丽正国际

【选型】丽正国际整流器/二极管/晶体管/MOSFET选型指南

丽正国际(Rectron)的MOSFET全系列产品涵盖低压(below 60V)，中压(below 200V)，高压( 600V~650V~1200V)，低导通阻抗(RDS on)，可减少切换损失，提升效率。

【产品】50V/0.1A的NPN型数字晶体管DTC143XM/XE/XUA/XKA/XCA/XSA，内置偏置电阻

DTC143XM，DTC143XE，DTC143XUA，DTC143XKA，DTC143XCA，DTC143XSA是丽正国际推出的六款NPN型数字晶体管，内置偏置电阻，可以在不连接外部输入电阻的情况下配置逆变器电路，只需要设置进行操作的on/off条件，从而使工程师设计电路更简单。

【选型】国产N沟道MOS RM150N100DF可PIN-PIN替换BSC070N10NS5，导通电阻更小、性能更优

目前市面上主流采用的MOSFET有英飞凌的BSC070N10NS5等，不过因供货交期和价格压力等因素，很多客户会选择一款低成本、供货交期好的国产替代方案，本文重点推荐丽正国际（Rectron）的N沟道MOSFET RM150N100DF做替换，可pin-pin替代，导通电阻低至4.2mΩ，可使系统功耗更低、效率更高且通流能力更大。

【产品】60V/2A表面贴装的肖特基势垒整流器DSL260W

丽正国际推出了采用表面贴装肖特基势垒整流器DSL260W具有金属硅结，多数载流子传导、低功耗，高效率、高正向浪涌电流能力、适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用、P / N后缀V表示通过AEC-Q101认证，例如：DSL260WV，应用于表面贴片安装。

丽正国际公司简介及MOSFET/肖特基桥/碳化硅肖特基产品介绍

丽正国际公司简介及产品介绍

丽正国际 官方授权代理证明/分销协议/授权书

丽正国际推出的RM8N700LD和RM8N700IP，适用于高压器件，高压是不是对散热要求很高？

您好，MOS发热，主要是和MOS管导通电阻以及实际运用时的电流值有关。

Rectron Fast-Rec Spice table.xlsx

RECTRON QUALITY / RELIABILITY PROGRAM

Scope: This specification shall apply to all Rectron products with “Pb-free” external terminals.

【产品】40V/10A表面贴装肖特基势垒整流器FM1040C

丽正国际推出了采用表面封装的肖特基势垒整流器FM1040C具有低漏电流的特点，采用冶金结合结构，是表面封装应用的理想选择。

【产品】正向压降可低至0.41V的表面贴装肖特基二极管BAS70T，采用SOD-523封装

丽正国际推出BAS70T型表面贴装肖特基二极管，采用SOD-523封装，具有低导通电压，开关速度快等特性。系列器件的P / N后缀V表示通过AEC-Q101认证，且P / N后缀V表示无卤素。器件在IF=1mA条件下的正向压降最大值仅为0.41V，具有低正向导通电压的特点。器件的反向恢复时间最大值仅为5ns，开关速度快。

【产品】肖特基势垒二极管BAT54WS，采用SOD-323小型塑料封装

丽正国际推出BAT54WS肖特基势垒二极管，采用SOD-323小型塑料封装，器件在IF=0.1mA条件下的正向电压最大值仅为240mV，具有低正向电压，高电流承受能力等特性。

【产品】采用SOT-363表面封装的快速开关二极管阵列BAS21TW

​BAS21TW是丽正国际推出的一款采用SOT-363表面封装的快速开关二极管阵列。特点：快开关速度：最大值50ns；连续反向电压：最大值200V；重复反向峰值电压：最大值250V；重复正向峰值电流：最大值1A；小尺寸表面封装，适用于通用开关应用，高电导性。

【产品】-40V/-1.5A/625mW的硅PNP型晶体管8850T，采用SOT-89塑料封装

8850T是丽正国际推出的一款硅PNP型晶体管，采用SOT-89塑料封装，专为功率放大应用所设计。其与8050T为互补器件。集电极-基极电压为-40V，连续集电极电流为-1.5A，集电极耗散功率为625mW。

全球知名整流器厂商——丽正国际（Rectron）

丽正国际(Rectron)成立于1975年，台湾上市公司，是一家拥有超过40年的整流器制造经验的分立半导体优质制造商，产品涉及整流器，TVS/ESD二极管，碳化硅肖特基，晶体管，MOSFET，齐纳稳压管等器件，为Apple、ZTE、LG、Honeywell等全球知名品牌供货商。世强是丽正国际(Rectron)官方授权一级代理商，代理丽正国际(Rectron)旗下整流器，TVS/ESD二极管等产品。

【产品】50V/50mA的NPN型数字晶体管DTC114EM/EE/EUA/EKA/ECA/ESA

丽正国际推出的六款NPN型数字晶体管DTC114EM，DTC114EE，DTC114EUA，DTC114EKA，DTC114ECA，DTC114ESA，内置偏置电阻，可以在不连接外部输入电阻的情况下配置逆变器电路，只需要设置on/off条件进行操作，使工程师设计电路更容易。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置电压，并且可以几乎完全消除寄生效应。

【产品】550V/6A的NPN硅扩散型功率晶体管BUJ403A，采用TO-220封装

BUJ403A是丽正国际推出的一款NPN硅扩散型功率晶体管，采用TO-220封装，具有高电压、高速平面钝化的特点，专为高频电子照明镇流器、转换器、逆变器、开关调节器、电机控制系统等应用而设计。结至环境的最小热阻值为60K/W。

【产品】20V/6A的N沟道双路MOSFET RM8205F，采用SOT23-6塑料封装

RM8205F是丽正国际推出的一款采用SOT23-6塑料封装的N沟道双路MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术，使其具有较低的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，栅极电压低至2.5V，适用于电池保护和开关应用。

