长晶科技
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长晶科技产品选型帮助
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【选型】长晶科技(JSCJ)频率器件频率器件/二极管/晶体管/MOSFET/IC产品/复合管/可控硅选型指南
鼎阳射频/微波信号发生器
鼎阳科技SSG3000X和SSG5000X系列射频信号发生器,其输出频率高达6 GHz,最大输出功率为+26 dBm,拥有低至-120 dBc/Hz的高纯度相位噪声,内部基带源带宽可达150 MHz;SSG3000X和SSG5000X系列支持多种调制方式,包括AM / FM/ PM 模拟调制、脉冲调制、IQ调制等;SSG5000X内置IQ 基带源,可产生常用的数字调制信号,以及 5G NR,WLAN, LTE,WCDMA,GSM,CDMA,BLUETOOTH。两款产品都延续了鼎阳X系列极简的设计风格,菜单层级简明易懂,标配电容触摸屏,支持外接鼠标键盘,支持远程桌面,是鼎阳科技射频领域的代表之作!
鼎阳矢量网络分析仪选型器
鼎阳科技矢量网络分析仪是具有多种功能的射频测量仪器,其测量频率高达8.5GHz,支持4端口S参数测量,差分(平衡)测量,时域测量,滤波器插入损耗、带宽、Q值等一键测量,支持端口阻抗转换、端口扩展功能,支持极限测试、纹波测试功能,支持夹具仿真和去嵌入功能,支持线性频率扫描、对数频率扫描、分段频率扫描、线性功率扫描方式,支持SOLT、SOLR、TRL、Response、Enhanced Response等校准方法,并且鼎阳科技具有集频谱分析仪和矢量网络分析仪于一体的产品,可广泛应用于滤波器,双工器,天线,有源器件,射频线缆等领域的研发,生产制造。
鼎阳频谱分析仪选型器
鼎阳科技频谱分析仪,测量频率范围涵盖9 kHz~7.5 GHz,重量轻,体积小,具有便捷的操作界面和简洁的显示风格。采用了成熟的数字中频技术,最小分辨率带宽(RBW)低至1 Hz,标配前置放大器,显示平均噪声电平(DANL )可达-165 dBm/Hz(典型值),具备出色的微小信号测量能力;相位噪声<-98 dBc/Hz(偏移10 kHz),全幅度精度<0.7 dB,测量结果更加精确可信,适用于研发,教育,生产,维修和其他相关领域,满足广泛的应用需求。
型号 | 描述 | 供应商/品质保证 | 价格(含增值税) |
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分离MOS CJ series系列 分离MOS,V(BR)DSS-20V VGS±8V ID-4A VGS(th)Max -0.3~-1V Ciss1450PF Coss205PF Crss160PF Qg17.2nC SOT-23 最小包装量:3,000 |
世强先进(深圳)科技股份有限公司 原厂认证 世强代理 选型推荐 世强自营 一支起订 |
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肖特基二极管 SK series系列 肖特基二极管,IO8000mA VR40V VF0.55V IR500uA SMCG 最小包装量:3,000 |
世强先进(深圳)科技股份有限公司 原厂认证 世强代理 选型推荐 供货保障 世强自营 一支起订 |
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晶体管 2SC554系列 晶体管,PCM0.5W IC2A VCBO100V VCEO100V VEBO6V hFE82Min hFE270Max hFE@VCE3V hFE@IC0.1A VCE(sat)0.2V VCE(sat)@IC0.5A VCE(sat)@IB0.025A SOT-89-3L 最小包装量:1,000 |
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32.768KHz晶振 CJK05系列 32.768KHZ,12.5PF,20PPM,7.0*1.4*1.3mm 最小包装量:3,000 |
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肖特基二极管 SD101系列 肖特基二极管,PD200mW VR40V VF0.9V IR0.2uA SOD-323 最小包装量:3,000 |
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分离MOS CJ series;CJ502系列 分离MOS,V(BR)DSS-50V VGS±20V ID-0.18A VGS(th)Max-0.9~-2V Ciss30PF Coss10PF Crss5PF SOT-23 最小包装量:3,000 |
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肖特基二极管 BAR43系列 肖特基二极管,PD200mW IO200mA VR30V VF0.8V IR0.5uA SOT-23 最小包装量:3,000 |
