扬杰科技

【选型】扬杰科技（YANGJIE）MOSFET（中低压/高压）选型指南

扬杰科技（YANGJIE）成立于2006年8月2日。公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。

【产品】扬杰科技针对工业变频器等领域推出1200V IGBT变频器系列模块新品

扬杰科技IGBT变频器系列模块新品发布，IGBT变频器系列产品涵盖C1、C2、E1/E1A、E2/E2A、P2、P3等多款封装外形，具有多种灵活的拓扑结构；电压等级为1200V，电流涵盖10A~300A。

【选型】扬杰科技（YANGJIE）TVS芯片（台面贴片系列产品）选型指南

TVS芯片（台面贴片系列产品）特点：Glass+LTO双层钝化保护；单沟槽台面工艺；芯片表面镀层为Ni/Ni/Au

【产品】扬杰科技IGBT高频系列模块新品发布，封装含C1、C2，电压等级1200V

扬杰科技发布IGBT高频系列模块新品，主要有两款封装外形，包含C1（34mm）、C2（62mm）；电压等级为1200V，电流涵盖40A~300A；产品主要用于工业焊机、感应加热、电磁炉等高频应用领域；相关系列产品与市场主流产品完全pin to pin替代应用；符合RoHS标准。最高结温150℃，关断损耗低，是具有超快速和软恢复特性的续流二极管。

【选型】扬杰科技（YANGJIE）FRD芯片快恢复系列产品-EPI（SF/MUR/UF/UG/HER/FR系列及平面产品）选型指南

FRD 芯片(快恢复系列产品-EPI)产品特点：Photo Glass台面工艺制程SIPOS+玻璃+LTO钝化保护；平面工艺；低正向压降；金属组合一：双面金属Ni-Ni-Au、金属组合二：正面金属AL+背面金属Ti-Ni-Ag、金属组合三：双面金属Ti-Ni-Ag；结温Tj:-40°C-150°C

【选型】扬杰科技（YANGJIE）车规产品选型指南

本资料涉及的车规产品特点：先进的自动化生产设备确保产品精度和稳定的可靠性；汽车电子制程方法确保工艺参数控制免出错；全自动化生产流程；先进的MES制造系统监控产品生产流程；汽车电子产品专线设备工程师和操作人员均持有车规级上岗证；全系列整流器件产品方案，多达几十种封装；所有产品均符合AECQ101倌赖性测试标准，可供PPAP体系资料；公司体系通过了IATF16949和ISO9001认证。

【选型】扬杰科技（YANGJIE）整流器件（整流桥/二极管）选型指南

整流器件（整流桥/二极管）产品特点：全系列整流器件产品方案，多达几十种封装；可以匹配Low VF、Low IR和高结温产品；先进的自动化生产设备确保产品精度和稳定的可靠性；4寸和6寸两座晶圆FAB厂，具备自主晶圆设计和供应能力；具备车规级生产管理能力，独立的车规线已投入运行

【选型】扬杰科技（YANGJIE）小信号产品（开关二极管/稳压二极管/肖特基二极管/三极管/数字晶体管）选型指南

小信号产品（开关二极管/稳压二极管/肖特基二极管/三极管/数字晶体管）产品特点：先进的自动化生产设备确保产品精度和稳定的可靠性；6寸晶圆FAB厂，具备自主晶圆供应能力；高密度、大尺寸框架结构设计确保持续降本能力；充足的安全库存及时满足客户设计生产需求；具备车规级生产管理能力，独立的车规线已投入运行。

【选型】扬杰科技（YANGJIE）功率模块（IGBT模块/整流模块/晶闸管模块/肖特基模块/快恢复模块）选型指南

功率模块（IGBT模块/整流模块/晶闸管模块/肖特基模块/快恢复模块）产品特点：自主晶圆设计能力及规模化制造能力保证稳定供货；更优的浪涌电流能力以及雪崩能力；更低的通态压降以及漏电流，降低开关损耗；更低的热阻设计；良好的高温特性以及更低的应力设计；绝缘型以及非绝缘型模块封装，适合多领域应用

【选型】扬杰科技（YANGJIE）高压模块雪崩芯片选型指南

高压模块雪崩芯片产品特点：采用NTD单晶生产；Photo Glass台面工艺制程；SIPOS+玻璃+LTO钝化保护；双沟槽工艺；金属组合一：双面金属Ni-Ni-Au、金属组合二：正面金属AL+背面金属Ti-Ni-Ag、金属组合三：双面金属Ti-Ni-Ag；结温Tj:-40°C-150°C

【选型】扬杰科技（YANGJIE）固体放电管芯片选型指南

固体放电管芯片产品特点：固体放电管芯片采用平面工艺生产；金属：双面金属Ti-Ni-Ag；结温Tj:-45°C-175°C

【选型】扬杰科技（YANGJIE）STD GPP芯片(普通整流系列产品）选型指南

STD GPP芯片(普通整流系列产品）特征一：Photo Glass台面工艺制程；SIPOS+玻璃+LTO钝化保护；双面金属Ni-Ni-Au；结温Tj:-40°C-150°C。 STD GPP芯片(普通整流系列产品）特征二：Photo Glass台面工艺制程；氮化硅+玻璃+LTO钝化保护；双面金属Ni-Ni-Au；结温Tj:-40°C-175°C。

【选型】扬杰科技（YANGJIE）产品快速选型指南表

扬杰科技（YANGJIE）成立于2006年8月2日。公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。

扬杰科技（YANGJIE）IGBT产品介绍

扬杰科技（YANGJIE）IGBT新品宣告

扬杰科技（YANGJIE）MMBTA42 NPN晶体管数据手册

扬杰科技 包装信息

【选型】可Pin-Pin替代Si2374DS的国产MOS管YJL2312A助力医疗产品电源设计，18mΩ导通电阻更低

在医疗产品电源设计中，某客户选用了VISHAY公司的MOS管Si2374DS作为气体阀门的开关控制，不过因供货周期和价格压力，需要选择一款低成本、供货交期好的国产替代产品，本文重点扬杰科技的YJL2312A可Pin-Pin替代Si2374DS。

