美浦森
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美浦森（Maplesemi）是一家集研发、设计、生产、销售和服务于一体的完整型产业链科技公司，公司主营主营POWER MOSFET及碳化硅产品的研发和生产。目前8 英寸月产能12000片，6寸产能10000片，是东亚地区唯一的PLANNER 8英寸晶圆生产线，所有技术骨干均来自韩国SAMSUNG（三星）半导体和美国FAIRCHILD（仙童）半导体，在产品研发和生产制程方面具有丰富的行业经验。公司2009年获得韩国政府IT VENTURE企业认可，在韩国极东大学和富川设有附属研究所。目前VDMOSFET和碳化硅产品获得韩国政府60多项技术专利。 查看更多
美浦森产品选型帮助
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【选型】美浦森（Maplesemi）VD MOSFET/Super-JMOS/SIC Diode选型指南
美浦森（Maplesemi）是一家集研发、设计、生产、销售和服务于一体的完整型产业链科技公司，公司主营主营POWER MOSFET及碳化硅产品的研发和生产。目前8 英寸月产能12000片，6寸产能10000片，是东亚地区唯一的PLANNER 8英寸晶圆生产线，所有技术骨干均来自韩国SAMSUNG（三星）半导体和美国FAIRCHILD（仙童）半导体，在产品研发和生产制程方面具有丰富的行业经验。
【选型】美浦森（Maplesemi）高压MOSFET/超结MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型指南
| 型号 | 描述 | 品质保证 | 价格（含增值税） |
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N-Channel MOSFET SLx10N60C系列 N-Channel MOSFET; VDSS(V):600, ID(A):10, RDS(ON)typ:0.62Ω TO-220F 最小包装量：50 |
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N-Channel MOSFET SLx8N65S系列 N-Channel MOSFET; VDSS(V):650, ID(A):7.5, RDS(ON)typ:1.2Ω TO-220F 最小包装量：50 |
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N-Channel MOSFET SLx5N65S系列 N-Channel MOSFET; VDSS(V):650, ID(A):5, RDS(ON)typ:2.0Ω TO-220F 最小包装量：50 |
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N-Channel MOSFET SLx20N50C系列 N-Channel MOSFET; VDSS(V):500, ID(A):20, RDS(ON)typ:0.21Ω TO-220F 最小包装量：50 |
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N-Channel MOSFET SLx18N50C系列 N-Channel MOSFET; VDSS(V):500, ID(A):18, RDS(ON)typ:0.23Ω TO-220F 最小包装量：50 |
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N-Channel MOSFET SLx16N50C系列 N-Channel MOSFET; VDSS(V):500, ID(A):16, RDS(ON)typ:0.3Ω TO-220F 最小包装量：50 |
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N-Channel MOSFET SLW9N90C系列 N-Channel MOSFET; VDSS(V):900, ID(A):9 , RDS(ON)typ:1.0Ω TO-3P 最小包装量：30 |
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N-Channel MOSFET SLx7N80C系列 N-Channel MOSFET; VDSS(V):800, ID(A):7 , RDS(ON)typ:1.2Ω TO-220F 最小包装量：50 |
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N-Channel MOSFET SLx12N65C系列 N-Channel MOSFET; VDSS(V):650, ID(A):12, RDS(ON)typ:0.58Ω TO-220F 最小包装量：50 |
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N-Channel MOSFET SLx10N65S系列 N-Channel MOSFET; VDSS(V):650, ID(A):10, RDS(ON)typ:0.85Ω TO-220F 最小包装量：50 |
