等应用而设计。

【产品】1200V/20A碳化硅肖特基二极管SC3S12020B，采用TO47封装

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。其推出的TO47封装的1200V/20A碳化硅肖特基二极管SC3S12020B。

【产品】SOT-23塑料封装开关二极管BAS16，功耗为225mW

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。丽正新推出的SOT-23塑料封装开关二极管BAS16，反向恢复时间短，符合UL 94V-O阻燃等级，其存储温度范围为-55℃~150℃，适用于恶劣温度环境，为恶劣环境下工作提供了可靠保障。该产品可主要应用于计算机、通用开关电路等。

【产品】100V N沟道功率MOSFET RM150N100DF，使用经过独特优化的Super Trench技术

丽正国际推出的RM150N100DF是一款N沟道功率MOSFET，可提供最高效的高频开关性能。在TC=25°C时，RM150N100DF可以承受的极限漏源电压为100V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为128A（封装限制），结温和储存温度范围为-55~150℃，是高频开关和同步整流的理想选择。

【产品】650V/30A碳化硅功率肖特基二极管SC3S06530B，采用TO47封装

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。其推出的TO47封装的碳化硅功率肖特基二极管SC3S06530B，电流高达30A，反向峰值电压为650V。

【产品】30V/85A N沟道增强型功率MOSFET RM002N30DF，适用于用作负载开关或PWM应用

RM002N30DF是丽正国际（RECTRON）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，漏源电压30V，连续漏极电流为85A，使用先进的沟槽技术来提供出色的低导通电阻，低栅极电荷。 该设备适用于用作负载开关或PWM应用。

【产品】800V/4.0A表面贴装单相玻璃钝化硅桥式整流器MSB407SH

丽正国际表面贴装单相玻璃钝化硅桥式整流器，型号为MSB407SH，最大峰值反向电压可达800V；最大平均正向整流电流为 4.0A，峰值正向浪涌电流可达60A(8.3ms，半正弦波)，电流的平方*时间值可达14.9A2s，典型热阻RθJL为10℃/W，典型热阻RθJc为15℃/W,典型热阻RθJA为40℃/W,工作和存储温度范围-55℃~+150℃。

【产品】150V/80A采用Super Trench技术的N沟道功率MOSFET RM80N150T2

丽正国际推出的 N沟道RM80N150T2，采用Super Trench技术，提高高频开关特性，该元件是高频开关和同步整流器理想元件之一。漏极-源极电压为150V，栅极-源极电压为±20V，漏极连续电流为80A，漏极脉冲电流为320A，最大功率耗散为210W，单次脉冲雪崩能量为672mJ，热阻RθJC为0.71℃/W，工作和存储温度为-55℃ ~ +175℃。

【产品】采用TO-3P塑封的绝缘栅双极晶体管RI15N1200TP，低栅极电荷

丽正国际（Rectron）生产的型号为RI15N1200TP的采用TO-3P塑封的绝缘栅双极晶体管具有如下特征：低栅极电荷，低饱和电压，正温度系数，符合RoHS标准产品。

【产品】TO-92封装的NPN双极晶体管2N4401，集电极电流高达600mA

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。NPN双极晶体2N4401,采用TO-92封装，集电极电流高达600mA，最大稳态功耗低至0.6W。该产品可主要应用于信号处理、开关、放大等领域。

【产品】低功耗和高效率肖特基势垒整流器02N17、02N18、02N19

丽正国际推出系列肖特基势垒整流器02N17,02N18,02N19，具有低功耗和高效率，低漏电流，低正向电压，高开关速度，高浪涌承受能力等优良特性。器件采用环氧树脂材料，通过UL 94 V-0阻燃等级。可焊性符合MIL-STD-202E(方法208C)。重量仅0.12克。

【产品】20~60V/0.5A表面贴装肖特基势垒整流器05S2L~05S6L

丽正国际（RECTRON）推出的05S2L~05S6L(05S2L、05S3L、05S4L、05S5L、05S6L)是丽正国际推出的5款最大反向重复峰值电压范围为20~60V，最大平均正向电流为0.5A的表面贴装肖特基势垒整流器。