扬杰科技 焊接技术

【选型】可替代MSCD200-16的整流二极管模块MD200C16D2助力机车空调电源，I²T值高达281250A2S

某客户在车载空调电源设计中选用了Microsemi的玻璃钝化整流二极管模块MSCD200-16，不过因供货周期和价格压力，该客户需要选择一款低成本、供货交期好的替代产品，本文重点推荐扬杰科技的MD200C16D2，可Pin-Pin替代MSCD200-16。

扬杰科技（YANGJIE）官方授权代理证明/分销协议/授权书

【产品】扬杰科技针对负载开关等领域推出国内首款采用SGT工艺的P-100V MOSFET新品

扬杰科技针对负载开关，DCDC,电机驱动领域，推出全新的SGT P-100V产品。和N Channel MOSFET产品相比，P Channel MOSFET产品需求远小。但在某些应用领域， P Channel MOSFET因其本身的电性特点，有其不可替代性；目前可以提供-15 ~ -100V，-1.5~-55A的P Channel MOSFET解决方案。

【产品】100V/3A N沟道增强型场效应管YJL03G10A，RDS(on)可小于140mΩ

扬杰科技推出的YJL03G10A型号N沟道增强型场效应管，其VDS=100V，ID=3.0A，RDS(on)( 在VGS=10V时) ＜140 m ohm；具有 RDS(on) 与FOM值低，极低的开关损耗，优异的稳定性和均匀性等特性，支持快速切换和软恢复。

【产品】重复峰值反向电压为30V的肖特基势垒二极管RB551V-30，正向压降最大值仅0.37V

扬杰科技推出的RB551V-30肖特基势垒二极管，重复峰值反向电压为30V，直流关断电压为20V。器件采用SOD323封装，符合RoHS标准。器件的耗散功率仅200mW, 非重复峰值正向浪涌电流为2A。此外，器件的正向压降最大值仅0.37V, 反向漏电流最大值仅100uA，具有低正向压降和低反向漏电流的优良特性 。产品可用于电源等应用。

【视频】 8/20us、电流可达2500A/10000A的新型封装TVS，保护5G通信基站稳定运行

在5G＆下一代通信及新材料和连接器专场世强在线研讨会中，扬杰科技PM陈晓华先生为我们做了演讲。视频介绍扬杰科技8/20us、电流可达2500A/10000A的新型封装TVS，可保护5G通信基站稳定运行。

扬杰科技（YANGJIE）汽车电子/小信号/MOS/桥堆二极管/保护器件产品替换安森美/威世/ST对照表

【应用】MOSFET YJS12G06A用于10-15W快充同步整流，耐压达60V

扬杰科技的MOSFET产品YJS12G06A，采用SOP-8封装，耐压60V，典型导通电阻8.2mR，具有低栅极电荷，能够实现MOS的快速开关，适用于10-15W快充、驱动频率在100KHZ的同步整流应用。

【产品】扬杰新型封装SMG,SME TVS管，8/20us下电流可达2500A/10000A，保护5G通信基站稳定运行

扬杰科技推出新型封装SMG、SME 双向TVS管，为大功率双向TVS器件，用于通讯电源和5G基站电源雷击。采用环保物料，符合RoHS标准。表面贴片封装，满足无铅SMT工艺需求。

【应用】桥式整流器YBSM4010用于适配器，相比同类封装产品，YBS3更加节约成本和空间

随着电源设备的的高密度化设计，整流桥在规格和体积上要求均比较高，在满足规格和损耗的情况下，需求的体积是越小越好。针对市面上一些中小功率的适配器，推荐扬杰科技整流桥YBSM4010，耐压800V，最大平均电流4A，使用YBS3封装，相比同类封装产品，更加节约成本和空间，采用环保物料，符合RoHS标准，适用于充电器、适配器行业。

【产品】BAS16WTQ 高速开关二极管，VR =75V，IFAV =150mA

扬杰科技推出的BAS16WTQ型号高速开关二极管，其VR =75V ,IFAV =150mA，采用环氧树脂符合UL-94 V-0易燃性等级且不含卤素， 湿度敏感度等级1。零件号 后缀“ Q”表示符合AEC-Q101标准，主要用于极速开关等应用中。

扬杰科技二、三极管及MOS产品匹配方法指导

扬杰科技小电流，小电压的MBR0540能替代哪些型号？？

扬杰科技肖特基整流二极管MBR0540（SOD123，40V/0.5A），可以替代市面上很多主流型号，如PANJIT的SS0540、onsemi的MBR0540、SMC的MBR0540、EIC的MBR0540、型号都是一样的。其中扬杰科技肖特基整流二极管MBR0540规格书参考链接：MBR0520 THRU MBR0540 Schottky Rectifier 数据手册

【选型】S210Q国产车规级肖特基整流二极管助力非车载机械式旋转激光雷达激光二极管反钳位设计，正向压降最大值仅0.85V

为满足激光雷达激光二极管长期使用寿命的需求，一般需要在激光二极管上并联一个肖特基二极管做反钳位设计，可抑制因开关管（GaN）关断时产生的高压振铃波形对激光二极管造成伤害，推荐国产扬杰科技肖特基整流二极管S210Q，采用SOD-123FL封装，其最大反向工作电压为100V，平均正向整流电流额定值为2A，正向浪涌电流峰值IFSM高达50A，工作温度范围-55℃~150℃，通过AEC-Q101认证。

