辰达行
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【选型】辰达行(Microdiode)ESD防护器件/二极管/MOSFET/晶体管/整流桥选型指南(简版)
江苏辰达行电子有限公司是一家专业研发、生产二极管、桥式整流器的半导体企业。通过了 ISO9001: 2015质量管理体系、ISO14001环境管理体系认证;产品获得UL, SGS等认证,符合最新RoHS指令。主要生产整流二极管扩散片、普通及快恢复、瞬变抑制GPP芯片等产品; 生产和封装普通整流、快恢复、高效率、超快速、肖特基、整流桥、双向触发、高压、瞬态抑制、开关、稳压等类别。
【选型】辰达行(Microdiode)ESD防护器件/二极管/MOSFET/晶体管/整流桥选型指南(详细版)
- 低压降肖特基管(贴片式)
- 超快恢复整流管(贴片式)
- 高效率整流管(贴片式)
- 快恢复整流管(贴片式)
- 肖特基势垒整流管(贴片式)/普通整流管(贴片式)/圆柱封装(贴片式)
- 瞬变抑制管(贴片式)
- 整流桥
- 普通整流管(轴向式)
- 快恢复整流管(轴向式)
- 高效率整流管(轴向式)
- 超快恢复整流管\高压整流管\玻璃钝化普通整流管(轴向式)
- 玻璃钝化快恢复整流管(轴向式)
- 肖特基势垒整流管(轴向式)
- 开关管\双向触发管(贴片式/轴向式)和SOD、SOT封装二极管(贴片式)
- ESD保护管(贴片式)
- 场效应晶体管(贴片式/轴向式)\晶体管(贴片式)\稳压电路
- 稳压管(贴片式/轴向式)
- 瞬变抑制管(轴向式)TVS
- 可靠性试验项目列表
- 包装规格
- 封装结构尺寸图
- 符号及术语
型号 | 描述 | 品质保证 | 价格(含增值税) |
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贴片TVS瞬变二极管 SMF12系列 贴片TVS瞬变二极管,PD=200W,IFSM=20A,VRM=12V,VBR=13.3~14.7V,VC=19.9V SOD-123FL 最小包装量:3,000 |
世强先进(深圳)科技股份有限公司 选型推荐 供货保障 原厂认证 世强代理 世强自营 一支起订 |
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N沟道MOS管 2N7002系列 N沟道MOS管,PD=0.3W,VDS=60V,Io=0.5, SOT-23 最小包装量:3,000 |
世强先进(深圳)科技股份有限公司 选型推荐 供货保障 原厂认证 世强代理 世强自营 一支起订 |
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P沟道增强型MOS管 SI2301系列 P沟道增强型MOS管,VDS=-20V,VGS=10V,ID=-3.0A,PD=1.2W,IDM=-12A SOT-23 最小包装量:3,000 |
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P沟道增强型MOS管 AO3401系列 P沟道增强型MOS管,VDS=-30V,VGS=12V,ID=4.2A,PD=1.2W,IDM=-16A SOT-23 最小包装量:3,000 |
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贴片开关二极管 1N4148W系列 贴片开关二极管,Pd=400mW,VRM=100V,Io=150mA,IFSM=4A,VF=0.72V,Trr=8ns SOD-123 最小包装量:3,000 |
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N沟道增强型MOS管 SI2310系列 N沟道增强型MOS管,N-Channel,Enhancement,MODE,MOSFET,VDSS=60V,ID=3.0A SOT-23 最小包装量:3,000 |
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三端基准稳压源 TL431系列 三端基准稳压源,VK=37V,PD=0.3W,Iref=0.05-10mA SOT-23 最小包装量:3,000 |
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N沟道增强型MOS管 AO3400系列 N沟道增强型MOS管,VDS=30V,VGS=12V,ID=5.0A,PD=1.5W,IDM=23A SOT-23 最小包装量:3,000 |
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贴片超快恢复二极管 ES1J系列 贴片超快恢复二极管,VRM=600V,Io=1.0A,IFSM=30A,VF=1.7V,Trr=35 SMA(DO-214AC) 最小包装量:2,000 |
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瞬变TVS管 P6KExxxx;P6KE6.8CA系列 瞬变TVS管,PD=600W,VRM=5.8V,VBR=6.45~7.14V,VC=10.5V DO-15 最小包装量:2,500 |
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【选型】国产P-MOS AO3401助力5G小基站实现低成本、同型号、pin-pin国产化替换
