辰达行

【选型】辰达行（Microdiode）ESD防护器件/二极管/MOSFET/晶体管/整流桥选型指南（简版）

江苏辰达行电子有限公司是一家专业研发、生产二极管、桥式整流器的半导体企业。通过了 ISO9001: 2015质量管理体系、ISO14001环境管理体系认证；产品获得UL, SGS等认证，符合最新RoHS指令。主要生产整流二极管扩散片、普通及快恢复、瞬变抑制GPP芯片等产品； 生产和封装普通整流、快恢复、高效率、超快速、肖特基、整流桥、双向触发、高压、瞬态抑制、开关、稳压等类别。

【选型】国产P-MOS AO3401助力5G小基站实现低成本、同型号、pin-pin国产化替换

ALPHA＆OMEGA的P沟道MOSFET AO3401在5G通信小基站主要用于射频放大器电源上的通断控制，但于国产化、低成本、供应保障上的要求，需寻找替代料。辰达行的P-MOS AO3401实现低成本、同型号、pin to pin国产化替换，在设计、研发、采购方面更容易导入。

【产品】100V/0.15A的快速开关二极管1N4148WS，适用于通用开关应用

辰达行1N4148WS快速开关二极管，采用SOD-323封装，符合RoHS标准，具有高电导的特点。产品最大反向重复峰值电压为100V，平均整流输出电流为150mA。产品焊接性良好，重量仅0.02g，适用于通用开关应用。

【产品】1N4148W快速开关二极管，最大反向重复峰值电压为100V，最大反向恢复时间仅8ns

1N4148W是辰达行推出的快速开关二极管，采用玻璃钝化芯片结技术制成，最大反向重复峰值电压为100V，SOD-123FL封装，符合RoHS标准，最大反向恢复时间仅8ns，适用于表面安装应用。

江苏辰达行（Microdiode）电子有限公司品质管理简介2019

【产品】50~1000V的硅桥式整流器UG4KB05~UG4KB100系列，反向漏电流最大仅5μA

UG4KB05~UG4KB100是辰达行推出的D3K封装的硅桥式整流器，具有低正向压降和高电流能力的特点，最大反向重复峰值电压为50~1000V，直流反向漏电流最大仅5μA。产品符合RoHS标准，焊接性良好，安装简单。

辰达行（Microdiode) 公司介绍最新版

【产品】50~1000V/3A的UG3KBxx系列硅桥式整流器，D3K封装

辰达行推出的UG3KB05~UG3KB100硅桥式整流器，采用D3K封装，最大反向重复峰值电压为50~1000V，直流反向漏电流最大仅5μA，最大平均正向输出整流电流@TA=40℃为3A。

辰达行（Microdiode)官方授权代理证明/分销协议/授权书

【应用】基于国产系统级EOS、ESD防护器件的PD快充移动电源解决方案

辰达行针对快充移动电源安全问题提出快充移动电源系统级EOS、ESD防护解决方案，在其电源输入、输出端的电源线、数据传输线（D+、D-、CC1、CC2），电池端设置相应的 EOS、ESD 防护器件，以达成IEC61000-4-2 和 IEC61000-4-5 的测试标准。

【产品】50~1000V的表面贴装型高效整流器SOD1H1~SOD1H8系列，SOD-123FL封装

SOD1H1~SOD1H8是辰达行推出的表面贴装型高效整流器，采用SOD-123FL封装，具有低反向漏电流，符合RoHS标准。镀锡引脚，高温焊接可达250℃/10秒，适用于表面安装应用。

【产品】50~600V/1.0A的表面贴装通用硅整流二极管ES1AL~ES1JL系列

辰达行推出的ES1AL、ES1BL、ES1CL、ES1DL、ES1EL、ES1GL和ES1JL表面贴装通用硅整流二极管，反向电压50~600V，正向电流1.0A。采用玻璃钝化工艺、冶金结合结构，工作结温范围-55℃~+150℃。

【产品】60V/5A的肖特基势垒整流器SR560L，工作结温和存储温度为-50~+150℃

SR560L是辰达行推出的DO-201AD封装的肖特基势垒整流器，重量仅1.10克，采用焊接式安装。具有高浪涌保护能力，最大反向重复峰值电压为60V，工作结温和存储温度为-50~+150℃，符合工业级温度要求。

【产品】结电容仅0.25pF的TVS二极管，采用超小型DFN0603封装

辰达行推出的ESD03D6BU、ESD05D6BU是低电容的瞬态电压抑制二极管，采用超小型的DFN0603塑料封装，每个器件可保护一条高速数据线。具有低电容、超小尺寸和和高ESD稳健性的特点，非常适合高速数据端口和高频线应用，如手机和高清视频设备。