【应用】整流桥YBS3010用于24W手机快充电源，反向电压1000V，正向导通电压1V

常规手机快充电源基本原理是通过市电交流220V转换为直流，传输给手机端充电。根据快充协议的不同，交流220V变为直流电压12V/9V/5V，通常采用整流桥来实现交流变直流。推荐国产扬杰科技的整流桥YBS3010，反向耐压高达1000V，正向导通电流3A，正向导通电压1V，还可以承受110A的浪涌电流，成本更低，是24W以下手机快充电源输入端整流桥的高性价比解决方案。

【应用】桥式整流器GBJ2008A用于400~600W服务器电源，可承受峰值正向浪涌电流高达320A

扬杰科技的桥式整流器GBJ2008A，反向重复峰值电压VRRM为800V，平均整流输出电流为20A（Tc =87℃，带散热片条件下），该整流器具有高浪涌电流能力，在60Hz正弦波条件下，峰值正向浪涌电流高达320A，适用于400~600W服务器电源和其他开关电源的交流-直流全波整流。

【产品】120A正向浪涌电流的通用整流器1N5416G，DO-201AD(DO-27)封装

扬杰科技推出的1N5416G 通用整流器具有高效率、高正向浪涌能力、高电流容量、高可靠性、低功耗等特性，正向浪涌电流120A（在60Hz半正弦波，1个周期，Ta=25℃时，非重复），根据JESD 22-B10，其焊料浸入275°C，最长7s。

Certificate YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. IATF 16949 : 2016

【产品】DZ23C2V4Q~DZ23C47Q系列小信号齐纳二极管，齐纳电压2.4V〜47V，通过AEC-Q101认证

扬杰科技推出的DZ23C2V4Q~DZ23C47Q 系列小信号齐纳二极管，齐纳电压2.4V〜47V，同一条件下，两个二极管的VZ公差≤5％，其湿敏等级为1级，环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级，无卤素，通过AEC-Q101认证，适用于一般调节应用。

【应用】国产NPN型晶体管MMBT2222AQ成功用于射频检波电路，成本低、电路结构简单

射频模块或产品中通常要求产品具备射频信号监测的功能，大部分产品实现该功能的方法是直接采用现成的检波器芯片，如ADI的ADL5513。本项目采用的方法是通过扬杰科技的NPN型晶体管MMBT2222AQ来构成检波电路，从而实现射频信号的检测功能，从而降低了项目的成本，提高了国产化率。

【产品】HV-01封装超小尺寸超快速恢复高压二极管2CL01M

扬杰科技推出的2CL01M型号超快速恢复高压二极管，其具有超小尺寸、高可靠性、支持高速切换等特点，适合用于彩色TV，CRT显示器监控高压电源（FBT：反激式变压器）等高压电源的整流应用。

【产品】采用SOT-23封装的NPN通用放大器MMBT5551Q，符合AEC-Q101标准

扬杰科技推出的MMBT5551Q NPN通用放大器，该通用放大器采用高压晶体管NPN硅，其环氧树脂符合UL-94V-0易燃性等级且不含卤素，湿度敏感度等级为1，该型号的零件号后缀“ Q”表示符合AEC-Q101标准，适合用于线性放大等应用领域中。

【产品】TO-263封装的肖特基二极管MBRB3045CT，最大瞬时正向压降VFM为0.65V

扬杰科技推出的MBRB3045CT型号肖特基二极管,其二极管的最大瞬时正向压降VFM为0.65V，具有低正向压降以及支持高频运行等特性，采用高纯度，高温环氧树脂封装，增强了机械强度和耐湿性，符合AEC-Q101和PPAP标准以及符合RoHS要求。

【产品】反向电压30V的小信号肖特基势垒二极管RB520S-30Q，平均正向电流200mA

扬杰科技公司推出的RB551V-30Q型号肖特基势垒二极管，该二极管的VRRM 为30V，IFAV 为0.5A，其采用的环氧树脂符合UL-94 V-0易燃性等级，且不含卤素，湿度敏感度等级为1，该型号的零件号后缀“ Q”表示符合AEC-Q101标准。在供电场合中应用较为广泛。

【产品】1200V/450A MF450U12F2 FRED模块，具有软反向恢复特性

扬杰科技推出的MF450U12F2型号FRED模块，其VRRM= 1200V，IFAV = 450A，采用低电感封装，具有软反向恢复特性，超快反向恢复时间等特点，该模块的反向恢复损耗低、正向电压低、具有高浪涌电流能力等是其主要优势。

【产品】高速开关二极管MMBD4148Q，反向电压 VR 可达100V

扬杰科技推出的MMBD4148Q高速开关二极管，其反向电压 VR 可达100V，平均正向电流 IFAV 为200mA，采用的环氧树脂符合UL-94 V-0易燃性等级，不含卤素，湿度敏感度等级为1，该型号的零件号后缀“ Q”表示符合AEC-Q101标准。可用于极速开关应用场合。

【应用】VF仅0.24V肖特基二极管BAT54W助力实现2.4GHz WIFI频段射频能量收集器的构建

在许多应用中，人们希望通过微波整流来将射频能量转换成直流能，从而将直流能存储起来。肖特基二极管具有高速切换和低功耗特性，特别适合作为整流二极管来使用。本项目采用扬杰科技的肖特基二极管BAT54W，通过它来搭建高性能的整流电路，并结合接收天线，储能电路，从而实现2.4GHz WIFI频段的射频能量收集器的构建。

【产品】30V/200mA的小信号肖特基整流器BAT54WSQ，通过AEC-Q101认证

扬杰科技的小信号肖特基整流器BAT54WSQ，反向电压30V，平均正向电流200mA，耗散功率200mW，最大结温125℃，采用SOD323封装，后缀“ Q”的表示该器件通过AEC-Q101认证。

【产品】50V/100mA/300mW的双NPN小信号晶体管BC847BS，采用SOT-363封装

扬杰科技的双NPN小信号晶体管BC847BS，采用SOT-363封装，集电极-基极电压为50V，集电极-发射极电压45V，发射极-基极电压6V，集电极连续电流100mA，总器件耗散300mW，结温为150℃，储存温度范围是-55~150℃。

