长晶科技

【选型】长晶科技（JSCJ）频率器件频率器件/二极管/晶体管/MOSFET/IC产品/复合管/可控硅选型指南

【选型】100V/180A的电动车充电器NMOS推荐CJP180SN10，具有2.5mR的低导通电阻

长晶科技生产型号为CJP180SN10的NMOS在导通电阻仅有2.5mR的前提下，做到了100V耐压、180A电流，非常适合客户对电动车充电器产品升级的需求，应用匹配度较高。

【应用】长晶科技充电管理芯片CJ4054应用于智能手环设计，体积小且外围电路简单

长晶科技充电管理芯片CJ4054是专为USB电源供电设计，并且SOT小封装和外围电路简单等优势非常适合空间有限的智能手环应用。

江苏长晶科技（JSCJ）元件库和封装库文件

长晶科技（JSCJ）公司介绍2020版

【选型】国产低压差LDO可P2P替代TI的TLV75733PBDVR，PSRR高达72dB@1kHz

在LoRa智能网关产品的电源设计中，某客户选用了TI的低压差LDO TLV75733PBDVR，由于交期长且成本上涨，本文重点推荐长晶科技低压差LDOCJ6107B33M，PSRR高达72dB@217Hz，可Pin-to-Pin替代TLV75733PBDVR。

长电科技分立器件部门成立长晶科技公司，主营二/三极管、晶振、MOSFET、电源管理、运放等产品

近日，长晶科技签约世强硬创电商，授权世强代理旗下所有产品系列和型号，涵盖二极管、三极管、MOSFET、LDO、DC-DC、频率器件、功率器件等品类。长晶科技拥有国内高密度集成电路国家工程实验室、国家级企业技术中心、博士后科研工作站等，长期为集成电路封装测试企业提供从芯片中测、封装到成品测试及出货的全套专业生产服务。在频率器件产品领域，长晶科技自主研发设计生产出1612、2016小尺寸晶振，具备着超

【产品】单向瞬态电压抑制器（TVS）ESDD24VP1，反向关断电压为24V，用于替代消费类设备应用中的MLV

长晶科技推出的单向瞬态电压抑制器（TVS）ESDD24VP1，采用DFNWB2.0×2.0-3L封装，反向关断电压为24V。它被设计用于保护电压敏感电子组件免受ESD和其他瞬变的影响。

【产品】单向ESD保护二极管ESDP9V0A1，低反向关断电压9V，封装尺寸为1.0mm×0.6mm×0.5mm

长晶科技推出的单向ESD保护二极管ESDP9V0A1，用于保护电压敏感的电子组件免受ESD和其他瞬变的影响。该器件具有卓越的钳位能力、低漏电流，低电容和快速响应时间，为暴露于ESD设计提供了一流的保护。

长晶科技（JSCJ）公司及电源产品介绍

【产品】双向ESD保护二极管ESDBL18VA1，反向关断电压为18V，电容仅10pF

长晶科技推出的双向ESD保护二极管ESDBL18VA1，用于保护电压敏感的电子组件免受ESD和其他瞬变的影响。该器件具有卓越的钳位能力、低漏电流，低电容和快速响应时间，可为暴露于ESD的设计提供一流的保护。

江苏长晶科技有限公司品牌切换公告函

【选型】Pin-to-Pin替代ME6211C33M5的低压差LDO CJ6211B33M，PSRR达80dB@1kHz

长晶科技低压差LDO CJ6211B33M，PSRR高达80dB@1kHz，可Pin-to-Pin替代ME6211C33M5，具有更低的成本和更好的供货周期，可快速支持样品和后续量产服务。

长晶科技官方授权代理证明/分销协议/授权书

【选型】N沟道功率MOSFET CJAC70SN15可Pin to Pin替换TPH1500CNH，无需更改PCB

长晶科技CJAC70SN15采用DFN5×6-8L封装（与东芝TPH1500CNH的封装相同），耐压150V，典型RDS(ON)为10mR，比东芝TPH1500CNH内阻更小，能够有效减小产品导通损耗和发热，可Pin to Pin替换东芝TPH1500CNH，无需更改产品PCB。

