GaN Systems

GN010 EZDriveTMSolution for GaN Systems’ E-HEMT Application Note

GN010 EZDriveSMSolution for GaN Systems’ E-HEMT Application Note

GN002 Thermal Design for GaN Systems’ Top-side cooled GaNPX®-T packaged devices Application Note

GN002 Thermal Design for GaN Systems’ Top-side cooled GaNPX®-T packaged devices Application Note

GaN Switching Loss Simulation using LTSpice Application Brief

GN001 Design with GaN Enhancement mode HEMT Application Guide

GS665EVBMB 650V GAN UNIVERSAL MOTHERBOARD DRAWING

GS66508B-EVBDB1 650V GaN E-HEMT Evaluation Board User’s Guide

GS61004B 100V enhancement mode GaN transistor Preliminary Datasheet

GERoHS VP Operations CERTIFICATE OF COMPLIANCE- EU RoHS Declaration

GN011 GaNPX®封装器件的焊接建议 应用指南

744 804 2001 BOM of 3kW Totem-pole PFC_Mother board

【技术】小米10捧红氮化镓！十分钟带你了解GaN建模，Keysight团队提供Si/GaAs/GaN器件建模服务

2月13日小米发布会召开，除了发布最新款旗舰手机，还带来了旗下第一款GaN氮化镓充电器。一时间，氮化镓这个新名词迅速占据了公众视野，成为投资界的新宠儿。Keysight团队提供Si/GaAs/GaN器件建模套件服务。

【产品】小尺寸氮化镓GaN FET驱动器ISL70040SEH/ISL70024SEH

RENESAS的GaN FET采用了全新的氮化镓技术，其非常适合卫星应用，并且RENESAS的ISL70040SEH和ISL70024SEH是小尺寸、轻量以及高效率设计的最佳解决方案。

EPC的氮化镓的可靠性如何？

关于EPC的氮化镓（GaN）产品的可靠性，可通过产品EPC产品的“Reliability Report Phase”文档查阅，在 JEDEC Standard JESD22-A108标准下做的高温150℃条件的测试时间至少1000小时。

低成本，高可靠性的硅基氮化镓晶体管（GaN FET），最高频率可达GHz等级

英诺赛科（Innoscience）已发布30V-650V的硅基氮化镓晶体管（GaN FET），包括单管GaN FET，半桥GaN FET，GaN IC，具有WLCSP、ECP、TOLL、DFN多种封装可选，可做到脉宽＜2ns的开关速度，最高频率可达GHz等级，效率高，可实现低杂散电感、低损耗，易于PCB布板，且具有每月8万片wafer的高产能等诸多优势。

UMS砷化镓，氮化镓工艺放大器的设计与分析

UMS是一家RF MMIC产品及晶圆代工服务的欧洲领导厂商，其工艺包括了砷化镓，氮化镓，锗硅，产品频率覆盖DC-100GHz，PA功率最高可达200W。 UMS的砷化镓，氮化镓工艺具体包括PH25、PH15、PH10，PPH25X 、PPH25、PPH15X，其5.5-6.5GHz Doherty PA ,功率可达20W，L波段GaN工艺功率放大器PA，功率达100W。

「EPC」业界最小最快氮化镓GaN FET，8/3周五中奖VIP名单公布！—有奖下载活动

「EPC」业界最小最快氮化镓GaN FET，8/3周五中奖VIP名单公布！—有奖下载活动

【产品】小尺寸氮化镓GaN FET驱动器评估板ISL70040SEHEV2Z,ISL70040SEHEV3Z

Renesas提供各种易于使用的板用于评估；Renesas Starter Kits，包括具有Renesas MCU需要的板和启动软件，CPU板，用于尝试Renesas MCU的操作，以及评估板，它们特定于特定领域。ISL7000 40SEHEV2Z和ISL7000 40SEHEV3Z是小尺寸氮化镓GaN FET驱动器ISL70040SEH/ISL70024SEH的评估板，其被设计成在隔离拓扑。

【技术】相对于传统硅晶体管和硅芯片有更快开关速度、更小尺寸和更高效率的增强型氮化镓（GaN）技术

GaN的场效应管及IC在电源设计中相对于传统的硅晶体管和硅芯片有非常大的优势：1.有更快的开关速度；2.尺寸可以更小；3.有更高的效率；4.成本较低。EPC作为增强型氮化镓功率管理器件的领先供应商，提供从15V-350V的eGaN FET产品和eGaN IC产品。

