GaN Systems

ACPL-P346 GaN Systems GaN E-HEMT GS66508T Half Bridge Evaluation Board

GaN Thermal Analysis for High-Performance Systems

Qorvo® GaN technology enables the systems all around you

CGHV14250 250 W, 1200 - 1400 MHz, GaN HEMT for L-Band Radar Systems

CGHV14500 500 W, 1200 - 1400 MHz, GaN HEMT for L-Band Radar Systems

GaN功放管负压供电电路设计参考？

你可以参考这个GaN systems公司的设计

CGHV14500 500 W, 1200 - 1400 MHz, GaN HEMT for L-Band Radar Systems

STRENGTH IN NUMBERS Qorvo® GaN technology enables the systems all around you

Tektronix IsoVu Measurement Systems Helps Panasonic Semiconductor Solutions Significantly Shorten Development Time for New GaN Device

【选型】Qorvo GaN产品选型指南

本资料主要讲述以下产品：GaN，氮化镓，SiC功率晶体管，GaN开关，氮化镓开关，GaN功率放大器，氮化镓功率放大器，GaN低噪声放大器，氮化镓低噪声放大器等。

世强 （SEKORM）采用GaN技术实现高密高效的快充技术的产品及应用

采用GaN技术实现高密高效的快充应用

【应用】Renesas推出ISL7002XSEH、ISL70040SEH GaN FET，提供GaN FET驱动解决方案

卫星工业对下一代氮化镓(GaN)技术非常感兴趣，并且已经部署用于射频和开关应用。由于GaN FET具有一流的门控性能、更小的尺寸、更轻的重量和更高的开关频率能力，这些产品现在可以大幅度提高板空间节约和功率效率。本文将详细讨论GaN FET性能和GaN FET驱动解决方案及其在卫星应用中的优势。

UMS流片服务自主IP助力国产GaN MMIC落地——世强硬创峰会

（硬创峰会）You want to retain your IP, develop competitive products and grow your business? Use UMS foundry services

【产品】采用WLCSP封装形式的国产单管GaN FET，RDS(ON)最小为25mΩ

INN40W01,INN40W02,INN100W01是Innoscience公司推出的三款高质量单管GaN FET产品，三款产品均采用WLCSP封装形式，具有超低RDS(ON)和零反向恢复损失等特性，可广泛应用高效率功率转换、高密度功率转换、工业自动化等方面。【世强硬创沙龙2019】

【技术】GaN低压功率器件在不同差异下的最终产品实现大批量应用

硅上氮化镓(GaN)低压功率器件自2010年开始实现商业可用性以来已经在许多领域有了新应用，其优越的半导体特性实现了诸如光探测及测距(LiDAR)，包络跟踪和无线功率等新型应用市场，基于GaN极快的开关速度，其新应用领域有助于开发强大的供应链、降低生产成本和达到优质的可靠性能

【选型】SMI MEMS芯片/系统/压力传感器/微创传感器（Systems）选型指南

【产品】18mΩ导通电阻的高电压GaN增强型功率MOS管

EPC2010C是EPC公司推出的一款低导通电阻，高负载电压的GaN增强型功率MOS管，额定电压可达200V。

低成本，高可靠性的硅基氮化镓晶体管（GaN FET），最高频率可达GHz等级

英诺赛科（Innoscience）已发布30V-650V的硅基氮化镓晶体管（GaN FET），包括单管GaN FET，半桥GaN FET，GaN IC，具有WLCSP、ECP、TOLL、DFN多种封装可选，可做到脉宽＜2ns的开关速度，最高频率可达GHz等级，效率高，可实现低杂散电感、低损耗，易于PCB布板，且具有每月8万片wafer的高产能等诸多优势。

【产品】6-18GHz反射式单刀双掷开关，GaN工艺单片微波IC

UMS推出的反射式单刀双掷开关（SPDT）CHS8618-99F，切换时间典型值为30ns，在导通状态下的插入损耗极小，典型值仅为1.3dB，可应用于大多数军事或商业通信系统中。

【产品】2.5 GHz高电子迁移率晶体管（HEMT） GaN CGH40180PP，饱和功率输出220W，效率可达70%

Wolfspeed公司推出了一款高电子迁移率晶体管（HEMT） GaN CGH40180PP，其额定漏极源极电压为84V，门级开通电压最大为+2V，门级关断电压最大为-10V，驱动电路设计简单。功率GaN HEMT CGH40180PP的最大正向门电流为60mA，最大漏电流为24A，另外GaN HEMT CGH40180PP的饱和功率输出可达220W，满功率输出效率可达70%。