【产品】扬杰科技新型输入整流二极管60EPS12/6，具有低正向压降和反向漏电流，可用于充电桩行业

60EPS12/60EPS16是由扬杰科技推出的性能优异的输入整流二极管，平均输出整流电流IF(AV)=60A，反向电压1600V，较低的正向压降以及反向漏电流，采用TO-247封装，可以应用于主流的充电桩行业。

【产品】扬杰科技推出新型功率TVS SM4F等系列，在更小的封装中提供更好的保护性能

扬杰科技新推出的功率TVS使用SOD-123FL封装做400W产品，替代传统的SMA封装；SMAF/SMA封装做600W产品，替代传统的SMB封装，体积小，高度低，可适用于各种小型化电路。产品采用环保物料，符合RoHS标准。电压范围宽，型号多样，能满足多种需求，主要用于电源系统,安防,仪器仪表,家用电器,计算机与网络设备系统。

【产品】SOD523封装的100V/150mA小信号快速开关二极管1N4148WTQ，符合AEC-Q101认证

1N4148WTQ是由扬杰科技推出的一款小信号快速二极管，反向重复峰值电压100V，平均正向电流150mA，耗散功率150mW，可以应用于极速开关等领域中。

【产品】-60/80V、-500mA的PNP晶体管MMBTA55/56，采用SOT-23封装设计

扬杰科技的PNP晶体管MMBTA55、MMBTA56，集电极-基极电压分别为-60V、-80V，集电极连续电流为-500mA，采用SOT-23的封装设计，具有高电导率，结温和储存温度均为-55~150℃。

【产品】30V/200mA的肖特基势垒二极管RB530V-30，采用SOT-323​封装

扬杰科技的肖特基势垒二极管RB530V-30，采用SOT-323的封装设计，耗散功率为200mW，结温为125℃，直流反向电压为30V，平均正向整流电流200mA。

【产品】75V/150mA的高速开关二极管1N4148WQ，采用SOD123封装

扬杰科技高速开关二极管1N4148WQ，采用SOD123的封装设计，反向电压75V，反向重复峰值电压为100V，平均正向电流150mA，功率消耗为400mW，适用于快速开关。

【产品】SOT-323封装设计的NPN晶体管MMST3904，适合通用小信号放大器应用

扬杰科技NPN晶体管MMST3904，通用小信号放大器应用，采用SOT-323的封装设计，具有高电导率，集电极-基极电压为60V，集电极连续电流为200mA，总功耗仅200mW，结温和储存温度均为-55~150℃。

【产品】215mA(125mA)/85V的小信号快速开关二极管BAV199，采用SOT23封装设计

扬杰科技小信号快速开关二极管BAV199，采用SOT23的封装设计，反向重复峰值电压为85V，反向电压为100V，平均正向电流（单二极管负载）215mA，平均正向电流（双二极管负载）125mA。

【产品】小信号肖特基二极管RB751V-40Q，反向重复峰值电压40V，平均正向电流0.03A，符合AEC-Q101标准

扬杰科技旗下的小信号肖特基二极管RB751V-40Q，反向重复峰值电压40V，平均正向电流0.03A，结电容仅为5pF，可用于较高频率的小信号处理。在机械参数方面，其封装为SOD-323；端子为镀锡引线，可根据J-STD-002和JESD22-B102进行焊接，符合AEC-Q101标准。

【产品】SOD123封装的MMSZ5221B-MMSZ5261B系列齐纳二极管，齐纳电压2.4V〜47V ​

扬杰科技MMSZ5221B-MMSZ5261B系列齐纳二极管，采用SOD123的封装设计，齐纳电压2.4V〜47V，耗散功率为500mW，储存温度范围和结温范围均为-55~150℃，最大正向压降0.9V

【选型】20W水泵电源过压防护设计推荐国产400W单向TVS管SMAJ33A，成本更低

20W水泵的输入电源供电电压一般为24VDC，为保证电源端口输入的电压具有高可靠性，一般需要满足1.5倍过压（36V）通电1min或1h保持高耐压可靠性，一般在输入电源加入一颗TVS管做过压防护，推荐扬杰科技400W单向TVS管SMAJ33A，最大工作电压达33V，最小动作击穿电压36.7V，采用DO-214AC（SMA）表贴封装，工作温度范围-55℃~150℃。

【选型】3kW 5G通信基站电源220VAC输入AC/DC整流推荐单相整流桥GBJ2510，VF低至1V

5G通信基站电源主功率框架由单相整流+PFC+全桥LLC（逆变）+同步整流组成，整流桥主要作用是对220VAC市电转换成直流（AC/DC），为满足3KW 5G通信基站电源高电源转换效率需求，推荐选择扬杰科技单相整流桥GBJ2510，最大反向工作电压为1000V，正向平均输出电流25A，可承受最大峰值浪涌电流达175A，最大正向导通电压低至1V。

【选型】1kW 5G基站电源220VAC输入AC/DC整流设计推荐1000V高耐压单相整流桥GBJ1010

1KW 5G通信基站电源主功率框架由单相整流+PFC+全桥LLC（逆变）+同步整流组成， 为实现220VAC市电转换成直流（AC/DC），推荐选择扬杰科技单相整流桥GBJ1010，最大反向工作电压为1000V，可满足高耐压需求，正向平均输出电流10A，可承受最大峰值浪涌电流达175A，具有出色的抗浪涌能力，最大正向导通电压仅1V，宽工作温度范围-55℃~150℃。

【选型】国产P沟道功率MOSFET YJL2305A可Pin-Pin替代IRLML6401，导通电阻低至36.4mΩ

某客户在烟雾探测器产品设计中选用了IR公司的MOS管IRLML6401作为通风风扇的开关控制，不过因供货周期和价格压力，需要选择一款低成本、供货交期好的国产替代产品，本文重点说明扬杰科技的P沟道功率MOSFET YJL2305A可Pin-Pin替代IRLML6401。

