RAM Electronics Industries

THE MECHANICS OF PRESSURE CONNECTIONS

INSPECTING CRIMPED CONNECTIONS

The Tin Commandments: Guidelines For The Use Of Tin On Connector Contacts Technical Report

Keeping Tin Solderable

Manufacturer Registration Statement and Fee Submission

Mateability of Tin to Gold, Palladium, and Silver

Golden Rules: Guidelines For The Use Of Gold On Connector Contacts Technical Report

Damage-free failure/defect analysis in electronics and semiconductor industries using micro-ATR FTIR imaging

Boyd Corp Acquires PiMEMS, Titanium Micro Technologies

Boyd Corporation, industry leader in thermal management, environmental sealing and protection solutions, announced the acquisition of PiMEMS, an advanced R＆D organization developing titanium micro technologies and ultra-thin devices. The acquisition is strategically aligned with Boyd’s commitment to innovation and support for next generation electronics.

ISSI IS61LV25616AL 静态RAM 数据手册

The ISSI IS61LV25616AL is a high-speed, 4,194,304-bit static RAM organized as 262,144 words by 16 bits.

瑞萨电子32bit MCU RH850/F1L的RAM分为Primary local RAM,Secondary local RAM,Retention RAM,这三者有没有什么区别？

RH850系列这三种RAM都属于local RAM，Primary local RAM访问速度快，但在深度睡眠时候数据不保持；Secondary local RAM是在系统等待一个时钟周期后才能访问，在深度睡眠时候数据不保持；Retention RAM，是在系统等待一个时钟周期后才能访问，在深度睡眠时候数据可以保 持。

【经验】RL78系列MCU RAM保护功能如何用？

程序设计运行中，为了保证程序执行过程中的安全，以及一些特殊数据不被人为篡改，需要预留一段区域来存放一些关键数据，此区域内数据将不允许进行修改，只能被读取。瑞萨电子RL78系列MCU则具有RAM保护功能，CPU 失控时也需要保护存储在 RAM 的重要数据。此 RAM 保护功能用于保护被指定的 RAM 空间的数据。如果设定为 RAM 保护功能，指定空间的 RAM 写操作就无效，但是能正常读取。

Embedded Memory (RAM: 1-PORT,RAM: 2-PORT, RAM: 4-PORT, ROM: 1-PORT, and ROM: 2-PORT) Intel FPGAIP Release Notes

【产品】高速2K x 9双端口静态RAM 70121L和70125L，提供52脚PLCC封装

IDT（Renesas收购）推出的70121L和70125L系列是高速2K x 9双端口静态RAM。70121L系列设计用作独立的9位双端口RAM，或者作为MASTER双端口RAM结合使用70125L系列SLAVE双端口RAM，用于18位或更多位字系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在18位或更广泛的内存系统应用中，这种方法可实现全速、无错误的操作。

【产品】高速2K x 16双端口静态RAM 7133SA/LA和7143SA/LA系列

IDT（Renesas收购）推出的7133SA/7133LA和7143SA/7143LA系列是高速2K x 16双端口静态RAM。7133SA/LA系列设计用作独立的16位双端口RAM，或者作为MASTER双端口RAM结合使用7143SA/LA系列SLAVE双端口RAM，用于32位或更多位字系统。

【产品】高速8K x 9 双端口静态RAM 7015L，提供68引脚PLCC封装

IDT（Renesas收购）推出的7015L是高速8K x 9 双端口静态RAM。产品设计用作独立的双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于18位或更多位字系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在18位或更广泛的内存系统应用中，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【产品】高速16K x 9双端口静态RAM 7016L，提供68引脚PLCC封装

IDT（Renesas收购）推出的7016L是高速16K x 9双端口静态RAM。产品设计用作独立的双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于18位或更多位字系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在18位或更广泛的内存系统应用中，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【产品】高速8K x 18双端口静态RAM 7035L，提供100引脚TQFP封装

