萨瑞微电子（SALLTECH）ESD保护器件选型表
2023/8/14 - 选型指南 萨瑞微电子 - SEN1821D3,SEU0524PC,SEN0501D3,SEN0501D5,SEN1201P1,SEN1201P0,SES2411P6,SES2411P1,SEN1531D5,SEN3321P1,SEL0521D5,SES2411P4,SES2011P4D,SEN0522P1,SEN0512S2
萨瑞微电子（SALLTECH）MOS选型表
2023/8/18 - 选型指南 萨瑞微电子 - MOS,SR2300K,SR150PE2PH,SR2300B,SR3139KDS6,SR3139KDS3,SR2N7002KDS3,SR250P03,SR3134KPD,SR2301DSC,SR340N06,SR2SK3018,SR46N06T5,SR2SK3019,SR270P03T4,SR3437KS3
发布时间 : 2025-12-10
萨瑞微电子(SALLTECH) LDO/MOSFET/ESD/TVS/TSS/GDT/BJT/齐纳/肖特基/开关/整流器选型指南
2024/6/27 - 选型指南 萨瑞微电子是一家专业从事半导体分立器件芯片设计、晶圆制造、封装测试与应用服务于一体的IDM模式的国家级高新技术企业。公司的产品广泛虚用于通讯、安防、消费类电子、汽车电子、工业电子、医疗、仪器仪表等领域，是国内外一线品牌客户首选供应商。
萨瑞微电子 - 电子笔,MOSFET,PTSS,贴片 TVS 瞬态电压抑制二级管,平面MOS,碳化硅 MOSFET,模拟IC,双极结型晶体管,BJT,TVS,二级管,OVP集成电路,ZENER,锂电保护IC,GDT,LDO,三级管,半导体放电管,数字晶体管,SKY 小信号管,平面高压MOS,SKY 功率管,直插式 TVS 瞬态电压抑制二级管,RECTIFIER,SKY DIODE,PTVS,齐纳,整流器,整流桥,TSS,中压SGT MOS,天空二极管,RECTIFIER BRIDGE,OVP IC,PLANAR MOS,碳化硅 SBD,MMBT5962,SEU1211XX,SMA2ZXXC,SES2411P1,3904P1,SC08S065T6-2,TMBXXF,SST10100C,SR250P03,SP10N65T7,SR2301DSC,1N4148P1,SEN0731D5,857BP1,SRBAS40X,SP10N65T5,S,通讯设备,智能手环,安防,手机,通讯,智能手表,空调,摄像头,智能门锁,智能穿戴,仪器仪表,扫地机器人,智能家居,液晶电视,无线充电,储能,蓝牙耳机,工业控制,路由器,对讲机,通讯基站,笔电,电脑,楼宇对讲,工业电子,安防设备,医疗,消费类电子,行车记录仪,轨道交通,台式机,汽车电子
萨瑞微电子（SALLTECH）TSS选型表
2023/8/14 - 选型指南 萨瑞微电子 - TSS,半导体放电管,P0080SC,P2000TB,P2000TA,P0080SB,P0080SA,P0900SC-MC,P3100SB-MC,P3500SB-MC,P0720SA,P0720SC,P0080SC-MC,P0720SB,P2000SC,P2000SB,P2000SA,P1100SC-MC,P0080TA
萨瑞微电子（SALLTECH）TVS选型表
2023/8/14 - 选型指南 萨瑞微电子 - TVS,5.0SMDJ33CA,5.0SMDJ75CA,5.0SMDJ15A,5KP6.0A,5.0SMDJ18CA,5.0SMDJ43A,5KP110CA,5.0SMDJ14CA,5KP200A,5KP12A,5KP40CA,5KP36A,5KP24A,5.0SMDJ90CA,5KP48A,5KP48CA
萨瑞微电子TVS选型表
选型表 - 萨瑞微电子 萨瑞微电子TVS/瞬态抑制二极管选型，IT(mA)：1mA或5mA或10mA；VR(V)：5V-467V；PPP（W）：200-6600W。
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产品型号
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品类
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极性
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VBL(V)≥VBR(MIN)标准值
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VBH(V)≤VBR(MAX)标准值
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IR(μA)≤IR标准值
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IT(mA)
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VR(V)
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VCH(V)>VRWM标准值
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IPP(A)≥Ipp标准值
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PPP（W）Power标准值
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Making
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PACKAGE
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5.0SMDJ11A
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TVS
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单向
|
12.20
|
13.50
|
800
|
1
|
11
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18.2
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275
|
5000
|
5.0SMDJ11A
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SMC/DO-214AB
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萨瑞微电子TSS选型表
选型表 - 萨瑞微电子 萨瑞微电子TSS/半导体放电管选型，Off-Stand Voltage VDRM(V)：6V-500V；Switching Current Is(mA) ：800mA；Max Switching Voltage Vs(V)：25V-600V。
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产品型号
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品类
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Off-Stand Voltage VDRM(V)
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Max Off-Stand Current IDRM(uA)
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Max Switching Voltage Vs(V)
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Switching Current Is(mA)
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Max On-state Voltage VT(V)
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On-state Current IT(A)
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Max Capacitance Co@2、1MHz(pF)
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Min Holding Current IH(mA)
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Surge Peak(V)
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Surge Wavefom(uS)
|
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P0080FA
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TSS
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6
|
5
|
25
|
800
|
4
|
2.2
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50
|
20
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2000V
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10/700uS
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萨瑞微电子ESD保护器件选型表
选型表 - 萨瑞微电子 萨瑞微提供的ESD保护器件(ESD Diode)，先进的单片硅技术，保护电压敏感的数据和电源线；符合IEC-6100-4-2 4级ESD标准（±30kV空气和±30kV接触）放电电压；符合IPC/JEDEC J-STD-033C MSD 3级标准；超小尺寸DFN封装；主要应用于手机和配件、个人数字助理、笔记本和手持设备、便携式仪器、数码相机、外围设备、音频播放器、键盘、侧键、LCD显示器等。
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产品型号
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品类
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极性
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Max Reverse Working Voltage VRWM(V)
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Junction Capacitance Cj(pF)
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Peak Pulse Current IPP@8/20uS(A)
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Min Breakdown Voltage VBR(V)