【产品】40~60V的车规级小信号肖特基二极管SD101A/B/CWSQ，采用SOD-323封装

扬杰科技（YANGJIE）的车规级小信号肖特基二极管SD101AWSQ、SD101BWSQ、SD101CWSQ，器件后缀“Q”表示通过了AEC-Q101认证，其主要特性包括：环氧树脂符合UL-94 V-0易燃性等级，且无卤素； 湿度敏感等级为1； 可应用于表面贴装应用等。

【选型】国产NPN三极管MMST3904用于TR收发模块，可以PIN TO PIN替换PMBT3904，功耗200mW

客户之前使用MMST3904用于开发和生产TR的收发模块等各种项目，由于担心客观因素导致项目不能正常开展，希望能有相同性能的国产化器件进行替换。本文介绍扬杰科技MMST3904可以PIN TO PIN的替换NXP的PMBT3904。由于现在的工艺更新，功耗200mW，比传统NXP的老料功耗会更低一些。工作温度达不到-65℃，对工作温度要求不极端的产品，该物料能够较好地取代NXP的PMBT3904。

【产品】采用SOT-23封装，具有高电导特性的NPN通用晶体管MMBT2222AQ，通过AEC-Q101认证

MMBT2222AQ是由扬杰科技推出的一款性能优异的NPN通用晶体管，集电极-基极电压为75V，集电极-发射极电压40V，发射极-基极电压6V，具有高电导特性，采用SOT-23封装，可以应用于开关和线性放大领域。通过AEC-Q101认证。

【产品】SOD323封装的BZT52C2V4S-BZT52C47S的齐纳二极管，额定功耗仅为200mW

扬杰科技的BZT52C2V4S-BZT52C47S系列齐纳二极管，采用SOD323的封装设计，额定功耗仅为200mW，储存温度范围和结温均为-55~150℃，最大正向压降0.9V。

【产品】具有高正向浪涌能力的SMA47XXA系列表面贴装型齐纳二极管，最大瞬时正向电压为1.2V

扬杰科技推出的SMA47XXA系列表面贴装型齐纳二极管，直流功耗的最大额定值为1W（TL=75 ℃）。采用DO-214AC（SMA）封装，非常适合自动化装配，具有玻璃钝化芯片结，湿度敏感等级（MSL）为1级。该产品符合RIHS标准。

【产品】SOT-323封装的BZX84C2V4W-BZX84C39W齐纳二极管，齐纳电压2.4V〜39V

扬杰科技的BZX84C2V4W~BZX84C39W系列的齐纳二极管，采用SOT-323的封装设计，齐纳电压2.4V〜39V，最大正向压降0.9V，耗散功率200mW，采用SOT-323封装，具有高电导率。

【产品】SOT-23封装的NPN通用放大器BC817-16/BC817-25/BC817-40，功耗仅为0.3W

扬杰科技推出NPN通用放大器BC817-16,BC817-25,BC817-40，采用SOT-23的封装设计，功耗0.3W，符合ROHS标准。环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃性等级，湿度敏感度等级1。

【产品】SOD323封装的BZT52B2V4S~BZT52B47S系列齐纳二极管，额定功耗仅为200mW

扬杰科技BZT52B2V4S~BZT52B47S系列齐纳二极管，采用SOD323的封装设计，额定功耗仅为200mW，结温和储存温度范围均为-55~150℃，最大正向电压0.9V。

【产品】SOT-23封装的BZX84C2V4~BZX84C47系列齐纳二极管，齐纳电压2.4V~47V

扬杰科技BZX84C2V4~BZX84C47系列齐纳二极管，采用SOT-23的封装设计，齐纳电压2.4V~47V，最大正向电压0.9V，耗散功率350mW，工作和存储温度均为-55~150℃。

【产品】200mA/100V的小信号快速开关二极管BAS416，采用SOD323封装设计，适用于低漏电应用场合

扬杰科技推出小信号快速开关二极管BAS416，采用SOD323的封装设计，100V反向电压，平均正向电流200mA，适用于低漏电应用场合。该产品符合ROHS标准。

【产品】SOD123封装的BZT52C2V4~BZT52C47系列齐纳二极管，齐纳电压2.4V〜47V ​

扬杰科技的BZT52C2V4-BZT52C47系列齐纳二极管，采用SOD123的封装设计，齐纳电压2.4V〜47V，耗散功率为500mW，结温和存储温度均为-55~150℃

【产品】SOT-363表面贴装双PNP小信号晶体管BC857BS，电流增益范围为220-475

扬杰科技作为一家专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展的半导体公司，推出了双PNP小信号晶体管BC857BS，电流增益范围为220-475。采用SOT-363表面贴装式封装，非常适合自动插入设备。

【产品】40V/0.5A的B0540W的肖特基整流器，采用SOD123封装

扬杰科技专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。其近期推出B0540W的肖特基整流器，采用SOD123的封装设计。其直流阻断电压为40V，平均正向电流0.5A。该产品符合ROHS标准。

【应用】国产1000V/0.8A整流桥MB10S助力可燃气体探测器5W电源设计，1000V的反向电压具有更高的可靠性

扬杰科技的MB10S，输入电压范围85VAC～264VAC，以最高输入264VAC整流后一般为直流370VDC，选择1000V的反向电压具有更高的可靠性。交流输入电流最大有效值在0.2A，选择最大平均正向整流电流0.8A，完全满足要求；另外，可承受的正向浪涌电流最大额定值为30A，浪涌保护能力强。

【产品】SOD523封装的BZX584C2V4-BZX584C47V的齐纳二极管，齐纳电压2.4V〜47V ​

扬杰科技的齐纳二极管BZX584C2V4-BZX584C47V系列，采用SOD523的封装设计，齐纳电压2.4V〜47V，耗散功率达200mW，10mA时正向电压为1V，具有高可靠性、急剧变化的反向特性和低反向电流水平等特点