【产品】采用SOD-323封装的双向ESD保护二极管ESDBM24VD3，可替代消费类设备应用中的多层压敏电阻

长晶科技推出的ESDBM24VD3是采用SOD-323塑封的双向ESD保护二极管，用于保护电压敏感的电子组件免受ESD和其他瞬变的影响。出色的钳位能力、低泄漏、标称电容和快速响应的特点可为其暴露于ESD设计提供一流的保护。

【产品】双N沟道CSP增强模式功率MOSFET CJ4611SP，源极到源极电压20V，源极电流7A

CJ4611SP是长晶科技推出的一款双N沟道CSP增强模式功率MOSFET，源极到源极电压20V，源极电流7A，典型源极到源极导通电阻22mΩ（@VGS =4.5V, Is =3A），通道温度可高达150℃，CSPB1313-4封装。

【产品】双N沟道CSP增强模式功率MOSFET CJ4412SP，源极到源极电压20V，源极电流5A

CJ4412SP是长晶科技推出的一款双N沟道CSP增强模式功率MOSFET，源极到源极电压20V，源极电流5A，典型源极到源极导通电阻30mΩ（@VGS =4.5V, Is =3A），通道温度可高达150℃，CSPB1111-4封装。

【产品】单线路双向ESD保护二极管ESDBU2V5AE1，2.5V反向关断电压，DFNWB0.6×0.3-2L封装

长晶科技推出的双向ESD保护二极管ESDBU2V5AE1，设计用于保护电压敏感的电子组件免受ESD和其他瞬态的影响。ESDBU2V5AE1具有出色的钳位特性，低漏电流，低电容和快速响应时间，为敏感电子器件免受ESD影响提供一流的保护。

【产品】双向ESD保护二极管ESDHBL5V0AE1，结电容典型值低至20pF

长晶科技推出的双向ESD保护二极管ESDHBL5V0AE1，设计用于保护电压敏感的电子组件免受ESD和其他瞬态的影响。ESDHBL5V0AE1具有出色的钳位特性，低漏电流，低电容和快速响应时间，为敏感电子器件免受ESD影响提供一流的保护。

【产品】双向ESD保护二极管ESDBL12VA1，峰值脉冲功率达84W，峰值脉冲电流达3.5A

长晶科技推出的双向ESD保护二极管ESDBL12VA1，可保护电压敏感的电子组件免受ESD和其他瞬态的影响，具有出色的钳位特性，低漏电流，低电容和快速响应时间。

长晶科技二/三极管、晶振、MOSFET、电源管理、运放等产品，会因为2020年疫情的发生，会不会影响2021年的供货？

目前影响不大，具体还要看型号评估。相关选型可参考：【选型】长晶科技（JSCJ）频率器件频率器件/二极管/晶体管/MOSFET/IC产品/复合管/可控硅选型指南 https://www.sekorm.com/doc/2230487.html

【产品】双N沟道CSP增强模式功率MOSFET​ CJ4616SP，源极到源极电压15V，漏极电流8A

CJ4616SP是长晶科技推出的一款双路N沟道CSP增强模式功率MOSFET，源极到源极电压15V，源极电流8A，典型源极到源极导通电阻14mΩ（@VGS =4.5V, Is =3A），通道耐受温度可高达150℃，采用CSPB1515-4封装。该产品具有极低的导通电阻，低的栅极电荷。

【产品】单线双向ESD保护二极管ESDBL15VA1，反向漏电流最大仅1μA

长晶科技推出的ESDBL15VA1单线双向保护二极管将封装小，低电容和高性能的ESD保护的特点齐聚一身，灵活应用于HDMI，Display Port TM和MDDI接口等解决方案。

【产品】栅极具有ESD保护的N沟道MOSFET CJBA3134K，耗散功率最大额定值仅为100mW

长晶科技推出的CJBA3134K是采用DFN1006-3L塑封的N沟道MOSFET。该器件采用表面贴片封装，低逻辑电平栅极驱动运行，具有低漏源导通电阻。该器件能够承受260°C/10s高温焊接，适用于负载/电源开关等领域。