【产品】高效能8 W GaN HEMT芯片CGH60008D，最大工作频率 6 GHz

CGH60008D是Wolfspeed推出的一款基于氮化镓（GaN）工艺的高电子迁移率晶体管（HEMT） 。对比传统的硅或砷化镓芯片， 基于GaN的产品具备更加优异的性能，尤其是在耐高压、饱和电子漂移速度、导热性方面。而且在功率和频带参数指标方面，基于GaN的 HEMT可以提供更为优异的参数表现。

【产品】18nC栅极电荷GaN增强功率晶体管

EPC的EPC2030氮化镓增强型功率晶体管有极低的栅极电荷总量，驱动功率低，效率高。

【技术】相较于Si MOSFET，GaN FET可实现更高的频率开关特性以及更高效率特性

氮化镓主要是氮和镓的化合物。目前英诺赛科的氮化镓主要是采用si做衬底，氮化镓主要是通过GaN和AlGaN之间以及它们之间的二维电子气形成DGS三极之间的开关特性。当Si MOSFET器件被开发到极致时，GaN技术相对于Si MOSFET，能实现更高的功率密度和更高效率特性的场效应晶体管技术。

【选型】如何为宇航电源选择合适的GaN功率开关管

为了应对电源转换器在严峻的工作环境下正常工作，包括宇航、高飞行高度或者高可靠性航天应用，都必须具有高耐离子化辐射性能，这样才能确保电源不会因为辐射而损坏或产生故障。EPC与宇航行业企业一起致力于测试面向宇航及军事应用的高可靠性功率开关管GaN产品，本文将结合EPC的GaN产品，讨论如何为宇航电源选择合适的功率开关管。

【产品】大功率，低损耗，导通电阻仅2.5mΩ的GaN增强型功率MOS管

EPC的EPC2021额定电压可达80V，额定电流最大可达90A，但其导通电阻低至2.5mΩ，具有极低损耗，尤其适合大功率的驱动应用。

【产品】130W功率封装氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管CHKA011aSXA

UMS推出的CHKA011aSXA是一款130W功率封装氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管，它为各种射频功率应用提供通用的和宽频带解决方案，非常适合雷达和通信等多用途应用。采用了陶瓷-金属法兰封装，符合RoHS N°2011/65和REACH N°1907/2006指令。

【选型】为航天级DC-DC电源选择合适的MOSFET：EPC2034，GaN工艺具有天然的抗辐照能力

在DC-DC电源设计中，拓扑结构一般是控制器+MOSFET，传统的MOSFET基本都是基于Si半导体工艺，但在航天级DC-DC电源中Si工艺的MOSFET无法通过抗辐照测试。 针对200V的MOSFET应用，推荐EPC的GaN MOSFET EPC2034，额定电压200V，导通电阻10毫欧，采用GaN工艺具有天然抗辐照特性，适合航天级DC-DC电源应用。

【应用】耐辐射的增强型GaN场效应晶体管助力宇航电源应用

GaN在宇航电源应用中，在耐辐噪特性和体积上，相对传统的功率MOS有着绝对的优势，目前也逐渐成为航天应用中功率器件的首选器件。EPC与宇航行业企业一起致力于测试面向宇航及军事应用的高可靠性GaN产品，这些产品在电离总剂量（TID）和单一离子（SEE）效应下具备极佳的抗辐射性能。

【产品】小尺寸氮化镓GaN FET驱动器ISL70040SEH/ISL70024SEH

RENESAS的GaN FET采用了全新的氮化镓技术，其非常适合卫星应用，并且RENESAS的ISL70040SEH和ISL70024SEH是小尺寸、轻量以及高效率设计的最佳解决方案。

【产品】GaN高电子迁移率晶体管CHK015AaQIA ，具有低寄生和低热阻

UMS的CHK015AaQIA氮化镓高电子迁移率晶体管，为各种射频功率应用提供通用的和宽频带的解决方案，非常适合雷达和通信等多用途应用。采用0.5µm栅极长度的GaN HEMT工艺，需要外部匹配电路；采用了低成本的表面贴装型塑料封装。