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TVS二极管 ESDBVD系列 TVS二极管,Ppp52W VRWM5V VBRMin5.6V VBRMax10V IR1uA CJ3PF VC13V IPP4A WBFBP-02C 最小包装量:10,000 |
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TVS二极管 ESDBL系列 TVS二极管,Ppp40W VRWM5V VBRMin5.8V VBRMax8.3V IR0.1uA CJ12PF VC10V IPP4A WBFBP-02C-A 最小包装量:10,000 |
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TVS二极管 ESDBL系列 TVS二极管,Ppp50W VRWM5V VBRMin5.8V VBRMax8V IR0.1uA CJ10PF VC10V IPP5A DFNWB0.6×0.3-2L 最小包装量:10,000 |
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【选型】国产肖特基二极管SK84应用于扫地机,正向压降典型值0.55V可防反接电流
通常扫地机采用锂电池组供电,并有相应的电池保护板来防止电池的过流、过充、反接等。在防反接上,本文推荐长晶科技的肖特基二极管SK84,最大反向工作电压40V,正向平均电流8A,正向压降典型值0.55V,SMCG封装,满足实际需求。
【选型】4通道N沟道MOSFET CJFB30H20替代AONU32320用于低压风机中,满足系统需求且可降低成本
某风机厂在低压风机项目的N沟道MOSFET选型中采用了长晶科技的一个四通道N沟道MOSFET CJFB30H20替代进口A品牌N沟道MOSFET AONU32320,节省了布板面积,降低了发热量,满足系统需求且降低了成本。
江苏长晶科技(JSCJ)元件库和封装库文件
长晶科技(JSCJ)公司介绍2020版
【选型】国产N-MOSFET CJAC13TH06替代AOW66613用于低压电动闸阀中,电流可达130A且可降低发热量
华东某阀门大厂在低压电动闸阀的MOSFET优化升级时,选用了长晶科技的N沟道MOSFAET CJAC13TH06替代原先使用的美系品牌AOW66613。长晶科技的CJAC13TH06供应好,小封装尺寸节省布线面积,电流ID可达130A且可减少发热量,可实现对进口产品的国产化替代。
【选型】国产N沟道MOSFET CJAC110SN10替代进口产品AONS66917用于低压外转子电机直联驱动离心风机中
浙江某风机厂的低压外转子电机直联驱动离心风机主电路采用六个N沟道MOSFET组成的三相全桥拓扑,原N-MOSFET选型采用的是进口A品牌AONS66917,现客户选用长晶CJAC110SN10做替代设计,实现对进口品牌的国产化替代。
【选型】国产绝缘性三端双向可控硅BTA16-600BW+TO-220AK替代ST BTA16用于商场过道磁门的安全检测
国产品牌长晶科技的绝缘性三端双向可控硅 BTA16-600BW ,其VDRM 与 VRRM均可为600V电压,端电流IT(RMS)可达16A,可以作为 BTA16 的有效替代型号。
【选型】N沟道MOSFETCJAC200SN04替代AOB2140L用于低压多级离心泵驱动器,可帮助客户实现国产化替代
浙江某泵厂在低压多级离心泵驱动器设计时,采用了进口A品牌AOB2140L,客户寻求国产产品替代,笔者给客户推荐了长晶科技N沟道mosfet CJAC200SN03,性能比AOB2144L更有优势,降低了发热量,减少了体积,可实现对进口品牌的国产化替代。
长晶科技(JSCJ)公司及电源产品介绍
江苏长晶科技产品介绍-----MOSFET
可控硅-产品开发放向
【选型】电流140A的N沟道MOSFET CJAC140SN03可替代AOB2144L用于低压电动球阀中
在电动球阀三相全桥驱动电机中,长晶科技N沟道MOSFET CJAC140SN03性能上比AOB2144L有优势且供应好,可实现对进口品牌的国产替代及优化设计。
江苏长晶科技有限公司品牌切换公告函
【选型】RDSON 1.8mΩ的N沟道MOSFET CJAC110N03替换AON6502,可优化电动蝶阀设计
国内某阀门厂在电动蝶阀设计中原来使用的是美系品牌AON6502,VDS 30V/ ID 85A,小封装DFN5X6-8L 。客户用长晶科技CJAC110N03做优化设计,供应好,性能上比AON6502更有优势,实现了对进口品牌的国产替代优化设计。
【选型】80A的低压N沟道MOSFET CJAC80N03可替换AON6426,可实现外转子电机直联驱动离心风机优化设计
华南某风机厂外转子电机直联驱动离心风机中的MOSFET原来使用美系品牌AON6426,VDS 30V/ ID 65A,小封装DFN5X6-8L 。客户用长晶科技CJAC80N03做优化设计,性能上比AON6426有优势,实现了对进口品牌的国产替代及优化设计。
【应用】国产双通道MOSFET替换美系产品用于立式低压离心泵设计,EAS 70mj可避免瞬态电流能量给器件造成损坏