【产品】可提供双向保护的双路CAN总线保护二极管，峰值脉冲功耗为350W

辰达行推出的ESD2105L是一款双路CAN总线保护二极管，可用于保护高速和容错网络中的CAN收发器。采用紧凑的SOT-23塑料封装，能为每条数据线提供双向保护，为系统设计师提供了一个提高系统可靠性、满足严格EMI要求的低成本选择。

【产品】最大电容仅30pF的国产双向TVS二极管ESD0701OC，峰值功耗150W

辰达行推出的ESD0701OC是一款低电容的双向瞬态电压抑制二极管，采用超小型的DFN1006塑料封装，每个器件可保护一条数据线。其关断电压为7V，响应时间＜1ns，具有低钳位电压、低漏电流的特点，符合MSL 1湿敏等级要求。

【产品】采用DFN1006塑料封装的TVS二极管ESD0801PB，峰值脉冲功耗68W

辰达行推出的ESD0801PB是一款低电容的瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），能为数据线、控制线或电源线提供静电放电（ESD）保护。采用超小型的DFN1006塑料封装，每个器件可保护一条数据线。在空间有限的情况下提供了设计灵活性。

【产品】工作电压24V的TVS二极管ESD2401QC，峰值功耗为200W

辰达行推出的ESD2401QC是一款低电容的瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），能为数据线、控制线或电源线提供静电放电（ESD）保护。其最大电容仅17pF，可用于保护寄生敏感系统，使其免受过压和过流瞬态事件的影响。

【选型】快恢复二极管和超快恢复二极管的特性分析及选型思路

本文中，国产厂牌辰达行（Microdiode）将针对快恢复二极管和超快恢复二极管做特性分析，并给予选型思路的说明供各位读者参考。

【产品】50V~1000V/5A的超快速整流器US5ABF系列，SMBF塑料封装

US5ABF/US5BBF/US5DBF/US5GBF/US5JBF/US5KBF/US5MBF是辰达行推出的超快速整流器，采用SMBF塑料封装，易燃性等级为UL94V-0，符合RoHS标准。产品具有低反向漏电流，高正向浪涌电流能力的特点，适用于表面安装应用。

【产品】齐纳电压2.56~212V的快恢复玻璃钝化整流器DL47系列，MINI MELF封装

DL47是辰达行推出的快速恢复玻璃钝化整流器系列，采用MINI MELF塑料封装，耗散功率500mW，齐纳电压范围为2.56~212V，齐纳阻抗低，产品自身的损耗较少。

【应用】国产瞬态电压抑制二极管(TVS)SMBJ5.0CA在维护电路中的运用

经过在热插拔电路维护和轿车电源线维护中典型运用电路的实例，本文具体讨论怎么正确运用辰达行TVS管SMBJ5.0CA以及如何使其运用作用到达最佳。SMBJ5.0CA具有15KV空气放电和30KV接触放电的ESD防护等级，小于1ps的呼应速率等优秀特性。

【选型】进行TVS管选型的6个要点和7大参数

本文中，国产品牌辰达行（MDD）将具体说明选型TVS管的方法和注意事项，供各位读者参考。需要考虑的重要参数包括：击穿电压V(BR)、最大反向脉冲峰值电流Ippm、最大反向工作电压VRWM、最大箝位电压VC(max)、反向脉冲峰值功率Pppm、电容CPP、漏电流IR。

辰达行整流桥DB207S进军快充供应链，电气性能获得世界500强企业认可

在ABB最近推出的一款壁装式无线充电插座中采用了1颗MDD DB207S整流桥，产品的电气性能获得世界500强企业认可。这款整流桥最大反向重复峰值电压达1000V，最大均方根电压700V，最大直流阻断电压1000V，最大平均正向整流电流2A，最大瞬时正向压降仅1.1V。

【产品】SOD-323封装的TVS管ESD3Z3.3L，用于高速数据端口和高频线路应用

ESD3Z3.3L是辰达行一款用于为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护的低电容瞬态电压抑制器（TVS），采用超小型SOD-323封装。每个ESD3Z3.3L设备可保护一条高速数据线。在以空间为首要考虑因素的情况下，它为系统设计者在保护单个数据线方面提供了灵活性。ESD3Z3.3L具有低电容、超小尺寸和高ESD鲁棒性的特点，是高速数据端口和高频线路应用的理想选择，如手机和高清视频设备。

【产品】5～170V/3000W的国产瞬态电压抑制器SMDJ5.0～SMDJ170CA

SMDJ5.0～SMDJ170CA是辰达行旗下采用DO-214AB/SMC封装的瞬态电压抑制器，峰值脉冲功耗为3000W，关断电压的可选范围是5.0~170V，适用于 I/O接口、 AC/DC电源、 低频信号传输线（RS232、RS485等）。

