Crescent

PRODUCT CHANGE NOTICE Crescent Compound Bond System, Wire Bond Process

SGS Test Report Heraeus Materials Singapore Pte Ltd 26 Pioneer Crescent #06-11/12 West Park Bizcentral Singapore 628558

RoD Actuator CRES

【产品】顶部电极使用特殊材料的耐硫化贴片固定电阻CRES系列，阻值范围10Ω~1MΩ

HDK推出的耐硫化贴片固定电阻器CRES系列，包括CRES06、CRES10、CRES16、CRES20、CRES32、CRES35、CRES50、CRES64几款产品，阻值范围从10Ω~1MΩ，最大工作电压从25V~200V，TCR为±250ppm/℃和±300ppm/℃（CRES64）。

【产品】电阻范围为1~1MΩ，TCR为±200ppm/℃的耐硫化型宽端子贴片电阻WCRES系列

HDK推出的耐硫化型宽端子贴片电阻WCRES系列，包括WCRES32、WCRES50、WCRES64三款产品，电阻范围为1~1MΩ，TCR为±200ppm/℃，顶部电极使用特殊材料，具有出色的硫化特性。

CRES** Sulfurization-proof Type Chip Resistor 数据手册

PI SID1182K门极驱动芯片的Vce检测，如果采用电阻检测的方式，在驱动650V/300A的管子时，其Rvce和Cres应该如何选择，Cres的充电时间如何计算?

可以参考SID1182的资料，如果是用电阻做检测，建议是100KΩ串上1MΩ的阻值来实现，为了限流作用；Cres推荐值为33pF,具体计算如下：T为短路保护时间，R为检测电阻，C=T/R可以来计算出所需电容值，然后根基实际测试效果稍微调整即可。

【产品】反向传输电容Cres比上一代降低80%的G8H IGBT系列，助力IGBT并联均流实现

由于IGBT并联能够提供更高的电流密度、均匀热分布、灵活布局以及较高性价比等优势，使得IGBT并联方案目前已成为一种趋势，成为大功率设计应用的解决方案之一。Renesas最新的G8H IGBT提高了并联的一致性，主要与Cres的参数有关。为了实现快速开关， G8H IGBT产品的反向传输电容Cres比上一代产品降低了80%，改善了Vge的波形振铃。

Crest Factor Reduction

Crescendo II+ SoundBar SoC Product Brief

Cresol Novolac Type product list

2X4 gigabit MagJackr (8 Ccres) 0864-2X4R-54-F

Crest Factor Reduction for OFDM-Based Wireless Systems

Peak Cancellation Crest Factor Reduction IP Core User’s Guide

【经验】隔离驱动芯片如何使用高压二极管实现IGBT退饱和保护？

PI 门极驱动芯片SID11x2K的VCE管脚通过电阻Rvce、电容Cres以及高压二极管Dvce实现IGBT的CE极管压降检测，从而实现退饱和保护功能。

CR04 Packing Specification

【应用】1800V/40A的IGBT单管RGC80TSX8R用于电压谐振逆变器上，导通损耗低

ROHM的IGBT单管RGC80TSX8R应用于电压谐振逆变器在高压谐振逆变器，主要有以下几点优势：1、该IGBT采用的是ROHM的第3代技术，沟槽栅和薄晶圆技术，相对2代，性能更高。2、Vce(sat)低至2.2V，应用导通损耗低。3、Tf低至55ns、Cies为9550PF、Cres为102PF。关断时间和节间电容均非常小，可实现高速开关下低开关损耗以及减小开关噪声。

【经验】使用隔离驱动芯片配合电阻串实现IGBT退饱和保护

本文介绍驱动电路通过PI隔离驱动SID11x2K与电阻串配合，检测IGBT的CE极间压降变化，从而实现了IGBT退饱和保护功能，避免出现过流引起的炸机故障，提高可靠性。

【应用】基于SID11x1K设计的两种门极驱动电路，分别使用电阻和二极管进行退饱和检测

SID11x1K是PI公司推出的单通道IGBT/MOSFET门极驱动器，利用PI创新的固体绝缘FluxLink技术实现了加强绝缘，其8A峰值输出驱动电流可直接驱动600A（典型值）的开关器件，而无需使用外置推动级。本文主要介绍基于SID11x1K设计的两种门极驱动电路。

【应用】适合纯电动汽车(BEV)和混合动力汽车(HEV)电源开关应用的隔离式驱动器

Power Integrations已发布两款AEC-Q 100Grade-1汽车级SCALE-iDriver IC —— SID1132KQ和SID1182KQ，汽车工程师可充分利用业界领先的性能和可靠性，为大电流隔离型IGBT、MOSFET和SiC模块提供驱动。