ALPHA&OMEGA的P沟道MOSFET AO3401在5G通信小基站主要用于射频放大器电源上的通断控制,但于国产化、低成本、供应保障上的要求,需寻找替代料。辰达行的P-MOS AO3401实现低成本、同型号、pin to pin国产化替换,在设计、研发、采购方面更容易导入。
【产品】100V/0.15A的快速开关二极管1N4148WS,适用于通用开关应用
辰达行1N4148WS快速开关二极管,采用SOD-323封装,符合RoHS标准,具有高电导的特点。产品最大反向重复峰值电压为100V,平均整流输出电流为150mA。产品焊接性良好,重量仅0.02g,适用于通用开关应用。
【产品】1N4148W快速开关二极管,最大反向重复峰值电压为100V,最大反向恢复时间仅8ns
1N4148W是辰达行推出的快速开关二极管,采用玻璃钝化芯片结技术制成,最大反向重复峰值电压为100V,SOD-123FL封装,符合RoHS标准,最大反向恢复时间仅8ns,适用于表面安装应用。
江苏辰达行(Microdiode)电子有限公司品质管理简介2019
【产品】50~1000V的硅桥式整流器UG4KB05~UG4KB100系列,反向漏电流最大仅5μA
UG4KB05~UG4KB100是辰达行推出的D3K封装的硅桥式整流器,具有低正向压降和高电流能力的特点,最大反向重复峰值电压为50~1000V,直流反向漏电流最大仅5μA。产品符合RoHS标准,焊接性良好,安装简单。
辰达行(Microdiode) 公司介绍最新版
【产品】50~1000V/3A的UG3KBxx系列硅桥式整流器,D3K封装
辰达行推出的UG3KB05~UG3KB100硅桥式整流器,采用D3K封装,最大反向重复峰值电压为50~1000V,直流反向漏电流最大仅5μA,最大平均正向输出整流电流@TA=40℃为3A。
辰达行(Microdiode)官方授权代理证明/分销协议/授权书
【应用】基于国产系统级EOS、ESD防护器件的PD快充移动电源解决方案
辰达行针对快充移动电源安全问题提出快充移动电源系统级EOS、ESD防护解决方案,在其电源输入、输出端的电源线、数据传输线(D+、D-、CC1、CC2),电池端设置相应的 EOS、ESD 防护器件,以达成IEC61000-4-2 和 IEC61000-4-5 的测试标准。
【产品】50~1000V的表面贴装型高效整流器SOD1H1~SOD1H8系列,SOD-123FL封装
SOD1H1~SOD1H8是辰达行推出的表面贴装型高效整流器,采用SOD-123FL封装,具有低反向漏电流,符合RoHS标准。镀锡引脚,高温焊接可达250℃/10秒,适用于表面安装应用。
【产品】50~600V/1.0A的表面贴装通用硅整流二极管ES1AL~ES1JL系列
辰达行推出的ES1AL、ES1BL、ES1CL、ES1DL、ES1EL、ES1GL和ES1JL表面贴装通用硅整流二极管,反向电压50~600V,正向电流1.0A。采用玻璃钝化工艺、冶金结合结构,工作结温范围-55℃~+150℃。
【产品】60V/5A的肖特基势垒整流器SR560L,工作结温和存储温度为-50~+150℃
SR560L是辰达行推出的DO-201AD封装的肖特基势垒整流器,重量仅1.10克,采用焊接式安装。具有高浪涌保护能力,最大反向重复峰值电压为60V,工作结温和存储温度为-50~+150℃,符合工业级温度要求。
【产品】结电容仅0.25pF的TVS二极管,采用超小型DFN0603封装
辰达行推出的ESD03D6BU、ESD05D6BU是低电容的瞬态电压抑制二极管,采用超小型的DFN0603塑料封装,每个器件可保护一条高速数据线。具有低电容、超小尺寸和和高ESD稳健性的特点,非常适合高速数据端口和高频线应用,如手机和高清视频设备。
【产品】可提供双向保护的双路CAN总线保护二极管,峰值脉冲功耗为350W
辰达行推出的ESD2105L是一款双路CAN总线保护二极管,可用于保护高速和容错网络中的CAN收发器。采用紧凑的SOT-23塑料封装,能为每条数据线提供双向保护,为系统设计师提供了一个提高系统可靠性、满足严格EMI要求的低成本选择。
【产品】最大电容仅30pF的国产双向TVS二极管ESD0701OC,峰值功耗150W
辰达行推出的ESD0701OC是一款低电容的双向瞬态电压抑制二极管,采用超小型的DFN1006塑料封装,每个器件可保护一条数据线。其关断电压为7V,响应时间<1ns,具有低钳位电压、低漏电流的特点,符合MSL 1湿敏等级要求。
【产品】采用DFN1006塑料封装的TVS二极管ESD0801PB,峰值脉冲功耗68W
辰达行推出的ESD0801PB是一款低电容的瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),能为数据线、控制线或电源线提供静电放电(ESD)保护。采用超小型的DFN1006塑料封装,每个器件可保护一条数据线。在空间有限的情况下提供了设计灵活性。
【产品】工作电压24V的TVS二极管ESD2401QC,峰值功耗为200W
辰达行推出的ESD2401QC是一款低电容的瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),能为数据线、控制线或电源线提供静电放电(ESD)保护。其最大电容仅17pF,可用于保护寄生敏感系统,使其免受过压和过流瞬态事件的影响。
【选型】快恢复二极管和超快恢复二极管的特性分析及选型思路
本文中,国产厂牌辰达行(Microdiode)将针对快恢复二极管和超快恢复二极管做特性分析,并给予选型思路的说明供各位读者参考。
【产品】50V~1000V/5A的超快速整流器US5ABF系列,SMBF塑料封装
US5ABF/US5BBF/US5DBF/US5GBF/US5JBF/US5KBF/US5MBF是辰达行推出的超快速整流器,采用SMBF塑料封装,易燃性等级为UL94V-0,符合RoHS标准。产品具有低反向漏电流,高正向浪涌电流能力的特点,适用于表面安装应用。
