NOVUSEM（蓉矽）碳化硅和硅基产品选型指南
2023/8/3 - 选型指南 蓉矽碳化硅产品分为高性价比的“NovuSiC®”和高可靠性的“DuraSiC®”系列。产品涵盖碳化硅EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky)二极管与碳化硅MOSFET；硅基产品有 150℃高结温的理想二极管 MCR® (MOS-Controlled Rectifier)及 FRMOS (Fast Recovery MOS-FET)。广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。
NOVUSEM - MOS控制整流器,碳化硅 EJBS™ 二极管,弗尔莫斯,碳化硅 ENHANCED JUNCTION BARRIER SCHOTTKY 二极管,FRMOS,碳化硅JBS,碳化硅MOSFET,结势垒肖特基二极管,宽禁带半导体碳化硅功率器件,JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE,FAST RECOVERY MOSFET,FAST RECOVERY MOS,快速恢复MOS,宽禁带半导体SIC功率器件,快速恢复MOSFET,MOS-CONTROLLED RECTIFIER,FR MOSFET,MCR,NC1M120C75GT,NC2M120C75GT,NC1D120C20AT,NC1M120C40GTD,NCD30S20TTD,NDM60S7TT,DC-DC CONVERTER,储能系统,电池,DC-AC CONVERTER,新能源汽车主逆变器,DC-DC变换器,DC-DC转变器,光伏逆变,EV BATTERY,BATTERY,工业电机,电动车电池,DC-AC INVERTER,储能,整流电路,直流交流转换器,AC-DC电源适配器,充电桩,新能源汽车,便携式储能电源,双向LLC DC-DC变换器,光伏,工控电源,双向变换器,无刷电机,BI-DIRECTIONAL LLC DC-DC CONVERTER,软开关电源,工业电源,风电,电源,交直流逆变器,双向OBC,汽车电子,无刷直流电机驱动器
NOVUSEM（蓉矽）MOSFET/EJBS/MCR分立器件选型表（英文）
SiC MOSFET SiC EJBS™ Enhanced Junction Barrier Schottky Diode Si MCR® MOS-Controlled Rectifier SiC MOSFET Bare Die SiC EJBS™ Enhanced Junction Barrier Schottky Diode Bare Die Si MCR® MOS-Controlled Rectifier Bare Die
2023/11/9 - 选型指南 NOVUSEM - ENHANCED JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE,MOS控制整流器,SIC场效应晶体管,增强型结势垒肖特基二极管,MOS-CONTROLLED RECTIFIER,SIC MOSFET,NCD20S30TTD,NCD30S30TTD,NE1D120C20KT,NCD15S30TTD,NE1M120C75W,NC1D120C30W,NCD30S20TTD,NC1D120C20W,NC1D120C10W,NC1M120C40HT,NCD15S15W,NE1D120C20AT,NCD30,汽车,INDUSTRIAL,AUTOMOTIVE,工业
NOVUSEM（蓉矽）SiC MOS/Diode/MCR选型表
DuraSiC MOSFET DuraSiC Schottky Diode MCR
2023/9/15 - 选型指南 NOVUSEM - NOVUSIC肖特基二极管,MOSFET,DURASIC肖特基二极管,芯片,DURASIC MOSFET,NOVUSIC SCHOTTKY DIODE,第1代SICMOS,DURASIC SCHOTTKY DIODE,GEN 1 SIC MOS,NOVUSIC MOSFET,GEN 1 SIC DIODE,NOVUSIC MOSFET,分立器件,SCHOTTKY DIODE,DURASIC MOSFET,MCR,第1代SIC二极管,NE1D120C40GTD,NCD30S30TTD,NCD30S20FTD,NE1M120C40HT,NE1D120C20KT,NC1M120C75RRU,NC1D120C30W,NCD20S20FTDL,NCD30S20TTD,NE1M120C75UW,NC1D120C10W,NCD15S15W,汽车,工业
产品选型表
2023/8/22 - 选型指南 本资料详细列出了多种DuraSiC、NovuSiC和MCR品牌的SiC MOSFET和Schottky二极管的产品规格。包括产品系列、详细描述、主要参数如最大输出电压、电流、VF、Rdson、最小包装量、最小订货量、封装类型、应用等级、等级认证标准、存储环境和要求等。资料还提供了不同产品型号的典型值和特殊封装信息。
NOVUSEM - NOVUSIC肖特基二极管,NOVUSIC MOSFET,NOVUSIC MOSFET,DURASIC肖特基二极管,DURASIC MOSFET,NOVUSIC SCHOTTKY DIODE,DURASIC MOSFET,MCR,DURASIC SCHOTTKY DIODE,汽车级,工业级
NOVUSEM（蓉矽）MOSFET/EJBS/MCR分立器件选型表（中文）
4H-SiC MOSFET 4H-SiC EJBS MCR Bare Die
2023/8/8 - 选型指南 NOVUSEM - 4H-SIC MOSFET,分立器件,EJBS BARE DIE,MOSFET BARE DIE,MCR BARE DIE,MCR 分立器件,4H-SIC EJBS 分立器件,NCD20S30TTD,NCD30S30TTD,NC1M120C75WU,NE1M120C40HT,NE1D120C20KT,NC1D120C30W,NCD30S20TTD,NC1D120C10W,NCD15S15W,NCD30S15W,NCD30S40TTD,NC1M120C75GT,NCD30S,汽车,INDUSTRIAL,AUTOMOTIVE,工业
NOVUSEM MCR硅基二极管选型表
选型表 - NOVUSEM NOVUSEM MCR硅基二极管选型：Blocking Voltage(V)：150-300V,Current Rating（A):20-40A，VF (V)-typ：0.78-0.93V,IF(A) (MAX):20-40A, IR (μA)(MAX) per leg:3μA.