【产品】扬杰科技推出200~600V的FRED新品，具有强软恢复特性和短反向恢复时间

扬杰科技的新推出的FRED产品（超快恢复二极管）是一种为优化整流器性能而设计的超快恢复产品，拥有较低正向压降和极低恢复时间，现有的产品分布在200V~600V、5A~20A，具有多种封装类型。其工作结温-55℃~150℃，反向电压高，反向恢复时间短，软恢复特性强。

【选型】单端反激开关电源中肖特基二极管推荐SR340，40V/3A满足使用需求

某客户的单端反激(FLY-BACK)开关电源应用中整流需要一款肖特基二极管，根据其设计条件，该二极管需要满足VR≥35V，IF≥3A，再结合用户的国产需求，推荐使用扬杰科技的SR340，达40V/3A，参数满足应用要求，且不会余量过大造成浪费。

【产品】SOT-23封装的NPN小信号数字晶体管DTC143ZCA，功率损耗仅为200mW

扬杰科技推出的NPN小信号数字晶体管（内置电阻）DTC143ZCA，采用SOT-23的封装设计，供电电压为50V，输出电流为100mA，功率损耗为200mW，具有环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级、湿度敏感度等级1、内置偏置电阻等特点。

【产品】扬杰科技新推600~1200V、TO-247封装的MUR3060B整流二极管系列

扬杰科技最近新推出整流二极管MUR3060B/MUR6060B/MUR30120B/MUR60120B，采用TO-247封装，具有低正向压降和低反向电流等特点，适用于充电桩和逆变器等领域。

【应用】1000V/25A整流桥GBJ2510助力3KW 5G通信电源的高效低损耗设计

基于3KW的5G通信电源追求高效率小体积的高功率密度需求特性，整流桥选型时的导通电压要尽可能低，桥堆在满足参数规格的情况下体积越小越好。扬杰科技的GBJ2510是1000V/25A的整流桥，扁平式封装，本体体积仅30mm*20mm*4.6mm，Vf低至1V，单机采用2PCS，有效助力3KW的5G通信电源整流高效低损耗设计。

【产品】215mA(125mA)/100V的小信号快速开关二极管BAV170，反向漏电流仅5nA

扬杰科技推出的小信号快速开关二极管BAV170，采用SOT23的封装设计，100V反向电压，单二极管负载215mA， 双二极管负载125mA，反向漏电流仅5nA，耗散功率为250mW。

【产品】SOT-23封装的齐纳二极管BZX84B2V4~BZX84B36，齐纳电压2.4V〜36V

扬杰科技推出的齐纳二极管BZX84B2V4~BZX84B36系列，采用SOT-23的封装设计，齐纳电压2.4V〜36V，最大正向电压0.9V，耗散功率350mW，正向峰值浪涌电流为2.0A，工作温度和存储温度均为-55~150℃，具有高可靠性和急剧变化的反向特性。

【产品】扬杰科技发布1200V/10~35A IGBT PIM新品，P2、P3封装外形可选

扬杰科技发布了其IGBT PIM新品，产品有P2、P3两款封装外形，1200V，电流10A~35A，芯片参数稳定，一致性优异，采用环保物料，符合RoHS标准，主要用于电动驱动器、交直流伺服驱动放大器和不间断电源。

国产三相整流桥MT3516A应用于15KW充电桩模块，正向浪涌电流高达400A

新能源汽车充电桩核心是充电桩模块，主要由三相整流、PFC、DC/DC 变压几个部分组成；在前级三相整流部分，需要用到三相整流桥堆，将工业380v交流电转换为直流电。推荐扬杰科技的三相整流桥MT3516A应用于15KW充电桩模块，反向击穿电压高达1600V、平均整流输出电流为35A、结温范围为-55 to 150℃。

【应用】国产1000V/1A的整流桥ABS10助力20w手机充电器，浪涌电流能力高达35A

0W手机充电器通常由交流220v整流后通过反激式电源电路输出直流5V/4A，实现给手机快速充电。这里主要介绍扬杰科技整流桥ABS10应用在20W手机充电器，峰值反向电压1000V，连续正向电流最大额定值为1A，可承受的正向浪涌电流最大额定值为35A，浪涌保护能力强；结温最大额定值为150℃，存储温度范围为-55~150℃，使用ABS封装。

【产品】40V/0.5A的小信号肖特基整流器B0540WSQ，采用SOD323封装

扬杰科技旗下推出的型号为B0540WSQ小信号肖特基整流器，性能优异，采用SOD323封装形式，VR为40V，IFAV为0.5A，环氧树脂符合UL-94 V-0易燃性等级和无卤，后缀带Q的器件通过了AEC-Q101认证，该产品用于表面贴装应用中。

【产品】100V/0.2A的双开关二极管BAV99，反向恢复时间仅4ns

扬杰科技推出的BAV99是一款性能优异的双开关二极管，采用SOT-23，反向峰值电压100V，正向持续电流0.2A，耗散功率0.35mW，具有开关速度快、高电导等特点。

【选型】单相整流桥GBJ3508可PIN-PIN替换LRC的D35SB80用于6.6kw车载OBC

车载6.6 kw OBC 常用电路图框，输入交流范围85VAC~265VAC，直流输出200VDC-400VDC，其主要电路包含交流整流、PFC升压以及DC-DC转换部分，这里交流整流部分一般使用单相整流桥800V/35A规格。本文介绍扬杰科技的GBJ3508可PIN-PIN替换LRC乐山无线电D35SB80用于6.6kw车载OBC，在电气参数以及封装尺寸等方面均匹配D35SB80。