【应用】N沟道MOSFET 2N7002用于USB接口控制电路的解决方案，保证USB接口工作稳定

该项目是一块液晶屏的终端控制板，其USB接口用于连接上位机，接收下发的显示命令，2N7002用于控制USB接口的上拉电阻通断，以便上位机对USB设备进行枚举。

【产品】SOT-23-3L塑封P沟道MOSFET CJK1211，可用于PWM应用和负载开关等

长晶科技推出的CJK1211型SOT-23-3L塑封P沟道MOSFET，是一款增强型场效应晶体管。CJK1211采用先进的沟槽MOSFET工艺技术，具有超低导通电阻和低栅极电荷。MOSFET可用于PWM应用，负载开关和手机电池充电等领域。

【产品】双向ESD保护二极管ESDSU5V0A1，可保护电压敏感电子组件免受ESD和其他瞬变电压的冲击

长晶科技推出的ESDSU5V0A1型双向ESD保护二极管，设计用于保护电压敏感电子组件免受ESD和其他瞬变电压的冲击。该保护二极管具有出色的钳位能力，低泄漏电流，低电容和快速响应特性，能够为敏感的电子器件提供一流的保护。

【产品】采用TSSOP8塑封的双N沟道MOSFETCJS2016，能够承受260°C/10s高温焊接

长晶科技推出的CJS2016是一款采用TSSOP8塑封的双N沟道MOSFET。该器件采用TrenchFET功率技术，具有出色的漏源导通电阻RDS（on）和低栅极电荷。MOSFET具有高功率和电流承受能力，适合用作电池保护，负载开关和电源管理等领域。

【产品】CJ4610SP双路N沟道增强型功率MOSFET，采用CSPB1313-4封装，栅极电压低至2.5V

长晶科技推出的CJ4610SP是一款采用CSPB1313-4封装的双路N沟道增强型功率MOSFET。采用先进的沟槽工艺技术，具有出色的静态源-源导通电阻RSS（ON）和低栅极电荷。栅极电压低至2.5V，具有12V栅源电压最大额定值 VGS。

长晶科技主营二/三极管、MOSFET、晶振、电源管理、运放等产品

长晶科技是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体产品研发、设计和销售公司，拥有国内高密度集成电路国家工程实验室、国家级企业技术中心、博士后科研工作站等，长期为集成电路封装测试企业提供从芯片中测、封装到成品测试及出货的全套专业生产服务。长晶科技自主研发生产的MOSFET已正式进入华为无线快充供应链，成为华为27W超级快充无线车载支架的主要供应商。近日，长晶科技正式签约授权世强硬创电商，涵盖二极管、三

【产品】N沟道功率MOSFET CJFB30H20，采用DFNWB5×6-8L-E封装，最大漏源电压30V

长晶科技推出的CJFB30H20，内部集成四个N沟道功率MOSFET，为DFNWB5×6-8L-E塑料封装。该器件使用先进的沟槽技术来提供超低的导通阻抗和低栅极电荷。可以被应用到多种场合。

【产品】采用DFN1006-3L-A塑封的N沟道MOSFET CJBB3134K，可在低逻辑电平栅极驱动器上运行

长晶科技推出的CJBB3134K是DFN1006-3L-A塑封N沟道MOSFET，可在低逻辑电平栅极驱动器上运行，栅极具有ESD保护。MOSFET具有无铅产品可选，可用于负载/电源开关，接口开关，超小型便携式电子产品电池管理等领域。

【产品】6.3V反向关断电压，单向ESD保护二极管ESDM6V3A1

长晶科技推出的ESDM6V3A1型单向ESD保护二极管，DFNWB1.0X0.6-02L塑料封装，设计用于保护电压敏感电子组件免受ESD和其他瞬变电压的冲击。该二极管具有出色的钳位能力，低泄漏电流，低电容和快速响应特性，能够为敏感的电子器件提供一流的保护。

【产品】N沟道+P沟道MOSFET CJDE8404，采用DFNWB3×3-8L-U塑封，耗散功率为3W

长晶科技推出的CJDE8404是一款集成了N沟道和P沟道MOSFET的增强型MOSFET。产品采用DFNWB3×3-8L-U封装，具有高正向传输导纳和低漏电流特性，可用于便携式设备和电机驱动等领域。

【产品】P沟道MOSFET CJBB3139 ，漏源电压最大值为-20V，栅源电压最大值为±12V

长晶科技推出的CJBB3139K是DFN1006-3L-A塑封P沟道MOSFET，可在低逻辑电平栅极驱动器上运行，栅极具有ESD保护。MOSFET具有无铅产品可选，可用于负载/电源开关，接口开关，超小型便携式电子产品电池管理等领域。