【产品】100V/3A/2W的硅NPN型三极管TIP31CK，采用TO-252封装

TIP31CK是丽正国际推出的一款NPN型三极管，采用TO-252封装，集电极-基极电压和集电极-发射极电压均为100V，集电极电流为3A，集电极耗散功率为2W，结温和储存温度均为-65~150℃，专为中功率线性开关应用所设计，与TIP32C为互补器件。

【产品】20V/7A的N沟道双MOSFET RM8810，提供ESD保护

RM8810是丽正国际推出的一款采用SOT23-6塑料封装的N沟道双MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，可以提供ESD保护，适用于PWM应用或负载开关。

【产品】采用SOT-89塑料封装的NPN型晶体管MMBTA42T

​MMBTA42T是丽正国际推出的一款NPN型晶体管，采用SOT-89塑料封装，具有高电压、低饱和压降、低集电极输出电容的特点，与MMBTA92T为互补器件，适用于高电压控制电路。集电极-基极电压为300V。封装及引脚图如下，其中1为基极，2为集电极，3为发射极。

【产品】30V/1.5A的N沟道MOSFET RM1A5N30S3AE，采用SOT-323封装

RM1A5N30S3AE是丽正国际推出的一款采用SOT-323封装的N沟道MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于功率开关应用,硬开关和高频电路,DC/DC转换器等多种应用。

【产品】具有出色的导通电阻和栅极电荷性能的N沟道增强型MOSFET RMD1N25ES9

丽正国际推出的RMD1N25ES9是一款N沟道增强型MOSFET，使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON）性能以及极低的栅极电荷。 互补MOSFET可用于形成电平转换的高边开关，并用于许多其他应用。在环境温度为25°C时，RMD1N25ES9漏源电压最大额定值为25V，栅源电压最大额定值为±12V，漏极连续电流最大额定值为1.1A，工作时结温和储存温度范围为-55 ~150℃。

【产品】采用TO-92封装的NPN型晶体管MMBT5401，耗散功率仅0.625W

MMBT5401是丽正国际公司生产的NPN晶体管，采用TO-92封装，耗散功率仅0.625W。器件的集电极发射极反向击穿电压 VCEO为80V, 集电极电流最大为500mA。直流增益hFE最小值为100。产品可用于开关等领域。

【产品】60V/5A N沟道增强型功率MOSFET RM5N60S4，采用SOT-223-3L封装

RM5N60S4是丽正国际推出的一款采用SOT-223-3L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。

【产品】65V/95A的N沟道增强型功率MOSFET RM95N65T2，采用TO-220-3L封装

RM95N65T2是丽正国际推出的一款采用TO-220-3L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于功率开关应用,硬开关和高频电路,不间断电源等应用。

【产品】-20V/-4.1A P沟道增强型功率MOSFET RM2305C

RM2305C是丽正国际推出的一款采用SOT-23封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，栅极电压低至2.5V，适用于负载开关或PWM应用。

【产品】高集电极电流低集电极-发射极饱和压降的NPN型中功率晶体管BCP5616

BCP5616是丽正国际推出的一款NPN型中功率晶体管，采用SOT-223封装，具有高集电极电流、低集电极-发射极饱和压降的特点，适用于AF驱动和输出级。

【产品】集电极-基极电压为80V的NPN型晶体管FMMT491V

FMMT491V是丽正国际推出的一款NPN型晶体管，采用SOT-23封装，集电极-基极电压为80V，集电极电流为1A，具有低等效电阻的特点，P/N后缀V表示AEC-Q101认证，例如：FMMT491V，且为无卤素。封装及引脚图如下，其中1为基极，2为发射极，3为集电极，标记为491。

【产品】30V/81A的N沟道增强型功率MOSFET RM80N30DF，采用DFN5X6-8L封装

RM80N30DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于负载开关或PWM应用。

【产品】采用SOT-323封装的快速开关二极管BAS316WSV，耗散功率为250mW

BAS316WSV是丽正国际推出的一款采用SOT-323封装的快速开关二极管，耗散功率为250mW，标记代码为A6。TRR＜4ns，反向漏电流低。反向重复峰值电压为85V，工作结温为150℃。

【产品】高电流增益的PNP型贴片三级管MMBT2907S3，采用SOT-323封装

MMBT2907S3是丽正国际推出的一款采用SOT-323封装的PNP型贴片三级管，集电极-基极电压-60V，集电极电流0.6A，集电极耗散功率0.3W，结温为150℃，可用于电子设备的一般放大器中。

【产品】集电极-基极电压最大额定值为100V的NPN型三极管TIP31C

TIP31C是丽正国际推出的一款NPN型三极管，采用TO-220C封装，集电极-基极电压最大额定为100V，工作结温为-65~150℃，专为通用放大器和开关应用所设计。封装及引脚图如下，其中1为基极，2为集电极，3为发射极。

【产品】60V/100A的N沟道增强型功率MOSFET RM100N60HD，采用TO-263封装

RM100N60HD是丽正国际推出的一款采用TO-263封装的N沟道增强型功率MOSFET，漏源电压最大额定值为60V，漏极连续电流最大额定值为100A，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于功率开关应用,硬开关和高频电路,不间断电源等多种应用。

【产品】30V/10A N沟道增强型功率MOSFET RM10N30D2

RM10N30D2是丽正国际推出的一款采用PQFN 2mm x 2mm封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于电池保护或其他开关应用。

【产品】互补型数字晶体管ST9014（NPN型）和ST9015（PNP型）

ST9014和ST9015系列是丽正国际推出的两款互补型数字晶体管，其中ST9014为NPN极性，ST9015为采用SOT-89-3L 封装的PNP型晶体管。

【产品】内置偏置电阻的PNP型数字晶体管DTA114EM/EE/EUA/EKA/ECA/ESA

DTA114EM、DTA114EE、DTA114EUA、DTA114EKA、DTA114ECA和DTA114ESA是丽正国际推出的六款PNP型数字晶体管，其内置偏置电阻，可以在不连接外部输入电阻的情况下配置逆变器电路，只需要设置on/off条件进行操作，使工程师设计电路更容易。