【产品】130W功率封装氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管CHKA011aSXA

UMS推出的CHKA011aSXA是一款130W功率封装氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管，它为各种射频功率应用提供通用的和宽频带解决方案，非常适合雷达和通信等多用途应用。采用了陶瓷-金属法兰封装，符合RoHS N°2011/65和REACH N°1907/2006指令。

【专题】硅MOS的终结者——氮化镓eGaN FET

相比先进的硅基器件，当今商用化的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）及集成电路的性能高出5至50倍。

世强平台可提供全方面的器件，助力采用氮化镓技术符合Type-C协议的60W PD快充设计

基于氮化镓采用Type-C协议的PD快充是目前充电器的优选，其中 60W的PD快充是目前主流的功率段之一。基于原理示意图，世强平台可提供里面的PD快充设计的全方面的器件和相关资料，协助高效高密的PD快充设计。

【选型】全新抗辐射氮化镓产品系列，卫星和高可靠性行业的最佳解决方案

Renesas的子公司Intersil推出了业界首款GaN FET栅极驱动器—ISL70040SEH，具有稳定的4.5V栅极驱动电压；以及两款GaN FET，分别是ISL70023SEH和ISL70024SEH。

EPC（宜普）增强型氮化镓(GaN) FET/IC 快速参考指南

【应用】基于氮化镓功率管（GaN FET）INN650D02的60W PD快充方案

随着电子市场对电源效率、功率密度和模块化的要求日益增长，硅基功率晶体管作为PD快充方案已经不能满足市场需求。本文介绍一款基于英诺赛科（Innoscience）氮化镓功率管（GaN FET）INN650D02的60W PD (Type-C) 快充方案，可使PD快充产品更高频、高效。

国产第三代半导体硅基氮化镓（GaN）功率器件上线，带来小体积、低成本PD快充方案

世强元件电商平台上线硅基氮化镓功率器件、射频器件等产品，可以提供小体积、低成本PD快充方案。

EPC氮化镓场效应晶体管GaN FET现货供应，适用于激光雷达、DC/DC领域

世强/世强元件电商作为EPC的官方授权分销商，可现货供应EPC 氮化镓FET（氮化镓场效应晶体管），产品型号齐全，保障正品。

【技术】为什么选择氮化镓替代硅基MOSFET？

EPC公司的氮化镓晶体管及集成电路的制造工艺跟硅基功率MOSFET的工艺相似，制造氮化镓器件的工艺步骤更少，以及在每次制造工艺中产出更多器件。与最优的硅基MOSFET相比，氮化镓晶体管及集成电路的开关速度快很多及体积更小巧。氮化镓晶体管（特别是eGaN FET）跟日益老化的功率MOSFET器件的行为非常相似，功率系统工程师可利用他们拥有的设计经验便可以发挥氮化镓器件的优势。

【产品】130W封装氮化镓高电子迁移率晶体管，射频功率应用首选

UMS的CHKA011-SXA是一款氮化镓高电子迁移率晶体管，具有所有GaN关键优势，高功率、高效率以及高达1.5GHz工作频率的宽带能力，兼容脉冲和CW操作模式，为各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案，非常适用于雷达和通信等领域中。

【产品】抗辐射加固型100/200V氮化镓场效应管（GaN FET）驱动器解决方案

Intersil最新推出的抗辐射加固型100V和200V氮化镓场效应管低侧驱动器ISL70040SEH和ISL70040SEH。非常适合用作运载火箭和卫星的初级和次级DC/DC转换器的电源，以及井下钻井和高可靠性的工业应用。

【技术】氮化镓场效应晶体管两种散热方式，你知道么？

EPC场效应晶体管的D2PACK封装具的RθJA值小至18℃/W，而封装SO-8具有RθJA值大到34℃/W。

【产品】15W功率封装氮化镓晶体管CHK015A-QIA，增益可达14dB

全球领先的微波元件供应商UMS（United Monolithic Semiconductors）推出CHK015A-QIA型号氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管，支持脉冲和连续波工作模式，带宽达6GHz。输出功率达15W，增益可达14dB。该产品可以为各种射频功率应用提供较为通用的解决方案。该系列晶体管采用0.5μm栅极长度的GaN HEMT工艺，采用低成本塑料封装。