【产品】CJCD2007双N沟道MOSFET，采用DFNWB2×3-6L-C塑封，适用于单向或双向负载开关

长晶科技推出的CJCD2007是DFNWB2×3-6L-C塑封双N沟道MOSFET，使用先进的沟槽工艺技术，具有低漏源导通电阻RDS（ON）和低栅极电荷。MOSFET具有ESD保护，共漏极配置，适合用作单向或双向负载开关。

长晶科技Trench肖特基二极管系列，VF比同规格的普通平面肖特基产品降低 25% 左右

长晶科技基于TRENCH原理，也大力开发了多种规格的Trench肖特基产品，同规格情况下，对比普通平面肖特基产品，VF可降低 25% 左右，反向漏电流IR更小（NA表示大于10000uA），因此产品可靠性和效率更高。

【产品】单向瞬态电压抑制器（TVS）ESDH10VP1，反向关断电压为10V，用于替代消费类设备应用中的MLV

长晶科技推出的单向TVS管ESDH10VP1，采用DFNWB2.0×2.0-3L封装，反向关断电压为10V。它被设计用于保护电压敏感电子组件免受ESD和其他瞬变的影响。 出色的钳位能力，低泄漏和快速响应时间为暴露于ESD的设计提供了一流的保护。

【产品】CJAB20N03 N沟道功率MOSFET，采用PDFNWB3.3×3.3-8L塑封，漏源电压最大为30V

长晶科技推出的CJAB20N03是PDFNWB3.3×3.3-8L塑封N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术设计，具有低栅极电荷和漏源导通电阻。该器件封装具有良好的散热性，适用于多种应用，包括SMPS，硬开关和高频电路，不间断电源等领域。

【产品】采用DFN1006-3L塑封的P沟道MOSFET CJBA3139K，漏源电压最大额定值为20V，可提供无铅产品

长晶科技推出的CJBA3139K是DFN1006-3L封装的塑封P沟道MOSFET，可在低逻辑电平栅极驱动器上运行，栅极具有ESD保护功能，有无铅产品可选，可用于负载/电源开关，接口开关，超小型便携式电子产品电池管理等领域。

【产品】高效率整流二极管US1XL，SOD-123FL塑料封装，工作结温和储存温度范围是-55~+150°C

US1AL、US1BL、US1DL、US1GL、US1JL、US1KL、US1ML是长晶科技推出的高效率整流二极管，采用SOD-123FL塑料封装，工作结温和储存温度范围都为-55~+150°C，可用于整流器领域。

【产品】SOT-363塑封双N沟道MOSFET 2N7002DW，适用于便携式设备和DC/DC转换器

长晶科技的2N7002DW是SOT-363塑封双N沟道MOSFET的压控小信号开关，采用高密度单元设计可实现超低导通电阻，具有高可靠耐用和高饱和电流承受能力的特点。可以作为便携式设备的负载开关以及DC/DC转换器。

【产品】通用整流二极管DSR1X，SOD-123FL塑料封装，反向重复峰值电压最大1000V

DSR1A、DSR1B、DSR1D、DSR1G、DSR1J、DSR1K、DSR1M是长晶科技推出的通用整流二极管，采用SOD-123FL塑料封装，工作结温和储存温度范围都为-55~+150°C，耐高/低温性能出色，可用于整流器领域。

【产品】双向ESD保护二极管ESDBM7V0A1，1.0mm×0.6mm×0.5mm封装，反向关断电压为7V

ESDBM7V0A1是长晶科技推出的双向ESD保护二极管，它被设计用于保护电压敏感的电子组件免受ESD和其他瞬变的影响。出色的钳位能力，低泄漏，低电容和快速响应时间为暴露于ESD设计提供了一流的保护。

【产品】SOT-89-3L塑封MOSFET CJA9451，漏源电压最大额定值为-20V，可用于快速开关和加固器件设计

长晶科技推出的CJA9451是SOT-89-3L塑封的P沟道先进功率MOSFET，为设计者提供了快速开关、加固器件设计、超低导通电阻和成本效益的最佳组合。

【产品】SOT-563塑封双路N沟道MOSFET 2N7002V，可用于便携式设备的负载开关和DC/DC转换器

长晶科技推出的2N7002V是SOT-563塑封双路N沟道MOSFET，具有低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容、快速开关和低输入/输出漏电流的特点。可以作为便携式设备的负载开关，以及DC/DC转换器。