长晶科技双通道MOSFET CJBM3020在立式低压离心泵设计中可替换美系品牌小封装DFN3X3双通道MOSFET AON7804,实现国产化替代。EAS 70mj,可有效避免瞬态电流能量给器件带来的损坏;RDSON 8.5mΩ,大大降低了工作时MOSFET自身发热,从而使系统长期工作的鲁棒性ROBUST有了很大提高。
长晶科技官方授权代理证明/分销协议/授权书
【选型】N沟道MOSFET CJAC40N03可替代AON7426,帮助企业实现国产化替代的需求
长晶科技是长电科技下属企业,有晶圆厂资源并自有封装测试厂,使得CJAC40N03交货有保障,价格便宜,在性能上也比AON7426有优势,可实现对进口品牌的国产化替代。
长晶科技MOSFET和二极管能用于5G基站通信电源的整流及PFC部分,还能用于输出同步整流电路中
长晶科技致力于为电源工程师提供高效率且稳定的元器件,其生产的二极管和MOSFE可以应用于5G基站电源中的整流 &PFC,功率变换电路,输出整流/滤波电路中。
【选型】Pin-to-Pin替代MD5333的线性稳压器 CJ6330A33P,用于智能燃气表产品的电源设计
在智能燃气表产品的电源设计中,某客户选用了明达微的线性稳压器MD5333,由于交期很长,现货格上涨,客户急需一款替代产品,向客户重点推荐了长晶科技线性稳压器CJ6330A33P,可Pin-to-Pin替代MD5333。
活动国产功率器件龙头供应商,角逐PD快充、新能源汽车、5G基站、充电桩、光伏逆变器替换市场
世强硬创电商目前已获扬杰科技、强茂PANJIT、泰科天润、长晶科技、无锡紫光微、硕凯电子、槟城电子、电安科技等多家国产功率器件龙头供应商授权,代理其IGBT、IPM、Si MOS、SiC、GaN FET、FRD、整流桥等品类。 扬杰科技PB系列整流桥、FRED二极管,SiC和MOSFET产品目前在充电桩领域运用广泛。
长晶科技MOSFET及二极管用于PC电源,国产品牌产品性价比较高
长晶科技MOS及二极管在PC电源的应用目前的PC电源的功率段一般集中在300-700w,而这些电源绝大部分采用PFC+LLC的电路拓扑。以明纬电源为例,下面的电路拓扑中整流&PFC,切换电路(即主功率LLC回路),整流/滤波电路中均有机会使用到长晶的二极管或者MOSFET。
【选型】CJT1117B-3.3可兼容替换LM1117MPX-3.3/NOP,适合FTU产品设计,最大输出电流1A
在FTU产品设计中,DCDC电源后一般接线性稳压器给后级供电,不少厂商会选择TI的LM1117IMPX-3.3/NOP,但随着国产化需求日益增多,急需国产P2P兼容物料替换。长晶科技线性稳压器CJT1117B-3.3可兼容替换LM1117IMPX-3.3/NOP。
【应用】CMOS低压差线性稳压器CJ6101适合蓝牙耳机设计应用,Iq低至0.7μA,连续输出电流可达300mA
长晶科技LDO CJ6101拥有超低功耗0.7μA,并且有多种小尺寸封装,非常适合蓝牙耳机应用,其输入电压范围为1.8V~8V,满足电池供电设备要求,输出电压精度为2%/1%,并且有良好的瞬态响应、高PSRR值50dB@10kHz及低输出噪声27μVRMS(10Hz~100kHz),有效保证输出电压稳定
【选型】100V/180A的电动车充电器NMOS推荐CJP180SN10,具有2.5mR的低导通电阻
长晶科技生产型号为CJP180SN10的NMOS在导通电阻仅有2.5mR的前提下,做到了100V耐压、180A电流,非常适合客户对电动车充电器产品升级的需求,应用匹配度较高。
【应用】长晶科技充电管理芯片CJ4054应用于智能手环设计,体积小且外围电路简单
长晶科技充电管理芯片CJ4054是专为USB电源供电设计,并且SOT小封装和外围电路简单等优势非常适合空间有限的智能手环应用。
【选型】国产低压差LDO可P2P替代TI的TLV75733PBDVR,PSRR高达72dB@1kHz
在LoRa智能网关产品的电源设计中,某客户选用了TI的低压差LDO TLV75733PBDVR,由于交期长且成本上涨,本文重点推荐长晶科技低压差LDOCJ6107B33M,PSRR高达72dB@217Hz,可Pin-to-Pin替代TLV75733PBDVR。
长电科技分立器件部门成立长晶科技公司,主营二/三极管、晶振、MOSFET、电源管理、运放等产品
近日,长晶科技签约世强硬创电商,授权世强代理旗下所有产品系列和型号,涵盖二极管、三极管、MOSFET、LDO、DC-DC、频率器件、功率器件等品类。长晶科技拥有国内高密度集成电路国家工程实验室、国家级企业技术中心、博士后科研工作站等,长期为集成电路封装测试企业提供从芯片中测、封装到成品测试及出货的全套专业生产服务。在频率器件产品领域,长晶科技自主研发设计生产出1612、2016小尺寸晶振,具备着超
长晶科技二/三极管、晶振、MOSFET、电源管理、运放等产品,会因为2020年疫情的发生,会不会影响2021年的供货?
目前影响不大,具体还要看型号评估。相关选型可参考:【选型】长晶科技(JSCJ)频率器件频率器件/二极管/晶体管/MOSFET/IC产品/复合管/可控硅选型指南 https://www.sekorm.com/doc/2230487.html
长晶科技二/三极管、MOSFET、晶振、电源管理、运放等产品有汽车级的吗?
长晶科技的DCDC电源芯片,型号CJ9482,听说原厂已经停产,目前有新的替代型号出来吗,有的话推荐下,谢谢!