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Max Breakdown Voltage(V)
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Max Leakage Current IR@VRWM(uA)
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Max Clamping Voltage VC@lpp1A 8/20uS(V)
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Max Clamping Voltage Vc@Ipp=Max Clamping Voltage(V)
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Max Peak Pulse Power PPP(W)
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Marking
|
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SEL0201P0
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ESD Diode
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双向
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2.5
|
20
|
8
|
3.1
|
4.5
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0.2
|
4.2
|
7
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55
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C02
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萨瑞微电子Zener diode选型表
选型表 - 萨瑞微电子 萨瑞微电子齐纳二极管/Zener diode选型，Ptot (W)：0.2W、0.5W；IR (uA)：0.045uA-100uA；VF (V)：0.9V。
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产品型号
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品类
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Ptot (W)
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VZ Min (V)
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VZ Nom (V)
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VZ Max (V)
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Vz@ IZT (mA)
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ZZT (Ω)
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ZZK (Ω)
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ZZK @ IZK (mA)
|
IR (uA)
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IR @ VR (V)
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VF (V)
|
VF @ IF (mA)
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Marking
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Package
|
|
BZT52B43P1
|
Zener diode
|
0.2
|
41.16
|
43
|
43.84
|
5
|
100
|
700
|
1
|
0.1
|
32
|
0.9
|
10
|
WU
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DFN1006
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萨瑞微电子SKY二极管选型表
选型表 - 萨瑞微电子 萨瑞微电子SKY二极管标准器件选型，VR（V）：10V-100V；IF（A）：0.03A-10A；IFSM（A）：0.1A-300A。
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产品型号
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品类
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VR（V）
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IF（A）
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VF Typ（V）
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VF Max（V）
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IR Typ（uA）
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IR Max（uA）
|
IFSM（A）
|
Marking
|
Package
|
|
DS520-30
|
SKY二极管
|
30
|
0.1
|
0.5
|
0.65
|
0.2
|
20
|
0.5
|
A
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DFN0603-2L
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萨瑞微电子Switching Diode选型表
选型表 - 萨瑞微电子 萨瑞微电子开关二极管/Switching Diode选型，Ptot(W)：0.15W-0.5W；IO(mA)：100mA-300mA；VF(V)：0.715V-1.2V；IR(uA)：0.005uA-5uA。
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产品型号
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品类
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Ptot(W)
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IO(mA)
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VR Min(V)
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VR @ IR(uA)
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VF(V)
|
VF @ IF(mA)
|
IR(uA)
|
IR @ VR(V)
|
trr(ns)
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Marking
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Package
|
|
BAV21W
|
Switching Diode
|
0.5
|
200
|
250
|
100
|
1
|
100
|
0.1
|
200
|
50
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T3
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SOD-123
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萨瑞微电子MOS选型表
选型表 - 萨瑞微电子 N型或P型低Rds(ON)阻抗选择，开关电压转换低功耗，符合 IPC/JEDEC J-STD-033C MSD Level 3，UL 易燃性等级 94V-0，Leadless Chip设计降低了结电容，6针或8针选择适合多功能产品应用，表贴封装，先进的沟槽电池设计，极低的阈值电压，ESD保护，低 RDS(ON) 和 FOM，具备优异的稳定性和均匀性。
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产品型号
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品类
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封装
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Type
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Vds（V）
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Vgs（V）
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Rds(on) Vgs=10V Typ(mΩ)
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Rds(on) Vgs=10V Max(mΩ)
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Rds(on) Vgs=4.5V Typ(mΩ)
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Rds(on) Vgs=4.5V Max(mΩ)
|
VGS(th) Min（V）
|
VGS(th) Max（V）
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ID （A）
|
PD （W）
|
ESD
|
Dynamic.Ciss（pf）
|
Dynamic.Coss（pf）
|
Dynamic.Crss（pf）
|
Dynamic.Rg（Ω）
|
Marking
|
|
SR3406
|
MOSFET
|
SOT23
|
SN
|
30
|
20
|
65
|
82
|
75
|
95
|
1
|
3
|
3.6
|
1.25
|
No
|
288
|
57
|
39
|
3
|
R6
|
|
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电子商城
