紫光青藤

【选型】紫光青藤（UNIGROUP TSINGTENG) Nor Flash产品选型指南

​紫光青藤（UNIGROUP TSINGTENG）为紫光国微（目前国内最大的集成电路设计上市公司之一）旗下子公司，专注智能物联产品与技术，拥有专业的质量管控能力和丰富的产业实践经验，是国内极具技术实力和创新意识的智能物联芯片及解决方案提供商，已推出5G超级SIM卡、安全SE MCU、非接触读卡器芯片、USB Key 芯片、Nor Flash、智能识别及汽车安全芯片等系列产品。

解决MCU供应问题，雅特力、紫光青藤、国民技术等国产品牌参加世强硬创新产品研讨会，提供MCU现货样品

近期，NXP、意法半导体等芯片供应商先后发布涨价通知，同时产品交期也不断延长，全球MCU市场供需失衡情况愈发严重。这为相关产品的研发工作带来不小挑战。为解决工程师的研发问题，世强硬创电商将于1月29日举办物联网及消费电子专场新产品研讨会，并在此场会上专设国产MCU版块。目前已有雅特力、紫光青藤、国民技术、中微半导体四家国产MCU供应商确认出席。

【研讨会】2021新产品发布，地平线、维峰电子、国民技术推出AI芯片、MCU、传感器、材料、部件等

据中商产业研究院发布的《中国物联网行业市场前景及投资机会研究报告》显示，目前我国物联网产业保持高速增长，年均复合增长率约达23%-26%。2021年作为“十四五”的开启之年，将迎来发展新时期。1月29日，世强硬创电商将针对物联网及消费电子市场举办新产品在线研讨会。截止目前，已有歌尔、维峰电子等13家国产先进厂牌确认将携旗下新产品出席会议，将发布的新产品涵盖AI语音芯片、AI控制器芯片、全品类传感器

紫光青藤(UNIGROUP TSINGTENG)公司简介及产品介绍

紫光青藤（紫光国微子公司）将携功耗低至1mA的高速Nor Flash参加2021物联网及消费电子专场新产品在线研讨会

1月29日，紫光国微旗下专注智能物联芯片及解决方案的子公司紫光青藤，将参加世强硬创电商举办的新产品在线研讨会物联网及消费电子专场。来自紫光青藤的技术专家将在会上发布其高速Nor Flash产品--SPI Nor Flash。该产品采用SONOS工艺，读写功耗＜2mA，最低功耗可到1mA，支持 1.65~2.0V, 2.3~3.6V, 1.65~3.6V 宽电压。据悉，在本场研讨会上，地平线、歌尔、

紫光青藤（UNIGROUP TSINGTENG）官方授权代理证明/分销协议/授权书

研讨会国产AI芯片·MCU·传感器·材料·部件—物联网及消费电子专场|世强硬创新产品研讨会

会议时间: 1月29日 9:30-11:30 世强硬创电商携手地平线、歌尔、紫光青藤、国民技术等国产先进厂牌在线发布新品。

【产品】4M-bit串行接口闪存TH25D-40UA，最大工作电压为4.0V，直流输出电流5.0mA

紫光青藤TH25D-40UA是4M-bit串行接口闪存设备，专为大容量消费类应用而设计，程序代码从闪存映射到嵌入式内部或外部RAM中来执行。产品擦除架构灵活，页面擦除粒度较好，无需额外的存储设备，是数据存储的理想选择。

【产品】传输速度最快416Mbits/s的超低功耗16M-bit串行闪存TH25Q-16HB，支持双/四路SPI

紫光青藤TH25Q-16HB 超低功耗16M-bit串行闪存支持标准外设串行外接口（SPI），并支持双/四路SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP＃）和I/O3（HOLD＃）。双路I/O数据以208Mbits/s的速度传输，四路I/O和四路输出数据以416Mbits/s的速度传输。

【产品】超低功耗4M-bit串行接口闪存TH25D-40LA，100,000次编程/擦除循环，20年数据保留

紫光青藤推出的TH25D-40LA是超低功耗4M-bit串行接口闪存设备，设计用于各种大容量的基于消费类应用程序中，其中程序代码从闪存映射到嵌入式内部或外部RAM中以供执行。该设备灵活的擦除架构，其页面擦除粒度也是数据存储的理想选择，无需额外的数据存储设备。

TH25D-40HA Ultra Low Power,4M-bit Serial Multi I/O Flash Memory Datasheet

专业的智能物联芯片及解决方案提供商：紫光青藤（UNIGROUP TSINGTENG）

紫光青藤（UNIGROUP TSINGTENG）为紫光国微旗下子公司，专注智能物联产品与技术，是国内极具技术实力和创新意识的智能物联芯片及解决方案提供商，已推出5G超级SIM卡、安全SE MCU、非接触读卡器芯片、USB Key 芯片、Nor Flash、智能识别及汽车安全芯片等系列产品。世强是紫光青藤（UNIGROUP TSINGTENG）官方授权一级代理商。