【产品】单向瞬态电压抑制器(TVS)ESDD24VP1,反向关断电压为24V,用于替代消费类设备应用中的MLV
长晶科技推出的单向瞬态电压抑制器(TVS)ESDD24VP1,采用DFNWB2.0×2.0-3L封装,反向关断电压为24V。它被设计用于保护电压敏感电子组件免受ESD和其他瞬变的影响。
【产品】单向ESD保护二极管ESDP9V0A1,低反向关断电压9V,封装尺寸为1.0mm×0.6mm×0.5mm
长晶科技推出的单向ESD保护二极管ESDP9V0A1,用于保护电压敏感的电子组件免受ESD和其他瞬变的影响。该器件具有卓越的钳位能力、低漏电流,低电容和快速响应时间,为暴露于ESD设计提供了一流的保护。
【产品】双向ESD保护二极管ESDBL18VA1,反向关断电压为18V,电容仅10pF
长晶科技推出的双向ESD保护二极管ESDBL18VA1,用于保护电压敏感的电子组件免受ESD和其他瞬变的影响。该器件具有卓越的钳位能力、低漏电流,低电容和快速响应时间,可为暴露于ESD的设计提供一流的保护。
【选型】Pin-to-Pin替代ME6211C33M5的低压差LDO CJ6211B33M,PSRR达80dB@1kHz
长晶科技低压差LDO CJ6211B33M,PSRR高达80dB@1kHz,可Pin-to-Pin替代ME6211C33M5,具有更低的成本和更好的供货周期,可快速支持样品和后续量产服务。
【选型】N沟道功率MOSFET CJAC70SN15可Pin to Pin替换TPH1500CNH,无需更改PCB
长晶科技CJAC70SN15采用DFN5×6-8L封装(与东芝TPH1500CNH的封装相同),耐压150V,典型RDS(ON)为10mR,比东芝TPH1500CNH内阻更小,能够有效减小产品导通损耗和发热,可Pin to Pin替换东芝TPH1500CNH,无需更改产品PCB。
【产品】采用SOD-323封装的双向ESD保护二极管ESDBM24VD3,可替代消费类设备应用中的多层压敏电阻
长晶科技推出的ESDBM24VD3是采用SOD-323塑封的双向ESD保护二极管,用于保护电压敏感的电子组件免受ESD和其他瞬变的影响。出色的钳位能力、低泄漏、标称电容和快速响应的特点可为其暴露于ESD设计提供一流的保护。
【产品】双N沟道CSP增强模式功率MOSFET CJ4611SP,源极到源极电压20V,源极电流7A
CJ4611SP是长晶科技推出的一款双N沟道CSP增强模式功率MOSFET,源极到源极电压20V,源极电流7A,典型源极到源极导通电阻22mΩ(@VGS =4.5V, Is =3A),通道温度可高达150℃,CSPB1313-4封装。
【产品】双N沟道CSP增强模式功率MOSFET CJ4412SP,源极到源极电压20V,源极电流5A
CJ4412SP是长晶科技推出的一款双N沟道CSP增强模式功率MOSFET,源极到源极电压20V,源极电流5A,典型源极到源极导通电阻30mΩ(@VGS =4.5V, Is =3A),通道温度可高达150℃,CSPB1111-4封装。
【产品】单线路双向ESD保护二极管ESDBU2V5AE1,2.5V反向关断电压,DFNWB0.6×0.3-2L封装
长晶科技推出的双向ESD保护二极管ESDBU2V5AE1,设计用于保护电压敏感的电子组件免受ESD和其他瞬态的影响。ESDBU2V5AE1具有出色的钳位特性,低漏电流,低电容和快速响应时间,为敏感电子器件免受ESD影响提供一流的保护。
【产品】双向ESD保护二极管ESDHBL5V0AE1,结电容典型值低至20pF
长晶科技推出的双向ESD保护二极管ESDHBL5V0AE1,设计用于保护电压敏感的电子组件免受ESD和其他瞬态的影响。ESDHBL5V0AE1具有出色的钳位特性,低漏电流,低电容和快速响应时间,为敏感电子器件免受ESD影响提供一流的保护。
【产品】双向ESD保护二极管ESDBL12VA1,峰值脉冲功率达84W,峰值脉冲电流达3.5A
长晶科技推出的双向ESD保护二极管ESDBL12VA1,可保护电压敏感的电子组件免受ESD和其他瞬态的影响,具有出色的钳位特性,低漏电流,低电容和快速响应时间。
【产品】双N沟道CSP增强模式功率MOSFET CJ4616SP,源极到源极电压15V,漏极电流8A
CJ4616SP是长晶科技推出的一款双路N沟道CSP增强模式功率MOSFET,源极到源极电压15V,源极电流8A,典型源极到源极导通电阻14mΩ(@VGS =4.5V, Is =3A),通道耐受温度可高达150℃,采用CSPB1515-4封装。该产品具有极低的导通电阻,低的栅极电荷。
【产品】单线双向ESD保护二极管ESDBL15VA1,反向漏电流最大仅1μA
长晶科技推出的ESDBL15VA1单线双向保护二极管将封装小,低电容和高性能的ESD保护的特点齐聚一身,灵活应用于HDMI,Display Port TM和MDDI接口等解决方案。
【产品】栅极具有ESD保护的N沟道MOSFET CJBA3134K,耗散功率最大额定值仅为100mW
长晶科技推出的CJBA3134K是采用DFN1006-3L塑封的N沟道MOSFET。该器件采用表面贴片封装,低逻辑电平栅极驱动运行,具有低漏源导通电阻。该器件能够承受260°C/10s高温焊接,适用于负载/电源开关等领域。
【应用】N沟道MOSFET 2N7002用于USB接口控制电路的解决方案,保证USB接口工作稳定
该项目是一块液晶屏的终端控制板,其USB接口用于连接上位机,接收下发的显示命令,2N7002用于控制USB接口的上拉电阻通断,以便上位机对USB设备进行枚举。