【产品】齐纳电压2.56~212V的快恢复玻璃钝化整流器DL47系列,MINI MELF封装
DL47是辰达行推出的快速恢复玻璃钝化整流器系列,采用MINI MELF塑料封装,耗散功率500mW,齐纳电压范围为2.56~212V,齐纳阻抗低,产品自身的损耗较少。
【应用】国产瞬态电压抑制二极管(TVS)SMBJ5.0CA在维护电路中的运用
经过在热插拔电路维护和轿车电源线维护中典型运用电路的实例,本文具体讨论怎么正确运用辰达行TVS管SMBJ5.0CA以及如何使其运用作用到达最佳。SMBJ5.0CA具有15KV空气放电和30KV接触放电的ESD防护等级,小于1ps的呼应速率等优秀特性。
【选型】进行TVS管选型的6个要点和7大参数
本文中,国产品牌辰达行(MDD)将具体说明选型TVS管的方法和注意事项,供各位读者参考。需要考虑的重要参数包括:击穿电压V(BR)、最大反向脉冲峰值电流Ippm、最大反向工作电压VRWM、最大箝位电压VC(max)、反向脉冲峰值功率Pppm、电容CPP、漏电流IR。
辰达行整流桥DB207S进军快充供应链,电气性能获得世界500强企业认可
在ABB最近推出的一款壁装式无线充电插座中采用了1颗MDD DB207S整流桥,产品的电气性能获得世界500强企业认可。这款整流桥最大反向重复峰值电压达1000V,最大均方根电压700V,最大直流阻断电压1000V,最大平均正向整流电流2A,最大瞬时正向压降仅1.1V。
【产品】SOD-323封装的TVS管ESD3Z3.3L,用于高速数据端口和高频线路应用
ESD3Z3.3L是辰达行一款用于为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护的低电容瞬态电压抑制器(TVS),采用超小型SOD-323封装。每个ESD3Z3.3L设备可保护一条高速数据线。在以空间为首要考虑因素的情况下,它为系统设计者在保护单个数据线方面提供了灵活性。ESD3Z3.3L具有低电容、超小尺寸和高ESD鲁棒性的特点,是高速数据端口和高频线路应用的理想选择,如手机和高清视频设备。
【产品】5~170V/3000W的国产瞬态电压抑制器SMDJ5.0~SMDJ170CA
SMDJ5.0~SMDJ170CA是辰达行旗下采用DO-214AB/SMC封装的瞬态电压抑制器,峰值脉冲功耗为3000W,关断电压的可选范围是5.0~170V,适用于 I/O接口、 AC/DC电源、 低频信号传输线(RS232、RS485等)。
【产品】SOT-26塑封的超低电容ESD保护阵列ESD0504TL,用于高速数据线瞬态保护
辰达行(Microdiode)的ESD0504TL是一款用于保护高速数据接口的超低电容瞬态电压抑制器(TVS),采用超小型SOT-26封装。ESD0504TL的典型电容仅为0.20pF(I/O到I/O),旨在保护寄生敏感系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。
【应用】增强型P沟通MOSFET AO3401助力单线激光传感器模块电源开关设计,VDS达-30V
为满足单线激光传感器模块低功耗设计需求,可通过P沟道MOSFET设计实现,本文重点推荐选择国产品牌辰达行的AO3401,采用SOT23封装,最大漏源电压为-30V,最大持续漏电流为-4.2A,最大导通电阻低至55mΩ。
【产品】3.3~240V的表面贴装齐纳二极管1SMA5913A~1SMA5957A,峰值脉冲功率1.5W
辰达行推出的表面贴装齐纳二极管1SMA5913A~1SMA5957A系列,齐纳电压3.3~240V,峰值脉冲功率为1.5W,全系列采用DO-214AC/SMA封装,具有低电感的优良特性,工作结温和储存温度范围为-65到+150℃,阻燃性符合UL94V-0标准,符合RoHS标准。
【产品】辰达行推出新款氮化镓PD快充专用贴片式软桥,实现更简洁、更高密度的快充电源方案
氮化镓快充的高频特性往往会带来EMI的问题,这导致了更多或者更大的EMI抑制器件的使用。为解决这一难题,辰达行针对性推出了贴片式软桥系列产品,帮助快充电源工程师实现更高的功率密度以及更好的EMI特性。
【产品】用于75W氮化镓快充电源的新款软桥TTR8MF,耐压高达1000V
为了解决高密度快充电源开发过程中的EMI难题,辰达行针对性地推出了TTR8MF软桥产品,可以有效减少X电容、共模电感、差模电感等EMI抑制器件的使用数量或者减小使用规格,从而实现更简洁、更高密度的快充电源方案。
【选型】5V/2A充电器中二极管、整流桥如何选型?
5V/2A充电器中,交流220V输入部分,需要用到整流桥把交流转换成直流;直流5V输出负载部分,需要肖特基二极管进行高频整流。辰达行的桥堆MB6S和ABS210,具有高浪涌电流能力,高电流能力,低正向压降,符合UL标准和ROHS标准,是应用到这里的优秀选择。
【产品】最大电容仅4.5pF的双向ESD保护二极管ESD05D6CU,峰值功耗为35W
辰达行推出的ESD05D6CU是一款低电容的双向ESD保护二极管,可保护电压敏感元件,使其免受ESD和瞬态电压事件的影响。ESD05D6CU具有出色的钳位能力、低漏电流和快速响应时间,非常适合电路板空间有限的设计的ESD保护。采用DFN0603塑料封装,尺寸小。
【产品】击穿电压6.8~440V的瞬态电压抑制器1.5KE6.8~1.5KE440CA系列,峰值脉冲功率达1500W
辰达行旗下可以快速响应的玻璃钝化结瞬态电压抑制器1.5KE6.8~1.5KE440CA系列,该系列产品具有出色的钳位能力,峰值脉冲功率可达1500W,击穿电压6.8~440V,采用DO-210AD封装。
血氧仪上选择辰达行的电源芯片TL431做调压输出到3.0V,请问参考电阻是多少?