【产品】SOT-26塑封的超低电容ESD保护阵列ESD0504TL，用于高速数据线瞬态保护

辰达行（Microdiode）的ESD0504TL是一款用于保护高速数据接口的超低电容瞬态电压抑制器（TVS），采用超小型SOT-26封装。ESD0504TL的典型电容仅为0.20pF（I/O到I/O），旨在保护寄生敏感系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。

【应用】增强型P沟通MOSFET AO3401助力单线激光传感器模块电源开关设计，VDS达-30V

为满足单线激光传感器模块低功耗设计需求，可通过P沟道MOSFET设计实现，本文重点推荐选择国产品牌辰达行的AO3401，采用SOT23封装，最大漏源电压为-30V，最大持续漏电流为-4.2A，最大导通电阻低至55mΩ。

【产品】3.3~240V的表面贴装齐纳二极管1SMA5913A~1SMA5957A，峰值脉冲功率1.5W

辰达行推出的表面贴装齐纳二极管1SMA5913A~1SMA5957A系列，齐纳电压3.3~240V，峰值脉冲功率为1.5W，全系列采用DO-214AC/SMA封装，具有低电感的优良特性，工作结温和储存温度范围为-65到+150℃，阻燃性符合UL94V-0标准，符合RoHS标准。

【产品】辰达行推出新款氮化镓PD快充专用贴片式软桥，实现更简洁、更高密度的快充电源方案

氮化镓快充的高频特性往往会带来EMI的问题，这导致了更多或者更大的EMI抑制器件的使用。为解决这一难题，辰达行针对性推出了贴片式软桥系列产品，帮助快充电源工程师实现更高的功率密度以及更好的EMI特性。

【产品】用于75W氮化镓快充电源的新款软桥TTR8MF，耐压高达1000V

为了解决高密度快充电源开发过程中的EMI难题，辰达行针对性地推出了TTR8MF软桥产品，可以有效减少X电容、共模电感、差模电感等EMI抑制器件的使用数量或者减小使用规格，从而实现更简洁、更高密度的快充电源方案。

【选型】5V/2A充电器中二极管、整流桥如何选型？

5V/2A充电器中，交流220V输入部分，需要用到整流桥把交流转换成直流；直流5V输出负载部分，需要肖特基二极管进行高频整流。辰达行的桥堆MB6S和ABS210，具有高浪涌电流能力，高电流能力，低正向压降，符合UL标准和ROHS标准，是应用到这里的优秀选择。​

【产品】最大电容仅4.5pF的双向ESD保护二极管ESD05D6CU，峰值功耗为35W

辰达行推出的ESD05D6CU是一款低电容的双向ESD保护二极管，可保护电压敏感元件，使其免受ESD和瞬态电压事件的影响。ESD05D6CU具有出色的钳位能力、低漏电流和快速响应时间，非常适合电路板空间有限的设计的ESD保护。采用DFN0603塑料封装，尺寸小。

【产品】击穿电压6.8~440V的瞬态电压抑制器1.5KE6.8~1.5KE440CA系列，峰值脉冲功率达1500W

辰达行旗下可以快速响应的玻璃钝化结瞬态电压抑制器1.5KE6.8~1.5KE440CA系列，该系列产品具有出色的钳位能力，峰值脉冲功率可达1500W，击穿电压6.8~440V，采用DO-210AD封装。

血氧仪上选择辰达行的电源芯片TL431做调压输出到3.0V，请问参考电阻是多少？

参考电阻可依据公式Vo=（1+R1/R2）*Vref得到，其中Vo=3V，Vref=2.5V，参考电阻R1/R2=0.2。

【产品】隔离电压5~170V的单向玻璃钝化结瞬态电压抑制器SA5.0(C)A~SA170(C)A系列

辰达行旗下可以快速响应的单向玻璃钝化结瞬态电压抑制器SA5.0(C)A~SA170(C)A系列，隔离电压5~170V。该系列产品具有出色的钳位能力，峰值脉冲功率可达500W，采用DO-15封装。

采用DFN1006塑料封装的TVS二极管ESD0301L、ESD0501L，结电容典型值为0.4pF

辰达行推出的ESD0301L、ESD0501L是低电容的瞬态电压抑制二极管，每个器件可保护一条高速数据线，在空间有限的情况下，为系统设计师提供了设计灵活性。具有低电容、超小尺寸和和高ESD稳健性的特点，非常适合高速数据端口和高频线应用，如手机和高清视频设备。

【产品】1.6×0.8×0.75mm的TVS二极管ESD0502T5CU，电容典型值仅1.5pF

辰达行推出的ESD0502T5CU是一款超低电容的瞬态电压抑制二极管，采用小型的SOT-523塑料封装，每个器件可保护两条高速数据线，具有低电容、小尺寸和高ESD稳健性，非常适合高速数据端口和高频线应用，峰值功耗为28W（8/20μs）。