【产品】氮化镓射频晶体管最全选型，带宽可达6GHz

UMS推出了氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管，支持脉冲和连续波工作模式，带宽达6GHz，覆盖L至C波段。

EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商

世强是EPC官方授权一级代理商，全线代理EPC旗下产品，库存丰富，正品保证。用户可以查询获取来自EPC的最新产品和技术资讯、官方资料库，以低于行业的价格，购买EPC最新元器件，享受供货保障。

【产品】全新S波段氮化镓（GaN）芯片组，可用于军事和商用雷达系统

UMS（United Monolithic Semiconductors）推出了先进的，适用于S波段的芯片组。该芯片组由2个产品组成：一个60W的高功率放大器（CHZ9012-QFA）和一个12W的驱动器（CHZ8012-QJA）。

【产品】表面贴装氮化镓高电子迁移率晶体，高达21.1dB小信号增益，可有效对信号进行放大

锐科旗下的Wolfspeed公司是碳化硅功率器件和氮化镓射频功率解决方案主要半导体元件供应商之一。近期，公司又推出了无与伦比的CGH27030S系列氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），该晶体管具有高效率，高增益和宽带宽等特点，可广泛应用于LTE基站、4G电信和BWA放大器应用等领域。

【技术】论氮化镓技术及其产品的发展与应用

EPC第五代氮化镓eGaN技术的产品系列，无论在性能及成本上都实现质的飞跃——产品具备更高的性能、小型化及更低的成本。

【产品】CGHV35060MP氮化镓高电子迁移率晶体管，适用于2.7-3.1GHz和3.1-3..5GHz频段

WOLFSPEED公司推出了一款针对S波段进行性能优化的典型输出功率高达75W的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）——CGHV35060MP，适用于2.7-3.1GHz和3.1-3.5GHz的典型频段，主要用于S波段雷达和LTE基站。该芯片具有输入的内部预匹配和无与伦比的输出性能。

EPC提供氮化镓(eGaN®)功率器件的晶圆，易于集成功率系统

为了使得客户易于集成功率系统，宜普电源转换公司（EPC）为客户提供领导业界的氮化镓功率器件的晶圆。采用芯片级封装的器件更高效，因为该封装可以使得氮化镓（eGaN）功率晶体管具备更低的阻抗、电感、尺寸、热阻及成本，从而可以实现前所未有的电路性能及成本效益。

【技术】在不增加汽车成本的条件下，氮化镓IC如何提高电动汽车的功率输出和能效

本文Silicon Labs将探讨氮化镓（GaN）电子器件，也涉及到一点碳化硅（SiC），在不增加汽车成本的条件下，如何提高电动汽车的功率输出和能效。Transphorm提供了一款汽车级AEC-Q101认证的GaN FET—650V TPH3205WSBQAFET，采用TO-247封装，导通电阻为49mΩ。

【产品】输出功率达280W的GTRA362802FC氮化镓高电子迁移率晶体管，工作频率范围3400MHz到3600MHz

WOLFSPEED公司推出了一款输出功率高达280W（P3dB）的碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）—— GTRA362802FC，用于多标准蜂窝功率放大器应用。采用GaN-on-SiC HEMT技术，具有输入匹配功能，可在3400MHz到3600MHz频率范围内工作。主要应用于多标准蜂窝功率放大器、蜂窝基础设施以及移动通信设备等领域。

【产品】宽带功能高达8GHz的氮化镓高电子迁移率晶体管CHK9013-99F，兼容脉冲和CW操作模式

UMS推出的CHK9013-99F是一款85W氮化镓高电子迁移率晶体管。晶体管的电路采用0.25μm栅长GaN HEMT技术在SiC衬底上制造，产品以裸芯片形式供应并需要外部匹配电路, 尺寸大小为0.9x4.27x0.1mm，能够为各种射频功率应用提供比较全面的解决方案，可运用于雷达和通信领域。

单体单管集成驱动的新型氮化镓产品，实现驱动频率高达7MHz

为了解决匹配GaN产品驱动设计的难度问题，EPC在2018.03.08推出了集成驱动能力的氮化镓产品EPC2112。这类产品技术为业内300V以内电压规格，最新单体单管集成驱动的技术。该技术能实现驱动频率高达7MHz。EPC2112电压规格200V，电流规格高达10A。且在Tj=25℃的情况下，Rds(on)低至40mΩ。EPC2112芯片集成度比“驱动+GaN单管”的设计方案高上几个等级。