参考电阻可依据公式Vo=(1+R1/R2)*Vref得到,其中Vo=3V,Vref=2.5V,参考电阻R1/R2=0.2。
【产品】隔离电压5~170V的单向玻璃钝化结瞬态电压抑制器SA5.0(C)A~SA170(C)A系列
辰达行旗下可以快速响应的单向玻璃钝化结瞬态电压抑制器SA5.0(C)A~SA170(C)A系列,隔离电压5~170V。该系列产品具有出色的钳位能力,峰值脉冲功率可达500W,采用DO-15封装。
采用DFN1006塑料封装的TVS二极管ESD0301L、ESD0501L,结电容典型值为0.4pF
辰达行推出的ESD0301L、ESD0501L是低电容的瞬态电压抑制二极管,每个器件可保护一条高速数据线,在空间有限的情况下,为系统设计师提供了设计灵活性。具有低电容、超小尺寸和和高ESD稳健性的特点,非常适合高速数据端口和高频线应用,如手机和高清视频设备。
【产品】1.6×0.8×0.75mm的TVS二极管ESD0502T5CU,电容典型值仅1.5pF
辰达行推出的ESD0502T5CU是一款超低电容的瞬态电压抑制二极管,采用小型的SOT-523塑料封装,每个器件可保护两条高速数据线,具有低电容、小尺寸和高ESD稳健性,非常适合高速数据端口和高频线应用,峰值功耗为28W(8/20μs)。
【产品】2.9×2.4×1.0mm的超低电容TVS二级管ESD0302TL、ESD0502TL
辰达行推出的ESD0302TL、ESD0502TL是超低电容的瞬态电压抑制二极管,电容典型值仅0.2pF(I/O到I/O)。采用小型的SOT-23塑料封装,每个器件可保护两条高速数据线。具有低电容、小尺寸和高ESD稳健性,非常适合高速数据端口和高频线应用。
【产品】SMFx.x(C)A,SMFxxx(C)A,SMFxx(C)A系列瞬态电压抑制器,薄型封装,采用玻璃钝化接面
辰达行推出了薄型封装的瞬态电压抑制器,该产品型号命名为SMFx.x(C)A,SMFxxx(C)A,SMFxx(C)A,其中x表示数字。该系列产品采用模压塑料机身,塑料包装符合UL认证。
【产品】采用SOT-363塑料封装的TVS二极管阵列ESD0504F,电容典型值仅0.20pF
辰达行推出的ESD0504F是一款超低电容的瞬态电压抑制二极管阵列,每个器件可保护4条高速数据线和一条Vcc线。具有超低电容、小尺寸和高ESD稳健性,每个I/O引脚可承受超过1000次的ESD冲击(±8kV接触放电),非常适合高速数据端口和高频线应用,如HDMI和DVI。
【产品】采用DFN1006塑料封装的ESD保护二极管ESD0501OC,电容典型值仅10pF
辰达行推出的ESD0501OC是一款低电容的瞬态电压抑制二极管,能为数据线、控制线或电源线提供静电放电保护,其电容典型值仅10pF。具有低漏电流和低钳位电压,每个I/O引脚可承受超过1000次的ESD冲击(±8kV接触放电)。
【产品】辰达行的大电流6A/8A、TTF封装贴片整流桥系列
随着电子设备充电器的兼容和充电速度的提升,充电器的功率不断增大,同时为便于携带要求体积不能增加,这就要求整流桥在体积增加不大的情况下通过更大的电流,就有了对贴片整流桥的要求。在这些情况下,辰达行电子推出了TTF系列贴片整流桥。TTF封装的整流桥电流最大可以做到8/6/4A,属于贴片封装桥,可直接替换GBU810 8A、1000V整流桥,完美替代GBL等大插件、高耗人工的直插整流桥!