【产品】2.9×2.4×1.0mm的超低电容TVS二级管ESD0302TL、ESD0502TL

辰达行推出的ESD0302TL、ESD0502TL是超低电容的瞬态电压抑制二极管，电容典型值仅0.2pF（I/O到I/O）。采用小型的SOT-23塑料封装，每个器件可保护两条高速数据线。具有低电容、小尺寸和高ESD稳健性，非常适合高速数据端口和高频线应用。

【产品】SMFx.x(C)A，SMFxxx(C)A，SMFxx(C)A系列瞬态电压抑制器，薄型封装，采用玻璃钝化接面

辰达行推出了薄型封装的瞬态电压抑制器，该产品型号命名为SMFx.x(C)A，SMFxxx(C)A，SMFxx(C)A，其中x表示数字。该系列产品采用模压塑料机身，塑料包装符合UL认证。

【产品】采用SOT-363塑料封装的TVS二极管阵列ESD0504F，电容典型值仅0.20pF

辰达行推出的ESD0504F是一款超低电容的瞬态电压抑制二极管阵列，每个器件可保护4条高速数据线和一条Vcc线。具有超低电容、小尺寸和高ESD稳健性，每个I/O引脚可承受超过1000次的ESD冲击（±8kV接触放电），非常适合高速数据端口和高频线应用，如HDMI和DVI。

【产品】采用DFN1006塑料封装的ESD保护二极管ESD0501OC，电容典型值仅10pF

辰达行推出的ESD0501OC是一款低电容的瞬态电压抑制二极管，能为数据线、控制线或电源线提供静电放电保护，其电容典型值仅10pF。具有低漏电流和低钳位电压，每个I/O引脚可承受超过1000次的ESD冲击（±8kV接触放电）。

【产品】辰达行的大电流6A/8A、TTF封装贴片整流桥系列

随着电子设备充电器的兼容和充电速度的提升，充电器的功率不断增大，同时为便于携带要求体积不能增加，这就要求整流桥在体积增加不大的情况下通过更大的电流，就有了对贴片整流桥的要求。在这些情况下，辰达行电子推出了TTF系列贴片整流桥。TTF封装的整流桥电流最大可以做到8/6/4A，属于贴片封装桥，可直接替换GBU810 8A、1000V整流桥，完美替代GBL等大插件、高耗人工的直插整流桥！

【产品】采用SOT-523塑料封装的TVS/ESD保护二极管ESD0502T5L，电容仅0.2pF、峰值功耗60W

辰达行推出的ESD0502T5L是一款超低电容的瞬态电压抑制二极管（TVS管），能为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护。ESD0502T5L采用小型的SOT-523塑料封装，每个器件可保护两条高速数据线。ESD0502T5L具有低电容、小尺寸和高ESD稳健性，非常适合高速数据端口和高频线应用。

【产品】电容仅0.2pF的TVS二极管阵列ESD0524P，可保护4条高速数据线

辰达行推出的ESD0524P是一款超低电容的瞬态电压抑制二极管阵列，可为非对称数据线提供瞬态保护。采用超小型的DFN2510塑料封装，具有高ESD稳健性，每个I/O引脚可承受超过1000次的ESD冲击（±8kV接触放电）。

【产品】采用DFN1006塑料封装的TVS二极管ESD1201OC，峰值功耗为150W、响应时间小于1ns

辰达行推出的ESD1201OC是一款低电容的瞬态电压抑制二极管，能为数据线、控制器或电源线提供静电放电保护。采用超小型的DFN1006塑料封装，每个器件可保护一条高速数据线。其电容最大值仅15pF，关断电压为12V。

【应用】辰达行ESD保护阵列ESD0524P用于HDMI接口电路防静电保护，结电容小于0.2pF

ESD0524P的结电容小于0.2pF，在HDMI最高速率时都可以完整传输信号，封装为DFN2510，体积小，节约PCB空间，便于工程师设计，可分别在HDMI的数据线，时钟频率等传输线用TVS对地做防护，钳位静电电压。

【产品】30pF低结电容的双向TVS二极管ESD0501CM，峰值功耗400W

辰达行推出的ESD0501CM是一款低电容的双向TVS二极管，具有出色的钳位能力、低漏电流和快速响应时间。采用DFN1006塑料封装，尺寸小，适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和其他电路板空间有限的便携式应用；电容小，适用于高频设计，如USB 2.0、VGA、DVI、SDI等高速线应用。

【产品】电容典型值仅0.2pF的TVS二极管阵列ESD0522P，超小型DFN1610-6L塑料封装、可保护两条I/O线

辰达行推出的ESD0522P是一款超低电容的瞬态电压抑制二极管阵列，其电容典型值仅0.2pF（I/O到I/O），峰值脉冲功耗为60W（8/20μs），反向工作电压为5.0V，反向击穿电压为6.0V，反向漏电流为100nA。