紫光青藤（UNIGROUP TSINGTENG)官方授权代理证明/分销协议/授权书

紫光青藤（UNIGROUP TSINGTENG)官方授权代理证明/分销协议/授权书

加密芯片的工作原理是怎样的？请详细给描述下。另外推荐一款车规级加密芯片？谢谢

其实加密芯片内部都是有一个CPU内核，用于运算加密算法的。而加密算法最关键的一点就是需要真随机数的发生器。算法是个加密的序列，简单理解是有一串逻辑门，实现异或等不可逆的逻辑运算，随机加入几个随机数，使得产生的密文具有不可破界性。而具体的算法实施比较多，诸如AES128/AES256、HASH、SM124、等等。车规的加密芯片推荐紫光青藤的T97，该芯片只是两大类的对称和非对称的加密算法。国密算法也是支持。https://www.sekorm.com/doc/2199038.html

【选型】无锡紫光微（UNIGROUP）半导体功率器件（半导体场效应管/MOSFET/晶体管/IGBT/IGTO）选型指南

无锡紫光微(UNIGROUP)是紫光集团旗下紫光国芯微电子股份有限公司（简称“紫光国微”，股票代码：002049）半导体产业链中的核心企业之一。专注于先进半导体功率器件的设计研发、芯片加工和封装测试，是业界领先的半导体功率器件及电源管理方案供应商。

紫光同芯荣获2020年中国信息产业商会智能卡专业委员会评选的“企业评优”和“2020年优秀案例” 奖

5月15日，2020年中国信息产业商会智能卡专业委员会“行业评优、优秀案例” 评选结果揭晓，紫光同芯捷报频传，再迎尖峰时刻：公司2019年在国内金融领域芯片量销售及市场占有率名列前茅，凭借优异成绩入围“企业评优”获奖名单，旗下指纹金融IC卡解决方案、健康码扫码设备专用芯片和安全智能门锁专用芯片3款产品，也在优秀案例评选活动中荣膺 “2020年优秀案例” 奖。至此，紫光同芯将四枚奖项收入囊中。

教育卡全国首发，紫光同芯成首批芯片供应商

12月25日，可信教育数字身份（教育卡）在广东省应用试点白云区正式首发。作为首批芯片供应商，紫光国微旗下紫光同芯再担重任，为国家教育信息化与民生服务的信息安全保驾护航。

紫光同芯与飞天诚信协力推出国内首款获得银联检测中心认证的指纹金融IC卡

紫光同芯顺应时代要求，与信息安全专家飞天诚信，协力推出新型支付应用指纹金融IC卡，旨在使传统的银行卡支付更加安全、便捷。日前，该产品已达到国家级金融支付的安全标准，成为国内首款获得银联检测中心认证的指纹金融IC卡。指纹金融IC卡之所以能够为用户带来如此安全、便捷的体验，得益于其内置的紫光同芯微电子安全芯片THD89在发挥核心作用。其支持国际、国密双算法，通过了国内外多家权威机构的安全等级检测和认证

紫光同芯高性能安全芯片助推海南第三代社保卡首发

2019年11月底，海南第三代社保卡面向社会公众发行，紫光同芯作为首批芯片供应商，以高品质的安全芯片产品助力海南省社会保障卡一卡通项目落地应用。紫光同芯高性能安全芯片是一款具备高安全、高性能、大容量、全兼容特点的双界面智能IC卡芯片，在安全等级认证方面，代表了当前国内智能卡芯片技术的最高水平，符合人社部第三代社保卡规范和人民银行PBOC3.0标准，综合性能在国内同类型芯片中出类拔萃。

紫光同芯安全芯片THD89成为国内首款通过国际SOGIS互认的CC EAL 6+安全认证产品

紫光同芯的安全芯片THD89成为国内首款通过国际SOGIS互认的CC EAL 6+安全认证产品，是全球安全等级最高的安全芯片之一，实现了中国在该领域零的突破，在我国芯片安全等级认证史上再树里程碑，不仅让世界看见中国芯智造的磅礴力量，也为紫光芯引领中国芯走向世界蓄能増势。

紫光安全芯THD89问鼎“中国芯优秀技术创新产品奖”

10月28日，第十五届“中国芯”集成电路产业促进大会在杭州召开，同期“中国芯”优秀产品征集结果揭晓。紫光同芯凭借新一代高性能安全芯片THD89，问鼎“优秀技术创新产品”奖。

紫光同芯安全芯片THD89成为首款应用于EMV一芯双应用信用卡的国产芯片

近日，采用EMV一芯双应用技术的信用卡在中国首发，紫光安全芯片—THD89成为全球首款应用于该卡的国产芯片，以强劲实力向世界彰显了中国芯伟力，加快了中国金融科技与世界支付行业并行的芯步伐，再创紫光芯·中国芯跃居世界之巅的又一历史性时刻。

紫光同芯为二代证、社保卡、票务、交通卡、教育卡、居民健康卡提供芯片，助力国民智能卡事业

本文介绍紫光同芯助力二代证、社保卡、票务等领域。2003年，中国第二代身份证专用芯片首家过检 ；2008年，成为北京奥运会门票独家芯片供应商；2015年，芯片项目全国覆盖率超过75%；2018年，紫光集团捐赠首批清华大学校友卡卡片，所涉的安全智能卡芯片、读卡设备芯片均为紫光同芯研发；2019年，紫光同芯成海南社会保障卡一卡通首批芯片供应商之一 ；助力“70周年”纪念卡全国成功发行。