【产品】采用Super Trench技术的 100V/80A N沟道功率MOSFET RM80N100T2

RM80N100T2是丽正国际推出的一款采用TO-220-3L封装的N沟道功率MOSFET，经过独特优化的超级沟槽技术，可提供最高效的高频开关性能，由于极低RDS（ON）和Qg的组合，传导和开关功率损耗都被最小化，因此是高频开关和同步整流的理想选择。

【产品】-30V/-5.1A P沟道增强型功率MOSFET RM5A1P30S6，采用SOT-23-6封装

RM5A1P30S6是丽正国际推出的一款采用SOT-23-6封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，栅极电压低至2.5V，适用于负载开关或PWM应用。

【产品】采用TO-220塑料封装 500V/5A N沟道MOSFET RM830

RM830是丽正国际推出的一款采用TO-220塑料封装的N沟道MOSFET，该器件具有低栅极电荷、低反向传输电容、快速开关的特点，适用于高效开关、DC/DC转换器和开关电源应用。

【产品】30V/50A/6.5 mΩ的N沟道MOSFET RM50N30DN，采用DFN 3x3封装

RM50N30DN是丽正国际推出的一款采用DFN 3 x 3封装的N沟道MOSFET，其采用先进的功率创新设计与硅工艺技术，最大可能的实现了低导通电阻和快速开关性能，导通电阻RDS(ON)为6.5 mΩ。在大多数功率应用中，该器件都给设计者提供了极高的效率。

【产品】-30V/-70A的P沟道增强型MOSFET RM70P30LD，采用TO-252-2L封装

RM70P30LD是丽正国际推出的一款采用TO-252-2L封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种功率开关、DC/DC转换等应用。该器件提供ESD保护。

【产品】P沟道增强型功率MOSFET RMD0A8P20ES9，具备出色的导通电阻和栅极电荷性能

丽正国际推出的RMD0A8P20ES9是一款P沟道增强型MOSFET，使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷性能，互补MOSFET可用于形成电平转换的高边开关，并可用于许多其他应用。在环境温度为25°C时，RMD0A8P20ES9漏源电压最大额定值为20V，栅源电压最大额定值为±12V，漏极连续电流最大额定值为0.8A，工作时结温和储存温度范围为-55~150℃。

【产品】-30V/-70A的P沟道增强型功率MOSFET RM70P30DF，采用DFN5X6-8L封装

RM70P30DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻、低栅极电荷，适用于PWM和负载开关应用。在TA=25°C时，RM70P30DF可以承受的漏源电压最大额定值为-30V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为-70A，漏极脉冲电流最大额定值为-200A。

【产品】高密度单元设计的80V/80A N沟道增强型功率MOSFET RM80N80HD，导通电阻＜8.5mΩ

RM80N80HD是丽正国际推出的一款采用TO-263-2L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于PWM、负载开关及其他通用应用。

【产品】-40V/-70A P沟道增强型功率MOSFET RM70P40LD，导通电阻低至10mΩ

RM70P40LD是丽正国际推出的一款采用TO-252-2L封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于高电流负载应用。

【产品】高密度单元设计的60V/5A N沟道增强型功率MOSFET RM6005AR，可提供优良的低导通电阻

RM6005AR是丽正国际推出的一款采用SOT-223-3L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。

【产品】60V/50A的N沟道增强型功率MOSFET RM50N60TI，采用TO-220F封装

RM50N60TI是丽正国际推出的一款采用TO-220F封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于功率开关应用,硬开关和高频电路,不间断电源等应用。

【产品】75V/80A N沟道增强型功率MOSFET RM80N75T2

RM80N75T2是丽正国际推出的一款采用TO-220-3L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于PWM、负载开关及其他通用应用。

【产品】采用SOT-223-3L封装的60V/5AN沟道增强型功率MOSFET RM6005S4

RM6005S4是丽正国际推出的一款采用SOT-223-3L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。

【产品】直流电流增益最低可达10K的NPN型晶体管MMBTA28TFS

MMBTA28TFS是丽正国际推出的一款采用SOT-346封装的NPN型晶体管，具有极高电流增益，其直流电流增益hFE最低10K。集电极-基极电压为80V，集电极电流为500mA，集电极耗散功率为200mW。

【产品】电压100V电流3.0A的肖特基势垒整流器KSLDB3100S

KSLDB3100S是丽正国际推出了一款电压100V电流3.0A的肖特基势垒整流器，该势垒整流器适用于自动化插装生产，其额定浪涌过载电流峰值达120A，产品可靠性高；采用低成本的成型工艺生成制造，尺寸小，重量轻，可安装至任何位置，且不含有任何卤素。KSLDB3100S的最大电流峰值反向电压额定值VRRM为100V，最大RMS输入电压额定值VRMS为70V，最大直流阻断电压额定值VDC为100V。

【产品】-30V/-50A P沟道增强型功率MOSFET RM50P30D3，采用DFN 3X3封装

RM50P30D3是丽正国际推出的一款采用DFN 3X3封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。

【产品】漏极电流高达6.5A、通态电阻低至25mΩ的P沟道增强型功率MOSFET，适用于PWM类应用

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。其中，RM6A5P30S8是丽正国际推出的一款采用SOP-8封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，栅极电荷低，栅极电压低至4.5V，导通电阻较小。适用于负载开关或PWM应用。

【产品】双沟道增强型功率MOSFET RM6602，栅源电压10V时导通电阻小于58mΩ

RM6602是丽正国际推出的一款采用TSOT23-6L封装的双沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，栅极电荷低，导通电阻小，结至环境的典型热阻值为104℃/W。该MOSFET适用于电源保护或其他开关应用。