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【产品】650V/6A碳化硅肖特基二极管MSNP06065G1，TO-220-2封装
MSNP06065G1是美浦森推出的650V碳化硅肖特基二极管，采用TO-220-2封装，开关速度快，对散热器的需求较低，基本没有开关损耗，适用于开关电源等应用。
【产品】1200V碳化硅二极管MSP05120G1，恢复时间短
美浦森（Maplesemi）推出的碳化硅二极管MSP05120G1，具有恢复时间短，可以进行高速开关，高频操作等特点，反向重复峰值电压VRRM为1200 V，工作结温和储存温度为-55 至 +175 ̊ C。此外，该器件有更高的过压安全裕度，提高了所有负载条件下的效率，与硅二极管替代品相比，效率提高，降低了散热器需求，基本没有开关损耗，可应用于开关电源，功率因数校正，电机驱动，HID照明等领域。
美浦森（Maplesemi）超结MOSFET在2019年央视春晚思齐400W LED显示屏电源的成功案例
美浦森（Maplesemi）终端客户旗下品牌电源在2019年央视春晚中，成为了主LED显示屏电源供应商。2019年央视春晚采用的LED舞台电源为美浦森终端客户旗下品牌电源，采用稳定可靠电路方案设计，使用优质元器件制造，经过严格的品质检验和100%满负荷老化筛选，组装老化零故障，在春晚彩排30天使用中，创造了零故障的成绩！电源所用MOSFET为美浦森超结产品。
【产品】500V/13A/0.483Ω的N沟道功率MOSFET SLP/F13N50A
SLP13N50A/SLF13N50A是美浦森推出的漏源电压500V，连续漏极电流13A的N沟道功率MOSFET，该功率MOSFET使用Maplesemi的平面条纹Dmos技术生产，采用TO-220/TO-220F封装，无铅，符合RoHS标准。这两款产品主要用于高效率开关电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
美浦森（Maplesemi）SiC肖特基二极管/SiC MOSFET产品介绍
本资料主要介绍了SiC电力电子器件原理以及美浦森（Maplesemi）现有SiC产品（SiC肖特基二极管，SiC MOSFET）产品介绍
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美浦森（Maplesemi）SiC产品介绍
公司及产品应用 CATALOG
SiC电力电子产品简介
美浦森（Maplesemi）官方授权代理证明/分销协议/授权书
美浦森（Maplesemi）MOSFET在推杆电源方面的应用方案
本资料主要介绍了电动推杆的概念、工作原理、应用,以及MOSFET产品在推杆立柱电源的应用介绍。
美浦森POWER MOSFET价格有竞争力么？
您好，美浦森的平面VDMOS较国内品牌是有价格竞争优势的，以下链接是美浦森主推的一些有竞争力的型号，需要选型可以参考链接：https://www.sekorm.com/doc/2063428.html
看到有美浦森的SIC MOSFET选型，请问SICMOS都量产了吗？ https://www.sekorm.com/doc/previewDoc?docId=2075649
美浦森（Maplesemi）SIC二极管与英飞凌/NXP/科锐/ST替换对照表
UTC12N65L vs. SLF12N65S Comparison Data
MSP08065V1 vs. C3D08060A vs. MSP10065V1 Comparison
MSP10065V1 vs. C3D10060A Comparison
MSP08065V1 vs. C3D08060A Comparison
MSP08065V1&MSP10065V1 vs. C3D08060A Temperature Contrast
MSP06065V1 vs. C3D06060 Comparison
MSP08065V1 vs. C3D08060A Comparison
SLF740UZ vs. SVF740T Comparison Data
SFV840F vs. SLF840C vs. SLF840UZ Comparison Data
【产品】500V/16A的N沟道功率MOSFET SLP16N50S/SLF16N50S，漏源导通电阻最大仅400mΩ
SLP16N50S/SLF16N50S是美浦森推出的漏源电压500V，连续漏极电流16A的N沟道功率MOSFET，采用TO-220/TO-220F封装。产品导通电阻低，开关性能优越，可在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。
【产品】600V/24A的N沟道MOSFET SLP60R160S2和SLF60R160S2，开关速度快
美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET SLP60R160S2和SLF60R160S2，是利用先进的超级结技术生产的功率场效应管，分别采用TO-220和TO-220F封装，适用于高效率开关模式应用中的AC/DC电源转换器。
【产品】500V/9A，TO-220/TO-220F封装的N沟道功率MOSFET ，漏源导通电阻的典型值仅0.8Ω