【产品】结电容典型值为0.25pF的TVS二极管ESD0501BU，采用超小型的DFN1006塑料封装

辰达行推出的ESD0501BU是一款低电容的瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），能为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护。其结电容典型值为0.25pF，可保护寄生敏感系统，使其免受过压和过流瞬态事件的影响。

【产品】为高速数据线提供瞬态ESD保护的瞬态电压抑制二极管ESD0301PBC，最大电容值为15pF

辰达行推出的ESD0301PBC是一款低电容的瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用超小型的DFN1006塑料封装，可为数据线、控制线或电源线提供静电放电（ESD）保护，其最大电容值为15pF，用于保护寄生敏感系统，使其免受过压和过流瞬态事件的影响。

【产品】电容仅0.2pF的ESD0302L瞬态电压抑制二极管，峰值功耗为56W

辰达行推出的ESD0302L是一款超低电容的瞬态电压抑制二极管，能为高速数据接口提供静电放电保护。其电容典型值仅0.2pF（I/O到I/O），可保护寄生敏感系统，使其免受过压和过流瞬态事件的影响。采用2.9mm×2.4mm×1.0mm的DFN1006-3L塑料封装，每个器件可保护两条高速数据线。

【产品】电容为0.5pF的ESD0301BL瞬态电压抑制二极管，峰值功耗达100W

辰达行推出的ESD0301BL是一款低电容的瞬态电压抑制二极管，能为高速数据接口提供静电放电保护。采用超小型的DFN1006塑料封装，每个器件可保护一条高速数据线。具有低电容、超小尺寸和和高ESD稳健性的特点，非常适合高速数据端口和高频线路应用，如手机和高清视频设备。

【产品】SOD-523塑料封装的瞬态电压抑制器ESD5Z3.3C，可用于敏感型ESD及瞬态电压保护场合

辰达行推出的ESD5Z3.3C是采用SOD-523塑料封装的瞬态电压抑制器ESD保护二极管，可用于保护电压敏感元件免受静电放电ESD和瞬态电压的影响。具有出色的钳位能力、低漏电流、快速响应的特点，对于优先考虑电路板空间的防静电保护应用来讲是理想的器件选择。

【产品】SOT-23塑料封装的晶体管BC817系列，集电极电流为0.5A，直流电流增益最高可达600

辰达行推出的SOT-23塑料封装晶体管BC817系列，集电极电流为0.5A，集电极-发射极饱和电压最大仅0.7V。BC817与PNP型晶体管BC807互补配对，主要用于自动对焦(AF)应用。

【产品】SOD-523塑料封装的TVS二极管ESD5Z36，工作电压为36V

辰达行推出的ESD5Z36是一款TVS二极管，可保护电压敏感元件，使其免受ESD和瞬态电压事件的影响。ESD5Z36具有出色的钳位能力、低漏电流和快速响应时间，非常适合空间有限的设计的ESD保护。采用SOD-523塑料封装，尺寸小，适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和其他便携式应用。

【产品】专为保护电压敏感元件而设计的LESD3Z5.0C瞬态电压抑制二极管，峰值功耗128W（8/20μs）

辰达行推出的LESD3Z5.0C瞬态电压抑制二极管，采用SOD-323塑料封装，其峰值功耗为128W（8/20μs）。该二极管具有出色的钳位能力、低漏电流和快速响应时间，非常适用于电路板空间有限的设计的ESD保护。

【产品】SOD-523塑料封装的ESD保护二极管ESD5Z24，可用于ESD及瞬态电压保护

辰达行ESD5Z24是一款采用SOD-523塑料封装的ESD保护二极管，可用于保护电压敏感元件免受静电放电ESD和瞬态电压的影响。具有出色的钳位能力、低漏电流、快速响应的特点，对于优先考虑电路板空间的防静电保护应用来讲是理想的器件选择。由于其尺寸很小，所以该器件适用于对电路板空间要求高的应用，如手机、便携式设备、数码相机、电源及许多其他便携式应用。

【产品】 超小型SOD-523塑封的超低电容TVS管ESD5Z5.0/3.3L，电容典型值0.4pF

​辰达行推出的ESD5Z5.0L，ESD5Z3.3L是超低电容TVS管，旨在为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护。 该系列器件具有0.4pF的电容典型值，旨在保护寄生敏感系统免受过压和过电流瞬态事件的影响。该系列器件采用超小型SOD-523塑封，电容典型值0.4pF。

【产品】SOT-23封装的开关二极管MMBD4148A/CA/CC/SE，正向压降最大仅1V

MMBD4148A/CA/CC/SE是辰达行推出的高电导率的开关二极管，产品采用SOT-23封装，具有快速开关速度、高电导率等优点，适用于通用开关应用。不同型号的电气特性一致：反向电压和非重复反向峰值电压均为100V，正向连续电流为300mA，平均整流输出电流为200mA，结温为150℃。