【产品】发射极基极电压-4V/连续集电极电流-0.5A的PNP通用放大器MMBTA55/56

丽正国际推出的MMBTA55、MMBTA56 PNP通用放大器具有高导电性。其湿度敏感性1级，表面贴装封装，适合自动嵌入。这两个产品无卤素，其环氧树脂易燃性等级为UL-94 V-0。MMBTA55的集电极基极和集电极发射极电压均为-60V，MMBTA56的集电极基极和集电极发射极电压均为-80V。

【产品】-40V/-0.2A的双PNP型晶体管MMDT3906，采用SOT-363封装

MMDT3906是丽正国际公司生产的双PNP型晶体管，采用SOT-363封装，集电极基极电压和集电极发射极电压均为-40V，集电极连续电流为-0.2A，适用于低功率放大和开关应用。

【产品】75V/80A N沟道增强型功率MOSFET RM80N75HD，采用TO-263-2L封装

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。RM80N75HD是丽正国际推出的一款采用TO-263-2L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于PWM、负载开关及其他通用应用。

【产品】±30V/44.5A的N沟道高电压功率MOSFET RM45N600T7/2

RM45N600T7和RM45N600T2是丽正国际推出的两款N沟道高电压功率MOSFET，采用先进的端子方案，使用过程中可不降低器件性能的前提下，增强器件的电压阻断能力。另外，这款先进的MOSFET也能承受高能量脉冲雪崩和换流模式，这种新型的能量效率设计同样提供了快速的漏源节点恢复能力。

【产品】60V/50A N沟道增强型功率MOSFET RM50N60IP，采用TO-251封装

RM50N60IP是丽正国际推出的一款采用TO-251封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供出色的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。

【产品】100V/60A N沟道功率MOSFET RM60N100ADF， 采用Super Trench技术

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。RM60N100ADF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道功率MOSFET，经过独特优化的Super Trench技术，可提供最高效的高频开关性能，由于RDS（ON）和Qg的极低组合，传导和开关功率损耗都被最小化，因此是高频开关和同步整流的理想选择。

【产品】±20V/47A的N沟道功率MOSFET RM47N600T7/2，采用耐压的高电压端子增强了电压阻断能力

RM47N600T7和RM47N600T2是丽正国际推出的两款高电压N沟道功率MOSFET，采用先进的端子方案，使用过程中可不降低器件性能的前提下，增强器件的电压阻断能力。另外，这款先进的MOSFET也能承受高能量脉冲雪崩和换流模式，这种新型的能量效率设计同样提供了快速的漏源节点恢复能力。

【产品】集电极电流高达600mA的双路硅NPN晶体管MMDT2222A

MMDT2222A是丽正国际推出的一款采用SOT-363塑料封装的双路硅NPN晶体管，集电极电流高达600mA，可用于通用放大器中。

【产品】-40V/-40A P沟道增强型功率MOSFET RM40P40LD，采用TO-252-2L封装

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。 RM40P40LD是丽正国际推出的一款采用TO-252-2L封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，良好适用于高电流负载应用。

【产品】-30V/-35A P沟道增强型功率MOSFET RM35P30LDV，采用TO-252-2L封装

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。 RM35P30LDV是丽正国际推出的一款采用TO-252-2L封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广适用于多种应用。

【产品】40V/40A的N沟道增强型功率MOSFET RM40N40DF，采用DFN5X6-8L封装

RM40N40DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广适用于多种应用。

【产品】-30V/-9.1A的P沟道增强型功率MOSFET RM4435，采用SOP-8封装

RM4435是丽正国际推出的一款采用SOP-8封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和低栅极电压，栅极电压低至4.5V，广适用于多种应用。​在TA=25°C时，RM4435可以承受的漏源电压最大额定值为-30V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为-9.1A。

【产品】30V/58A N沟道增强型功率MOSFET RM60N30DF，采用DFN5X6-8L封装

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。RM60N30DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于PWM和负载开关应用。

【产品】700V/3.5A/1.1Ω的N沟道超结功率MOSFET RM4N700DF

RM4N700DF是丽正国际推出的一款N沟道超结功率MOSFET，采用先进的沟槽超级结技术，具有低栅极电荷和低导通电阻RDS(ON)的特点。超级结功率MOSFET满足工业领域AC-DC SMPS要求，可用于PFC, AC/DC 转换和工业电源应用。

【产品】-30V/-4.3A的P沟道增强型功率MOSFET RM3407，具有高功率和大电流处理能力

RM3407是丽正国际推出的一款采用SOT-23封装的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，可以提供低导通电阻RDS(ON)。该器件具有高功率和大电流处理能力，适用于负载开关或PWM应用。

【产品】40V/42A N沟道增强型功率MOSFET RM40N40LD

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。 RM40N40LD是丽正国际推出的一款采用TO-252-2L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。

【产品】0.6A/0.25W的PNP型硅外延平面晶体管CMBT2907/2907A，采用SOT-23封装

CMBT2907和CMBT2907A是丽正国际公司生产的PNP型硅外延平面晶体管，采用SOT-23封装，可采用SMD/SMT方式安装，总耗散功率仅0.25W，集电极电流为0.6A，结温可至150℃，存储温度范围宽至-55~150℃。直流增益hFE最大可至300。产品可用于开关等领域。

【产品】采用高密度单元设计的100V/6A N沟道增强型MOSFET RM6N100S4V，可实现超低RDS(ON)

RM6N100S4V是丽正国际推出的一款采用SOT-223-3L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。

【产品】200V/40A N沟道增强型功率MOSFET RM40N200TI

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。 RM40N200TI是丽正国际推出的一款采用TO-220F封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广适用于多种应用。

【产品】32V/6.5A/2.7W的N沟道增强型MOSFET RM6A5N30S6，采用SOT-23-6封装

RM6A5N30S6是丽正国际推出的一款采用SOT-23-6封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。RM6A5N30S6V是该器件的车规级版本，通过了AEC-Q101认证。

【产品】40V/5A/1.25W的N沟道增强型功率MOSFET RM5N40S2，采用SOT-23封装

RM5N40S2是丽正国际推出的一款采用SOT-223-3L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻、低栅极电荷，可以承受的漏源电压最大额定值为40V，栅源电压最大额定值为±20V，连续漏极电流最大额定值为5A，脉冲漏极电流最大额定值为16A，最大耗散功率为1.25W，适用于负载开关或PWM应用。