【产品】使用经过独特优化的Super Trench技术的N沟道MOSFET RM110N150HD，导通电阻极低

丽正国际推出的RM110N150HD是一款N沟道MOSFET，具有极低的RDS（ON）和Qg，在环境温度为 25°C时，RM110N150HD可以承受的极限漏源电压为150V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为110A，是高频开关和同步整流的理想选择。

为iPhone、iMac充电器供应桥式整流器，丽正国际8000多种分立器件上线

台湾丽正国际，为iPhone、iMac充电器供应桥式整流器，与世强签订代理合作。世强元件电商新增分立器件厂商选择，及桥式整流器、二极管整流器、开关二极管、齐纳二极管、TVS二极管等近8000多种器件选择。

【产品】采用SOT-23封装的新型晶体管BC846、BC847、BC848，非常适合自动化贴片

BC846~BC848是丽正国际公司生产的新型晶体管。

【产品】采用T0-92封装的硅NPN外延平面晶体管L8050，集电极-基极击穿电压最小值为40V

RECTRON（丽正国际）提供一款采用T0-92封装的硅PNP外延平面晶体管，集电极-发射极击穿电压最小值为25V，发射极-基极击穿电压最小值为5V，直流电流增益范围为85~400，主要用于电子设备的一般放大器、中等功率驱动器及中速开关应用等。

丽正国际（RECTRON）官方授权代理证明/分销协议/授权书

丽正国际（RECTRON）官方授权代理证明/分销协议/授权书

【产品】采用T0-92封装的硅PNP外延平面晶体管L8550，直流电流增益的最大值为400

RECTRON（丽正国际）推出的L8550硅PNP外延平面晶体管，集电极-基极击穿电压最小值为-40V，集电极-发射极击穿电压最小值为-25V，发射极-基极击穿电压最小值为-5V，主要用于电子设备的一般放大器、中等功率驱动器及中速开关应用等。

【产品】30V/0.3A的NPN小信号达林顿晶体管，常用于通用开关应用

丽正国际公司推出了一款NPN小信号达林顿晶体管CMBTA13，集电极-基极电压最大为30V，集电极电流最大为300mA，该产品可应用于高灵敏的放大电路中，用来放大非常微小的信号，常被用于通用开关应用，如大功率开关电路等。

【产品】采用TO – 92封装的PNP晶体管2N5401，集电极电流高达-600mA

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。其新推出的TO – 92 PNP晶体管2N5401,采用TO-92封装，集电极电流高达-600mA，存储温度范围为-55℃~150℃，适用于恶劣温度环境，为恶劣环境下工作提供了可靠保障。该产品可主要应用于信号处理、开关、放大等领域。

【产品】TO - 92封装的PNP双极晶体管2N4403, 最大稳态功耗低至0.6W

丽正国际（RECTRON）推出的TO - 92 封装PNP双极晶体管2N4403（PNP），集电极电流为-600mA，最大稳态功耗低至0.6W。该产品可主要应用于信号处理、开关、放大等领域。

【产品】50~600V/0.5A表面贴装快恢复整流器05F1L~05F5L，具有开关速度快等特点

05F1L~05F5L(05F1L、05F2L、05F3L、05F4L、05F5L)是丽正国际推出的5款最大反向重复峰值电压范围为50~600V，最大平均正向电流为0.5A的表面贴装快恢复整流器，有开关速度快、低漏电流、低正向压降等特点。

【产品】采用SOD-323封装的超快恢复二极管05S200WS，具有低正向压降，低功耗和高效率等特性

丽正国际推出超快恢复二极管05S200WS，采用SOD-323封装，可实现自动安装。器件具有低正向压降，低功耗和高效率，高浪涌电流承受能力等优良特性，产品无卤素，可焊性符合MIL-STD-750(方法2026)。

【产品】50~1000V/1.5A硅整流器1N5391~1N5399，具有低功耗低漏电流等特点

丽正国际的1N5391~1N5399(1N5391、1N5392、1N5393、1N5394、1N5395、1N5396、1N5397、1N5398、1N5399)是最大反向重复峰值电压范围为50~1000V，最大平均正向电流为1.5A的硅整流器，具有低功耗低漏电流等特点。

FM4009 SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER 数据手册