全球首款替代功率MOSFET器件的EPC硅基增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）,效率高达98%

EPC eGaN FET产品具有小尺寸、高开关速度、高频率、高功率密度以及低损耗等突出优势，在性能上比硅材料的功率器件优越很多。世强是EPC的官方授权代理商，可供应EPC氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），价格优惠，库存丰富。可提供EPC氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）选型， EPC氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）数据手册， EPC氮化镓场效应晶体管技术支持等服务资源。

UMS为欧空局第七次地球探测任务“Biomass”提供氮化镓功率晶体管，通过ESCC 5010认证

欧空局第七次地球探测任务“Biomass”致力于全球对地上森林生物量的观测。作为生物质能项目的一部分，UMS被选中开发、制造和鉴定氮化镓（GaN）功率晶体管，以实现SAR系统。

【产品】有望取代MOSFET整体市场的氮化镓场效应晶体管

EPC的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）以更高的开关速度工作，所以转换器可以比硅MOSFET在更高的频率下工作，消耗更少的能源。

【产品】附加效率高达76%的140W氮化镓功率放大器CHKA012a99F，适用于雷达系统、射频大功率应用

UMS 2019年推出了一款140W的氮化镓高电子迁移率功率晶体管CHKA012A99F。该产品能够为4GHz以下的大功率应用提供比较好的解决方案。采用0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术，SIC衬底，输出功率可达140W，小信号增益达19dB，CHKA012A99F能够在高电压（50V）条件下工作，具有氮化镓器件的特有的高附加效率（高达76％）。

【产品】焊球间距为1mm氮化镓功率晶体管EPC2029，可承载大电流

氮化镓功率晶体管EPC2029采用更宽间距连接的布局，焊球间距为1mm，符合RoHS标准，无卤素，封装尺寸为4.6mm×2.6mm，更宽阔的间距可在元件的底部放置额外及较大的通孔，使得小尺寸的元件可以具备大电流承载能力。EPC2029增强型功率晶体管为氮化镓（eGaN）器件可应用在高速DC-DC电源转换，马达驱动器，工业自动化，同步整流，D类音频放大器等领域。操作温度和存储温度均为-40~150℃

【经验】EPC氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的安全工作区域

宜普公司的氮化镓场效应晶体管在整个工作范围内具正温度系数，因此器件在工作时只受电压、电流及温度限制。本文描述与功率氮化镓场效应晶体管的热阻有直接关系的安全工作区域，并展示晶体管具备良好SOA特性之同时可以维持低电阻，以及对从热效应推算得出与测量所得的结果进行比较。

【产品】超小封装尺寸氮化镓功率晶体管（4.1mm×1.6mm），栅极电荷QG典型值仅8.7nC

EPC推出的EPC2015C增强型功率晶体管属于氮化镓（eGaN）器件，与传统器件相比，它具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流以及卓越的热性能。EPC2015C可应用在工业自动化，同步整流，D类音频放大器等领域。EPC EPC2015C氮化镓功率晶体管属于绿色环保产品，无铅，无卤素，符合RoHS标准；其采用超小封装尺寸，仅4.1mm×1.6mm；操作温度和存储温度均为-40℃~150℃。

分享EPC硅基增强型氮化镓（eGaN）场效应晶体管产品的选型、使用经验，稿费高达600-800元/篇

EPC推出的替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓（eGaN）场效应晶体管，在速度，损耗，效率等性能上比硅材料的功率器件优越很多。若您使用过EPC硅基增强型氮化镓（eGaN）场效应晶体管，基于您的真实项目撰写稿费600-800元/篇。

【产品】采用氮化镓晶体管的差分模式开发板，可在15MHz频率下高效工作

EPC推出的全新开发板EPC9083，面向无线充电及激光雷达应用、采用200 V eGaN®FET、60 W E类放大器拓扑。

【产品】具亚纳秒开关速度氮化镓晶体管并适用于10 MHz频率以上硬开关应用的开发板

EPC公司推出采用半桥式拓扑并配备一个板载栅极驱动器的开发板(型号由EPC9022 至 EPC9030)，可简化对超高频、高性能的EPC8000氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）系列进行评估。 EPC公司推出全新开发板系列(型号由EPC9022 至 EPC9030)，可简化对超高频氮化镓（eGaN）功率晶体管EPC8000产品系列进行评估。