【产品】PNP+NPN型双晶体管UMF5N，支持自动化贴装

长晶科技（JSCJ）推出的UMF5N是一款PNP+NPN型双晶体管，采用SOT-363塑料封装，在一个封装中包含了PNP型晶体管2SA2018和内置电阻型NPN数字晶体管DTC144E，两个晶体管相互独立，互不干扰。这种组合封装设计能够使安装所需的成本和面积减半。

【产品】通用整流二极管S1XL，采用SOD-123FL塑料封装，可用于整流器领域

S1XL是长晶科技推出的通用整流二极管，其VRRM（反向重复峰值电压）最大可达1000V，非重复正向浪涌电流最大额定值为30A（60Hz，半正弦波，1个周期，Ta=25℃），具有高浪涌电流能力。采用SOD-123FL塑料封装，可用于整流器领域。

【产品】内置电阻的NPN+PNP双数字晶体管UMD10N，每个晶体管的耗散功率均为150mW

长晶科技（JSCJ）推出的UMD10N是一款内置电阻的双数字晶体管，采用SOT-363封装，在一个封装中包含了NPN数字晶体管DTC123J和PNP数字晶体管DTA123J，每个晶体管的耗散功率150mW，两个晶体管相互独立，互不干扰，可使所需的成本和面积减半。

【产品】1A 超快恢复整流二极管ES1XL，采用SOD-123FL塑料封装，反向重复峰值电压最大600V

ES1AL、ES1BL、ES1CL、ES1DL、ES1EL、ES1GL、ES1JL是长晶科技推出的采用SOD-123FL塑料封装的超快恢复整流二极管，具有高浪涌电流能力，可用于整流器领域。此外，器件VRRM（反向重复峰值电压）最大可达600V，最大RMS电压为420V，工作结温和储存温度范围都为-55~150°C。

【产品】内置电阻型NPN+PNP双数字晶体管UMD12N，采用SOT-363封装，每个晶体管耗散功率150mW

长晶科技（JSCJ）推出的UMD12N是一款内置电阻型双数字晶体管，采用SOT-363封装，在同一封装中包含了DTC144E NPN数字晶体管和DTA144E PNP数字晶体管，两个晶体管相互独立，互不干扰。这种组合封装设计能够使安装所需的成本和面积减半。

【产品】CJA1117B-XXX系列低压差三端稳压器，1A输出电流条件下压降仅1.15V，输出电压精度可达1.5％

长晶科技推出的CJA1117B-ADJ/1.8/2.5/3.3/5.0系列低压差三端稳压器，在1A输出电流条件下的压降为1.15V。具有限流和热关断功能，输出电压精度可达1.5％。

【产品】快恢复整流二极管RS1AL/BL/DL/GL/JL/KL/ML，VRRM 1000V，SOD-123FL塑料封装

RS1AL/BL/DL/GL/JL/KL/ML系是长晶科技推出的快恢复整流二极管，采用SOD-123FL塑料封装，具有高浪涌电流能力，可用于整流器领域。VRRM最大可达1000V，工作结温和储存温度范围都为-55~150°C，能够在不同温度环境下工作。

【产品】N沟道+P沟道MOSFET CJ3439KDW，采用SOT-363表面贴片塑料封装，栅极带有ESD保护

长晶科技推出的CJ3439KDW是一款N沟道+P沟道MOSFET。产品采用SOT-363表面贴片塑料封装，单个器件集成N沟道CJ3134K和P沟道CJ3139K。低逻辑电平就可以驱动MOSFET的栅极工作，且栅极带有ESD保护……

【产品】采用SOT-363封装的N沟道MOSFET和肖特基势垒二极管CJ7203KDW，反向恢复时间的典型值仅30ns

长晶科技推出的CJ7203KDW是一款N沟道MOSFET和肖特基势垒二极管。产品采用SOT-363封装，具有极低的导通电阻，反向恢复时间短至可忽略，可用于便携式设备的负载开关和DC/DC换流器等领域。此外，器件的工作结温可达-40~125°C；存储温度范围为-55~150°C，能够在不同温度环境下工作。

【选型】长晶科技MOSFET及二极管在LED电源中的应用推荐

目前市面上的小功率段LED电源的功率段一般100W以内，而这些电源都是采用FLYBACK的电路拓扑。以雷士LED电源为例，整流/开关电路中均有机会使用到长晶科技的二极管或者MOSFET.