【产品】60V/45A N沟道增强型功率MOSFET RM45N60DF，采用DFN5X6-8L封装

RM45N60DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广适用于多种应用。

【产品】采用SOD323封装的双向瞬态电压抑制器ESDLC5V0D3B，具有低电容低漏电的特性

丽正国际推出的双向瞬态电压抑制器ESDLC5V0D3B具有低电容低漏电的特性，符合IEC61000-4-2的4级ESD保护标准。采用SOD323封装，对双向TVS提供卓越的保护。已通过RoHS认证，UL-94 V-0阻燃等级，绿色EMC，管脚镀锡（无铅）。

【产品】-30V/-4.2A的P沟道增强型功率MOSFET RM4P30S6，具有高功率和优秀的载流能力

RM4P30S6是丽正国际推出的一款采用SOT-23-6封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，栅极电荷低，栅极电压低至2.5V，导通电阻小。适用于负载开关或PWM应用。

【应用】小体积、低功率损耗的肖特基二极管FM3100用于新能源汽车空调压缩机反激式辅助电源

新能源汽车空调压缩机控制器常用图1功能图框，其中反激式辅助电源模块，电路图框如图2所示，该模块主要用于给IGBT驱动芯片提供15V供电、单片机以及晶振、运放芯片等提供3.3V低压供电；这里主要介绍丽正国际肖特基二极管FM3100（D6位置所示）运用在反激式辅助电源模块的优势。

【产品】30V/35A的N沟道增强型MOSFET RM35N30DF，最大功率耗散为40W

RM35N30DF是丽正国际推出的一款采用DFN 5x6 EP封装的N沟道功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，栅极电荷低，导通电阻小，广泛适用于多种应用。该设备可以承受的极限漏源电压为30V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为35A，漏极脉冲电流为120A，最大功率耗散为40W。

【产品】SOT-23封装的N沟道MOSFET RM3402，漏源电压最大额定值为30V

丽正国际推出的RM3402是一款N沟道MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷，并且可在低至2.5V的栅极电压下运行，适合用作负载开关或PWM应用。在环境温度为25°C时，RM3402漏源电压最大额定值为30V，栅源电压最大额定值为±12V，漏极连续电流最大额定值为4A，工作时最大结温为150℃，储存温度范围为-55~+150℃。

【产品】采用超高密度单元设计的 -100V/-35A P沟道增强型MOSFET RM35P100T2

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。 RM35P100T2是丽正国际推出的一款采用TO-220-3L封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广适用于多种应用，提供ESD保护。

【产品】60V/3A N沟道增强型功率MOSFET RM2310，采用SOT-23 -3L封装

丽正国际推出的RM2310是一款N沟道增强型功率MOSFET，使用先进的沟槽技术，可以提供出色的RDS（ON）以及极低的栅极电荷，并且可以在低至2.5V的栅极电压下运行，适合用作电池保护或其他开关应用。

【产品】60V/380mA 小信号N沟道增强型MOSFET 2N7002KS3，采用SC70封装

丽正国际推出的2N7002KS3是一款小信号N沟道增强型MOSFET，在环境温度为 25°C时，2N7002KS3可以承受的极限漏源电压为60V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为380mAdc，结温和储存温度范围为-55 ~ 150℃，采用SC70封装。该产品的材料符合RoHS要求且不含卤素。具有ESD保护。

【产品】-20V/-4A P沟道增强型功率MOSFET RM3415，采用SOT-23封装

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。RM3415是丽正国际推出的一款采用SOT-23封装的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，导通电阻RDS(ON)低、栅极电荷低，栅极电压低至1.8V。该器件适用于负载开关或PWM应用，抗静电ESD。

【产品】直流增益范围100~600的新型NPN晶体管BC817，采用SOT-23封装

BC817是丽正国际公司生产的新型NPN晶体管，采用SOT-23封装，可采用SMD/SMT方式安装。集电极-发射极击穿电压为45V，集电极-基极击穿电压为50V。结温和工作温度范围宽至-65~150oC。直流增益范围宽至100~600（Ic=100mA），具体如下表所示。产品可用于开关等领域。

【产品】1000V/3.0A表面贴装玻璃钝化快恢复硅桥式整流器FMSB307S

丽正国际表面贴装玻璃钝化快恢复硅桥式整流器，型号为FMSB307S，极限参数：最大重复峰值反向电压和最大直流阻断电压为1000V；最大平均正向整流电流达3.0A，峰值正向浪涌电流可达90A(60Hz，8.3ms，半正弦波)，电流平方*时间为33.6A2s，热阻RθJL为15℃/W，热阻RθJA为55℃/W，工作和存储温度范围-55℃~+150℃。

【产品】直流增益最大可至300的硅NPN型SMD三极管MMBT4401，采用SOT-23封装

MMBT4401是丽正国际公司生产的硅NPN SMD三极管，采用SOT-23 封装，可采用SMD/SMT方式安装，集电极-基极反向电压为60V，集电极电流为0.1A，集电极耗散功率仅0.2W。结温可至150℃，存储温度范围宽至-65~150℃。直流增益hFE最大可至300，具体如下表所示。产品可用于开关等领域。

【产品】采用TO-92封装的600mA NPN双极晶体管PN2222A，耗散功率仅0.625W

PN2222A是丽正国际公司生产的NPN 双极晶体管，采用TO-92封装，耗散功率仅0.625W。器件的集电极-发射极反向击穿电压 VCEO为40V（最小值）, 集电极-基极击穿电压VCBO 为75V（最小值），发射极-基极击穿电压VEBO为6V（最小值）。集电极电流最大为600mA。产品可用于开关等领域。