IDT（Renesas收购）推出的7035L是高速8K x 18双端口静态RAM。产品设计用作独立的144K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于36位或更多位系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM可以在36位或更广泛的内存系统中应用，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【经验】EFM8LB1系列MCU RAM自检操作方法

Silicon Labs的EFM8LB1系列MCU在有些应用中，发现RAM里面的数据不对，我们不太确定是自己代码的问题还是芯片已经损坏，那么需要对芯片里面的RAM进行自检。

【产品】高速16K x 16双端口静态RAM 70261S/L，运行功率通常仅750mW

IDT（Renesas收购）推出的70261S/70261L是高速16K x 16双端口静态RAM。产品设计用作独立的双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于32位或更多位系统。使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM可以在32位或更广泛的内存系统中应用，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【产品】3.3V 高速64K x 8双端口静态RAM 70V08L，提供100引脚TQFP封装

IDT（Renesas收购）推出的70V08L是3.3V 高速64K x 8双端口静态RAM。产品设计用作独立的512K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于16位或更多位字系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在16位或更广泛的内存系统应用中，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【产品】高速128K x 8双端口静态RAM IDT7009、IDT7009L

IDT（Renesas收购）推出的IDT7009是高速128K x 8双端口静态RAM。IDT7009设计用作独立的1024K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于16位或更多位字系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在16位或更广泛的内存系统应用中，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【产品】高速32K x 18双端口静态RAM IDT7037，15/20ns高速访问

IDT（Renesas收购）推出的IDT7037是高速32K x 18双端口静态RAM。产品设计用作独立的576K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于36位或更多位字系统。使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在36位或更广泛的内存系统应用中，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【产品】高速64K x 16双端口静态RAM 7028L，器件提供100引脚TQFP封装

IDT（Renesas收购）推出的7028L是高速64K x 16双端口静态RAM。产品设计用作独立的1024K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于32位或更多位系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM可以在32位或更广泛的内存系统中应用，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【经验】私有协议SoC EFR32FG connect协议栈RAM优化

Silicon Labs的私有协议SoC EFR32FG支持connect协议栈，完成一些简单应用仅需要128kB Flash、16kB Ram即可完成。但仍有很多场合会做复杂应用，connect协议栈留给客户的Ram，按默认的配置，大概1.3kB，空间是不足的，因此本文将介绍如何对Ram进行优化扩展。

【产品】高速64K x 18双端口静态RAM 7038L，器件提供100引脚TQFP封装

IDT（Renesas收购）推出的7038L是高速64K x 18双端口静态RAM。产品设计用作独立的1152K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于36位或更多位系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM可以在36位或更广泛的内存系统中应用，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【产品】高速2K x 8双端口静态RAM 71321SA/LA和71421SA/LA，用于处理器间通信

IDT（Renesas收购）推出的7133SA/7133LA和7143SA/7143LA系列是高速2K x 16双端口静态RAM。7133SA/LA系列设计用作独立的16位双端口RAM，或者作为MASTER双端口RAM结合使用7143SA/LA系列SLAVE双端口RAM，用于32位或更多位字系统。

【产品】高速2Kx9的双端口静态RAM 70121、70125，可实现全速、无误码的操作

70121和70125系列是瑞萨旗下IDT公司推出的两款高速2Kx9的双端口静态RAM，而70121被设计作为独立的9位双端口RAM或在18位或更多字宽系统中，70121作为“MASTER”双端口RAM，而70125作为“SLAVE”双端口RAM。产品具有高速存取和低功耗运行的优良特性，可广泛用于工业电子、汽车电子、通信设备等方面。

【产品】高速3.3V 8K x 8双端口静态RAM 70V05S/70V05L，运行功率通常仅400mW

IDT（Renesas收购）推出的70V05S/L是高速3.3V 8K x 8双端口静态RAM。产品设计用作独立的64K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于16位或更多位系统。使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM可以在16位或更广泛的内存系统中应用，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【产品】3.3V 高速128K x 8双端口静态RAM 70V09L，待机能耗仅660uW