【应用】GaN PA功率放大器测试，keysight提供硬件/软件支持

GaN功率放大器的测试涵盖了直流、射频和系统级的指标，Keysight 提供了完整的测试方案，如B2902A示波器等，致力于解决GaN功放测试中的挑战和难题。

硬创峰会独家：UMS、Littelfuse、EPC首度集中解读第三代宽禁带半导体材料SiC/GaN的发展趋势及最新技术

据预测， 第三代宽禁带半导体材料SiC和GaN的市场规模将在2020年达到近10亿美元，并将主要推动力来自混合动力及电动汽车、电力和光伏逆变器等方面的需求。也由此，在3月15日举办的“世强•硬件创新峰会”上， 高可靠性功率器件SiC/GaN拔得头筹，成为各大顶尖半导体企业争相探讨的议题。

全球半导体资深技术专家将分享智能工业、SiC/GaN最新技术，报名参加世强硬创沙龙

在智能工业、智能制造、第三代半导体功率技术SiC/GaN领域，将会有哪些最新的技术和方案？报名参加世强硬创沙龙，将会有来自全球Top100半导体企业的资深技术专家，分享智能工业、智能制造、功率技术SiC/GaN的最新技术和方案。本次活动硬件企业的工程师、采购和企业高管可免费报名参会，新产品技术演讲议题持续一天，可以与原厂研发高管、资深技术专家深入沟通，中午安排自助午餐。

【产品】 GaN增强型大功率晶体管助力高功率密度电源转换

EPC2106氮化镓半桥增强型功率晶体管, 由Q1、Q2两个MOS管构成，更小的板载面积可以为电源转换带来更高的功率密度。

【产品】输入电容仅为14pF的GaN增强型功率MOS管，超高开关速度首选

EPC的EPC2037可实现极高速的开关功能，输入电容低至14pF，输出电容低至6.5pF，反向恢复电容仅为0.1pF，栅极电荷为115pC，尤其适合低功率，高开关频率的应用。

【应用】SI827x系列驱动芯片，具有4A的驱动电流，助力激光二极管GaN FET 驱动

众所周知，脉冲式激光雷达探测性能也激光光源发出的光脉冲密切相关，而激光二极管驱动电路的性能直接决定了光脉冲的优劣。采用GaN晶体管低压氮化镓（GaN）器件作为驱动电路的核心开关器件，利用电容作为储能器件，从而实现纳秒级大电流脉冲激光二极管驱动电路设计，正逐渐成为激光雷达测距仪光源部分应用的优选方案。

【产品】600W级射频高电子迁移率GaN晶体管

GTVA126001EC是英飞凌采用GaN工艺推出的一款600W级射频高电子迁移率晶体管，工作频率范围为1200MHz~1400MHz，并且在工作频带内可支持输入匹配。

【技术】漏源距离可缩小10倍的辐射固化的GaN FET技术助力卫星应用

瑞萨（Renesas）是卫星和高可靠性行业领先的解决方案提供商，GaN FET非常适合卫星应用，但需要良好的栅极驱动器（如ISL70040SEH和ISL70024SEH）才能充分发挥其潜力。与传统硅片相比，它们一起配合使用，才能实现更高效的开关，更高的频率操作，更低的栅极驱动电压和更小的解决方案尺寸。

500MHz时输出功率(P3dB)高达20W的GaN HEMT宽带功率放大器（PA）

ASB公司成立于1998年，专营MMIC、RF射频模块等产品，主要产品为高线性LNA，增益模块（Gain Block）和功率放大器（PA），具有低直流功耗的特点，适用于高达6GHz的应用。ASB的功率放大器（PA）含微波GaAs，GaN高功率运算放大器工艺，可提供包含GaN甚高频-VHF，超高频-UHF产品，具有低直流功耗，可级联的特点。世强是ASB官方授权一级代理商，全线代理ASB旗下功率放大器

【经验】如何在小型卫星“新太空”应用中充分发挥GaN的优势？

GaN FET非常适合卫星应用，但需要良好的栅极驱动器才能实现其全部潜力。与传统的硅部件相比，它们可以实现更高效的开关，更高频率的操作，更低的栅极驱动电压和更小的解决方案尺寸。

【产品】耐热增强型180W的GaN晶体管，完美适用大功率射频放大器应用

Infineon新推出GaN晶体管 GTVA311801FA，漏极效率高达50%，提供高效的射频信号放大设计。

具有较低的寄生效应和热应力的GaN E-HEMT使得高效率的无线电力传输成为可能

EPC GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）具有广阔的市场前景， 数据中心，工业自动化，无线电力传输和充电以及可再生能源和运输应用已经受益于GaN的使用，特别是其只有Si器件功率损耗的1/4，尺寸/重量的1/4，以及大幅降低的系统预算