【产品】采用SOT-523塑料封装的TVS/ESD保护二极管ESD0502T5L,电容仅0.2pF、峰值功耗60W
辰达行推出的ESD0502T5L是一款超低电容的瞬态电压抑制二极管(TVS管),能为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。ESD0502T5L采用小型的SOT-523塑料封装,每个器件可保护两条高速数据线。ESD0502T5L具有低电容、小尺寸和高ESD稳健性,非常适合高速数据端口和高频线应用。
【产品】电容仅0.2pF的TVS二极管阵列ESD0524P,可保护4条高速数据线
辰达行推出的ESD0524P是一款超低电容的瞬态电压抑制二极管阵列,可为非对称数据线提供瞬态保护。采用超小型的DFN2510塑料封装,具有高ESD稳健性,每个I/O引脚可承受超过1000次的ESD冲击(±8kV接触放电)。
【产品】采用DFN1006塑料封装的TVS二极管ESD1201OC,峰值功耗为150W、响应时间小于1ns
辰达行推出的ESD1201OC是一款低电容的瞬态电压抑制二极管,能为数据线、控制器或电源线提供静电放电保护。采用超小型的DFN1006塑料封装,每个器件可保护一条高速数据线。其电容最大值仅15pF,关断电压为12V。
【应用】辰达行ESD保护阵列ESD0524P用于HDMI接口电路防静电保护,结电容小于0.2pF
ESD0524P的结电容小于0.2pF,在HDMI最高速率时都可以完整传输信号,封装为DFN2510,体积小,节约PCB空间,便于工程师设计,可分别在HDMI的数据线,时钟频率等传输线用TVS对地做防护,钳位静电电压。
【产品】30pF低结电容的双向TVS二极管ESD0501CM,峰值功耗400W
辰达行推出的ESD0501CM是一款低电容的双向TVS二极管,具有出色的钳位能力、低漏电流和快速响应时间。采用DFN1006塑料封装,尺寸小,适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和其他电路板空间有限的便携式应用;电容小,适用于高频设计,如USB 2.0、VGA、DVI、SDI等高速线应用。
【产品】电容典型值仅0.2pF的TVS二极管阵列ESD0522P,超小型DFN1610-6L塑料封装、可保护两条I/O线
辰达行推出的ESD0522P是一款超低电容的瞬态电压抑制二极管阵列,其电容典型值仅0.2pF(I/O到I/O),峰值脉冲功耗为60W(8/20μs),反向工作电压为5.0V,反向击穿电压为6.0V,反向漏电流为100nA。
【产品】结电容典型值为0.25pF的TVS二极管ESD0501BU,采用超小型的DFN1006塑料封装
辰达行推出的ESD0501BU是一款低电容的瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),能为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。其结电容典型值为0.25pF,可保护寄生敏感系统,使其免受过压和过流瞬态事件的影响。
【产品】为高速数据线提供瞬态ESD保护的瞬态电压抑制二极管ESD0301PBC,最大电容值为15pF
辰达行推出的ESD0301PBC是一款低电容的瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用超小型的DFN1006塑料封装,可为数据线、控制线或电源线提供静电放电(ESD)保护,其最大电容值为15pF,用于保护寄生敏感系统,使其免受过压和过流瞬态事件的影响。
【产品】电容仅0.2pF的ESD0302L瞬态电压抑制二极管,峰值功耗为56W
辰达行推出的ESD0302L是一款超低电容的瞬态电压抑制二极管,能为高速数据接口提供静电放电保护。其电容典型值仅0.2pF(I/O到I/O),可保护寄生敏感系统,使其免受过压和过流瞬态事件的影响。采用2.9mm×2.4mm×1.0mm的DFN1006-3L塑料封装,每个器件可保护两条高速数据线。
【产品】电容为0.5pF的ESD0301BL瞬态电压抑制二极管,峰值功耗达100W
辰达行推出的ESD0301BL是一款低电容的瞬态电压抑制二极管,能为高速数据接口提供静电放电保护。采用超小型的DFN1006塑料封装,每个器件可保护一条高速数据线。具有低电容、超小尺寸和和高ESD稳健性的特点,非常适合高速数据端口和高频线路应用,如手机和高清视频设备。
【产品】SOD-523塑料封装的瞬态电压抑制器ESD5Z3.3C,可用于敏感型ESD及瞬态电压保护场合
辰达行推出的ESD5Z3.3C是采用SOD-523塑料封装的瞬态电压抑制器ESD保护二极管,可用于保护电压敏感元件免受静电放电ESD和瞬态电压的影响。具有出色的钳位能力、低漏电流、快速响应的特点,对于优先考虑电路板空间的防静电保护应用来讲是理想的器件选择。
【产品】SOT-23塑料封装的晶体管BC817系列,集电极电流为0.5A,直流电流增益最高可达600
辰达行推出的SOT-23塑料封装晶体管BC817系列,集电极电流为0.5A,集电极-发射极饱和电压最大仅0.7V。BC817与PNP型晶体管BC807互补配对,主要用于自动对焦(AF)应用。
【产品】SOD-523塑料封装的TVS二极管ESD5Z36,工作电压为36V
辰达行推出的ESD5Z36是一款TVS二极管,可保护电压敏感元件,使其免受ESD和瞬态电压事件的影响。ESD5Z36具有出色的钳位能力、低漏电流和快速响应时间,非常适合空间有限的设计的ESD保护。采用SOD-523塑料封装,尺寸小,适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和其他便携式应用。