SLP840F/SLF840F是美浦森推出的500V/9A，TO-220/TO-220F封装的N沟道功率MOSFET。导通损耗低，开关速度快，非常适合于高效率的开关电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
【产品】650V/5A的N沟道功率MOSFET SLD65R950S2，D-PAK封装，漏源导通电阻最大仅950mΩ
SLD65R950S2是美浦森推出的N沟道功率MOSFET，漏源电压为650V，连续漏极电流为5A，采用D-PAK封装，符合RoHS标准。这些器件非常适合于高效率的开关电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
【产品】 650V碳化硅肖特基二极管MSD06065G1
美浦森（Maplesemi）推出的碳化硅肖特基二极管MSD06065G1，具有恢复时间短，可以进行高速开关，高频操作等特点，反向重复峰值电压VRRM为650 V，工作结温和储存温度为-55 至 +175 ̊ C。此外，该器件有更高的过压安全裕度，提高了所有负载条件下的效率，与硅二极管替代品相比，效率更高，同时，降低了散热要求，基本上没有开关损耗，可应用于开关模式电源，功率因数校正，电机驱动等领域。
【产品】8A/550V/0.7Ω的N沟道MOSFET SLD/U840U
美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET SLD840U，SLU840U，是使用MapleSemi的先进平面条纹DMOS技术生产的。漏源电压550V，连续漏极电流8A，耗散功率84W，导通电阻0.7Ω，非常适合于高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。
【产品】670V/16A/0.41Ω的N沟道功率MOSFET SLP16N65S/SLF16N65S
美浦森推出的SLP16N65S/SLF16N65S是漏源电压670V，连续漏极电流16A的N沟道功率MOSFET。产品使用Maple semi先进的平面条纹DMOS技术，提供优越的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。SLP16N65S/SLF16N65S适用于开关模式操作中的AC/DC电源转换。
【产品】具有极快开关速度的1200V碳化硅二极管，可应用于开关电源/功率因数矫正等领域
美浦森（Maplesemi）推出的碳化硅二极管MSF10120G1，具有恢复时间短，可以进行高速开关，高频操作等特点，反向重复峰值电压VRRM为1200 V，工作结温和储存温度为-55 至 +175 ̊ C。此外，该器件有更高的过压安全裕度，提高了所有负载条件下的效率，与硅二极管替代品相比，效率更高。可应用于开关模式电源，功率因数校正，电机驱动，HID照明等领域。
【产品】430V/11A/0.55Ω的N沟道MOSFET SLD3101，采用D-PAK封装
美浦森（Maplesemi）的N沟道MOSFET SLD3101，使用MapleSemi的先进沟槽MOSFET技术生产，漏源电压430V，连续漏极电流11A，导通电阻典型值为0.55Ω，非常适合于高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
【产品】600V/14A的N沟道功率MOSFET SLP14N60S/SLF14N60S，漏源导通电阻0.43Ω
SLP14N60S/SLF14N60S是美浦森推出的使用Maple semi先进的平面条纹DMOS技术生产的N沟道功率MOSFET。产品的漏源电压为600V，连续漏极电流为14A，适用于开关模式操作中的AC/DC电源转换。
【产品】670V/14A的N沟道功率MOSFET SLP/F14N65S，适用于AC/DC电源转换
SLP14N65S/SLF14N65S是美浦森推出的670V/14A的N沟道功率MOSFET。产品采用Maplesemi先进的平面条纹DMOS技术，无铅，符合RoHS标准，导通损耗低，开关特性好，在雪崩和换相模式下可承受高能量脉冲。它适用于开关模式操作中的AC/DC电源转换。
【产品】400V/11A的N沟道功率MOSFET SLF/P3101，漏源导通电阻最大为550mΩ
SLF3101/SLP3101是美浦森推出的N沟道功率MOSFET，采用Maplesemi先进的沟道MOSFET技术，漏源电压为400V，连续漏极电流为11A，这些器件非常适合于高效率的开关电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
【产品】600V/16A的N沟道功率MOSFET SLP16N60S/SLF16N60S，漏源导通电阻仅0.35Ω
SLP16N60S/SLF16N60S是美浦森推出的使用Maplesemi先进的平面条纹DMOS技术生产的N沟道功率MOSFET。漏源电压为600V，25℃下的连续漏极电流为16A，脉冲漏极电流为64A，单脉冲雪崩能量为783mJ，雪崩电流为16A，耗散功率为31.5W。
【产品】500V/20A的N沟道功率MOSFET SLW20N50C/SLH20N50C