【产品】SOT-23-3L塑封P沟道MOSFET CJK1211,可用于PWM应用和负载开关等
长晶科技推出的CJK1211型SOT-23-3L塑封P沟道MOSFET,是一款增强型场效应晶体管。CJK1211采用先进的沟槽MOSFET工艺技术,具有超低导通电阻和低栅极电荷。MOSFET可用于PWM应用,负载开关和手机电池充电等领域。
【产品】双向ESD保护二极管ESDSU5V0A1,可保护电压敏感电子组件免受ESD和其他瞬变电压的冲击
长晶科技推出的ESDSU5V0A1型双向ESD保护二极管,设计用于保护电压敏感电子组件免受ESD和其他瞬变电压的冲击。该保护二极管具有出色的钳位能力,低泄漏电流,低电容和快速响应特性,能够为敏感的电子器件提供一流的保护。
【产品】采用TSSOP8塑封的双N沟道MOSFETCJS2016,能够承受260°C/10s高温焊接
长晶科技推出的CJS2016是一款采用TSSOP8塑封的双N沟道MOSFET。该器件采用TrenchFET功率技术,具有出色的漏源导通电阻RDS(on)和低栅极电荷。MOSFET具有高功率和电流承受能力,适合用作电池保护,负载开关和电源管理等领域。
【产品】CJ4610SP双路N沟道增强型功率MOSFET,采用CSPB1313-4封装,栅极电压低至2.5V
长晶科技推出的CJ4610SP是一款采用CSPB1313-4封装的双路N沟道增强型功率MOSFET。采用先进的沟槽工艺技术,具有出色的静态源-源导通电阻RSS(ON)和低栅极电荷。栅极电压低至2.5V,具有12V栅源电压最大额定值 VGS。
长晶科技主营二/三极管、MOSFET、晶振、电源管理、运放等产品
长晶科技是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体产品研发、设计和销售公司,拥有国内高密度集成电路国家工程实验室、国家级企业技术中心、博士后科研工作站等,长期为集成电路封装测试企业提供从芯片中测、封装到成品测试及出货的全套专业生产服务。长晶科技自主研发生产的MOSFET已正式进入华为无线快充供应链,成为华为27W超级快充无线车载支架的主要供应商。近日,长晶科技正式签约授权世强硬创电商,涵盖二极管、三
【产品】N沟道功率MOSFET CJFB30H20,采用DFNWB5×6-8L-E封装,最大漏源电压30V
长晶科技推出的CJFB30H20,内部集成四个N沟道功率MOSFET,为DFNWB5×6-8L-E塑料封装。该器件使用先进的沟槽技术来提供超低的导通阻抗和低栅极电荷。可以被应用到多种场合。
【产品】采用DFN1006-3L-A塑封的N沟道MOSFET CJBB3134K,可在低逻辑电平栅极驱动器上运行
长晶科技推出的CJBB3134K是DFN1006-3L-A塑封N沟道MOSFET,可在低逻辑电平栅极驱动器上运行,栅极具有ESD保护。MOSFET具有无铅产品可选,可用于负载/电源开关,接口开关,超小型便携式电子产品电池管理等领域。
【产品】6.3V反向关断电压,单向ESD保护二极管ESDM6V3A1
长晶科技推出的ESDM6V3A1型单向ESD保护二极管,DFNWB1.0X0.6-02L塑料封装,设计用于保护电压敏感电子组件免受ESD和其他瞬变电压的冲击。该二极管具有出色的钳位能力,低泄漏电流,低电容和快速响应特性,能够为敏感的电子器件提供一流的保护。
【产品】N沟道+P沟道MOSFET CJDE8404,采用DFNWB3×3-8L-U塑封,耗散功率为3W
长晶科技推出的CJDE8404是一款集成了N沟道和P沟道MOSFET的增强型MOSFET。产品采用DFNWB3×3-8L-U封装,具有高正向传输导纳和低漏电流特性,可用于便携式设备和电机驱动等领域。
【产品】P沟道MOSFET CJBB3139 ,漏源电压最大值为-20V,栅源电压最大值为±12V
长晶科技推出的CJBB3139K是DFN1006-3L-A塑封P沟道MOSFET,可在低逻辑电平栅极驱动器上运行,栅极具有ESD保护。MOSFET具有无铅产品可选,可用于负载/电源开关,接口开关,超小型便携式电子产品电池管理等领域。
【产品】CJCD2007双N沟道MOSFET,采用DFNWB2×3-6L-C塑封,适用于单向或双向负载开关
长晶科技推出的CJCD2007是DFNWB2×3-6L-C塑封双N沟道MOSFET,使用先进的沟槽工艺技术,具有低漏源导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。MOSFET具有ESD保护,共漏极配置,适合用作单向或双向负载开关。
长晶科技Trench肖特基二极管系列,VF比同规格的普通平面肖特基产品降低 25% 左右
长晶科技基于TRENCH原理,也大力开发了多种规格的Trench肖特基产品,同规格情况下,对比普通平面肖特基产品,VF可降低 25% 左右,反向漏电流IR更小(NA表示大于10000uA),因此产品可靠性和效率更高。
【产品】单向瞬态电压抑制器(TVS)ESDH10VP1,反向关断电压为10V,用于替代消费类设备应用中的MLV
长晶科技推出的单向TVS管ESDH10VP1,采用DFNWB2.0×2.0-3L封装,反向关断电压为10V。它被设计用于保护电压敏感电子组件免受ESD和其他瞬变的影响。 出色的钳位能力,低泄漏和快速响应时间为暴露于ESD的设计提供了一流的保护。
【产品】CJAB20N03 N沟道功率MOSFET,采用PDFNWB3.3×3.3-8L塑封,漏源电压最大为30V