【产品】表面贴装玻璃钝化快恢复硅式整流器FMSB407S，峰值正向浪涌电流可达105A

丽正国际表面贴装玻璃钝化快恢复硅式整流器，型号为FMSB407S，极限参数如下：最大峰值反向电压1000V；最大有效电压为700V；最大直流阻断电压为1000VDC；最大平均正向整流电流达4.0A，峰值正向浪涌电流可达105A(8.3ms，半正弦波)，电流的平方*时间值为45.8A2s，热阻RθJA为55℃/W，热阻RθJL为15℃/W，工作和存储温度范围-55℃~+150℃。

【产品】30V/6.5A N沟道增强型功率MOSFET RM3404Y，采用SOT-23-3L封装

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。RM3404Y是丽正国际推出的一款采用SOT-23-3L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件适用于负载开关或PWM应用。

【产品】集电极耗散功率达0.3W的硅PNP型SMD三极管MMBT5401，采用SOT-23封装

MMBT5401是丽正国际公司生产的硅PNP型SMD三极管，该器件采用SOT-23 封装，可采用SMD/SMT方式安装，集电极耗散功率达0.3W，结温和存储温度范围均宽至-65~150℃。器件的集电极-基极击穿电压最小值为-160V，集电极-发射极击穿电压最小值为-150V。产品可用于开关等领域。

【选型】可Pin-to-pin替代先科ST 9013的NPN三极管2N4401，具有60V更高的集电极-发射极电压

Rectron(丽正国际)的NPN晶体管2N4401，可替代先科的9013，2N4401基本能覆盖先科9013的各参数要求，Rectron(丽正国际)的2N4401具有60V更高的集电极-发射极电压，可承受更高的工作耐压；封装都是TO-92，可Pin-to-pin替换。

【产品】60V/0.2A/0.2W的NPN型晶体管MMBT3904，采用SOT-23封装

MMBT3904是丽正国际公司生产的NPN型晶体管，为外延平面结构，采用SOT-23 封装，可采用SMD/SMT方式安装，总耗散功率仅0.2W。结温可至150℃，存储温度范围宽至-55~150℃。直流增益hFE最大可至400，可用于开关等领域。

【产品】采用SOT23-6L塑料封装的双N沟道MOSFET 2N7002K36

丽正国际推出型号为2N7002K36的采用SOT23-6L塑料封装的双N沟道MOSFET。该产品具有灵敏的栅极触发电流和低保持电流，具有ESD保护二极管，其中ESD额定值为2200V HBM。

【产品】150V/150A N沟道功率MOSFET RM150N150HD，使用Super Trench技术

丽正国际推出的RM150N150HD是一款N沟道功率MOSFET，使用经过独特优化的Super Trench技术，可提供最高效的高频开关性能。在TC=25°C时，RM150N150HD可以承受的极限漏源电压为150V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为150A，结温和储存温度范围为-55~175℃。

【产品】DO-35封装的快速开关二极管1N4148，反向恢复时间最大额定值为4ns

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。丽正国际在2019年9月最新推出的DO-35封装的快速开关二极管1N4148，典型反向恢复时间最大额定值为4ns，其工作结温和存储温度范围为-65℃~200℃，在恶劣温度环境下也能保持产品的稳定性。该产品可主要应用于高速开关、信号处理。

【产品】ESD保护二极管PESD1LIN，提供高达23 kV的ESD保护

丽正国际推出的ESD保护二极管PESD1LIN，采用极小型SOD323（SC-76）塑料封装，旨在保护汽车单路LIN总线免受静电释放（ESD）和其他瞬态电压造成的损坏。

【产品】采用DO-35封装的小信号二极管1N914B，反向恢复时间最大额定值为4ns

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。丽正国际推出的DO-35封装的小信号二极管1N914B，反向恢复时间最大额定值为4ns，功耗最大额定值为0.5W，其工作结温和存储温度范围为-65℃~175℃，在恶劣温度环境下也能保持产品的稳定性。该产品可主要应用于信号处理、高速开关等。

【产品】采用DO-35封装的小信号开关二极管1N4151，反向恢复时间不超过2ns

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。丽正国际推出的DO-35封装的小信号开关二极管1N4151，反向恢复时间最大额定值为2ns，其工作结温和存储温度范围为-65℃~175℃，适用于恶劣温度环境，在恶劣环境下也能保持产品的稳定性。该产品可主要应用于信号处理、高速开关等。

【产品】采用SOT23-6L塑料封装的双N沟道MOSFET 2N7002DS6

丽正国际推出型号为2N7002DS6的采用SOT23-6L塑料封装的双N沟道MOSFET。该产品具有灵敏的栅极触发电流和低保持电流，具有ESD保护二极管，其中ESD额定值为2200V HBM

【产品】采用DO-35封装的信号开关二极管1N4454，反向恢复时间不超过4ns

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。DO-35封装的信号开关二极管1N4454，反向恢复时间不超过4ns，其存储温度范围为-65℃~175℃，适用于恶劣温度环境，在恶劣环境下也能保持产品的稳定性。该产品可主要应用于信号处理、高速开关等。

【产品】-30V/-0.3A P沟道增强型功率MOSFET RM03P30S2E

丽正国际推出型号为RM03P30S2E的P沟道增强型功率MOSFET，RM03P30S2E使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON），VDS =- 30V,ID =- 0.3A 。可应用于便携式电器和负载开关电器等。

【产品】SOT-363 塑封的双N通道MOSFET 2N7002KS6，ESD额定值为2200V HBM

​丽正国际（Rectron）生产的型号为2N7002KS6的采用SOT-363 塑封的双N通道MOSFET为灵敏的栅极触发电流和低保持电流ESD保护二极管，它的ESD额定值为2200V HBM可以应用于通用开关和相位控制应用。

【产品】75V/0.5A小信号开关二极管1N4148W，采用SOD-123封装

1N4148W是丽正国际（RECTRON）推出的一款小信号开关二极管。具有高击穿电压、非常高的开关速度、400mW功率耗散等特点，具有高电导率，采用SOD-123封装。