紫光同芯安全芯片首批获颁SM9算法国密二级认证证书

近日，紫光同芯高性能安全芯片THD89搭载的SM9算法获得国密二级认证，成为国内首批获得该项认证的安全芯片之一。SM9算法是国密局颁布的一种基于用户标识的密码算法，无需申请数字证书，减少了申请和验证环节，在保障移动互联网、物联网、大数据等相关领域的身份认证和数据安全方面优势明显，非常适用于智能终端安全、物联网安全、云存储安全等热门应用。

【选型】同芯微电子（TMC）智能终端安全芯片/32位安全MCU/非接触式读卡芯片/无线充电IC选型指南

同芯微电子，成立于2001年，是紫光国微（目前国内最大的集成电路设计上市公司之一）全资子公司，致力于金融支付、身份识别、物联网、移动通信等领域的安全芯片设计，包含智能卡安全芯片和智能终端安全芯片两大核心业务。同芯微电子（TMC）提供的芯片及解决方案涵盖了金融IC卡、电信SIM卡、M2M、居住证、城市通卡、居民健康卡、社保卡、移动支付卡、SE（安全单元）、USB-Key、智能POS/mPOS....

紫光同芯微电子高性能安全芯片THM36摘下“最佳国产安全芯片产品奖”桂冠

2019年12月19日，“硬核中国芯”2019年度评选结果重磅揭晓，紫光同芯微电子高性能安全芯片THM36摘下“最佳国产安全芯片产品奖”桂冠。截至目前，THM36已经通过了国家密码管理局国密二级检测、银联终端安全芯片认证及PCI PTS 5.1 安全认证，取得了业内充分肯定。

领先的半导体功率器件及电源管理方案国产供应商——无锡紫光微

无锡紫光微(UNIGROUP)是紫光国微半导体产业链中的核心企业之一,专注于先进半导体功率器件的设计研发、芯片加工和封装测试，是业界领先的半导体功率器件及电源管理方案供应商。产品涵盖500V-1200V高压超结MOSFET、20V-150V中低压SGT/TRENCH MOSFET、40V-1500V VDMOS、IGBT、IGTO、SIC等半导体功率器件。世强是紫光微官方授权一级代理商。

紫光车载安全芯片介绍

【选型】无锡紫光微N-MOS TTJ12N04AT可完美替换VISHAY SI9410BDY，性能更优

为了提高整机效率，很多低压输出电源会采用同步整流技术。不少厂商一般会选择VISHAY的SI9410BDY作为同步整流MOS，但随着国产化和降成本需求日益增多，急需一款国产高性能MOS进行替换。本文从电性能参数、封装等方面推荐无锡紫光微(UNIGROUP)常用型号TTJ12N04AT可pin-pin替换SI9410BDY。

再添MOSFET，IGBT，IGTO等功率器件厂商，世强代理无锡紫光微电子

世强与无锡紫光微电子签订代理协议，世强元件电商平台再添功率器件厂商，可提供高性价比的MOSFET，IGBT，IGTO等功率器件。

无锡紫光微官方授权代理证明/分销协议/授权书

无锡紫光微官方授权代理证明/分销协议/授权书。

【选型】紫光微TMA18N70H可以替代2SK3891在高压自吸泵设计，单脉冲雪崩能力更高

紫光微TMA18N70H在高压自吸泵做国产替代设计，替代日系的2sk3891，其漏源连续电流ID,漏源导通电阻RDS(ON)、单脉冲雪崩能力EAS等参数都更优，在浙江台州某大型泵业公司经过高压自吸泵的国产替代设计，在自动浇灌系统验证性能，对于堵转等不良工况下抗干扰能力强。

【产品】美格智能携手紫光展锐发布多款LTE Cat.1无线通信模组，采用超紧凑LCC和LCA封装

近日，美格智能再次携手紫光展锐发布了多款Cat.1模组产品（SLM322、SLM326、SLM328、SLM330），几款Cat.1模组均搭载了紫光展锐LTE Cat.1 bis物联网芯片平台——春藤8910DM，采用超紧凑LCC和LGA封装设计，充分满足尺寸敏感型设备的设计需求。

【选型】紫光微40V N沟道沟道MOSFET在电动V型偏心半球阀中设计，可替代日本富士的2SK4068-01

鉴于进口核心功率器件交货期延长和价格不断上涨，为了保证产品竞争力，电动阀厂商纷纷启动核心功率国产化替代，本电动V型偏心半球阀项目国产化设计选型考虑紫光微TTP70N04AT MOSFET，Vdss/Id同为40V/70A，静态参数漏源导通电阻RDSON 4.7mΩ，动态参数总栅级电荷57 nc，性能上对比富士2SK4078-01更优，很适合做替代设计。

【产品】蓝宝石衬底的蓝紫光发光二极管SBVL955-01，峰值波长为430nm

KODENSHI（可天士）推出的SBVL955-01是一款蓝宝石衬底的蓝紫光发光二极管。其耗散功率的最大额定值为180mW，工作温度范围为-45~+85℃，正向电压的最大值为4.2V。

【选型】LLC半桥电源应用的超结MOSFET推荐：紫光微Multi-EPI SJMOS，品质因数较CoolMOS低37%

无锡紫光微推出的Multi-EPI SJMOS是一种新型功能器件，基于超结(SJ) 原理设计，使用先进的多次外延（Multi-EPI）工艺技术制造，拥有更优的EMI特性；基于电荷平衡理论及采用先进的多次沟槽刻蚀技术，可显著降低MOSFET的品质因数FOM（Rdson*Qg），从而实现更高的效率和功率密度。