【产品】小尺寸氮化镓GaN FET驱动器评估板ISL70040SEHEV2Z,ISL70040SEHEV3Z

Renesas提供各种易于使用的板用于评估；Renesas Starter Kits，包括具有Renesas MCU需要的板和启动软件，CPU板，用于尝试Renesas MCU的操作，以及评估板，它们特定于特定领域。ISL7000 40SEHEV2Z和ISL7000 40SEHEV3Z是小尺寸氮化镓GaN FET驱动器ISL70040SEH/ISL70024SEH的评估板，其被设计成在隔离拓扑。

【选型】可抗辐照的硅基增强型GaN MOSFET EPC2032，航空级DCDC电源输出端的优秀选择

在卫星等航天级DCDC电源设计中，为了提高功率密度和转换效率，同时兼顾航天抗辐照的要求，需要低导通电阻、高达1MHz以上开关频率的MOSFET器件。针对输出端低压开关抗辐照MOSFET应用，本文推荐EPC（宜普）的硅基增强型GaN MOSFET EPC2032，额定电压100V，额定电流48A，脉冲电流340A，是航天级DCDC电源输出MOSFET的优秀选择。

UMS发布新型0.15µm GaN Hemt制程GH15，特别适合频率高达35GHz的各种军事、航天和电信应用

在2019年巴黎的EuMW展会上，UMS发布了新的GaN Hemt技术——0.15µm GaN Hemt制程GH15。氮化镓功率密度结合SiC热耗散基底，使得GH15在30GHz时具有3.5W / mm的出色功率密度，特别适合频率高达35GHz的各种军事、航天和电信应用，并能够设计高功率，高线性度和高PAE产品。

BR-2330A/GAN BR-2330A/GCN

【产品】100V/36A/7mΩ GaN增强功率晶体管

EPC2001C氮化镓增强型功率晶体管反向恢复电荷值为0，开关损耗极低。

【产品】低损GaN增强型功率晶体管，开关频率达兆赫以上

EPC的EPC2040 GaN增强型功率晶体管频率高、损耗低、寄生参数小，可广泛应用于脉冲功率设备中。

瑞萨电子与IAR Systems、Secure Thingz携手开发可靠的工业物联网安全解决方案

2018年11月22日，Renesas宣布与 IAR Systems（一家面向未来、为嵌入式开发提供软件工具及服务的供应商）和Secure Thingz（一家专注于设备安全性、嵌入式系统和生命周期管理的世界级专业公司）携手合作，共同保护工业物联网应用的安全。

【应用】650V增强型GaN场效应晶体管在45W快充有源钳位反激电路ACF的应用

当设计45W的快充时，为了实现小体积高功率密度，目前越来越多的方案采用GaN做高频开关。英诺赛科（Innoscience）的650V的GaN，型号 INN650D02，单机采用2PCS便可轻易实现该设计。【世强硬创沙龙2019】

业界最小尺寸的GaN FET将亮相2019慕尼黑上海电子展

在3月20日-3月22日的慕尼黑上海电子展上，将展示在性价比上大幅超越硅器件的全新氮化镓功率晶体管。其中最引人注意的，无疑当属来自于宜普电源转换公司（EPC）的0.9x0.9mm业界最小尺寸GaN FET。

【产品】2.9nC栅极电荷GaN增强功率晶体管

EPC2046氮化镓增强型功率晶体管有极小的尺寸，可实现更高功率密度的电源转换，以及低驱动功率，高效率。

【产品】瑞萨为小型卫星推出首款塑料封装、抗辐射PWM控制器和GaN FET驱动器

瑞萨推出了首款塑料封装、耐辐射的ISL71043M单端电流模式PWM控制器和ISL71040M低侧GaN FET驱动器，为低地球轨道中的小型卫星星座提供尺寸和成本优化的电源解决方案。

【产品】热增强型340W大功率GaN HEMT，射频功率放大应用必备

GTVA263202FC是一款340W大功率GaN高电子迁移率晶体管，可有效解决了散热问题，保证了系统的稳定性。

「EPC」业界最小最快氮化镓GaN FET，8/3周五中奖VIP名单公布！—有奖下载活动

「EPC」业界最小最快氮化镓GaN FET，8/3周五中奖VIP名单公布！—有奖下载活动

【产品】比Si MOSFET的性能高5倍且体积仅有其1/4的eGaN FET和GaN功率IC

在电信，车辆，医疗保健和计算领域中，使用eGaN FET（增强型氮化镓场效应管）优势明显：100 V eGaN FET的尺寸是最好的100V Si MOSFET的四分之一，但速度是其5倍。正因性能上的优越性和不断降低的成本，eGaN FET正得到越来越多的使用。作为eGaN FET领先制造商的EPC有多款器件如EPC2053等，还有GaN功率IC EPC2151，可实现高性能功率转换。