【产品】±20V/±3A N沟道和P沟道增强型功率MOSFET RM2003，采用SOT-23-6L封装

丽正国际推出的RM2003是一款增强型功率MOSFET，包含一个N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON）和极低的栅极电荷，互补MOSFET可用于形成电平移位的高变开关，并用于许多其他应用。RM2003采用SOT-23-6L封装。

【产品】集成N沟道和P沟道的增强型MOSFET RM2520ES6，具有大功率和高电流处理能力

丽正国际推出的RM2520ES6是一款集成N沟道和P沟道的增强型MOSFET。该器件使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON）性能和极低的栅极电荷，互补MOSFET可用于形成电平转换的高边开关，还可用于许多其他应用。

【产品】SOT-23塑料封装开关二极管BAS19，开关速度快

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。丽正新推出的SOT-23塑料封装开关二极管BAS19，开关速度快，符合UL 94V-O阻燃等级，其工作结温范围为-55℃~150℃，适用于恶劣温度环境，为恶劣环境下工作提供了可靠保障。该产品可主要应用于电子设备、通用开关电路等。

【产品】采用SOT-23封装的表面贴装开关二极管BAS21，反向电压为200V

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。丽正推出的SOT-23封装的表面贴装开关二极管BAS21，反向恢复时间不超过75 ns，反向电压为200V，其存储温度范围为-55℃~150℃，适用于恶劣温度环境，在恶劣环境下也能保持产品的稳定性。该产品可主要应用于电子设备、通用开关电路等。

【产品】采用SOT-23封装的表面贴装开关二极管BAS20，反向恢复时间不超过75ns

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。丽正推出的SOT-23封装的表面贴装开关二极管BAS20，反向恢复时间不超过75ns，其存储温度范围为-55℃~150℃，适用于恶劣温度环境，在恶劣环境下工作也能保持产品的稳定性。该产品可主要应用于电子设备、通用开关电路等。

【产品】600V/25A单相玻璃钝化硅桥整流器RBU2505M-C-LV

丽正国际单相玻璃钝化硅桥整流器RBU2505M-C-LV，最大重复峰值反向电压达600V，最大有效工作电压为420V，最大直流阻断电压为600V，最大平均整流电流为25A，隔离电压达2500V，正向峰值浪涌电流可达350A(60Hz，8.3ms，半正弦波)，电流的平方*时间为508A2s；热阻RθJC为5℃/W，热阻RθJA为22℃/W，工作和存储温度范围-55℃~+150℃

【产品】20V~200V/30A肖特基二极管SR3020C~SR30200C，低开关噪声

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。其新推出的TO220封装的肖特基SR3020C~SR30200C，电流高达30A，反向峰值电压范围为20V~200V。

【产品】-30V/-0.3A新型P沟道增强型功率MOSFET RM03P30D1E

RM03P30D1E是丽正国际公司生产的新型P沟道增强型功率MOSFET。RM03P30D1E采用先进的深槽技术，提供优良的RDS(ON)。RM03P30D1E总耗散功率为350mW，漏源电压为-30V，连续漏电流为-0.3A。

【产品】1200V/40A碳化硅功率肖特基二极管SC3S12040B，采用TO47封装

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。其新推出的TO47封装的碳化硅肖特基二极管SC3S12040B

【产品】1200V/20A采用低VCE（sat）沟道IGBT技术的RC-IGBT RI20N1200TT

RI20N1200TT是一款由丽正国际推出的IGBT芯片，其可以提供超低的传导损耗以及极低的开关损耗。 集电极-发射极电压1200V，集电极电流高达20A（TC=100℃）。其专为电磁炉、感应加热设备等应用而设计。

【产品】1200V/20A碳化硅肖特基二极管SC3S12020B，采用TO47封装

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。其推出的TO47封装的1200V/20A碳化硅肖特基二极管SC3S12020B。

【产品】SOT-23塑料封装开关二极管BAS16，功耗为225mW

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。丽正新推出的SOT-23塑料封装开关二极管BAS16，反向恢复时间短，符合UL 94V-O阻燃等级，其存储温度范围为-55℃~150℃，适用于恶劣温度环境，为恶劣环境下工作提供了可靠保障。该产品可主要应用于计算机、通用开关电路等。

【产品】100V N沟道功率MOSFET RM150N100DF，使用经过独特优化的Super Trench技术

丽正国际推出的RM150N100DF是一款N沟道功率MOSFET，可提供最高效的高频开关性能。在TC=25°C时，RM150N100DF可以承受的极限漏源电压为100V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为128A（封装限制），结温和储存温度范围为-55~150℃，是高频开关和同步整流的理想选择。

【产品】650V/30A碳化硅功率肖特基二极管SC3S06530B，采用TO47封装

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。其推出的TO47封装的碳化硅功率肖特基二极管SC3S06530B，电流高达30A，反向峰值电压为650V。

【产品】30V/85A N沟道增强型功率MOSFET RM002N30DF，适用于用作负载开关或PWM应用

RM002N30DF是丽正国际（RECTRON）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，漏源电压30V，连续漏极电流为85A，使用先进的沟槽技术来提供出色的低导通电阻，低栅极电荷。 该设备适用于用作负载开关或PWM应用。

【产品】800V/4.0A表面贴装单相玻璃钝化硅桥式整流器MSB407SH

丽正国际表面贴装单相玻璃钝化硅桥式整流器，型号为MSB407SH，最大峰值反向电压可达800V；最大平均正向整流电流为 4.0A，峰值正向浪涌电流可达60A(8.3ms，半正弦波)，电流的平方*时间值可达14.9A2s，典型热阻RθJL为10℃/W，典型热阻RθJc为15℃/W,典型热阻RθJA为40℃/W,工作和存储温度范围-55℃~+150℃。