【选型】紫光微800V N沟道MOSFET替代FMV10N80E在离心风机设计，漏源导通电阻仅0.8Ω

紫光微TMA10N80H在离心风机做国产替代设计，替代日系的FMV10N80E，其漏源导通电阻RDS(ON)、Td(on)等开关时间参数都更优，在某上市风机公司离心风机的国产替代设计完成后，在小型管道通风系统验证性能，长期工作时MOSFET温度低2-4度。

【产品】美格智能携手紫光展锐推出新款LTE Cat.1系列模组SLM320

近日，全球领先的物联网终端及无线数据方案提供商美格智能携手紫光展锐重磅推出新款LTE Cat.1系列模组—SLM320。 该款模组可广泛应用于无感支付、远程看护、共享设备、金融支付、公网对讲、广告机、能源表计，工业物联网等应用场景，为客户提供安全可靠、稳定的网络连接，大大降低客户的研发成本。

【选型】紫光微N沟道MOSFET替代FMV09N90E在轴流风机设计，漏源导通电阻RDS(ON) 1Ω，损耗更低

紫光微TMP9N90H在轴流风机做国产替代设计，替代FUJI的FMV09N90E，其漏源导通电阻RDS(ON)、热阻Rth等参数更适合轴流风机系统，在华东大型风机公司轴流风机做国产替代设计，在大流量通风系统中长期工作时测试发现MOSFET温度会低3-5℃。

【选型】紫光微500V N沟道MOSFET替代FMV23N50E在不锈钢端吸离心泵设计，漏源连续电流可达25A

紫光微TMA25N50H在不锈钢端吸离心泵做国产替代设计，替代原进口F品牌的FMV23N50E，栅-源电荷Qgs、输入电容Ciss和单脉冲雪崩能力EAS等参数都更优，在华东某水泵厂商经过国产替代设计，用于水厂过滤、主管增压，现场测试效果良好，工作温度低4-6度。

第三代超结MOSFET(650V 7A/45A)系列产品上线，无锡紫光微电子入驻

无锡紫光微电子正式入驻世强元件电商，其第三代超结MOSFET(650V 7A/45A)系列产品上线，适用于对系统效率有更高要求的照明应用、电源适配器以及智能手机、平板电脑充电器等产品。

同芯微电子的无线充电产品亮相2019中国国际第二届快充＆无线充电大会

6月14日，业界最大的快充＆无线充电展—2019中国国际第二届快充＆无线充电大会在深圳会展中心举办，紫光同芯受邀出席大会技术论坛，与全球著名芯片商、方案商和业内知名供应商就无线充电技术展开交流探讨；与此同时，紫光同芯重点展示了5W和20W两款无线充电解决方案THP9330,THP9110，产品各项指标表现出色，成为展会最大亮点之一。

无锡紫光微(UNIGROUP) MOS产品命名规则

引爆5G时代元器件市场，大普通信与紫光国微战略合作

大普通信长期专注于移动通信领域的核心技术的产品研发及推广，围绕以时钟、射频、微波、传感为核心技术，其拥有世界领先的全系列时钟产品、小型化高性能环形器以及RTC、PLL等产品，提供从芯片、模组到产品整体解决方案

紫光微电子开发生产一系列高压超MOSFET、IGBT、IGTO等产品，广泛应用于新能源汽车充电桩和电机驱动

无锡紫光微电子早已推出了与充电桩相关的650V/72A(TPW65R044MFD)、700V/72A(TPW70R044MFD)、700V/47A(TPW70R100MFD)等多规格高压超结MOSFET新工艺产品，可显著降低器件的导通电阻和栅电荷，很好地兼容具有PFC、正激、反激等多种拓扑形式的电路结构，对于高效解决新能源汽车行业目前的充电难问题。

【产品】无锡紫光微N沟道MOSFET，漏源电压650V，漏极持续电流20A（TC=25ºC）

TMA20N65HG、TMW20N65HG 是两款无锡紫光微电子推出的650V N沟道MOSFET，其漏源电压均为650V，漏极持续电流20A（TC=25ºC），耗散功率最大120W，工作结温-55~+150℃，具有两种封装TO-220F和TO-247可供选择，采用VDMOSFET技术。可应用于开关模式电源、不间断电源、功率因数校正等领域。

同芯微电子的高性能安全芯片THD89系列蝉联CITE创新奖，助力打造信息安全高地

8月14日，第八届中国电子信息博览会（CITE 2020）在深圳会展中心隆重开幕。期间，紫光同芯新一代高性能安全芯片THD89系列，凭借全球领先的技术创新优势与市场表现，在一众产品中脱颖而出，蝉联CITE创新奖，向业界充分证明了大国品牌紫光芯的产品实力。

【产品】无锡紫光微推出TMA12N65HG~TMR12N65HG系列650V N沟道MOSFET，具有负温度系数

TMA12N65HG~TMR12N65HG是无锡紫光微推出的系列650V N沟道MOSFET。系列MOSFET通过100%雪崩测试，具有 快速开关特性和改进的dv/dt能力 。系列MOSFET符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

【选型】紫光微100V N沟道沟槽式MOSFET应用于1-3KW小功率UPS，Trr低至62ns

UPS主要作用是稳压、稳频、抗电磁干扰和射频干扰、防浪涌冲击等作用来保护后端负载设备的安全用。本文重点介绍在1-3KW小功率UPS中DCDC部分国产化MOS的选型推荐。