SLW20N50C/SLH20N50C是美浦森推出的漏源电压500V的N沟道功率MOSFET。漏源导通电阻的典型值仅0.21Ω，最大值仅0.26Ω，导通损耗较低。这些器件非常适合于高效率的开关电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
【产品】1200V/20A的碳化硅肖特基二极管MSH20120G1，开关速度极快
美浦森（Maplesemi）的1200V碳化硅肖特基二极管MSH20120G1，具有恢复时间短、开关速度极快等特点，适用于开关电源、功率因数校正和电机驱动等应用。
【产品】650V/8A的碳化硅二极管MS2H16065G1，采用TO-247-3Lead封装
美浦森（Maplesemi）推出的碳化硅二极管MS2H16065G1，具有恢复时间短，可以进行高速开关等特点，反向重复峰值电压为650V，工作结温和储存温度为-55至 +175 ̊ C。此外，该器件符合RoHS标准，提高了所有负载条件下的效率，有更高的过压安全裕度，减少了散热器需求，具有高安全性和低功耗，可应用于开关电源，功率因数校正，电机驱动等领域。
【经验】MOSFET损坏的主要原因和挑选要点讲解
MOSFET主要损耗包括开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，可忽略不计），雪崩能量损耗。本文主要讲述了MOSFET损坏的主要原因，并以美浦森的SiC MOSFET SLF10N65C为例讲解了如何挑选一款合适的MOSFET。
【产品】9A/900VN沟道MOSFET SLF9N90C，采用先进平面条纹Dmos技术，RDS(on)典型值975mΩ
SLF9N90C是美浦森推出的900V N沟道MOSFET，它使用先进平面条纹Dmos技术生产。这项先进技术经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻，提供出色的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。 这些器件非常适合于高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
【产品】650V/5A的N沟道MOSFET SLF65R950S2，采用TO-220F封装
美浦森的N沟道MOSFET SLF65R950S2使用Maplesemi（美浦森）先进的平面条形DMOS技术生产，适合用于高效开关模式电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正。该产品采用TO-220F封装，漏源电源为650V，连续漏极电流为5A（Tc=25℃时）。
【选型】平面VDMOS SLF20N50C替换士兰微SVF20N50F用于500W台式电脑游戏主机电源，导通损耗更低
针对500W台式电脑游戏主机电源市场上运用到士兰微的SVF20N50F，本文从电性能参数、封装等方面，重点推荐美浦森的平面VDMOS SLF20N50C做替换，SLF20N50C比SVF20N50F在导通电阻方面更小，其他电性参数以及封装基本一致，可以做到较好的替换。
【产品】650V/8A的碳化硅肖特基二极管MSD08065G1，开关速度极快
美浦森（Maplesemi）推出的650V碳化硅肖特基二极管MSD08065G1，具有恢复时间短、开关速度极快等特点，适用于开关电源、功率因数校正和电机驱动等应用。
【选型】国产SiC二极管MSP10065G1可替换安森美的MUR3060用于大功率PFC电路，性能更优
一款全电压输入，功率800W的电源，早期市面上一般选用onsemi的MUR3060快恢复二极管，由于目前追求高效、高频、高功率、及小体积等，快恢复二极管已经无法满足需求。美浦森的SiC二极管产品MSP10065G1能完美替换安森美的MUR3060用于大功率PFC电路中。
【选型】国产SiC二极管MSP10065G1可Pin-Pin替代ST的STPSC10H065用于PFC电路
PFC电路中应用较多的型号有ST公司650V/10A的SiC二极管STPSC10H065，不过由于价格压力、贸易战等因素影响，很多客户会选择一款低成本、供货交期好的国产替代方案，本文重点推荐Maplesemi（美浦森）的SiC二极管MSP10065G1，该产品可pin-pin替代ST的STPSC10H065。
【产品】700V/5A的N沟道功率MOSFET SLD/F70R900S2，导通电阻0.8Ω
美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET SLD70R900S2和SLF70R900S2，是利用先进的平面条形DMOS技术生产的功率场效应管，分别采用D-PAK和TO-220F封装。这些器件非常适合于高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
【产品】650V/60A碳化硅肖特基二极管MS2TH60065G1，开关速度极快
美浦森（Maplesemi）推出的650V碳化硅肖特基二极管MS2TH60065G1，具有恢复时间短、开关速度极快等特点，采用TO-247-2封装，适用于开关电源、功率因数校正和电机驱动等应用。
【产品】650V碳化硅肖特基二极管MSP16065G1，开关速度极快
美浦森（Maplesemi）推出的650V碳化硅肖特基二极管MSP16065G1，采用TO220-2封装，具有恢复时间短、开关速度极快等特点，适用于开关电源、功率因数校正和电机驱动等应用。