【经验】用于新一代图形处理器（GPU）四种不同的降压转换器架构，使用GaN器件的效率最高

本文主要研究了四种不同的降压转换器架构，用于最新一代图形处理器（GPU），在采用48VIN的所有拓扑结构中，使用GaN器件的效率最高，EPC9093可提供高达97％的峰值效率。

【产品】无反向恢复时间的高压大电流GaN增强功率晶体管

EPC8002氮化镓增强型功率晶体管反向恢复电荷QRR为0nC,无反向恢复时间，可用于电源设计。

【产品】带宽1.2 GHz的GaN功率放大器AGN922

ASB公司推出了一款GaN功率放大器AGN922，其宽带频率为1.2GHz。50~1200MHz带宽，500MHz时22.5 dB增益。应用于CATV线路放大器、HFC节点、前端设备。

【产品】输出功率1400W的GaN晶体管，耐热性射频功率放大器

Infineon推出GaN的晶体管 GTVA101K42EV，漏极效率高达68%，具有输入匹配和高效率的优点。

【产品】具有零QRR特性的增强型GaN功率晶体管，最大漏源极耐压值为60V

EPC推出一款最大漏源极耐压值为60V的增强型GaN功率晶体管EPC2102。

【产品】GaN增强功率晶体管，输入电容仅为14pF

EPC2037是EPC公司推出的一款超低输入电容的GaN增强型晶体管，可实现极高速的开关功能。

【选型】Qorvo GaAs/GaN 放大器选型指南

本资料主要讲述以下产品：GaAs 放大器，GaN 放大器，砷化镓放大器，氮化镓放大器，GaAs/GaN放大器等。

【产品】15 W GaN 30 MHz〜512 MHz宽带功率放大器AGT0515

ASB推出的AGT0515是一款15 W GaN 30 MHz〜512 MHz宽带功率放大器。用于无线发射器,无线基础设施,测试仪器,雷达等应用。

【产品】18W X波段双级高功率放大器GaN单片微波IC，助力军事和雷达通讯

CHA8611-99F是UMS推出的一款X波段双级高功率放大器，工作频率在8.5至11GHz之间，提供了18W的饱和输出功率和43％的功率附加效率。 CHA8611-99F是采用GaN HEMT工艺制造，0.25μm栅极长度，穿过衬底的通孔，空气桥和电子束栅极光刻，线性增益高达24dB， 最高工作温度可以达到230℃，温度级别可以说是相当高了，因此它可以被广泛应用于军事和商业通信系统。

【产品】GaN HEMT晶体管CHKA012a99F，适用于雷达和电信等射频功率应用

UMS公司推出了一款140W功率的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHKA012a99F。该产品为包括雷达和电信在内的各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。它采用基于SiC衬底的0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术，符合相关规范特别是RoHS N◦2011 / 65和REACh N◦1907/2006的指令。CHKA012a99F以裸芯片形式提供并需要外部匹配电路。

【产品】高效率小尺寸高频半桥GaN晶体管模块

EPC公司的EPC2101为半桥式GaN功率晶体管模块，额定电压60V，电流9.5A和38A，脉冲电流80A和350A。导通阻抗11.5mΩ和2.7mΩ。频率超过10MHz,尺寸小，应用于Buck变换器中效率高为87%。

【产品】EPC9081开发板可方便的应用于GaN功率晶体管的EPC2047等器件的评估

EPC公司推出EPC9081开发板，旨在简化工程师对EPC2047 GaN场效应晶体管的评估，加快产品上市。该开发板关键器件和PCB Layout经过精心挑选和设计，以优化 EPC2047开关行为；板载不同的探针点，可方便开发人员对重要参量进行测试、评估；同时具有死区时间微调电阻插脚，通过接入可调电阻实现对死区时间的调节。

【产品】2.6 mΩ导通电阻的GaN增强功率晶体管，反向恢复电荷值为0

EPC2031氮化镓增强型功率晶体管有极低的导通电阻，实现了低的驱动功率，高的效率。