【产品】正压线性稳压器CJ6101系列，最大300mA输出电流，0.7μA待机功耗

CJ6101系列是长晶科技利用超CMOS工艺制造的正压线性稳压器，具有低压降和超低功耗特点，特别适用于电池供电设备，如射频应用和其他需要静态电源的系统。工作温度范围在-40℃到+85℃之间；输出电压预设为1.2V至5.0V，输入电压高达8V……

【选型】长晶科技MOSFET及二极管在PC电源的应用

长晶MOSFET与二极管在PC电源的应用，以明纬电源为例,电路拓扑中整流＆PFC，切换电路（即主功率LLC回路），整流/滤波电路中均有机会使用到长晶的二极管或者MOSFET。

【产品】CJ6211系列正电压调节器，开机时间小于50uS，关机模式下的功耗小于0.1uA

CJ6211系列是长晶科技采用CMOS技术制造，具有高纹波抑制、超低噪声、低功耗和低压差的正电压调节器，可为便携式电子产品延长电池使用寿命。采用低esr陶瓷电容器，减少电源应用所需的电路板空间。

【选型】CJ6211系列替代WL2836和RP114，带载能力500mA，PSRR可达80Db

长晶科技推出了一款高PSRR，高性价比的LDO CJ6211系列，可完美替代WL2836、RP114。低输出噪声压差低:50 mV@100mA；低静态电流:50μA；高纹波抑制:80 dB@10kHz；良好的线和负载瞬态；内置限流器、短路保护机制

【产品】S0P8塑封MOSFET CJQ7328，栅源电压最大额定值为±20V，可用于电池和负载管理

长晶科技推出的CJQ7328是S0P8塑封MOSFET，采用先进的加工技术，具有极低的导通电阻。MOSFET采用器件加固设计，具有高效率和高可靠性，可用于电池和负载管理。

【产品】采用SOT-23-5L封装的DC-DC降压开关稳压器CJ9219，最高输出电流可达2A

长晶科技生产的CJ9219是一种高效率DC-DC降压开关稳压器，能够提供高达2A的输出电流。该器件的输入电压范围为2.5V至5.5V，输出电压范围为-0.3V至6V，是低压功率转换的理想选择。

【产品】输出电流高达1A的DC-DC降压开关稳压器CJ9218，转换效率高达96％

长晶科技推出的CJ9218 是一款高效率的DC-DC降压开关稳压器，能够提供高达1A的输出电流。 CJ9218的输入电压范围为2.7V至5.5V，因此能够在两种低压电源之间转换。

【产品】TO-263-2L塑封MOSFETS CJB150SN10，接通延迟时间23ns，上升时间32ns

长晶科技推出的CJB150SN10是TO-263-2L塑封MOSFET，采用屏蔽栅沟技术进行设计，以提供良好的RDS(ON)和低栅电荷。它可以用于各种各样的应用，例如高效电源。额定电压100V，电流150A，电阻RDS(ON)3.4mΩ@10V。拥有低RDS(ON)、低栅电荷特点。

【产品】具有PN结保护环的BAT54W SOD-123肖特基势垒二极管，可用于瞬态和ESD保护

长晶科技推出BAT54W肖特基势垒二极管，反向RMS最大额定值为21V, 直流阻断电压最大额定值为30V。采用SOD-123小型塑料封装，具有低正向压降和高速开关特性。工作结温范围为-40~125℃，存储温度范围为-55~150℃，能够在不同环境下，保持正常工作。

【产品】采用SOD-323塑封的齐纳二极管BZT52C5V1HS，功耗最大额定值仅500mW

长晶科技推出的齐纳二极管BZT52C5V1HS，齐纳电压范围宽至5.1~5.5V（IZT=5mA条件下）。采用SOD-323塑封，功耗最大额定值仅500mW。工作结温和存储温度宽至-55~+150℃，能够在不同条件下可靠工作。