【产品】专为保护电压敏感元件而设计的LESD3Z5.0C瞬态电压抑制二极管,峰值功耗128W(8/20μs)
辰达行推出的LESD3Z5.0C瞬态电压抑制二极管,采用SOD-323塑料封装,其峰值功耗为128W(8/20μs)。该二极管具有出色的钳位能力、低漏电流和快速响应时间,非常适用于电路板空间有限的设计的ESD保护。
【产品】SOD-523塑料封装的ESD保护二极管ESD5Z24,可用于ESD及瞬态电压保护
辰达行ESD5Z24是一款采用SOD-523塑料封装的ESD保护二极管,可用于保护电压敏感元件免受静电放电ESD和瞬态电压的影响。具有出色的钳位能力、低漏电流、快速响应的特点,对于优先考虑电路板空间的防静电保护应用来讲是理想的器件选择。由于其尺寸很小,所以该器件适用于对电路板空间要求高的应用,如手机、便携式设备、数码相机、电源及许多其他便携式应用。
【产品】 超小型SOD-523塑封的超低电容TVS管ESD5Z5.0/3.3L,电容典型值0.4pF
辰达行推出的ESD5Z5.0L,ESD5Z3.3L是超低电容TVS管,旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。 该系列器件具有0.4pF的电容典型值,旨在保护寄生敏感系统免受过压和过电流瞬态事件的影响。该系列器件采用超小型SOD-523塑封,电容典型值0.4pF。
【产品】SOT-23封装的开关二极管MMBD4148A/CA/CC/SE,正向压降最大仅1V
MMBD4148A/CA/CC/SE是辰达行推出的高电导率的开关二极管,产品采用SOT-23封装,具有快速开关速度、高电导率等优点,适用于通用开关应用。不同型号的电气特性一致:反向电压和非重复反向峰值电压均为100V,正向连续电流为300mA,平均整流输出电流为200mA,结温为150℃。
【产品】响应时间小于1ns的单向ESD保护二极管ESD5Z15,峰值脉冲功耗为200W
辰达行推出的ESD5Z15是一款单向ESD保护二极管,采用SOD-523塑料封装。其峰值脉冲功耗为200W(8/20μs),符合IEC 61000-4-2(ESD)等级4和IEC 61000-4-4(EFT)等级4的要求。工作电压为15V,漏电流低。
【产品】SOD-523塑料封装的ESD保护二极管ESD5B3CM,可用于敏感型ESD及瞬态电压保护场合
辰达行(Microdiode)其推出的SOD-523塑料封装ESD保护二极管ESD5B3CM,可用于保护电压敏感元件免受静电放电ESD和瞬态电压的影响。具有出色的钳位能力、低漏电流、快速响应的特点,对于优先考虑电路板空间的防静电保护应用来讲是理想的器件选择。由于其尺寸很小,所以该器件适用于对电路板空间要求高的应用,如手机、便携式设备、数码相机、电源及许多其他便携式应用。
【产品】SOT-23封装的双路CAN总线保护二极管SM24QC,峰值脉冲功耗为200W、工作电压为24V
辰达行推出的SM24QC双路CAN总线保护二极管,能够保护高速和容错网络中的CAN收发器,使其免受ESD及其他瞬态电压事件的损坏。该器件采用紧凑的SOT-23塑料封装,能为每条数据线提供双向保护,为系统设计师提供了一个提高系统可靠性、满足严格EMI要求的低成本选择。
【产品】DFN1006塑料封装的ESD保护单向TVS二极管ESD8D12W,可用于ESD及瞬态电压保护
ESD8D12W是辰达行推出的采用DFN1006塑料封装的ESD保护单向TVS二极管,可用于保护电压敏感元件免受静电放电ESD和瞬态电压的影响。具有出色的钳位能力、低漏电流、快速响应的特点,对于优先考虑电路板空间的防静电保护应用来讲是理想的器件选择。
【产品】SOD-523塑封的ESD保护二极管ESD5Z系列,工作电压2.5V-15V
辰达行(Microdiode)的ESD5Z系列是采用SOD-523塑料封装的ESD保护二极管,包括ESD5Z、ESD5Z2V5、ESD5Z3V3、ESD5Z5V0、ESD5Z6V0、ESD5Z7V0、ESD5Z12V、ESD5Z15V共8个型号,可用于保护电压敏感元件免受静电放电ESD和瞬态电压的影响。具有出色的钳位能力、低漏电流、快速响应的特点。
BZT52C2V0 - BZT52C75 SURFACE MOUNT ZENER DIODE
BZT52C-Series Small Singnal Zener Diodes SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes
SMF5.0A and SMF5.0CA THRU SMF440A and SMF440CA TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
ESD0301PBC Low Capacitance TVS/ESD Protection Diodes
SDxx Series SOD-323 Plastic-Encapsulate ESD Protection Diodes
BAV19WS/BAV20WS/BAV21WS Silicon Epitaxial Planar Diode 数据手册
BAV19WS/BAV20WS/BAV21WS Silicon Epitaxial Planar Diode 数据手册
SMF5.0(C)A THRU SMF170(C)A TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 数据手册