【产品】1200V碳化硅肖特基二极管MSD02/05/10120G1，采用TO-252封装
美浦森（Maplesemi）的三款1200V碳化硅肖特基二极管MSD02120G1、MSD05120G1、MSD10120G1，具有恢复时间短、开关速度极快等特点，采用TO-252封装，适用于开关电源、功率因数校正和电机驱动等应用。
【产品】1200V/29A的碳化硅二极管MS2H20120G1，采用TO-247-3封装
美浦森(Maplesemi)推出的碳化硅二极管MS2H20120G1，反向重复峰值电压为1200V，正向持续电流为29A（@Tc=25℃），采用TO-247-3封装，具有恢复时间短、可以进行高速开关等特点。
SLP840U/SLF840U 550V N-Channel MOSFET
MSP05120G1 1200V Silicon Carbide Diode
SLD3101 430V N-Channel MOSFET
SLD840U/SLU840U 550V N-Channel MOSFET
SLH80R240SJ/SLW80R240SJ 800V N-channel MOSFET
SLW9N90C/SLW9N90C 900V N-Channel MOSFET
MSD06065G1 650V Silicon Carbide Schottky Diode
MSF10120G1 1200V Silicon Carbide Diode
MS2H16065G1 650V Silicon Carbide Diode
SLP60R180E7 / SLF60R180E7 600V N-Channel MOSFET
SLD70R420S2 & SLF70R420S2 Assembly & Final Test Spec
SLF8N60S/SLD8N60S/ Assembly & Final Test Spec
SLD60R850S2 & SLF60R850S2 Assembly & Final Test Spec
SLF7N65C 8D Analysis Report An analysis report of SLF7N65C application failure
SLF7N65C 8D Analysis Report An analysis report of SLF7N65C application failure
SLF18N50C 8D 分析报告 — 针对SLF18N50C在客户应用时出现不良的分析报告
SLF4N65S 8D 分析报告 — 针对 SLF4N65S 在客户应用时出现不良的分析报告
SLW20N50C 8D 分析报告 — 针对 SLW20N50C 在客户应用时出现不良的分析报告
SLB840F 分析报告 — 针对 SLB840F 在客户试样时不良分析报告
SLD4N60C 8D 分析报告—针对 SLD4N60C 在客户应用时出现不良的分析报告
SLD8N65S 8D 分析报告 — 针对 SLD8N65S 在客户应用时出现不良的分析报告
SLF13N50C 8D 分析报告 — 针对SLF13N50C在客户应用时出现不良的分析报告
SLF18N50C 8D 分析报告 — 针对SLF18N50C在客户应用时出现不良的分析报告
SMP06065VG 8D分析报告 — 针对SMP06065VG在客户应用时出现不良的分析报告
MSP10065V1 8D 分析报告 — 针对 MSP10065V1 在客户应用时出现不良的分析报告
TO-220F SZXEC1801824301(SGS) Test Report
TO-220F SZXEC2000091201 (SGS) Test Report
SiC Product TO-220 SZXEC1901780501 (SGS) Test Report
SZXEC1902830002 TO-220F SGS 测试报告
Qualification Report–AEC-Q101 TEST ITEM
【产品】9A/500V的N沟道MOSFET SLP/F840UZ，适合于高效开关模式电源
美浦森（Maplesemi）推出的SLP840UZ、SLF840UZ两款N沟道MOSFET，该功率MOSFET使用Maplesemi的先进平面条纹DMOS技术生产。这项先进技术经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻，提供出色的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
【产品】1200V/20A的碳化硅肖特基二极管MSB20120G1，开关速度极快、恢复时间短
美浦森（Maplesemi）推出的1200V碳化硅肖特基二极管MSB20120G1，连续正向电流为20A，封装为TO-263-2lead，具有恢复时间短、开关速度极快等特点，适用于开关电源、功率因数校正和电机驱动等应用。
【产品】600V/48A的N沟道MOSFET SLH/W60R070SSD，适用于大功率AC/DC电源转换