同芯微电子THM36高性能安全芯片揽获“中国芯优秀技术创新产品”奖

10月25日，第十四届“中国芯”优秀产品征集结果隆重发布，紫光同芯高性能安全芯片THM36在百余款芯片产品中脱颖而出，斩获“中国芯优秀技术创新产品”奖。

【选型】国产无锡紫光微Trench MOS助力大功率步进电机驱动电路设计

大功率步进电机的驱动是通过各相有节拍的通断电流来实现的，步进电机转速完全由脉冲频率决定。而功率MOSFET为压控器件，导通压降低、耐压高、导通电流大；导通速度快，且需求的驱动电流小，是步进电机驱动电路的优选器件。无锡紫光微电子有限公司研发生产的Trench MOS为量产产品，耐压VDS范围覆盖20-150V，ID电流范围2-260A（25℃），具有较低导通电阻RDS及导通电荷，可满足客户的选型需求

同芯微电子参与2020云上科技周，旗下安全芯片助推中国移动超级SIM产业生态建设

6月20日，中国移动“创新2020云上科技周“系列活动期间，作为业内领先的安全芯片领航企业，紫光同芯聚焦产业发展方向，通过积极探索和深入研究，以锤炼硬件能力为目标，出品了系列芯片及解决方案，例如公司主打产品THC20系列、THC80系列等，高可靠、高安全、高性能的THD89系列，是其为NFC-SIM市场量身打造的产品。

【产品】无锡紫光微电子N沟道900V MOSFET，工作电流3A，两种封装可选，电源产品设计不可缺少的元件之一

无锡紫光微电子推出的N沟道MOSFET TMA3N90HG和TMU3N90HG， 工作电压可达900V，连续漏极工作电流为3A，脉冲漏极电流为12A，栅极-源级电压为±30V，单脉冲雪崩能量为65mJ，重复雪崩能量为39mJ，雪崩电流为3.6A。

【产品】同芯微电子发布了在近距离大功率应用上的首个旗舰级产品：20W无线充电解决方案

5月17日，2019（夏季）无线充电亚洲展在广东深圳盛大召开。期间，紫光同芯微电子发布了在近距离大功率应用上的首个旗舰级产品-20W无线充电解决方案，并展出多款低、高端无线快充类产品，向无线充电市场迈出了意义重大的一步。

无锡紫光微（UNIGROUP）SJMOS-MultiEPI产品应用介绍

无锡紫光微电子SJMOS-MultiEPI产品应用

无锡紫光微(UNIGROUP) 官方授权代理证明/分销协议/授权书

无锡紫光微（UNIGROUP）ISO 9001:2015质量管理体系认证证书

无锡紫光微（UNIGROUP）MOS/IGBT/IGOT与英飞凌/ST/Toshiba替换对照表

【选型】无锡紫光微（UNIGROUP）SJ MOS/SJ-Multiepi MOS/VD MOS/Trench MOS/DT MOSFET选型指南

重磅！国内最高安全等级芯片THD89系列荣获AEC-Q100车规认证

近日，业界领先的安全芯片设计企业紫光同芯宣布，其自主研发的THD89系列产品成功通过AEC-Q100车规认证，是国内当前最高水平的车载芯片之一。这是继该系列产品摘得“国内最高安全等级芯片”桂冠之后，获得的又一“重量级”证书，至此，THD89系列集齐金融级和车规级两大顶尖认证，一跃成为车载安全芯片领域的标杆产品。

【应用】T9加密芯片助力大集成BCM项目，支持国密算法

大集成BCM会面临一个关键的主控MCU的数据安全问题，需要增加一个加密的功能。本文推荐推荐紫光同芯微电子出产的T9加密芯片。该芯片是同芯微针对汽车TBOX产品推出的产品，车规的认证工作已经在进行。该加密芯片支持国密算法和国际算法，可以对数据进行安全加解密和签名验证等功能。

【选型】KODENSHI AUK（可天士）光敏二极管/晶体管、发光二极管、位置检测元件选型指南

KODENSHI（可天士）公司主要生产发光二极管、受光二极管、三极管、光电池、Encoder模块、光耦、红外遥控接收头、光电IC、IrDA、PDIC、光通讯产品、汽车电子产品等产品。其高精度、高灵敏度的一体化编码器模块（AB相位阵技术）、粉尘传感器、材质传感器，产品性价比高、可定制化，在编码器、颗粒物检测、材质检测方面的应用表现亮眼。

【产品】全球安全等级最高的安全芯片之一THD89，擦写次数高达五十万次

紫光同芯微电子推出的THD89是目前全球安全等级最高的安全芯片之一，采用世界先进工艺，具备高安全、高可靠、低功耗、多接口、大容量等特性，十分适用于安全支付、智能手表、智能家居、无人值守、区块链、物联网等领域。

【产品】助力金融科技发展的高品质安全芯片THD89，获得多项权威认证、数据保持最长达25年

紫光同芯，以“技术”为核心，横向蓄势、纵向发力，契合居民多元化消费需求，打造了系列专业、高效、安全的解决方案。高品质安全芯片THD89性能卓越：安全,可靠,接口丰富,交易速度快,卡机兼容好。基于高品质安全芯片，紫光同芯通过个性化设计实现服务方案的灵活配置，以技术输出等方式为广大客户提供各项增值服务，例如OS解决方案、定制彩色条带等，最大限度地便利客户移植开发，满足老百姓对于智能生活的美好追求。