SD103AWT THRU SD103WT FAST SWITHING DIODES (SOD-523)
RL201 THRU RL207 GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER (DO-15)
【产品】采用SOD-523塑料封装的LESD5Z5.0C瞬态电压抑制二极管,峰值功耗为128W
辰达行推出的LESD5Z5.0C瞬态电压抑制二极管,采用SOD-523塑料封装,具有出色的箝位能力、低漏电流和快速响应时间,非常适用于电路板空间有限的设计的ESD保护。该器件可保护连接到数据线和传输线的敏感元件,使其免受由ESD、CDE和EFT引起的过电压影响。
【产品】SOD-323封装的双向超低电容TVS阵列GBLCxxCI系列,工作电压为3V~24V
辰达行推出的GBLCxxCI系列是SOD-323封装的双向超低电容TVS阵列,用于保护便携式电子产品和智能手机等应用。该系列提供单向和双向配置,在8/20μs波形条件下,其峰值功耗为350W。符合IEC 61000-4-2(ESD)和IEC 61000-4-4(EFT)的要求。在更高的工作频率或更快的边缘速率下,主要关注插入损耗和信号完整性。
【产品】采用SOT-23塑料封装的双向TVS二极管阵列SM05OC、SM12OC,峰值脉冲功耗为130W
辰达行推出的SMxxOC系列(SM05OC、SM12OC)双向TVS二极管阵列,采用SOT-23塑料封装,非常适合电路板空间有限的应用。可保护连接到电源、数据和传输线的敏感元件,使其免受由ESD、CDE和EFT引起的过电压影响。可保护两条双向线路。
【产品】采用DFN1006塑料封装,工作电压为36V的ESD保护二极管ESD8D36V,反向漏电流不超过5uA
辰达行推出的ESD8D36V是一款ESD保护二极管,采用DFN1006塑料封装,可保护电压敏感元件,使其免受ESD和瞬态电压事件的影响。ESD8D36V具有出色的钳位能力、低漏电流和快速响应时间,非常适合空间有限的设计的ESD保护。其峰值功耗为150mW(8/20μs)。
【产品】SOD-523塑封的ESD保护二极管ESD5B5C/L/U,反向工作电压为5V
辰达行(Microdiode)的ESD5B5CM、ESD5B5CL、ESD5B5CU是采用SOD-523塑封的ESD保护二极管,可用于保护电压敏感元件免受静电放电ESD和瞬态电压的影响。产品具有出色的钳位能力,低漏电流、快速响应等特点,对于优先考虑电路板空间的防静电保护应用是理想的选择。
【产品】3~36V的双向TVS二极管SDxxC系列,峰值脉冲功耗为350W
辰达行推出的SDxxC系列双向TVS二极管,采用SOD-323塑料封装,非常适合电路板空间有限的应用。可保护连接到电源、数据和传输线的敏感元件,使其免受由ESD、CDE和EFT引起的过电压影响。工作电压有3V、5V、8V、12V、15V、18V、20V、24V、36V可选。
【产品】反向峰值工作电压为3V~22V的共阳极齐纳二极管MMBZxxxAL系列,击穿电压为5.6V~27V
辰达行推出的MMBZxxxAL系列单片式双路硅齐纳二极管,采用SOT-23塑料封装,反向峰值工作电压为3V~22V,标准的齐纳击穿电压为5.6V~27V。采用双路共阳极设计,只需一个器件就能保护两条独立的线路,该系列器件非常适合电路板空间有限的应用。
【产品】电容仅0.25pF的TVS二极管ESD3Z5V0BU,提供ESD静电放电保护,采用超小型SOD-323塑料封装
辰达行推出的ESD3Z5V0BU是一款超低电容TVS二极管,用于保护寄生敏感系统,使其免受过压和过流瞬态事件的影响。采用超小型的SOD-323塑料封装,每个ESD3Z5V0BU器件可保护一条高速数据线,非常适合高速数据端口和高频线路应用,如手机和高清视频设备。
【产品】3V~24V的GBLCxxC系列超低电容TVS二极管阵列,峰值脉冲功耗为300W
辰达行推出的GBLCxxC系列是具有超低电容的TVS二极管阵列,可用于保护便携式电子产品和智能手机等应用。GBLCxxC系列提供单向和双向配置,在8/20μs波形条件下,其峰值脉冲功耗为300W。该系列二极管采用小型的SOD-323塑料封装,具有低漏电流。
【产品】SOD-523塑料封装的ESD保护二极管ESD5Z5.0C,可用于敏感型ESD及瞬态电压保护场合
ESD5Z5.0C是辰达行推出的采用SOD-523塑料封装的ESD保护二极管,可用于保护电压敏感元件免受静电放电ESD和瞬态电压的影响。具有出色的钳位能力、低漏电流、快速响应的特点,对于优先考虑电路板空间的防静电保护应用来讲是理想的器件选择。
【产品】3.3V~12V的ESD8Dxxx系列ESD保护二极管,采用DFN1006塑料封装,峰值功耗为150mW
辰达行推出的ESD8D3V3、ESD8D5V0、ESD8D8V0、ESD8D12V ESD保护二极管能使敏感元件免受ESD和瞬态电压的影响,工作电压分别为3.3V、5V、8V、12V。该系列二极管具有出色的箝位能力、低漏电流和快速响应时间,非常适用于电路板空间有限的设计的ESD保护。
【产品】3V~36V的SMxx系列单向TVS二极管阵列,采用SOT-23塑料封装,峰值脉冲功耗为350W
辰达行推出的SMxx系列单向TVS二极管阵列,采用SOT-23塑料封装,非常适合电路板空间有限的应用。SMxx系列器件的工作电压有3V、5V、8V、12V、15V、18V、20V、24V、36V可选,可保护连接到电源、数据和传输线的敏感元件,使其免受由ESD、CDE和EFT引起的过电压影响。