【产品】响应时间小于1ns的单向ESD保护二极管ESD5Z15，峰值脉冲功耗为200W

辰达行推出的ESD5Z15是一款单向ESD保护二极管，采用SOD-523塑料封装。其峰值脉冲功耗为200W（8/20μs），符合IEC 61000-4-2（ESD）等级4和IEC 61000-4-4（EFT）等级4的要求。工作电压为15V，漏电流低。

【产品】SOD-523塑料封装的ESD保护二极管ESD5B3CM，可用于敏感型ESD及瞬态电压保护场合

辰达行（Microdiode）其推出的SOD-523塑料封装ESD保护二极管ESD5B3CM，可用于保护电压敏感元件免受静电放电ESD和瞬态电压的影响。具有出色的钳位能力、低漏电流、快速响应的特点，对于优先考虑电路板空间的防静电保护应用来讲是理想的器件选择。由于其尺寸很小，所以该器件适用于对电路板空间要求高的应用，如手机、便携式设备、数码相机、电源及许多其他便携式应用。

【产品】SOT-23封装的双路CAN总线保护二极管SM24QC，峰值脉冲功耗为200W、工作电压为24V

辰达行推出的SM24QC双路CAN总线保护二极管，能够保护高速和容错网络中的CAN收发器，使其免受ESD及其他瞬态电压事件的损坏。该器件采用紧凑的SOT-23塑料封装，能为每条数据线提供双向保护，为系统设计师提供了一个提高系统可靠性、满足严格EMI要求的低成本选择。

【产品】DFN1006塑料封装的ESD保护单向TVS二极管ESD8D12W，可用于ESD及瞬态电压保护

ESD8D12W是辰达行推出的采用DFN1006塑料封装的ESD保护单向TVS二极管，可用于保护电压敏感元件免受静电放电ESD和瞬态电压的影响。具有出色的钳位能力、低漏电流、快速响应的特点，对于优先考虑电路板空间的防静电保护应用来讲是理想的器件选择。

【产品】SOD-523塑封的ESD保护二极管ESD5Z系列，工作电压2.5V-15V

辰达行（Microdiode）的ESD5Z系列是采用SOD-523塑料封装的ESD保护二极管，包括ESD5Z、ESD5Z2V5、ESD5Z3V3、ESD5Z5V0、ESD5Z6V0、ESD5Z7V0、ESD5Z12V、ESD5Z15V共8个型号，可用于保护电压敏感元件免受静电放电ESD和瞬态电压的影响。具有出色的钳位能力、低漏电流、快速响应的特点。

BZT52C2V0 - BZT52C75 SURFACE MOUNT ZENER DIODE

【产品】采用SOD-523塑料封装的LESD5Z5.0C瞬态电压抑制二极管，峰值功耗为128W

辰达行推出的LESD5Z5.0C瞬态电压抑制二极管，采用SOD-523塑料封装，具有出色的箝位能力、低漏电流和快速响应时间，非常适用于电路板空间有限的设计的ESD保护。该器件可保护连接到数据线和传输线的敏感元件，使其免受由ESD、CDE和EFT引起的过电压影响。

【产品】SOD-323封装的双向超低电容TVS阵列GBLCxxCI系列，工作电压为3V~24V

辰达行推出的GBLCxxCI系列是SOD-323封装的双向超低电容TVS阵列，用于保护便携式电子产品和智能手机等应用。该系列提供单向和双向配置，在8/20μs波形条件下，其峰值功耗为350W。符合IEC 61000-4-2（ESD）和IEC 61000-4-4（EFT）的要求。在更高的工作频率或更快的边缘速率下，主要关注插入损耗和信号完整性。

【产品】采用SOT-23塑料封装的双向TVS二极管阵列SM05OC、SM12OC，峰值脉冲功耗为130W

辰达行推出的SMxxOC系列（SM05OC、SM12OC）双向TVS二极管阵列，采用SOT-23塑料封装，非常适合电路板空间有限的应用。可保护连接到电源、数据和传输线的敏感元件，使其免受由ESD、CDE和EFT引起的过电压影响。可保护两条双向线路。

【产品】采用DFN1006塑料封装，工作电压为36V的ESD保护二极管ESD8D36V，反向漏电流不超过5uA

辰达行推出的ESD8D36V是一款ESD保护二极管，采用DFN1006塑料封装，可保护电压敏感元件，使其免受ESD和瞬态电压事件的影响。ESD8D36V具有出色的钳位能力、低漏电流和快速响应时间，非常适合空间有限的设计的ESD保护。其峰值功耗为150mW（8/20μs）。