【应用】800V/3A单相整流桥D3UB80A运用于电源适配器，具有较强抗冲击电流能力和低导通损耗

电源适配器（Power adapter）是小型便携式电子设备及电子电器的供电电源变换设备，为了适应充电功率的增大以及宽电压范围90VAC-264VAC的需求，本文推荐扬杰科技的单相整流桥D3UB80A，最大重复峰值反向电压可达800V，最大正向整流电流为3A，可以满足要求。

【产品】SOT-23封装的DTA113ZCA的PNP数字晶体管，输入电压-10~+5V

扬杰科技推出的DTA113ZCAPNP数字晶体管（内置电阻），采用SOT-23的封装设计，具有环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级、湿度敏感度等级1、内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可进行逆变电路的配置和表面贴装非常适合自动装配等特点，其产品图如图1。

【产品】SOT-23封装的NPN数字晶体管DTC143XCA，具有内置电阻

扬杰科技推出的DTC143XCA的NPN数字晶体管（内置电阻），采用SOT-23的封装设计，具有环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级、湿度敏感度等级1、内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可进行变频器电路的配置和表面贴装套件非常适合自动装配等特点。

【产品】SOT-23封装的NPN数字晶体管DTC143ECA ，供电电压50V

扬杰科技推出DTC143ECA NPN数字晶体管（内置电阻），采用SOT-23的封装设计，具有环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级、湿度敏感度等级1、内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可进行逆变电路的配置和表面贴装套件非常适合自动装配等特点。

【产品】100V反向电压的开关二极管BAW56，采用SOT-23封装设计

扬杰科技推出开关二极管BAW56，采用SOT-23的封装设计，表面贴装非常适合于自动化装配，100V反向电压，开关速度快，具有高导电率，环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃性等级，湿度敏感度等级1。

【产品】输入电压-5~+30V/输出电流0.1A的NPN数字晶体管DTC114ECA，采用SOT-23封装

扬杰科技推出的DTC114ECA NPN数字晶体管（内置电阻），供电电压50V，输入电压-5~30V，输出电流0.1A，功率损耗0.2W，采用SOT-323的封装设计，内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可进行变频器电路的配置。

【产品】扬杰科技1000V/10A通用整流二极管10A10，正向浪涌电流高达325A

扬杰科技推出1000V/10A通用整流二极管10A10型号，二极管具有高效率、高正向浪涌电流承受能力的优点。该元器件采用高纯度、高温环氧树脂封装，具有优异的机械强度和防潮性；并采用保护环结构进一步加强坚固性和长期可靠性的

【产品】40V/0.12A的车规级小信号肖特基二极管BAS40Q，采用SOT-23封装

扬杰科技（YANGJIE）推出的BAS40Q/BAS40-04Q/BAS40-05Q/BAS40-06Q系列车规级小信号肖特基二极管器件，采用了SOT-23封装形式，端子为镀锡引线，可以根据J-STD-002 and JESD22-B102进行焊接，能够应用于超高速开关和电压钳位等领域中。

【选型】国产N沟道MOSFET YJD80G06A可Pin-Pin替代MCC的MCU80N06A，交期更优

某客户在智能门锁电机驱动电路中选用了MCC公司的N沟道MOS管MCU80N06A，不过因供货周期和价格压力，该客户需要选择一款低成本、供货交期好的替代产品，本文重点推荐扬杰科技的YJD80G06A可Pin-Pin替代MCU80N06A。

【产品】输入电压-5~+12V、输出电流0.1A的NPN数字晶体管DTC123JCA，采用SOT-23封装

扬杰科技推出的DTC123JCA的NPN数字晶体管，采用SOT-23的封装设计，输入电压-5~+12V，输出电流0.1A，功率损耗0.2W，结温为150℃。具有环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级、湿度敏感度等级1、内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可进行逆变电路的配置和表面贴装套件非常适合自动装配等特点。

【产品】SOT-23封装的PNP数字晶体管DTA114ECA，输入电压-40~+10V

扬杰科技推出的PNP数字晶体管（内置偏置电阻）DTA114ECA，采用SOT-23的封装设计，输入电压-40~+10V，输出电流为-100mA，功率损耗为200mW，具有环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级、湿度敏感度等级1、无需连接外部输入电阻即可进行变频器电路的配置和表面贴装套件非常适合自动装配等特点

【产品】扬杰科技可提供电压600V~1200V/电流50A~400A的IGBT，适用于变频器、UPS、机焊等工控市场

扬杰科技的IGBT产品电压为600V~1200V，电流为50A~400A，主要应用于变频器、UPS、机焊等工控市场；目前有34mm、62mm的半桥和SOT-227封装的一单元制动模块；目前使用进口芯片，芯片参数稳定，一致性好，便于客户并联使用；采用环保物料，符合RoHS标准。

【产品】-160V/-0.6A的PNP小信号三极管MMBT5401Q，采用SOT-23封装，可应用于开关和线性放大领域

扬杰科技推出的一款PNP小信号三极管MMBT5401Q，集电极-发射极电压为-160V，集电极连续电流为-0.6A，环氧树脂符合UL-94 V-0易燃性等级，无卤素，湿度敏感度1级，采用SOT-23封装形式，可以应用于开关和线性放大等领域。

【产品】输入电压-5~+10V/输出电流100mA的DTC113ZCA的NPN数字晶体管，采用SOT-23封装

扬杰科技推出的NPN数字晶体管（内置电阻）DTC113ZCA，采用SOT-23的封装设计，供电电压50V，输入电压-5~+10V，输出电流100mA，功率损耗200mW，具有环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级、湿度敏感度等级1、内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可进行逆变器电路的配置和表面贴装套件非常适合自动装配等特点。

【产品】250V/1.7A的双路高压开关二极管BAV23AQ/CQ/SQ，采用SOT-23封装

扬杰科技（YANGJIE）推出的双路高压开关二极管系列BAV23AQ、BAV23CQ和BAV23SQ，重复反向峰值电压为250V，非重复正向浪涌峰值电流为1.7A，耗散功率为350mW，工作结温和储存温度均为-55~150℃，可以应用于通用开关领域中。