美浦森（Maplesemi）推出的SLH60R070SSD、SLW60R070SSD两款N沟道MOSFET，漏源电压600V，连续漏极电流高达48A（Tc = 25℃）。采用Maplesemi先进的超级节技术制造而成，专为最小化传导损耗提供出色的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而特别设计，这些器件非常适合用于开关模式电源操作中的AC/DC电源转换，以实现更高的效率。
【产品】650V碳化硅肖特基二极管MSF10065G1，具有开关速度极快、恢复时间极短等特点
美浦森（Maplesemi）推出的650V碳化硅肖特基二极管MSF10065G1，具有恢复时间短、开关速度极快等特点，适用于开关电源、功率因数校正和电机驱动等应用。
【应用】国产N沟道MOSFET SLF60R190SS成功应用于春晚LED舞台电源
2019年央视春晚采用的LED舞台电源所用MOSFET为美浦森半导体的N沟道MOSFET SLF60R190SS，耐压600V，ID为22A，导阻0.15Ω，TO220F封装，经过严格的品质检验，成功助力该电源零故障运行。
【产品】600V/76A的N沟道MOSFET SLH/W60R040SSD，适用于开关电源中的AC/DC功率转换
美浦森（Maplesemi）推出的SLH60R040SSD、SLW60R040SSD是两款600V的N沟道MOSFET，这款功率MOSFET采用Maplesemi先进的超级节技术制造而成，是特别为减少传导损耗，提供卓越的开关性能和承受高能量脉冲而打造，这些器件非常适合应用于开关电源中的AC/DC功率转换，可以提高电源的工作效率。
【产品】650V/8A的碳化硅肖特基二极管MSNP08065G1，恢复时间短、开关速度极快
美浦森（Maplesemi）推出的650V碳化硅肖特基二极管MSNP08065G1，其正向整流电流8A。具有恢复时间短、开关速度极快等特点，适用于开关电源、功率因数校正和电机驱动等应用。
【产品】650V的碳化硅肖特基二极管MSPxxx65G1，采用TO-220-2封装
美浦森（Maplesemi）推出的碳化硅肖特基二极管MSP06065G1,MSP04065G1,MSP08065G1,MSP10065G1；反向重复峰值电压均为650V，连续正向电流分别为22A（Tc=25℃）、4.8A（Tc=150℃）、27A（Tc=25℃）、37A（Tc=25℃）；均采用TO-220 -2封装，符合RoHS无铅标准。
【产品】650V/8A的碳化硅肖特基二极管MSF08065G1，采用TO-220F-2封装
美浦森（Maplesemi）推出的650V碳化硅肖特基二极管MSF08065G1，连续正向电流8A，采用TO-220F-2封装。具有恢复时间短、开关速度极快等特点，适用于开关电源、功率因数校正和电机驱动等应用。
【应用】超级结MOSFET SLF65R240S2助力200W TV电源，具有更高效率和更好EMI效果
常见的TV电源电路使用开关模式电源，AC220V交流电压经过整流后，变成直流300V左右范围的电压，在经过DC-DC电压转换输出5v、12V电压给TV电源主板供电。本文介绍美浦森超级结MOSFET SLF65R240S2在DC-DC转换中作为核心功率开关器件的使用优势。
【产品】1200V/53A的碳化硅肖特基二极管MS2H40120G1，采用TO-247-3封装
美浦森（Maplesemi）推出的碳化硅肖特基二极管MS2H40120G1，反向重复峰值电压1200V，连续正向电流53A（Tc=25℃）；采用TO-247-3封装，符合RoHS无铅标准；具有恢复时间短、切换速度快等优势，适用于开关电源、功率因数校正、电机驱动、HID照明等领域。
【产品】650V/10A/28nC的碳化硅肖特基二极管MSNP10065G1，采用TO-220-2封装
美浦森（Maplesemi）推出了一款反向电压650V，连续正向电流10A（Tc = 135℃）的碳化硅肖特基二极管MSNP10065G1，其总电容电荷仅为28nC（VR=400V,TJ=25°C）具有恢复时间短、开关速度极快等特点，适用于开关电源、功率因数校正和电机驱动等应用。
【产品】650V/20A的碳化硅肖特基二极管MSP20065G1，开关速度极快
美浦森（Maplesemi）推出的碳化硅肖特基二极管MSP20065G1，反向重复峰值电压650V，连续正向电流20A，耗散功率166W，具有恢复时间短、开关速度极快等特点，适用于开关电源、功率因数校正和电机驱动等应用。
【产品】1200V/16A的碳化硅肖特基二极管MS2H32120G1，采用TO-247-3封装
美浦森（Maplesemi）推出的碳化硅肖特基二极管MS2H32120G1，反向重复峰值电压为1200V，连续正向电流为16A，采用TO-247-3封装，具有恢复时间短、开关速度极快等特点，适用于开关电源、功率因数校正和电机驱动等应用。
【产品】500V/5A的N沟道MOSFET SLP/F5N50S，适合于高效开关模式电源等应用
美浦森（Maplesemi）推出的两款N沟道MOSFET SLP5N50S、SLF5N50S，采用美浦森的先进平面条纹DMOS技术生产，漏源电压500V，连续漏极电流5A，耗散功率分别为73W/38W，采用TO-220/TO-220F封装，适合于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。
【产品】500V/9A的N沟道MOSFET SLD840UZ / SLU840UZ，导通电阻典型值0.8Ω