长晶科技推出的CJAB20N03是PDFNWB3.3×3.3-8L塑封N沟道功率MOSFET,采用先进的沟槽技术设计,具有低栅极电荷和漏源导通电阻。该器件封装具有良好的散热性,适用于多种应用,包括SMPS,硬开关和高频电路,不间断电源等领域。
【产品】采用DFN1006-3L塑封的P沟道MOSFET CJBA3139K,漏源电压最大额定值为20V,可提供无铅产品
长晶科技推出的CJBA3139K是DFN1006-3L封装的塑封P沟道MOSFET,可在低逻辑电平栅极驱动器上运行,栅极具有ESD保护功能,有无铅产品可选,可用于负载/电源开关,接口开关,超小型便携式电子产品电池管理等领域。
【产品】高效率整流二极管US1XL,SOD-123FL塑料封装,工作结温和储存温度范围是-55~+150°C
US1AL、US1BL、US1DL、US1GL、US1JL、US1KL、US1ML是长晶科技推出的高效率整流二极管,采用SOD-123FL塑料封装,工作结温和储存温度范围都为-55~+150°C,可用于整流器领域。
【产品】SOT-363塑封双N沟道MOSFET 2N7002DW,适用于便携式设备和DC/DC转换器
长晶科技的2N7002DW是SOT-363塑封双N沟道MOSFET的压控小信号开关,采用高密度单元设计可实现超低导通电阻,具有高可靠耐用和高饱和电流承受能力的特点。可以作为便携式设备的负载开关以及DC/DC转换器。
【产品】通用整流二极管DSR1X,SOD-123FL塑料封装,反向重复峰值电压最大1000V
DSR1A、DSR1B、DSR1D、DSR1G、DSR1J、DSR1K、DSR1M是长晶科技推出的通用整流二极管,采用SOD-123FL塑料封装,工作结温和储存温度范围都为-55~+150°C,耐高/低温性能出色,可用于整流器领域。
【产品】双向ESD保护二极管ESDBM7V0A1,1.0mm×0.6mm×0.5mm封装,反向关断电压为7V
ESDBM7V0A1是长晶科技推出的双向ESD保护二极管,它被设计用于保护电压敏感的电子组件免受ESD和其他瞬变的影响。出色的钳位能力,低泄漏,低电容和快速响应时间为暴露于ESD设计提供了一流的保护。
【产品】SOT-89-3L塑封MOSFET CJA9451,漏源电压最大额定值为-20V,可用于快速开关和加固器件设计
长晶科技推出的CJA9451是SOT-89-3L塑封的P沟道先进功率MOSFET,为设计者提供了快速开关、加固器件设计、超低导通电阻和成本效益的最佳组合。
【产品】SOT-563塑封双路N沟道MOSFET 2N7002V,可用于便携式设备的负载开关和DC/DC转换器
长晶科技推出的2N7002V是SOT-563塑封双路N沟道MOSFET,具有低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容、快速开关和低输入/输出漏电流的特点。可以作为便携式设备的负载开关,以及DC/DC转换器。
【产品】PNP+NPN型双晶体管UMF5N,支持自动化贴装
长晶科技(JSCJ)推出的UMF5N是一款PNP+NPN型双晶体管,采用SOT-363塑料封装,在一个封装中包含了PNP型晶体管2SA2018和内置电阻型NPN数字晶体管DTC144E,两个晶体管相互独立,互不干扰。这种组合封装设计能够使安装所需的成本和面积减半。
【产品】通用整流二极管S1XL,采用SOD-123FL塑料封装,可用于整流器领域
S1XL是长晶科技推出的通用整流二极管,其VRRM(反向重复峰值电压)最大可达1000V,非重复正向浪涌电流最大额定值为30A(60Hz,半正弦波,1个周期,Ta=25℃),具有高浪涌电流能力。采用SOD-123FL塑料封装,可用于整流器领域。
【产品】内置电阻的NPN+PNP双数字晶体管UMD10N,每个晶体管的耗散功率均为150mW
长晶科技(JSCJ)推出的UMD10N是一款内置电阻的双数字晶体管,采用SOT-363封装,在一个封装中包含了NPN数字晶体管DTC123J和PNP数字晶体管DTA123J,每个晶体管的耗散功率150mW,两个晶体管相互独立,互不干扰,可使所需的成本和面积减半。
【产品】1A 超快恢复整流二极管ES1XL,采用SOD-123FL塑料封装,反向重复峰值电压最大600V
ES1AL、ES1BL、ES1CL、ES1DL、ES1EL、ES1GL、ES1JL是长晶科技推出的采用SOD-123FL塑料封装的超快恢复整流二极管,具有高浪涌电流能力,可用于整流器领域。此外,器件VRRM(反向重复峰值电压)最大可达600V,最大RMS电压为420V,工作结温和储存温度范围都为-55~150°C。
【产品】内置电阻型NPN+PNP双数字晶体管UMD12N,采用SOT-363封装,每个晶体管耗散功率150mW
长晶科技(JSCJ)推出的UMD12N是一款内置电阻型双数字晶体管,采用SOT-363封装,在同一封装中包含了DTC144E NPN数字晶体管和DTA144E PNP数字晶体管,两个晶体管相互独立,互不干扰。这种组合封装设计能够使安装所需的成本和面积减半。
【产品】CJA1117B-XXX系列低压差三端稳压器,1A输出电流条件下压降仅1.15V,输出电压精度可达1.5%
长晶科技推出的CJA1117B-ADJ/1.8/2.5/3.3/5.0系列低压差三端稳压器,在1A输出电流条件下的压降为1.15V。具有限流和热关断功能,输出电压精度可达1.5%。
【产品】快恢复整流二极管RS1AL/BL/DL/GL/JL/KL/ML,VRRM 1000V,SOD-123FL塑料封装