【产品】SOD-523塑封的ESD保护二极管ESD5B5C/L/U，反向工作电压为5V

辰达行（Microdiode）的ESD5B5CM、ESD5B5CL、ESD5B5CU是采用SOD-523塑封的ESD保护二极管，可用于保护电压敏感元件免受静电放电ESD和瞬态电压的影响。产品具有出色的钳位能力，低漏电流、快速响应等特点，对于优先考虑电路板空间的防静电保护应用是理想的选择。

【产品】3~36V的双向TVS二极管SDxxC系列，峰值脉冲功耗为350W

辰达行推出的SDxxC系列双向TVS二极管，采用SOD-323塑料封装，非常适合电路板空间有限的应用。可保护连接到电源、数据和传输线的敏感元件，使其免受由ESD、CDE和EFT引起的过电压影响。工作电压有3V、5V、8V、12V、15V、18V、20V、24V、36V可选。

【产品】反向峰值工作电压为3V~22V的共阳极齐纳二极管MMBZxxxAL系列，击穿电压为5.6V~27V

辰达行推出的MMBZxxxAL系列单片式双路硅齐纳二极管，采用SOT-23塑料封装，反向峰值工作电压为3V~22V，标准的齐纳击穿电压为5.6V~27V。采用双路共阳极设计，只需一个器件就能保护两条独立的线路，该系列器件非常适合电路板空间有限的应用。

【产品】电容仅0.25pF的TVS二极管ESD3Z5V0BU，提供ESD静电放电保护，采用超小型SOD-323塑料封装

辰达行推出的ESD3Z5V0BU是一款超低电容TVS二极管，用于保护寄生敏感系统，使其免受过压和过流瞬态事件的影响。采用超小型的SOD-323塑料封装，每个ESD3Z5V0BU器件可保护一条高速数据线，非常适合高速数据端口和高频线路应用，如手机和高清视频设备。

【产品】3V~24V的GBLCxxC系列超低电容TVS二极管阵列，峰值脉冲功耗为300W

辰达行推出的GBLCxxC系列是具有超低电容的TVS二极管阵列，可用于保护便携式电子产品和智能手机等应用。GBLCxxC系列提供单向和双向配置，在8/20μs波形条件下，其峰值脉冲功耗为300W。该系列二极管采用小型的SOD-323塑料封装，具有低漏电流。

【产品】SOD-523塑料封装的ESD保护二极管ESD5Z5.0C，可用于敏感型ESD及瞬态电压保护场合

ESD5Z5.0C是辰达行推出的采用SOD-523塑料封装的ESD保护二极管，可用于保护电压敏感元件免受静电放电ESD和瞬态电压的影响。具有出色的钳位能力、低漏电流、快速响应的特点，对于优先考虑电路板空间的防静电保护应用来讲是理想的器件选择。

【产品】3.3V~12V的ESD8Dxxx系列ESD保护二极管，采用DFN1006塑料封装，峰值功耗为150mW

辰达行推出的ESD8D3V3、ESD8D5V0、ESD8D8V0、ESD8D12V ESD保护二极管能使敏感元件免受ESD和瞬态电压的影响，工作电压分别为3.3V、5V、8V、12V。该系列二极管具有出色的箝位能力、低漏电流和快速响应时间，非常适用于电路板空间有限的设计的ESD保护。

【产品】3V~36V的SMxx系列单向TVS二极管阵列，采用SOT-23塑料封装，峰值脉冲功耗为350W

辰达行推出的SMxx系列单向TVS二极管阵列，采用SOT-23塑料封装，非常适合电路板空间有限的应用。SMxx系列器件的工作电压有3V、5V、8V、12V、15V、18V、20V、24V、36V可选，可保护连接到电源、数据和传输线的敏感元件，使其免受由ESD、CDE和EFT引起的过电压影响。

【产品】SOD-323封装的ESD保护二极管SDxx系列，工作电压3V -36V可选

SDxx系列是辰达行的ESD保护二极管，适用于对电压和ESD敏感的设备，专门设计用于保护连接到电源、数据和传输线上的敏感元件免受ESD(静电放电)、CDE(电缆放电事件)和EFT(电气快速瞬变)引起的过电压。封装为SOT-323，阻燃性等级符合UL 94V-0，工作电压有3-36V可选。

【产品】3~36V、峰值脉冲功率为350W的SDxx系列单向TVS二极管，采用SOD-323封装

辰达行推出的SDxx系列单向TVS二极管，采用SOD-323封装，非常适合电路板空间有限的应用。SDxx系列器件可保护连接到电源、数据和传输线的敏感元件，使其免受由ESD、CDE和EFT引起的过电压影响。可保护一条I/O线（单向）。

【产品】峰值脉冲功耗400W的TVS二极管阵列SM712，专为RS-485应用中的非对称线路保护而设计

辰达行的SM712 TVS二极管阵列专为多点数据传输标准RS-485应用中的非对称（12V至-7V）保护而设计。SM712可用于保护器件，使其免受由静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击引起的瞬态电压影响。具有400W（tp=8/20μs）功率处理能力，以消除扩展共模应用中可能出现的较高的瞬态电压，提供了更高的设备可靠性，高功率处理能力可以应对更多的瞬态条件，为使用者选型提供了充足的裕量。