【产品】650V N沟道MOSFET TMA/TMC/TMD/TMP/TMU6N65HG，脉冲漏极电流达24A

无锡紫光微电子有限公司是由紫光同芯微电子有限公司投资的一家高新技术企业，是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。无锡紫光微推出了TMA6N65HG，TMC6N65HG，TMD6N65HG，TMP6N65HG和TMU6N65HG的VD MOSFET。封装方式分别为TO-220F，TO-262，TO-252，TO-220和TO-251。

【产品】900V N沟道MOSFET TMA3N90H、TMU3N90H，100%雪崩测试

无锡紫光微电子有限公司是由紫光同芯微电子有限公司投资的一家高新技术企业，是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。无锡紫光微推出了TMA3N90H和TMU3N90H的VD MOSFET。分别采用TO-220F和TO-251的封装方式。

【应用】无线充电发射芯片TPH9410助力共享按摩椅无线充电设计，效率最高可达90%

笔者最近有一个按摩椅的项目，主要的功能是要在按摩椅上设计无线充电的功能，让消费者可以在按摩的时候还能够同时给移动设备充电。客户消费的市场一般在20-40分钟，充电时间有限，因此需要功率相对较大的无线电源发射芯片，需要符合WPC充电协议，按摩椅的系统电压是12V，芯片同样需要12V输入，效率达到90%以上。鉴于这样的项目需求，推荐使用紫光同芯微电子的TPH9410无线充电发射芯片。

【产品】4款650V的N沟道MOSFET，单脉冲雪崩能量为245mJ

无锡紫光微电子可以提供技术先进的高中低压MOSFET，覆盖电压范围40V~1000V。TMA7N65HY, TMD7N65HY, TMP7N65HY, TMU7N65HY是无锡紫光微电子推出的4款650V的N沟道MOSFET。具有开关速度快、100%雪崩测试的特点，适合开关模式电源(SMPS)等应用。

【产品】4款600V的N沟道MOSFET TMA2N60H,TMD2N60H,TMT2N60H,TMU2N60H

TMA2N60H,TMD2N60H,TMT2N60H,TMU2N60H是无锡紫光微电子推出的4款600V的N沟道MOSFET。其具有开关速度快、100%雪崩测试的特点，可用于开关模式电源(SMPS)等应用。

【产品】68V N沟道MOSFET TTB95N68A/TTD95N68A/TTP95N68A，漏源导通电阻＜7.5mΩ

无锡紫光微电子有限公司是紫光集团旗下半导体产业链中的核心企业之一，专注于先进半导体功率器件的研发和销售。TTB95N68A、TTD95N68A和TTP95N68A是无锡紫光微电子推出的68V N沟道MOSFET，其中TTB95N68A采用TO-263封装，TTD95N68A采用TO-252封装，TTP240N03GT采用TO-220封装。

【产品】4款900V快速切换N沟道MOSFET TMX2N90HG系列，100%雪崩测试

无锡紫光微推出了TMA2N90HG，TMD2N90HG，TMP2N90HG和TMU2N90HG的VD MOSFET。分别采用TO-220F，TO-252，TO-220和TO-251的封装方式。

【产品】-30V/-4A的P沟道沟槽式MOSFET TTX04P03ATK，采用SOT-23-3L

TTX04P03ATK是紫光微的一款P沟道沟槽式MOSFET，采用了 Trench Power 工艺，具有低导通电阻、低栅极电压的特点，出货时经过100% UIL 测试，针对快速开关应用做了优化。

【产品】700V超结功率MOSFET TPX70R360M系列，单脉冲雪崩能量为215mJ

无锡紫光微推出了TPA70R360M，TPD70R360M，TPP70R360M和TPU70R360M的超结功率MOSFET。分别采用了TO-220F，TO-252，TO-220和TO-251封装。具有极低FOM RDS(on) x Qg，100%雪崩测试，符合ROHS标准。

【产品】650V超级结功率MOSFET TPD65R600M，采用TO-252封装

无锡紫光微推出的TPD65R600M是一款650V超级结功率MOSFET。采用了TO-252封装。可用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、功率因数校正(PFC)等应用。

【产品】采用TO-252封装的600V超结功率MOSFET-TPD60R330M，功耗最大额定值达83W

无锡紫光微推出的TPD60R330M一款600V超结功率MOSFET，采用了TO-252封装。产品符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

【产品】900V N沟道MOSFET TMA4N90H和TMP4N90H，连续漏极电流最大额定值为4A

无锡紫光微推出了TMA4N90H和TMP4N90H的MOSFET。分别采用TO-220F和TO-220的封装方式。适用于开关模式电源(SMPS),不间断电源(UPS),功率因数校正(PFC)等应用领域上。

【产品】80V N沟道沟槽式MOSFET TMB80N08A，超低Rdson的高密度单元设计

无锡紫光微电子推出的TMB80N08A是N沟道沟槽式MOSFET，采用了TO-263封装。​TMB80N08A的特点：超低Rdson的高密度单元设计；全面表征雪崩电压和电流；高EAS，稳定性好；优秀的封装，具有良好的散热性