RS1AL/BL/DL/GL/JL/KL/ML系是长晶科技推出的快恢复整流二极管,采用SOD-123FL塑料封装,具有高浪涌电流能力,可用于整流器领域。VRRM最大可达1000V,工作结温和储存温度范围都为-55~150°C,能够在不同温度环境下工作。
【产品】N沟道+P沟道MOSFET CJ3439KDW,采用SOT-363表面贴片塑料封装,栅极带有ESD保护
长晶科技推出的CJ3439KDW是一款N沟道+P沟道MOSFET。产品采用SOT-363表面贴片塑料封装,单个器件集成N沟道CJ3134K和P沟道CJ3139K。低逻辑电平就可以驱动MOSFET的栅极工作,且栅极带有ESD保护……
【产品】采用SOT-363封装的N沟道MOSFET和肖特基势垒二极管CJ7203KDW,反向恢复时间的典型值仅30ns
长晶科技推出的CJ7203KDW是一款N沟道MOSFET和肖特基势垒二极管。产品采用SOT-363封装,具有极低的导通电阻,反向恢复时间短至可忽略,可用于便携式设备的负载开关和DC/DC换流器等领域。此外,器件的工作结温可达-40~125°C;存储温度范围为-55~150°C,能够在不同温度环境下工作。
【选型】长晶科技MOSFET及二极管在LED电源中的应用推荐
目前市面上的小功率段LED电源的功率段一般100W以内,而这些电源都是采用FLYBACK的电路拓扑。以雷士LED电源为例,整流/开关电路中均有机会使用到长晶科技的二极管或者MOSFET.
【产品】正压线性稳压器CJ6101系列,最大300mA输出电流,0.7μA待机功耗
CJ6101系列是长晶科技利用超CMOS工艺制造的正压线性稳压器,具有低压降和超低功耗特点,特别适用于电池供电设备,如射频应用和其他需要静态电源的系统。工作温度范围在-40℃到+85℃之间;输出电压预设为1.2V至5.0V,输入电压高达8V……
【选型】长晶科技MOSFET及二极管在PC电源的应用
长晶MOSFET与二极管在PC电源的应用,以明纬电源为例,电路拓扑中整流&PFC,切换电路(即主功率LLC回路),整流/滤波电路中均有机会使用到长晶的二极管或者MOSFET。
【产品】CJ6211系列正电压调节器,开机时间小于50uS,关机模式下的功耗小于0.1uA
CJ6211系列是长晶科技采用CMOS技术制造,具有高纹波抑制、超低噪声、低功耗和低压差的正电压调节器,可为便携式电子产品延长电池使用寿命。采用低esr陶瓷电容器,减少电源应用所需的电路板空间。
【选型】CJ6211系列替代WL2836和RP114,带载能力500mA,PSRR可达80Db
长晶科技推出了一款高PSRR,高性价比的LDO CJ6211系列,可完美替代WL2836、RP114。低输出噪声压差低:50 mV@100mA;低静态电流:50μA;高纹波抑制:80 dB@10kHz;良好的线和负载瞬态;内置限流器、短路保护机制
【产品】S0P8塑封MOSFET CJQ7328,栅源电压最大额定值为±20V,可用于电池和负载管理
长晶科技推出的CJQ7328是S0P8塑封MOSFET,采用先进的加工技术,具有极低的导通电阻。MOSFET采用器件加固设计,具有高效率和高可靠性,可用于电池和负载管理。
【产品】采用SOT-23-5L封装的DC-DC降压开关稳压器CJ9219,最高输出电流可达2A
长晶科技生产的CJ9219是一种高效率DC-DC降压开关稳压器,能够提供高达2A的输出电流。该器件的输入电压范围为2.5V至5.5V,输出电压范围为-0.3V至6V,是低压功率转换的理想选择。
【产品】输出电流高达1A的DC-DC降压开关稳压器CJ9218,转换效率高达96%
长晶科技推出的CJ9218 是一款高效率的DC-DC降压开关稳压器,能够提供高达1A的输出电流。 CJ9218的输入电压范围为2.7V至5.5V,因此能够在两种低压电源之间转换。
【产品】TO-263-2L塑封MOSFETS CJB150SN10,接通延迟时间23ns,上升时间32ns
长晶科技推出的CJB150SN10是TO-263-2L塑封MOSFET,采用屏蔽栅沟技术进行设计,以提供良好的RDS(ON)和低栅电荷。它可以用于各种各样的应用,例如高效电源。额定电压100V,电流150A,电阻RDS(ON)3.4mΩ@10V。拥有低RDS(ON)、低栅电荷特点。
【产品】具有PN结保护环的BAT54W SOD-123肖特基势垒二极管,可用于瞬态和ESD保护
长晶科技推出BAT54W肖特基势垒二极管,反向RMS最大额定值为21V, 直流阻断电压最大额定值为30V。采用SOD-123小型塑料封装,具有低正向压降和高速开关特性。工作结温范围为-40~125℃,存储温度范围为-55~150℃,能够在不同环境下,保持正常工作。
【产品】采用SOD-323塑封的齐纳二极管BZT52C5V1HS,功耗最大额定值仅500mW
长晶科技推出的齐纳二极管BZT52C5V1HS,齐纳电压范围宽至5.1~5.5V(IZT=5mA条件下)。采用SOD-323塑封,功耗最大额定值仅500mW。工作结温和存储温度宽至-55~+150℃,能够在不同条件下可靠工作。
【产品】MBRB20100CT-B型肖特基势垒整流器,采用TO-263-2L塑封
长晶科技推出的MBRB20100CT-B型肖特基势垒整流器,采用TO-263-2L塑封。器件具有低功耗,高效率,高电流承受能力和低正向压降等特性,工作结温范围为-40~+125℃。
国内领先的的分立器件研发企业:长晶科技(JSCJ)