【产品】SOD-323封装的ESD保护二极管SDxx系列,工作电压3V -36V可选
SDxx系列是辰达行的ESD保护二极管,适用于对电压和ESD敏感的设备,专门设计用于保护连接到电源、数据和传输线上的敏感元件免受ESD(静电放电)、CDE(电缆放电事件)和EFT(电气快速瞬变)引起的过电压。封装为SOT-323,阻燃性等级符合UL 94V-0,工作电压有3-36V可选。
【产品】3~36V、峰值脉冲功率为350W的SDxx系列单向TVS二极管,采用SOD-323封装
辰达行推出的SDxx系列单向TVS二极管,采用SOD-323封装,非常适合电路板空间有限的应用。SDxx系列器件可保护连接到电源、数据和传输线的敏感元件,使其免受由ESD、CDE和EFT引起的过电压影响。可保护一条I/O线(单向)。
【产品】峰值脉冲功耗400W的TVS二极管阵列SM712,专为RS-485应用中的非对称线路保护而设计
辰达行的SM712 TVS二极管阵列专为多点数据传输标准RS-485应用中的非对称(12V至-7V)保护而设计。SM712可用于保护器件,使其免受由静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击引起的瞬态电压影响。具有400W(tp=8/20μs)功率处理能力,以消除扩展共模应用中可能出现的较高的瞬态电压,提供了更高的设备可靠性,高功率处理能力可以应对更多的瞬态条件,为使用者选型提供了充足的裕量。
【产品】齐纳反向电压2.0V~75V的表面贴装齐纳二极管BZT52C2V0S~BZT52C75S,最大功耗200mW
辰达行推出的表面贴装齐纳二极管BZT52C2V0S-BZT52C75S,重量约0.00548g,在IF=10mA时的正向电压VF极限值为0.9V,齐纳反向电压范围为2.0V至75V,采用小型塑料包装,适合表面安装设计,其性能优良。
【产品】峰值脉冲功率为350W的SMxxC系列双向TVS二极管阵列,工作电压3~36V
辰达行推出的SMxxC系列双向TVS二极管阵列,采用SOT-23塑料封装,峰值脉冲功耗为350W,是专为要求瞬态过电压保护能力的应用而设计的,适用于对电压和ESD敏感的设备,比如计算机、打印机、商用机器、通信系统和医疗设备等。该系列器件非常适合电路板空间有限的应用。
【产品】5V超低电容ESD保护二极管阵列SR05LC,SOT-143塑封,频率高达3GHz时仍具有低插入损耗
辰达行推出的SR05LC是一款超低电容ESD保护二极管阵列,其线到线电容的典型值为0.6pF,在频率高达3GHz时仍具有低插入损耗,提供了更好的信号完整性。该器件是专为保护连接到高速数据线和传输线的敏感元件而设计的,能够使敏感元件免受由ESD、CDE和EFT引起的过电压影响。
【产品】SOT-23塑料封装的肖特基势垒二极管BAT54/A/C/S,反向漏电流最大仅2μA
BAT54/A/C/S是辰达行推出的SOT-23塑料封装的肖特基势垒二极管。反向恢复时间最大仅5ns,产品具有超快的开关速度。25℃的温度条件下,正向压降最大仅1V(@IF=100mA),反向漏电流最大仅2μA。二极管电容最大为10pF。
【产品】额定齐纳电压3.3~200V的表面贴装齐纳二极管1SMB5913B~1SMB5956B系列
辰达行的表面贴装齐纳二极管1SMB5913B~1SMB5956B系列,采用小型塑封(DO-214AA/SMB),适合表面贴装设计,最大稳态功耗为550mW(@TA=25℃),结温和储存温度范围均为-55~150℃,额定齐纳电压从3.3~200V。
【产品】齐纳反向电压范围2V~75V的齐纳二极管BZT52C2V0~BZT52C75系列,最大总功耗500mW
辰达行推出的齐纳二极管BZT52C2V0~BZT52C75系列,齐纳反向电压范围宽至2V~75V,外壳采用JEDEC SOD-123模压塑料,重量约为0.016g。此外,还有优良的电气特性,其最大总功耗为500mW,在IF=10mA的条件下,正向电压的极限值为0.9V,是电子电气工程师在相关的应用的良好的选择。
专业的二极管、桥式整流器半导体企业:辰达行(Microdiode)
辰达行(Microdiode)是一家专业从事半导体分立器件研发生产的高新技术企业,拥有自主品牌“MDD”,致力于二极管晶圆芯片研发及生产,拥有多种封装形式的二极管/整流桥生产线,品种规格齐全。世强是辰达行官方授权一级代理商,代理辰达行旗下二极管,整流桥等产品,库存丰富,正品保证。用户可以查询获取来自辰达行的最新产品和技术资讯
【产品】3.3~200V齐纳二极管1N4728~1N4771,峰值脉冲功率1W,小电流下的齐纳阻抗很小
辰达行推出齐纳二极管1N4728~1N4771,齐纳电压3.3~200V,峰值脉冲功率1W,重量约0.33g,外壳采用JEDEC DO-41模压塑料,其IF=100mA下的最大正向压降为1.5V,存储温度范围为-55℃到+150℃,小电流下的齐纳阻抗很小,有着高可靠性等良好特性,焊锡耐热性:250 ℃ /10S,是电子电气工程师的良好选择。该产品符合ROHS标准。
【产品】3.3~200V表面贴装齐纳二极管1SMA4728A~1SMA200A,SMA封装,峰值脉冲功率1.0W
辰达行推出齐纳二极管1SMA4728A~1SMA200A,采用SMA方式封装,其齐纳电压为3.3到200V,峰值脉冲功率为1.0W,工作和储存温度范围为-55到+150℃,阻燃性符合UL94V-0标准。此外,它还有着低电感等良好特性,可用于用于表面安装应用,以优化电路板空间,这款产品是电子电气工程师的良好选择。