美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET SLD840UZ和SLU840UZ，是利用先进的平面条纹DMOS技术生产的功率场效应管，分别采用D-PAK和I-PAK封装。漏源电压500V，连续漏极电流9A，耗散功率84W，适用于高效率开关电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。
【产品】500V/5A的N沟道MOSFET SLD5N50S2 / SLU5N50S2，导通电阻1.35Ω
美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET SLD5N50S2和SLU5N50S2，是利用先进的平面条形DMOS技术生产的功率场效应管，分别采用D-PAK和I-PAK封装。产品漏源电压500V，连续漏极电流5A，典型导通电阻1.35Ω，工作结温和储存温度范围为-55~150℃，适用于高效率开关电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。
【产品】500V/25A的N沟道MOSFET SLW24N50C/SLH24N50C，采用TO-247/3P封装
美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET SLW24N50C/SLH24N50C，是利用先进的平面条纹DMOS技术生产的功率场效应管，分别采用TO-247和TO-3P封装。漏源电压为500V，连续漏极电流为25A，导通电阻典型值为0.2Ω。
【产品】650V/4.8A的碳化硅肖特基二极管MSD04065G1，开关速度极快
美浦森（Maplesemi）推出的650V碳化硅肖特基二极管MSD04065G1，连续正向电流4.8A，工作结温和储存温度范围-55~175℃，具有恢复时间短、开关速度极快等特点，适用于开关电源、功率因数校正和电机驱动等应用。
【产品】500V/5A的N沟道MOSFET SLD5N50S / SLU5N50S，导通电阻为1.12Ω
美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET SLD5N50S和SLU5N50S，是利用先进的平面条纹DMOS技术生产的功率场效应管，分别采用D-PAK和I-PAK封装。连续漏极电流5A，漏源电压500V，漏源导通电阻典型值为1.12Ω，适用于高效率开关电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。
【产品】650V/4.5A的N沟道MOSFET SLP5N65S/SLF5N65S，适用于高效率开关电源等应用
美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET SLP5N65S和SLF5N65S，是利用先进的平面条纹DMOS技术生产的功率场效应管，分别采用TO-220和TO-220F封装。这项先进的技术是专为尽可能减小导通电阻、提供出色的开关性能以及在雪崩和换相模式下能够承受高能量脉冲所设计的。适用于高效率开关电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。
【产品】700V/11A的N沟道MOSFET SLP70R420S2/SLF70R420S2
美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET——SLP70R420S2/SLF70R420S2，是利用先进的超级结技术生产的功率场效应管，分别采用TO-220和TO-220F两种封装，漏源电压700V，连续漏极电流11A。适用于高效率开关模式应用中的AC/DC电源转换器。
【产品】1200V/15A的碳化硅二极管MS2H32120V1/40120V1，采用TO-247-3封装
美浦森（Maplesemi）推出的1200V碳化硅二极管MS2H32120V1、MS2H40120V1，符合RoHS标准。该产品具有极高的开关速度，开关损耗极小。可广泛应用于开关模式电源、功率因数校正、电机驱动、HID照明等应用领域。
【产品】500V/11A的N沟道MOSFET SLP11N50S / SLF11N50S，导通电阻为0.483Ω
美浦森（Maplesemi）推出的SLP11N50S和SLF11N50S是500V/11A的N沟道MOSFET，其采用先进的平面条纹DMOS技术生产，是性能优异的功率场效应管，分别采用TO-220和TO-220F封装。适用于高效率开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用场合。
全球碳化硅MOSFET顶尖制造商之一：美浦森(Maplesemi)
美浦森(Maplesemi)成立于2008年，2009年在韩国成立FABOWN工厂，致力于POWER MOSFET及碳化硅产品的研发和生产。目前VDMOSFET和碳化硅产品已获得韩国政府60多项技术专利，成为韩国首家跻身全球SiC MOSFET顶尖制造商。世强是美浦森官方授权一级代理商，代理美浦森旗下高压MOSFET, 超结MOSFET，碳化硅二极管等产品，库存丰富，正品保证。
【产品】650V/40A的碳化硅肖特基二极管MS2H40065G1，开关速度极快、恢复时间短