世强是长晶官方授权一级分销商,全线代理长晶旗下所有产品,库存丰富,正品保证。用户可以查询获取来自长晶的最新产品和技术资讯、官方资料库,以低于行业的价格,购买长晶最新元器件和零件产品,享受供货保障。长晶科技是一家专注于功率器件、分立器件、频率器件、电源管理芯片、汽车电子等产品的研发制造商,拥有15000多个产品系列和型号,广泛应用于各消费类、工业类电子领域。
【产品】可代替MLVs的瞬态抑制二极管ESDBF3V3A1,为板级保护提供理想电气特性
长晶科技的瞬态抑制二极管ESDBF3V3A1可用来代替便携式应用(例如手机,TWS、手环等)中的多层压敏电阻(MLVs)。与MLVs相比,它的特点是更大芯片接触面积,用于传导高的瞬态电流,为板级保护提供理想的电气特性,如快速响应时间、较低的工作电压、较低的箝位电压和无器件退化,除了基础的防静电功能针对浪涌也有很好的防护。
【产品】CMOS正压线性稳压器CJ6211系列,非常适用于电池供电设备
长晶科技的CJ6211是一款高纹波抑制、超低噪声、低功耗、低压降的CMOS正压线性稳压器,5μA可延长便携式电子产品的电池寿命;80dB@10KHZ高纹波特性可用于声音图像等传感器模块。外围配套使用低ESR陶瓷电容器,减少了电源应用所需的电路板空间。该系列非常适用于电池供电设备,如射频应用和其他需要静态电源的系统。
【产品】CMOS正压线性稳压器CJ6206系列,适用于电池供电设备及静态电源的系统
长晶科技CJ6206是一款低功耗、低压降、高纹波抑制、低噪声的CMOS正压线性稳压器。5μA待机功耗可延长便携式电子产品的电池寿命。外围配套使用低ESR陶瓷电容器,减少了电源应用所需的电路板空间。CJ6206系列在关机模式下功耗小于0.1μA,快速开启时间小于50μS。该系列非常适用于电池供电设备,如射频应用和其他需要静态电源的系统。
SOT-23-6L PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
SOT-89-3L PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
TO-251 PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
WBFBP-02C(1.0X0.6X0.5) PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
TO-220A PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
TO-220F PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
TO-263-2L PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
SOT-363 PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
SOT-563 PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
SOT-323 PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
SOT-363 SHAEC1918800525(SGS) Test Report
SOT-23 SHAEC1918800537(SGS) Test Report
SOT-89-3L SHAEC1918800543(SGS) Test Report
LL-34 SHAEC1927588803(SGS) Test Report
LL-34 SHAEC1927588804(SGS) 测试报告
SOD-123 SHAEC1918800541(SGS) Test Report
SOD-123FL SHAEC1927454704(SGS) 测试报告
LL-34 SHAEC1927454707(SGS) Test Report
SOD-123FL SHAEC1927454703(SGS) Test Report
SOT-23 SHAEC1927454712(SGS) 测试报告
【产品】耐压30V的N+N双MOSFET CJBD3020,可用于直流负载开关以及高频开关
长晶科技推出的CJBD3020是一款开启电压在1.0~3.0V范围内的N+N双MOSFET,可提供20A的最大传输电流。保证优秀导通电阻的同时,提供较低的栅极电荷,具有较高的电流处理能力和交流开关特性,支持应用于直流负载开关以及高频开关应用。
【产品】20A/100V的肖特基二极管SBD20100TCTB,TO-220/TO-220F封装
SBD20100TCTB是长晶科技推出的一款20A/100V的肖特基二极管,TO-220/TO-220F封装,采用沟槽MOS工艺,实现超低VF值,主要应用于50W以内的开关电源适配器,在12V/3.3A电源实测效率接近89%;温升比同规格常规产品低10℃。
【产品】40V/25A/7.5mΩ的N沟道MOSFET CJAB25N04S,采用先进的沟槽工艺
长晶科技(JSCJ)推出的CJAB25N04S是一款开启电压在1.0~2.5V范围内的N沟道MOSFET,可提供25A的最大传输电流。保证优秀导通电阻的同时,提供较低的栅极电荷,具有较高的电流处理能力和交流开关特性,支持应用于直流负载开关以及高频开关应用。40V的耐压较30V更具应用优势,常见于无线充快充和移动电源。