【产品】650V TPB65R360M超结功率MOSFET，采用了TO-263封装

无锡紫光微电子推出了TPB65R360M超结功率MOSFET，其采用了TO-263封装。具有极低FOM RDS(on) x Qg特性 ，可进行100%雪崩测试，适合用于不间断电源(UPS)。

【产品】五款700V超结功率MOSFET TPX70R170M系列，单脉冲雪崩能量为484mJ

无锡紫光微推出了TPA70R170M，TPB70R170M，TPC70R170M，TPP70R170M，TPV70R170M，TPW70R170M的超结功率MOSFET。该系列的工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，可以在严苛的温度环境工作。漏源电压为700V，栅源电压为±30V，脉冲漏极电流为60A，重复雪崩能量0.7mJ。连续漏极电流在25℃时为20A，在100℃时为12A。

【产品】650V超结功率MOSFET ​TPA/TPD/TPP/TPU65R360M,脉冲漏极电流最大额定值为33A

无锡紫光微推出了TPA65R360M，TPD65R360M，TPP65R360M和TPU65R360M的超结功率MOSFET。分别采用了TO-220F，TO-252，TO-220和TO-251封装。具有极低FOM RDS(on) x Qg和100%雪崩测试的特点，并且符合ROHS标准。

【产品】900V N沟道MOSFET TMA8N90H/TMP8N90H，连续漏极电流最大额定值为8A

无锡紫光微推出了TMA8N90H和TMP8N90H的N沟道MOSFETT，分别采用TO-220F和TO-220的封装方式。其工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，可以在严苛的温度环境下工作。漏源电压最大额定值为900V，栅源电压最大额定值为±30V，脉冲漏极电流最大额定值为32A，重复雪崩能量最大额定值为147mJ。应用于开关模式电源、不间断电源、功率因数校正等。

安全芯片的领导品牌——同芯微电子（TMC），市场占有量均排名前三

世强是同芯微电子（TMC）官方授权一级代理商，代理同芯微（TMC）旗下无线充电IC，安全芯片，安全MCU，读写卡芯片，SPI NOR Flash等产品，库存丰富，正品保证。用户可以查询获取来自同芯微电子（TMC）的最新产品和技术资讯、官方资料库，以低于行业的价格，购买同芯微电子（TMC）最新产品，享受供货保障。

全球SIM芯片市场份额TOP3供应商同芯微电子入驻，提供领先安全芯片与解决方案

同芯微电子（TMC）与世强达成代理合作。世强元件电商平台将上线同芯微电子全线安全加密芯片和无线充电IC产品。世强保证100%原厂正品销售，小批量采购低至1只，购买当天即可发货。

同芯微电子为工业互联网提供安全芯片解决方案，助力实现规模化推广

​作为国内智慧芯片领域的领军企业，同芯微电子拥有全球最高安全等级认证SOGIS CC EAL 6+和AEC-Q100车规认证的安全芯片。THD890401-1831则是旗下符合全球最高安全等级认证AEC-Q100车规认证，是国内当前最高水平的车载芯片之一，在提升工业互联网安全保障能力与高质量创新发展方面将发挥重要作用。

同芯微电子（TMC）官方授权代理证明/分销协议/授权书

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【选型】同芯微电子（TMC）国产NFC读卡器芯片THM3070和THM3523性能和应用的区别

同芯微电子国产NFC读卡器芯片目前主推的型号是THM3070和THM3523，本文主要从芯片的性能和应用来介绍这两种芯片的区别，方便用户在设计产品的时候根据需求来选择合适的NFC读卡器芯片。

全球256家顶级品牌授权代理：罗姆，魏德米勒，尼得科，爱美达

作为全球256家顶级品牌授权代理商、领先的硬创服务平台，世强硬创电商为中车、比亚迪、迈瑞、英威腾、大疆、汇川、海尔、海康威视、大华、美的、OPPO、涂鸦智能等数十万中国硬创企业，提升创新能力，缩短研发时间，提高产品品质，降低成本。

【产品】大功率无线快充接收芯片THP9330实现了最大95%的功率转换效率，20W无线快充应用成为可能

同芯微电子最新推出的无线充电接收芯片THP9330实现了最大95%的功率转换效率，使得20W无线快充应用成为可能。THP9330之所以会得到如此高的转换效率一方面得益于芯片采用了更高效的电路设计结构，特别是在同步整流电路和LDO电路上，比传统结构减小了20%以上的热损耗；另一方面采用低功耗流程架构，整个芯片的运转功耗也得到了进一步的降低。

【产品】内置功放驱动、CRC控制器和定时器的非接触读卡器芯片THM3070

同芯微电子（TMC）推出的THM3070非接触读卡器芯片，内置功放驱动、CRC控制器和定时器，发射功率和接收增益可调。采用LQFP48和QFN32两种封装，支持106 kbit/s、212 kbit/s、424 kbit/s、848kbit/s速率。

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【产品】USB设备微控制器THK88-2 ，CPU具有32位ARM内核SC000

THK88-2是同芯微电子（TMC）公司推出的USB设备微控制器，其CPU具有高性能32位ARM内核SC000，系统时钟可配置。配置多个存储器，FLASH可用于数据及程序存储，RAM用于加密协处理数据，存储CPU数据。支持24个可复用GPIO，都支持独立配置，所有IO都支持、下配置拉可配置，所有IO都可产生中断，可唤醒芯片。