美浦森（Maplesemi）推出的650V碳化硅肖特基二极管MS2H40065G1，连续正向电流为40A（双管），耗散功率为159W，结温和储存温度为-55~175℃，具有恢复时间短、开关速度极快等特点，适用于开关电源、功率因数校正和电机驱动等应用。
【产品】40V/100A的N沟道MOSFET MSN04R010S，采用PDFN5*6封装，导通内阻小于1mΩ
美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET MSN04R010S，是利用先进生产技术生产的具有高性能的功率场效应管，采用PDFN5*6封装，具有导通电阻低、快速开关等特点。漏-源极工作电压最大额定值为40V，连续漏极电流的最大额定值为100A，上升时间的典型值是18.8ns，下降时间的典型值是44.1ns，总栅极电荷典型值是103.5nC。适用于在服务器或其他通用应用中的同步整流器电路。
【产品】600V/42A的N沟道MOSFET SLH60R080SSD，适合开关模式操作中的AC/DC电源转换
美浦森（Maplesemi）推出的SLH60R080SSD、SLW60R080SSD两款N沟道MOSFET，采用Maplesemi先进的超级节技术制造而成。漏源电压600V，连续漏极电流42A，耗散功率295W，结温和存储温度为-55~150℃。
【产品】500V/4.5A的N沟道MOSFET SLP5N50S2/SLF5N50S2，采用TO-220/-F封装
美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET SLP5N50S2和SLF5N50S2，是利用先进的平面条形DMOS技术生产的功率场效应管，分别采用TO-220和TO-220F封装。适用于高效率开关电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。
再添第三代半导体功率器件品牌美浦森(Maplesemi)，曾联合韩国现代共同研制新能源汽车SiC产品线
近日，美浦森半导体有限公司正式签约世强，授权代理其POWER VDMOSFET、SUPER JUNCTION MOSFET、SiC MOSFET、SiC DIODE等系列产品。 美浦森主营POWER MOSFET及碳化硅产品的研发和生产，目前8 英寸月产能12000片，6寸产能10000片，是东亚地区唯一的PLANNER 8英寸晶圆生产线。
【产品】40V/100A的N沟道MOSFET MSN04R022S，采用PDFN5*6封装，导通电阻小于2.2mΩ
美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET MSN04R022S，采用PDFN5*6封装，具有导通电阻低、快速开关等特点，适用于在服务器或其他通用应用中的同步整流电路。漏-源极工作电压最大额定值为40V，连续漏极电流的最大额定值为100A，上升时间的典型值是15.2ns，下降时间的典型值是19.3ns，总栅极电荷典型值是61.4nC。
【产品】700V/11A的N沟道MOSFET SLP70R420S2/SLF70R420S2，传导损耗小
美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET SLP70R420S2和SLF70R420S2，是利用先进的超级结技术生产的功率场效应管，分别采用TO-220和TO-220F封装。漏源电压700V，连续漏极电流11A，适用于高效率开关模式应用中的AC/DC电源转换器。
【产品】100V/33A的N沟道MOSFET MSF540S/MSP540S，导通电阻33mΩ
美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET MSF540S和MSP540S，是利用先进的平面MOS技术生产的功率场效应管，分别采用TO-220和TO-220F封装。这项先进的技术是专为最小化导通内阻、提供出色的开关性能以及在雪崩和换相模式下能够承受高能量脉冲所设计的。
【产品】30V/100A的N沟道MOSFET MSN03R034S，采用PDFN5*6封装，导通内阻小于3.4mΩ
美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET MSN03R034S，是利用先进生产技术生产的具有高性能的功率场效应管，采用PDFN5*6封装，导通内阻小于3.4mΩ，导通电阻低。漏-源极工作电压最大额定值为30V，连续漏极电流的最大额定值为100A，具有快速开关等特点。适用于服务器和应用同步整流器控制电路工作。
【产品】40V/100A的N沟道MOSFET MSN04R014S，采用PDFN5*6封装，导通内阻低
美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET MSN04R014S，是利用先进生产技术生产的具有高性能的功率场效应管，采用PDFN5*6封装，具有导通电阻低、快速开关及高质量等特点。漏-源极工作电压最大额定值为40V，连续漏极电流的最大额定值为100A，上升时间的典型值是16.1ns，下降时间的典型值是30ns，总栅极电荷典型值是113.8nC。
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