【产品】3.3V/0.5A的ESD保护二极管ESD3V3D5B，采用SOD-523封装，提供单线双向ESD保护

扬杰科技推出的ESD保护二极管ESD3V3D5B，采用SOD-523的封装设计，具有环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级、湿度敏感度等级1等特点，反向截止电压3.3V，反向漏电流0.5A。

【选型】45-75W的TV PSU中RCD吸收电路吸收二极管推荐1000V/1A的FR107G，Trr为500ns

市面上45-75W的TV PSU一般按照反激拓扑进行设计，但是受变压器漏感影响，开关管在关断时会引起电压尖峰，造成应力超标，严重影响电源可靠性，因此必须加RCD吸收电路进行抑制。RCD吸收二极管的参数一般要求为VRRM为1000V，Io=1A，并且Trr时间要快，因此本文推荐扬杰科技的快恢复二极管FR107G,GR1M,RS1M进行设计。

【产品】300V/0.5A/0.35W的NPN晶体管MMBTA42，采用SOT-23封装设计

扬杰科技推出的NPN晶体管MMBTA42，采用SOT-23的封装设计，具有高电导率，集电极-基极电压为300V，集电极连续电流为500mA，器件总功耗为350mW，结温为150℃。

【产品】DFN1006-2L封装的双向TVS二极管ESDLC3V3LA，具有低钳位电压和85W峰值脉冲功率

扬杰科技推出的ESDLC3V3LA的双向TVS二极管，采用DFN1006-2L的封装设计，具有低钳位电压、85W峰值脉冲功率（tp = 8 / 20us）、湿度敏感度等级3、无卤素等特点。反向截止电压最大值为±3.3V、反向漏电流最大值为1.0μA。

【经验】肖特基二极管用做适配器电源整流二极管的选型推荐和设计建议

适配器电源广泛应用在各种小家电中，一般会采用反激拓扑进行设计。其中次级整流二极管作为电源的耗能器件，损耗大，发热高，约占整机功耗的30%左右，因此对于这种应用，肖特基二极管作为整流二极管是最佳选择。扬杰科技的MBR10150FCT等肖特基二极管具有正向压降小、反向漏电流小、恢复时间短等特性，适用于此处应用当中。本文给出相应的选型推荐和设计建议。

【选型】国产超快恢复二极管ES1A~ES1K可pin-pin替代VISHAY的ES1A~ES1D

在电源产品中，常常用到50~200V/1A的快恢复二极管，市场上常有选用美国VISHAY推出的SMA封装的ES1A~ES1D。现在很多企业都追求国产化，同时考虑到交期等因素，本文重点推荐扬杰科技（YANGJIE）的超快恢复二极管系列ES1A ~ES1K，可pin-pin替代。

【应用】肖特基二极管MBR20100FCT用于笔记本电脑90W电源适配器，具有低正向压降、效率高的特点

常见的电源适配器具体应用电路采用反激式拓扑Flyback(半波整流)，本文主要介绍在后级半波整流部分的肖特基二极管MBR20100FCT（扬杰科技旗下产品）在笔记本电脑19V/90W电源适配器的运用。该二极管反向工作电压为100V，满足输出电压19V耐压并留有足够余量；平均工作电流为20A，满足过电流输出要求并留有足够余量；最大正向压降为0.8V@IFM=10A，可有效降低功耗，提高效率。

国内功率半导体IDM龙头-扬杰科技重磅入驻，在光伏旁路二极管、车用整流器芯片、智能电表整流器芯片占据领导地位

国内功率半导体IDM龙头-扬杰科技，重磅入驻世强元件电商平台，平台上线其电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等产品。

【产品】背面自带散热片的整流桥PB2510、PB3510和PB5010，反向重复峰值电压为1000V

扬杰科技推出的带散热片的整流桥产品PB2510/PB3510/PB5010，具有25A~50A大电流，主要用于大功率适配器、充电桩、空调等行业；采用GPP芯片，框架结构，产品一致性优异；采用环保物料，符合RoHS标准。产品背面自带散热片，热阻低，降低发热，提高产品稳定性。

中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技(YANGJIE)

扬杰科技(YANGJIE)成立于2006年，专注于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展，于2014年上市，主营产品为各类分立器件芯片、整流二/三极管、整流桥、快恢复二极管、稳压二极管、功率模块、保护器件、中低高压MOSFET等，是国内少数集单晶硅片制造、芯片设计制造、器件设计封装测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体的规模企业。

扬杰科技（YANGJIE）官方授权代理证明/分销协议/授权书

扬杰科技（YANGJIE）官方授权代理证明/分销协议/授权书.

【选型】PNP三极管2SA1036KFRAT146Q助力车规级高性能设计，可替代高特/YANGJIE的S8550

S8550是一款小功率PNP三极管，在电路硬件设计中常备使用，一般作为各公司的常备库存物料，代表生产厂家如YANGJIE（杨杰）、高特（GOALTOP）等。不过，在汽车电子市场应用中，如车载中控导航系统，为应对日益高性能的产品需求，需要同规格PNP三极管要过车规级AEC-Q101认证，本文重点推荐ROHM（罗姆）推出的车规级PNP三极管2SA1036KFRAT146Q做替代设计。

pin-pin替代YANGJIE公司1.5KE6.8CA的1500W双向TVS管，成本降低5%~10%

为实现低成本高性能pin-pin替代YANGJIE公司1.5KE6.8CA的1500W双向TVS管，推荐选用littelfuse（力特）的1.5KE6.8CA，具有175℃更高的工作结温，可适用于更恶劣的高温环境下工作；具有15℃/W更低的结-引线热阻，具有更出色的散热性能；同时，通过IEC 61000-4-2 30kV Air/Contact ESD测试标准，具有更出色的抗ESD能力。