【产品】高并联一致性IGBT：支持4个并联，反向传输电容降低80%

Renesas G8H在同样的条件下，可以做到建议并联不超过4个IGBT，提高了IGBT的并联一致性。

【产品】低损耗高开关频率IGBT，省钱又省心的选择！

瑞萨G8H系列是首个TO-247 plus封装的内置二极管1250V/75A IGBT，实现业内最低功耗水平。

【应用】1250V/75A IGBT单管，65μm超薄晶圆，UPS/光伏行业最强单管

RENESAS TO-247Plus封装的RBN75H125S1FP4旨在满足中小功率的高频UPS和小功率段的组串式光伏产品产品的集成化更高，产品的体积更小的市场需求。

【方案】10kW高频UPS优选器件方案

10kW的高频UPS发展方向是高功率密度集成和小型化，同时需提升产品性能、可靠性以及降低产品的成本。市场上多采用1200V/40A规格的单管并联增大回路电流的应用。Renesas（瑞萨电子）的G8H技术IGBT最高可以做到1250V/75A，单个1250V/75A的IGBT可替换两个1200V/40A规格的应用，实现减小体积且降低成本。

可pin-pin替代英飞凌IKW40N120T2的IGBT单管，成本降低30%！

为满足市场上IGBT单管缺货和低成本高性能的需求，本文推荐一款可pin-pin替代Infineon IKW40N120T2 1200V/40A IGBT单管，为Renesas高性价比IGBT单管RBN40H125S1FPQ-A0 1250V/40A，具有典型值仅为18pF的超低反向传输电容和低至4mJ的开关损耗特性，是低成本高性能的首选。

【应用】基于CC6903/4电流传感器的直流电流显示仪表设计方案，静态共模输出点为50% VCC

数字电流表的诞生打破了传统电子测量仪器的模式和格局。本设计采用了以单片机为开发平台，电流传感器采用芯进电子CC6903/CC6904，基于霍尔原理的单芯片电流传感器，利用单片机集成的ADC模块采样电流传感器芯片CC6903/4的输出电压，线性转换成显示值送到数码管驱动芯片驱动数码管，USB接口预留USB2UART芯片将电流值上传至PC。

【产品】TP0602CAP表面贴装单轴应答器，适用于实时生产管理系统

PREMO推出的TP0602CAP单轴应答器适用表面贴装工艺，尺寸小、电气性能优异、温度稳定性好，是适用于实时生产管理系统的一个良好解决方案，小尺寸7.1x2.9x2.05mm。

现货供应瑞萨RENESAS G8H系列IGBT，适用于UPS和光伏逆变器

作为全球十大半导体芯片供应商瑞萨电子（RENESAS）的授权分销商，世强现货供应RENESAS的第八代G8H系列IGBT产品，并提供免费的技术支持服务。该产品不仅可以PIN TO PIN 替换Infineon英飞凌，而且世强的价格比竞争对手便宜10%。

【产品】SMD硬铁氧体机械改进型应答器电感TP0702，尺寸为7.7x3x2.5x2.2mm

PREMO（普莱默）生产的TP0702系列表面贴装（SMD）铁氧体绕线电感器是非常小尺寸的优秀解决方案，尺寸为7.7x3x2.5x2.2mm ，具有非常好的电性能，对于RTPMS，Keyless Go和无钥匙进入系统是非常好的解决方案。

现货IGBT替换Fairchild仙童IGBT：FGH25T120SMD，FGL40N120AND

瑞萨现货IGBT替换Fairchild仙童IGBT：FGH25T120SMD，FGL40N120AND。Renesas瑞萨IGBT不仅可替换FAIRCHILD仙童 IGBT：FGH25T120SMD，FGL40N120AND，在产品性能上还有了极大提升，性价比高。

现货替代Infineon英飞凌IGBT，交期短，不缺货

Infineon英飞凌IGBT交期约30周，并有延长趋势。瑞萨IGBT可替换Infineon英飞凌IGBT，性能较英飞凌IGBT也有较大提升，交期较英飞凌IGBT大大缩短，不缺货，经过市场验证。

现货IGBT替换英飞凌IGBT： IKW25N120H3，IKW40N120H3，IKQ75N120CH3

Renesas瑞萨IGBT单管可替换Infineon英飞凌IGBT,具体型号为： IKW25N120H3，IKW40N120H3，IKQ75N120CH3。Renesas瑞萨IGBT单管不仅可替换Infineon英飞凌IKW25N120H3，IKW40N120H3，IKQ75N120CH3，在产品性能上还有了极大提升，性价比高。

【经验】IGBT栅极充放电平均电流计算，以RGT40TS65DGC11为例说明

在进行IGBT驱动时，假设当驱动脉冲信号加到栅极之前，栅极和发射极之间的初始电压为零。驱动信号的幅值为U，Uge电压由零上升到U时间为Tc，则该电压上升过程可以看成由驱动脉冲对Cge和Cgc两个结电容充电。因此充电电流计算可以分为两部分。第一部分为驱动脉冲对Cge充电，电压由零上升到U，该平均电流为： 第二部分为驱动脉冲对Cgc充电，设集电极-发射极电压为Vce，忽略集电极-发射极的导通压降。