EPC为Solace Power的250W无线电源平台提供高效的低成本增强型氮化镓（eGaN）FET

2019年9月，EPC在加利福尼亚州埃尔塞贡多市宣布与领先的无线电源，传感和数据公司Solace Power合作，以实现专为5G，航空航天，汽车，医疗和工业应用设计的250W无线电源解决方案。Solace Power的智能无线平台使用EPC的200V增强型氮化镓（eGaN®）功率晶体管。该模块化平台共享相同的Equus™体系结构，可实现高达250W的发射功率，并具有卓越的六个空间自由度。

【产品】车规级80V eGaN®FET氮化镓场效应晶体管EPC2214，帮助激光雷达系统看得更清晰

宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大车规级氮化镓产品系列 – 全新成员是面向具有高分辨率的激光雷达系统、80 V的EPC2214氮化镓场效应晶体管，该元件成功通过国际汽车电子协会所制定的AEC Q101应力测试认证。

【产品】单片式半桥氮化镓功率晶体管，可使晶体管占板面积减少50%

EPC EPC2103为单片式半桥氮化镓功率晶体管，它通过集成两个eGaN功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及空隙，使晶体管的占板面积减少50%。此产品是面向高频直流/直流转换应用的理想器件，可应用在高频DC-DC转换，电机驱动等领域。符合RoHS，无铅，无卤素，使用芯片规模封装，封装尺寸为6.05mm×2.3mm，功率密度很高。

【产品】双路共源的集成门极驱动器的氮化镓IC，驱动频率高达7Mhz

氮化镓产品的驱动基本满足兆级，满足兆级驱动能力的驱动芯片在市场上相对比较少且驱动设计的难度也存在设计困难的问题。设计的困难主要体现在驱动能力和回路EMI和EMC方面。为了解决这种困扰，EPC在2018.03.08推出了集成驱动能力的氮化镓IC产品（EPC2115）。EPC为EPC2115设计DEMO EPC9088作为设计指南。

【应用】氮化镓场效应晶体管导通电阻具有正温度系数，助力并联器件设计

EPC的氮化镓RDS（ON）的温度特性均是正温度系数， RDS（ON）随着器件温度的增加而增加，这样并联使用时，管子的RDS（ON）自行调控，从而均衡所有管子的电流和温度的均衡度，提高并联系统的稳定性。

【产品】 60W氮化镓高电子迁移率晶体管，PAE高达50%

UMS CHK9014-99F系列氮化镓高电子迁移率晶体管具有高达13GHz工作频率的高宽带能力，兼容脉冲和CW操作模式。存储温度范围为-55℃～150℃，最高结温230℃。更宽的温度范围使得该系列产品能够适应较为恶劣的工业环境，具有更高的使用安全性。可广泛应用于军事或商业通信系统之中。

代理英诺赛科 世强元件电商可获取更多硅基氮化镓产品及5G射频器件

2018年底，世强增添多条产品线，由此进一步扩充磁性材料、纳米涂层材料、线路保护器件、功率和射频器件等相关产品线及服务。本次，与世强签约的，就包括建成了全球首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片量产生产线的英诺赛科。-关于英诺赛科-在2017年底，英诺赛科建成了全球首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片量产生产线，并在非常短的时间内打破了国外知名半导体公司在氮化镓功率芯片设计和生产制造领域对中国市场、甚至全球市场

【产品】基于氮化镓的增强型功率晶体管，导通电阻低至1.15mΩ

EPC2023是EPC公司推出的增强型氮化镓功率晶体管，漏源电压VDS为30V(连续)，漏电流为90A，漏源导通电阻RDS（on）典型值仅为1.15mΩ，极大提高了输出电流能力，降低导通损耗。此外，EPC2023增强型氮化镓功率晶体管具有较宽的工作温度，即为-40—150°C，可在极端的温度环境下稳定工作，可广泛应用在高频率DC-DC转换、负载点(POL)变换器 、马达驱动、工业自动化等领域。