【产品】齐纳反向电压2.0V~75V的表面贴装齐纳二极管BZT52C2V0S~BZT52C75S，最大功耗200mW

辰达行推出的表面贴装齐纳二极管BZT52C2V0S-BZT52C75S，重量约0.00548g，在IF=10mA时的正向电压VF极限值为0.9V，齐纳反向电压范围为2.0V至75V，采用小型塑料包装，适合表面安装设计，其性能优良。

【产品】峰值脉冲功率为350W的SMxxC系列双向TVS二极管阵列，工作电压3~36V

辰达行推出的SMxxC系列双向TVS二极管阵列，采用SOT-23塑料封装，峰值脉冲功耗为350W，是专为要求瞬态过电压保护能力的应用而设计的，适用于对电压和ESD敏感的设备，比如计算机、打印机、商用机器、通信系统和医疗设备等。该系列器件非常适合电路板空间有限的应用。

【产品】5V超低电容ESD保护二极管阵列SR05LC，SOT-143塑封，频率高达3GHz时仍具有低插入损耗

辰达行推出的SR05LC是一款超低电容ESD保护二极管阵列，其线到线电容的典型值为0.6pF，在频率高达3GHz时仍具有低插入损耗，提供了更好的信号完整性。该器件是专为保护连接到高速数据线和传输线的敏感元件而设计的，能够使敏感元件免受由ESD、CDE和EFT引起的过电压影响。

【产品】SOT-23塑料封装的肖特基势垒二极管BAT54/A/C/S，反向漏电流最大仅2μA

BAT54/A/C/S是辰达行推出的SOT-23塑料封装的肖特基势垒二极管。反向恢复时间最大仅5ns，产品具有超快的开关速度。25℃的温度条件下，正向压降最大仅1V(@IF=100mA)，反向漏电流最大仅2μA。二极管电容最大为10pF。

【产品】额定齐纳电压3.3~200V的表面贴装齐纳二极管1SMB5913B~1SMB5956B系列

辰达行的表面贴装齐纳二极管1SMB5913B~1SMB5956B系列，采用小型塑封（DO-214AA/SMB），适合表面贴装设计，最大稳态功耗为550mW（@TA=25℃），结温和储存温度范围均为-55~150℃，额定齐纳电压从3.3~200V。

【产品】齐纳反向电压范围2V~75V的齐纳二极管BZT52C2V0~BZT52C75系列，最大总功耗500mW

辰达行推出的齐纳二极管BZT52C2V0~BZT52C75系列，齐纳反向电压范围宽至2V~75V，外壳采用JEDEC SOD-123模压塑料，重量约为0.016g。此外，还有优良的电气特性，其最大总功耗为500mW，在IF=10mA的条件下，正向电压的极限值为0.9V，是电子电气工程师在相关的应用的良好的选择。

专业的二极管、桥式整流器半导体企业：辰达行（Microdiode)

辰达行（Microdiode）是一家专业从事半导体分立器件研发生产的高新技术企业，拥有自主品牌“MDD”，致力于二极管晶圆芯片研发及生产，拥有多种封装形式的二极管/整流桥生产线，品种规格齐全。世强是辰达行官方授权一级代理商，代理辰达行旗下二极管，整流桥等产品，库存丰富，正品保证。用户可以查询获取来自辰达行的最新产品和技术资讯

【产品】3.3~200V齐纳二极管1N4728~1N4771，峰值脉冲功率1W，小电流下的齐纳阻抗很小

辰达行推出齐纳二极管1N4728~1N4771，齐纳电压3.3~200V，峰值脉冲功率1W，重量约0.33g，外壳采用JEDEC DO-41模压塑料，其IF=100mA下的最大正向压降为1.5V，存储温度范围为-55℃到+150℃，小电流下的齐纳阻抗很小，有着高可靠性等良好特性，焊锡耐热性：250 ℃ /10S，是电子电气工程师的良好选择。该产品符合ROHS标准。

【产品】3.3~200V表面贴装齐纳二极管1SMA4728A~1SMA200A，SMA封装，峰值脉冲功率1.0W

辰达行推出齐纳二极管1SMA4728A~1SMA200A，采用SMA方式封装，其齐纳电压为3.3到200V，峰值脉冲功率为1.0W，工作和储存温度范围为-55到+150℃，阻燃性符合UL94V-0标准。此外，它还有着低电感等良好特性，可用于用于表面安装应用，以优化电路板空间，这款产品是电子电气工程师的良好选择。

辰达行（Microdiode)官方授权代理证明/分销协议/授权书

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