【产品】150V/80A采用Super Trench技术的N沟道功率MOSFET RM80N150T2

丽正国际推出的 N沟道RM80N150T2，采用Super Trench技术，提高高频开关特性，该元件是高频开关和同步整流器理想元件之一。漏极-源极电压为150V，栅极-源极电压为±20V，漏极连续电流为80A，漏极脉冲电流为320A，最大功率耗散为210W，单次脉冲雪崩能量为672mJ，热阻RθJC为0.71℃/W，工作和存储温度为-55℃ ~ +175℃。

【产品】采用TO-3P塑封的绝缘栅双极晶体管RI15N1200TP，低栅极电荷

丽正国际（Rectron）生产的型号为RI15N1200TP的采用TO-3P塑封的绝缘栅双极晶体管具有如下特征：低栅极电荷，低饱和电压，正温度系数，符合RoHS标准产品。

【产品】TO-92封装的NPN双极晶体管2N4401，集电极电流高达600mA

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。NPN双极晶体2N4401,采用TO-92封装，集电极电流高达600mA，最大稳态功耗低至0.6W。该产品可主要应用于信号处理、开关、放大等领域。

【产品】低功耗和高效率肖特基势垒整流器02N17、02N18、02N19

丽正国际推出系列肖特基势垒整流器02N17,02N18,02N19，具有低功耗和高效率，低漏电流，低正向电压，高开关速度，高浪涌承受能力等优良特性。器件采用环氧树脂材料，通过UL 94 V-0阻燃等级。可焊性符合MIL-STD-202E(方法208C)。重量仅0.12克。

【产品】20~60V/0.5A表面贴装肖特基势垒整流器05S2L~05S6L

丽正国际（RECTRON）推出的05S2L~05S6L(05S2L、05S3L、05S4L、05S5L、05S6L)是丽正国际推出的5款最大反向重复峰值电压范围为20~60V，最大平均正向电流为0.5A的表面贴装肖特基势垒整流器。

【产品】使用经过独特优化的Super Trench技术的N沟道MOSFET RM110N150HD，导通电阻极低

丽正国际推出的RM110N150HD是一款N沟道MOSFET，具有极低的RDS（ON）和Qg，在环境温度为 25°C时，RM110N150HD可以承受的极限漏源电压为150V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为110A，是高频开关和同步整流的理想选择。

为iPhone、iMac充电器供应桥式整流器，丽正国际8000多种分立器件上线

台湾丽正国际，为iPhone、iMac充电器供应桥式整流器，与世强签订代理合作。世强元件电商新增分立器件厂商选择，及桥式整流器、二极管整流器、开关二极管、齐纳二极管、TVS二极管等近8000多种器件选择。

【产品】采用SOT-23封装的新型晶体管BC846、BC847、BC848，非常适合自动化贴片

BC846~BC848是丽正国际公司生产的新型晶体管。

【产品】采用T0-92封装的硅NPN外延平面晶体管L8050，集电极-基极击穿电压最小值为40V

RECTRON（丽正国际）提供一款采用T0-92封装的硅PNP外延平面晶体管，集电极-发射极击穿电压最小值为25V，发射极-基极击穿电压最小值为5V，直流电流增益范围为85~400，主要用于电子设备的一般放大器、中等功率驱动器及中速开关应用等。

丽正国际（RECTRON）官方授权代理证明/分销协议/授权书

丽正国际（RECTRON）官方授权代理证明/分销协议/授权书

【产品】采用T0-92封装的硅PNP外延平面晶体管L8550，直流电流增益的最大值为400

RECTRON（丽正国际）推出的L8550硅PNP外延平面晶体管，集电极-基极击穿电压最小值为-40V，集电极-发射极击穿电压最小值为-25V，发射极-基极击穿电压最小值为-5V，主要用于电子设备的一般放大器、中等功率驱动器及中速开关应用等。

【产品】30V/0.3A的NPN小信号达林顿晶体管，常用于通用开关应用

丽正国际公司推出了一款NPN小信号达林顿晶体管CMBTA13，集电极-基极电压最大为30V，集电极电流最大为300mA，该产品可应用于高灵敏的放大电路中，用来放大非常微小的信号，常被用于通用开关应用，如大功率开关电路等。

【产品】采用TO – 92封装的PNP晶体管2N5401，集电极电流高达-600mA

丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。其新推出的TO – 92 PNP晶体管2N5401,采用TO-92封装，集电极电流高达-600mA，存储温度范围为-55℃~150℃，适用于恶劣温度环境，为恶劣环境下工作提供了可靠保障。该产品可主要应用于信号处理、开关、放大等领域。

【产品】TO - 92封装的PNP双极晶体管2N4403, 最大稳态功耗低至0.6W

丽正国际（RECTRON）推出的TO - 92 封装PNP双极晶体管2N4403（PNP），集电极电流为-600mA，最大稳态功耗低至0.6W。该产品可主要应用于信号处理、开关、放大等领域。

【产品】50~600V/0.5A表面贴装快恢复整流器05F1L~05F5L，具有开关速度快等特点

05F1L~05F5L(05F1L、05F2L、05F3L、05F4L、05F5L)是丽正国际推出的5款最大反向重复峰值电压范围为50~600V，最大平均正向电流为0.5A的表面贴装快恢复整流器，有开关速度快、低漏电流、低正向压降等特点。

【产品】采用SOD-323封装的超快恢复二极管05S200WS，具有低正向压降，低功耗和高效率等特性

丽正国际推出超快恢复二极管05S200WS，采用SOD-323封装，可实现自动安装。器件具有低正向压降，低功耗和高效率，高浪涌电流承受能力等优良特性，产品无卤素，可焊性符合MIL-STD-750(方法2026)。

【产品】50~1000V/1.5A硅整流器1N5391~1N5399，具有低功耗低漏电流等特点

丽正国际的1N5391~1N5399(1N5391、1N5392、1N5393、1N5394、1N5395、1N5396、1N5397、1N5398、1N5399)是最大反向重复峰值电压范围为50~1000V，最大平均正向电流为1.5A的硅整流器，具有低功耗低漏电流等特点。

RMN65N130T2 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 数据手册