现货IGBT PIN TO PIN替换Infineon英飞凌 IGBT/ Fairchild仙童IGBT

Renesas瑞萨IGBT性能优越，不缺货，可pin to pin 替换Infineon英飞凌IGBT、Fairchild仙童IGBT，交期快，经过市场验证，性价比高。Renesas瑞萨官方授权代理商世强，已备有大量现货IGBT，较Infineon 英飞凌IGBT、Fairchild仙童IGBT货期大大缩短，并已获得大量客户验证认可，广泛应用于光伏，UPS，充电桩等电源市场。

IGBT不缺货，现货IGBT PIN TO PIN替换Infineon IGBT/ Fairchild IGBT

Renesas瑞萨IGBT PIN TO PIN替换Infineon英飞凌IGBT、Fairchild仙童IGBT，不缺货，交期快，经过市场验证，性价比高。世强作为Renesas瑞萨一级官方授权代理商，备有大量正品现货IGBT，可稳定供货给各地客户，交期快，同时还可提供相关数据手册、解决方案、样品支持和技术服务等。

【产品】内置快恢复二极管的IGBT晶体管RJH65T04BDPM-A0，适用于功率因数校正电路

RJH65T04BDPM-A0是一款由Renesas公司推出的IGBT晶体管，该晶体管集成了沟槽栅，薄片技术，以及内置快速恢复二极管，可以实现高速开关转换。其典型的应用包括电流谐振电路，逆变器，感应加热，微波炉，功率因数校正电路等。

【产品】600V/30A IGBT RJH60T04DPQ-A1，TO-247A直插封装，结壳热阻仅为0.6℃/W

RJH60T04DPQ-A1是一款由Renesas公司推出的IGBT器件，该器件采用沟槽栅极和薄晶圆技术，其封装内内置了快速恢复二极管。其采用TO-247A直插封装，结壳热阻仅为0.6℃/W，具有出色的导热性能，非常适合应用于电流谐振应用中。

【产品】1250V/75A的IGBT RJP1CS05DWA、RJP1CS05DWS，10μs高短路耐受力

RJP1CS05DWA / RJP1CS05DWS是一款由Renesas公司推出的新一代IGBT产品，该晶体管采用了增强型薄化晶圆工艺，在传导、开关损耗以及耐受能力之间达到了低损耗平衡，以更好的承受短路情况的发生。新一代产品具有1250V的更高额定电压，以满足低温性能和过压阻断能力，提供更好的器件短路保护性能，主要应用于功率转换器，变流器以及电机控制等领域中。

【产品】内置快速恢复二极管，650V/50A绝缘栅型双极型晶体管（IGBT）RJH65D27BDPQ-A，适用逆变器领域

Renesas推出的RJH65D27BDPQ-A0绝缘栅型双极型晶体管（IGBT），内置一个功能强大的快速恢复二极管，其反向恢复时间典型值仅需80ns，反向恢复电荷典型值仅为0.35uC，具有较快的恢复速度，一定程度上保证了IGBT的开关速率；关于IGBT的电气参数，其集电极-发射极的饱和电压极低，典型值为1.3V；采用TO-247A封装，具有独特的沟槽栅极配置，可用于逆变器应用。

【产品】首款无线接收调频广播的调频接收机，可自动调节变容二极管的电容值

Si4704/05是Silicon Lab最申请了具有先进信号处理算法的自谐振网络专利，以确保天线在设备的每个频率调谐下保持最高效率，大大增强了板卡工程师对天线的选择空间，提高了设计效率。

【产品】专为多相交流电源功率量测所设计的数位式功率表66200，适用于大部份的电机电器

Chroma的66200系列数位式功率表可应用于量测单相及多相交流或交/直流电源的功率及其他电压电流参数，适用于大部份的电机电器产品。使用了类比转数位化16 bits的高解析度，最高250kHz的取样频率，及高速的数位讯号处理技术。它能提供更多功能，及能更快速量测出稳定及精确的数值。66200系列有四个显示视窗，同时提供不同参数读取。

【应用】IC测试实例系列技术专题——IGBT功率器件参数测试

面对IGBT功率器件高压、高流的测试要求，Keysight 可以提供B1505A和B1506A功率器件分析仪两套测试方案，可以支持晶圆和封装器件全参数测试。这些方法同样适用于宽禁带半导体SiC和GaN功率器件。

在线慕尼黑展：电力，电源及功率半导体展区

在线慕尼黑展，电力电子功率半导体新产品新技术合集