【产品】0.9mm超小封装，高速氮化镓FET助力提升电源效率

宜普电源转换公司（EPC）的EPC2203为全球首批通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应管之一，采用芯片级封装技术，拥有超低封装尺寸，具备卓越性能且坚固耐用和可靠。可应用在激光雷达/脉冲功率应用，高功率密度的DC-DC转换器，无线电源，D类音频等领域。

【经验】驱动高性能激光雷达为何要选择氮化镓？

激光雷达（Lidar）使用镭射脉冲快速制成三维图像或为周围环境制作电子地图，其传统应用包括绘制地图、地质测量、气象学及探索自然资源等应用。传统激光雷达驱动采用MOSFET器件，相比于MOSFET器件，氮化镓的开关速度快十倍，使得激光雷达系统具备超高分辨率，更快速响应时间及更高准确性等优势，两者实际应用对比如图1所示。因此也使得激光雷达出现在更多应用领域，包括支持电玩的实时动作侦测功能、以手势驱动指

【经验】基于氮化镓的同步整流技术应用，让电源效率更上一个台阶

在器件选用上，我们以EPC的氮化镓功率管EPC2029/EPC2045为例，和硅基功率管在48V转12V的同步整流应用中做对比，选用氮化镓的同步整流转化效率比硅基功率管要高2%左右

【产品】导通电阻增幅约40%的氮化镓场效应晶体管EPC2010，25℃~100℃

温度25℃~100℃时,EPC氮化镓场效应晶体管EPC2010 Rds(on)的增幅只有约40%。在25℃时，与硅技术相比，芯片晶圆在100℃结温时，氮化镓晶片的Rds(on)将会带来20%的优势。

世强引入英诺赛科 进一步发力氮化镓功率芯片、5G射频器件及服务

日前，十大本土分销商世强，与拥有全球首条8英寸硅基氮化镓量产线的英诺赛科签署代理协议，代理其全线产品。签约后，世强元件电商可以为广大中国企业提供更多的氮化镓功率芯片、5G射频器件，并支持与英诺赛科相关的资料下载、技术支持等服务。

英诺赛科（Innoscience）——世界领先的8英寸硅基氮化镓产业化平台

世强是英诺赛科（Innoscience）官方授权一级代理商，代理英诺赛科（Innoscience）旗下硅基氮化镓功率与射频器件等产品，库存丰富，正品保证。用户可以查询获取来自英诺赛科（Innoscience）的最新产品和技术资讯、官方资料库，以低于行业的价格，购买英诺赛科（Innoscience）最新产品，享受供货保障。

【产品】内匹配氮化镓射频晶体管，频率覆盖1.2-5.8GHz

UMS推出了内匹配的氮化镓射频晶体管覆盖L至C波段，不需要任何外部匹配电路。

【选型】基于降压转换器架构，解说氮化镓与硅mosfet相比的优势

电流和导通电阻匹配的EPC推出的EPC1001与EPC1007和硅MOSFET相比，氮化镓的开关损耗成倍减小，品质因数更高，需求的印刷电路板面积成倍降低。

【经验】可替代硅基功率MOSFET器件在交流-直流及直流-直流功率转换应用的增强型氮化镓场效应晶体

氮化镓技术最大的机遇是它的固有特性可集成多个器件于相同的衬底上，从而对功率转换市场的影响深远。与常用的硅集成电路技术相反，氮化镓技术将来可让设计师更直接地及以低成本在单一晶片上实现单片式功率系统。本文以氮化镓场效应晶体管EPC2100为例展开了详细的探讨。

【产品】40V氮化镓功率晶体管，比等效MOSFET小型化8倍

EPC宣布推出比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化镓功率晶体管EPC2049，应用于负载点转换器、激光雷达、包络跟踪电源、D类音频放大器及具低电感的马达驱动器。

【产品】1.2-1.4GHz氮化镓高电子迁移率晶体管CHZ015AaQEG，非常适合脉冲雷达应用

UMS的CHZ015AaQEG是一种输入匹配的封装氮化镓高电子迁移率晶体管。它可以为L波段的各种射频功率应用提供宽带解决方案。该电路非常适合脉冲雷达应用，提出了一种0.5μm栅长氮化镓高电子迁移率晶体管工艺。它基于准微波单片集成电路技术，采用符合RoHS标准的SMD封装。