【产品】MBRB20100CT-B型肖特基势垒整流器，采用TO-263-2L塑封

长晶科技推出的MBRB20100CT-B型肖特基势垒整流器，采用TO-263-2L塑封。器件具有低功耗，高效率，高电流承受能力和低正向压降等特性，工作结温范围为-40~+125℃。

国内领先的的分立器件研发企业：长晶科技（JSCJ）

世强是长晶官方授权一级分销商，全线代理长晶旗下所有产品，库存丰富，正品保证。用户可以查询获取来自长晶的最新产品和技术资讯、官方资料库，以低于行业的价格，购买长晶最新元器件和零件产品，享受供货保障。长晶科技是一家专注于功率器件、分立器件、频率器件、电源管理芯片、汽车电子等产品的研发制造商，拥有15000多个产品系列和型号，广泛应用于各消费类、工业类电子领域。

【产品】可代替MLVs的瞬态抑制二极管ESDBF3V3A1，为板级保护提供理想电气特性

长晶科技的瞬态抑制二极管ESDBF3V3A1可用来代替便携式应用（例如手机，TWS、手环等）中的多层压敏电阻(MLVs)。与MLVs相比，它的特点是更大芯片接触面积，用于传导高的瞬态电流，为板级保护提供理想的电气特性，如快速响应时间、较低的工作电压、较低的箝位电压和无器件退化，除了基础的防静电功能针对浪涌也有很好的防护。

【产品】CMOS正压线性稳压器CJ6211系列，非常适用于电池供电设备

长晶科技的CJ6211是一款高纹波抑制、超低噪声、低功耗、低压降的CMOS正压线性稳压器，5μA可延长便携式电子产品的电池寿命；80dB@10KHZ高纹波特性可用于声音图像等传感器模块。外围配套使用低ESR陶瓷电容器，减少了电源应用所需的电路板空间。该系列非常适用于电池供电设备，如射频应用和其他需要静态电源的系统。

【产品】CMOS正压线性稳压器CJ6206系列，适用于电池供电设备及静态电源的系统

长晶科技CJ6206是一款低功耗、低压降、高纹波抑制、低噪声的CMOS正压线性稳压器。5μA待机功耗可延长便携式电子产品的电池寿命。外围配套使用低ESR陶瓷电容器，减少了电源应用所需的电路板空间。CJ6206系列在关机模式下功耗小于0.1μA，快速开启时间小于50μS。该系列非常适用于电池供电设备，如射频应用和其他需要静态电源的系统。

SOT-23-6L PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS

SOT-363 SHAEC1918800525(SGS) Test Report

【产品】耐压30V的N+N双MOSFET CJBD3020，可用于直流负载开关以及高频开关

长晶科技推出的CJBD3020是一款开启电压在1.0~3.0V范围内的N+N双MOSFET，可提供20A的最大传输电流。保证优秀导通电阻的同时，提供较低的栅极电荷，具有较高的电流处理能力和交流开关特性，支持应用于直流负载开关以及高频开关应用。

【产品】20A/100V的肖特基二极管SBD20100TCTB，TO-220/TO-220F封装

SBD20100TCTB是长晶科技推出的一款20A/100V的肖特基二极管，TO-220/TO-220F封装，采用沟槽MOS工艺，实现超低VF值，主要应用于50W以内的开关电源适配器，在12V/3.3A电源实测效率接近89%；温升比同规格常规产品低10℃。

【产品】40V/25A/7.5mΩ的N沟道MOSFET CJAB25N04S，采用先进的沟槽工艺

长晶科技(JSCJ)推出的CJAB25N04S是一款开启电压在1.0~2.5V范围内的N沟道MOSFET，可提供25A的最大传输电流。保证优秀导通电阻的同时，提供较低的栅极电荷，具有较高的电流处理能力和交流开关特性，支持应用于直流负载开关以及高频开关应用。40V的耐压较30V更具应用优势，常见于无线充快充和移动电源。

长晶科技（JSCJ）官方授权代理证明/分销协议/授权书

长晶科技（JSCJ）官方授权代理证明/分销协议/授权书

UMC3N Digital Transistors (Built-in Resistors)