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Current Rating（A)
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次代
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VF (V)-typ
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IF(A) (MAX)
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IR (μA)(MAX) per leg
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IFSM (A)(typ) per leg
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封装
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可靠性
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应用等级
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等级认证标准
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NCD15S20FTD
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MCR硅基二极管
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200V
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20A
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Gen 1
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0.80V
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20A
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3μA
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300A
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TO-220-3L
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Industrial
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工业级
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AEC-Q101
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NOVUSEM碳化硅（SiC）MOSFET 选型表
选型表 - NOVUSEM NOVUSEM（蓉矽半导体）提供以下碳化硅（SiC）MOSFET 选型表参数选型：额定电压1200V；额定电流47～214A；最大连接温度175℃。
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产品型号
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品类
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额定电压（V)
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VGS,op（V)
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RDS(ON)at25℃(mΩ)
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次代
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额定电流(A)
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Qg（typ）(nC)
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Coss (typ)(pF)
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PD(W)
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最大连接温度(℃)
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封装
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可靠性
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NC1M120C12HT
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SiC MOSFET
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1200V
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-5/+20V
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12mΩ
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Gen 1
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214A
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577nC
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343pF
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938W
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175℃
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TO-247-4
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Industrial
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NOVUSEM碳化硅二极管EJBS单管/晶圆选型表
选型表 - NOVUSEM NOVUSEM（蓉矽半导体）提供以下碳化硅二极管EJBS单管/晶圆参数选型：反向漏电流(typ)(uA)：3~30uA；正向浪涌峰值电流(typ)(A)：118~500A；阻断电压达1200V。
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产品型号
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品类
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额定电压(V)
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额定电流(A)
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次代
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正向电压(typ)(V)
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反向漏电流(typ)(uA)
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正向浪涌峰值电流(typ)(A)
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QC(typ)(nC）
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PTOT（W）
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封装
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可靠性
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NC1D120C10AT
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碳化硅EJBS单管
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1200V
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10A
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Gen 1
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1.39V
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3uA
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118A
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55nC
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208W
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TO-220-2
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Industrial
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2023年首批提名“硬核中国芯”名录公布！
2023-09-06 - 行业资讯 2023年，随着海内外经济逐步企稳，半导体景气周期有望触底反弹，从“困境反转”走向“强者恒强”。并且科技创新周期和国产化周期为半导体带来新的增长极，“中国芯”崛起已势不可挡！由行业领先半导体电子信息媒体芯师爷发起并主办的“2023硬核中国芯”评选活动火热进行中，众多行业领先企业现已接受挑战！
蓉矽1200V 40/75mΩ碳化硅MOSFET用于直流充电桩，减少50%器件用量，助力800V高压快充充电桩行业发展
2024-07-17 - 应用方案 基于蓉矽半导体第二代1200V 40/75mΩ SiC MOSFET的两电平方案结构简单、控制方便，可简化系统拓扑，减少50%的器件用量，助力800V高压快充充电桩行业的发展。蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V，最大可持续电流达75A。
NC1M120C40HT PcbLib & SchLib & IntLib
2025-04-01 - CAD模型库
NOVUSEM - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,NC1M120C40HT
蓉矽半导体SiC MOSFET分立器件并联，具有设计灵活、散热均匀、可降低系统成本等优势
2024-07-17 - 应用方案 蓉矽SiC MOSFET具有更高的Rds(on)温升曲线，拥有更优异的正温度补偿效益，能够帮助并联应用更快达到热平衡从而实现静态均流。本文介绍蓉矽半导体分立器件并联应用优势。
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