【产品】尺寸减小达15倍！小型氮化镓晶体管实现更低的栅极驱动损耗

EPC2045及EPC2047氮化镓场效应晶体管，对比前一代的产品，这些晶体管的尺寸减半，而且性能显著提升。

【产品】比等效MOSFET小型化12倍的200V氮化镓功率晶体管

EPC2046采用最新的第五代工艺，展示出EPC及其氮化镓晶体管技术如何提升产品的性能之同时能够降低器件的价格。

【产品】超小尺寸单片半桥式氮化镓功率晶体管，尺寸仅6.05x 2.3mm

EPC2101单片半桥式氮化镓功率晶体管为功率系统设计师提供增加效率及增加功率密度的解决方案。氮化镓器件可推动28 V转至1 V并在500kHz频率开关的全降压型转换器可以在14 A输出电流时实现接近87%系统效率，以及在30 A输出电流时可以实现超过82%效率。同时，与分立式解决方案相比，晶体管的占板面积减少50%。

【产品】双路增强型120 V、60 mΩ氮化镓IC，可实现超高频开关

EPC推出双路增强型120 V、60 mΩ氮化镓集成电路（EPC2110）可实现超高频开关，从而推动采用E类放大器拓扑的无线电源传送应用实现优越性能。广泛应用于超高频DC/DC转换、同步整流、D类音频放大器及尤其是无线电源传送应用。

【产品】EPC推出两款全新汽车用氮化镓场效应晶体管，采用小至0.9x0.9mm芯片级封装

2018年5月1日，宜普电源转换公司宣布其两个汽车用氮化镓场效应晶体管EPC2202及EPC2203是第一批通过AEC Q101测试认证的产品。与等效MOSFET相比，这些氮化镓场效应晶体管的尺寸小很多，而且可实现的开关速度快10至100倍。广泛应用在全自动驾驶汽车的激光雷达及雷达系统、48 V–12 V DC/DC转换器及高强度的货车头灯等应用。

【应用】开关速度为纳秒级的氮化镓功率MOSFET助力包络跟踪电源

EPC的氮化镓功率MOSFET其开关速度在纳秒级范围，具备超快速开关性能，可应用于包络跟踪的高频多相降压转换器中。

【产品】氮化镓高电子迁移率晶体管CGH3X240F系列，240W输出功率

Wolfspeed（锐科旗下的公司）是全球领先的功率器件和射频于一体元件供应商。其近期推出的CGH3X240F系列（CGH31240F和CGH35240F）氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）具备高效率、高增益和宽带宽功能等特点，采用陶瓷/金属法兰封装，适用于2.7-3.1GHz（CGH31240F）和3.1-3.5GHz（CGH35240F）的典型频段，是S波段的雷达放大器应用的理想选择。

【应用】新型氮化镓功率晶体管助力实现可无线充电智能鞋设计

通过无线充电技术的应用，智能鞋在使用中，可以做到全封闭防水并能免去更换电池的烦恼。而在现实使用中，如果采用了不恰当的功率器件或采用了普通的充电技术，因为鞋底存在一定厚度（一般约10mm）的原因，会导致可充电距离近、不易操作的麻烦，那么，该如何解决该问题呢？ 氮化镓EPC2036以其高速度、高功率密度、充电距离远、易开发等特性，非常适合应用在可无线充电的智能鞋中。

【产品】超高开关频率、超低导通电阻的100V增强型氮化镓功率管INN100W02

英诺赛科推出的增强型氮化镓功率管INN100W02，漏极-源极连续电压最大值为100V, 具有零反向恢复损耗、超高开关频率等特点。其相关性能指标非常优越。

【产品】工作频率高达5GHz/8.4GHz的氮化镓高电子迁移率晶体管CGHV50200F和CGHV96050F1

Wolfspeed推出的CGHV50200F和CGHV96050F1系列氮化镓高电子迁移率晶体管，其工作频率可以高达4.4GHz-5.0GHz和7.9GHz-8.4GHz,可以满足于卫星通信和超视距通讯。

高速、高准确性激光雷达的秘密——EPC氮化镓场效应晶体管

EPC旗下的EPC2001C、EPC2007C氮化镓场效应晶体管，搭配使用EPC9126开发板，可以使得LiDAR系统具备优越的解像度及更快速反应时间等优势，由于可实现优越的开关转换，因此可推动更高准确性。