【产品】 免外部LDO，,驱动能力为100mA的安全认证芯片THK88V20，支持对外供电3.3V

同芯微电子（TMC）推出的THK88V20安全认证芯片，支持对外供电3.3V(+/-10%)，支持power down模式，功耗＜1uA。免晶体USB通信，支持USB 2.0 Full Speed 协议；免晶体UART通信，115200bps，全双工。

【应用】符合 Qi 标准的无线充电接收芯片THP9110用于TWS蓝牙耳机充电盒

​同芯微电子THP9110是一款符合 Qi 标准的无线充电接收芯片，应用在TWS蓝牙耳机充电盒，该芯片内部集成高效同步整流电路以及 LDO 电路，最大输出功率达到 5W。THP9110 内部设计了位置对准电路，可用于指示发射机和接收机线圈之间的对准以达到最佳的耦合效果。

【选型】THP9410无线电源发射端用于智能网关附带无线充电，最高20w功率输出并兼容5W~15W，解决家庭充电器问题

推荐使用同芯微电子的THP9410无线电源发射端芯片。该芯片满足无线充电的多种协议要求。最大的发射功率达到了20w，能够覆盖市面上绝大多数接收端的产品，另外还有一个好处是芯片可以根据接收端自动调整输出功率，这样在不同的产品放到家庭网关上都可以实现充电。20w的发射功率，可以大大的缩短设备的充电时间。

【产品】应用于T-BOX产品的安全加密芯片T9，内置OS、配套SDK

随着汽车进入智能化时代，新型的智能网联汽车则面临着更多的信息安全问题，而T-B0X作为智能汽车的联网设备，拥有较多的外部访问点，其数据传输和信息验证过程极容易受到黑客攻击，因此，T-B0X安全成为各大车企迫切解决的问题。同芯微电子设计的安全加密SE产品T9包含安全加密芯片、配套OS和SDK，能够方便接入T-BOX系统。

【产品】高效率，符合Qi标准的无线充电接收芯片THP9110，最大输出功率达到5W

同芯微电子（TMC）推出的THP9110是一款高效率，符合Qi标准的无线充电接收芯片。该芯片内部集成高效同步整流电路以及LDO电路，最大输出功率达到5W。

【应用】无线充电发射端控制SOC芯片THP9410用于手机支架，最大支持20W输出功率

市面手机支架带无线充电功能，给驾驶人员带方便又安全的体验。同芯微电子的THP9410是一款高集成度的无线充电发射端控制SOC芯片，可应用在手机支架的无线充电。THP9410同时兼容5W~15W 多种功率应用场景，满足最高20W的无线输出，充电更迅速。符合Qi 最新WPC-1.2.4 标准，支持QC2.0/3.0协议。并具有温度保护、短路保护、过压保护、异物检测，能确保安全、快速的充电使用。

【选型】手持式遥控器无线充电方案推荐无线接收芯片THP9330，最大可接收输出为20W，效率可达95%

最近笔者接到一个关于遥控器的新项目，需要将普通的电池换成可充电的电池，充电方式上是搭配时下热门的无线充电技术。因此在这个项目中需要一个接收芯片，遥控器使用频率相对比较高，接受功率需要达到10W左右，效率要做到90%以上，输出侧的电压做到标准的5V。芯片的体积上尽量要体积小。面对消费类市场，需要有价格成本上的优势。鉴于以上需求，推荐使用同芯微电子的的无线接收芯片THP9330。

【应用】无线充电发射IC THP9410应用在闹钟收音机，输出功率最大支持到20W

闹钟收音机加入无线充电功能适合现代人的生活习惯，同芯微电子的THP9410是一款高集成度的无线充电发射端控制SOC芯片，可应用于闹钟收音机给手机等产品进行无线充电。THP9410输出功率最大支持到20W，同时兼容5W~15W 多种功率应用场景，功率越大充电速度越快。符合Qi 最新WPC-1.2.4 标准，并具有完备的过流、过温和过压保护机制，使得在充电的设备处于安全的工作状态。

【产品】20W高效无线充电发射ICTHP9410，集成电压/电流解调电路，TQFP48 封装

同芯微电子的THP9410 是一款高集成度的无线充电发射端控制SOC芯片。该芯片最大支持20W 输出功率，同时兼容5W~15W 多种功率应用场景，符合Qi 最新WPC-1.2.4 标准； 集成了电压和电流两种解调电路，保证了在各种工作状态下通讯的可靠性，同时完备的过流、过温、过压保护机制使得芯片始终处于安全的工作状态下。

【产品】输出功率可达3.5W的无线充电接收芯片THP9100，AC to DC效率达92%

同芯微电子的THP9100是一款高效率，符合Qi标准的无线充电接收芯片。该芯片内部集成高效同步整流电路以及LDO电路，最大输出功率达到3.5W。提供恒定的5V电压输出，最大输出电流0.7A。内部完善的过压过流过温等保护机制能够使系统处于安全和最优的工作状态，配合较少的外围器件就可以搭建一个高效完善的无线充电接收端解决方案。

【产品】基于ARM SC300安全核处理器的安全芯片THM36系列，内置512KB Flash存储器

同芯微电子的THM36系列是高性能、低功耗、具有丰富的内部协处理器和对外接口的安全芯片，可以作为支付终端或者密码键盘使用，用于指纹应用、国家商用密码专用算法应用、网络银行应用、小商户/家庭/个人支付应用等对信息安全有较高要求的应用场合。