IDT（Renesas收购）推出的70V09L是3.3V 高速128K x 8双端口静态RAM。产品设计用作独立的1024K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于16位或更多位字系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在16位或更广泛的内存系统应用中，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【产品】3.3V 高速32K x 18双端口静态RAM 70V37L，提供100引脚TQFP封装

IDT（Renesas收购）推出的70V09L是3.3V 高速128K x 8双端口静态RAM。产品设计用作独立的1024K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于16位或更多位字系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在16位或更广泛的内存系统应用中，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【产品】3.3V 高速64K x 16双端口静态RAM 70V28L，提供100引脚TQFP封装

IDT（Renesas收购）推出的70V28L是3.3V 高速64K x 16双端口静态RAM。产品设计用作独立的1024K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于32位或更多位字系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在32位或更广泛的内存系统应用中，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【产品】3.3V 高速64K x 18双端口静态RAM 70V38L，提供100引脚TQFP封装

IDT（Renesas收购）推出的70V38L是3.3V 高速64K x 18双端口静态RAM。产品设计用作独立的1152K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于36位或更多位字系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在36位或更广泛的内存系统应用中，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【产品】高速32K x 16双端口静态RAM 7027S/7027L，提供100引脚TQFP封装和108脚PGA封装

IDT（Renesas收购）推出的7027S/7027L是高速32K x 16双端口静态RAM。产品设计用作独立的512K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于32位或更多位系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM可以在32位或更广泛的内存系统中应用，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【产品】高速64K x 8双端口静态RAM 7008S/7008L，提供84脚PGA、PLCC和100脚TQFP封装

IDT（Renesas收购）推出的7008S/7008L是高速64K x 8双端口静态RAM。产品设计用作独立的512K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于16位或更多位系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM可以在16位或更广泛的内存系统中应用，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【产品】8Kx8和16Kx8 双端口静态RAM 7005、7006，满足军品标准MIL-PRF38535 QML

7005和7006系列是由瑞萨旗下IDT公司推出的两款8Kx8和16Kx8 双端口静态RAM，分别被设计作为独立的64K-bit和128K-bit双端口RAM或在16位或更多字宽系统中，作为MASTER/SLAVE双端口RAM。在16位或更宽内存系统应用中使用IDT MASTER/SLAVE双端口RAM方法可实现全速、无误码的操作，不需要额外的分立逻辑电路。

【产品】3.3V 高速256K x 18异步双端口静态RAM，提供TQFP等不同封装类型

IDT（Renesas收购）推出的70V631S是3.3V 高速256K x 18异步双端口静态RAM。产品设计用作独立的4608K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于36位或更多位字系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在36位或更广泛的内存系统应用中，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【产品】高速84K x 16双端口静态RAM 7025S/7025L，提供84脚PGA等不同封装类型

IDT（Renesas收购）推出的7025S/7025L是高速84K x 16双端口静态RAM。产品设计用作独立的128K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于32位或更多位字系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在32位或更广泛的内存系统应用中，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【产品】高速4K x 8四端口静态RAM 7054L，提供128引脚TQFP封装

IDT（Renesas收购）推出的7054L是高速4K x 8四端口静态RAM，在需要多次访问公共RAM的情况下使用。产品用于需要实时通信的多处理器系统中，可以进一步提高系统性能，并且还为需要在同一周期内进行多次访问的高速系统提供便利。产品设计用于不需要片上硬件端口仲裁的系统。该部分适用于那些不能容忍等待状态，或在所有端口同时访问同一四端口RAM位置时能够在外部进行仲裁或竞争的系统。

【产品】3.3V或2.5V工作电压的高速256/128K x 36异步双端口静态RAM 70T651S/70T659S

IDT（Renesas收购）推出的70T651/9S是高速256/128K x 36异步双端口静态RAM。产品设计用作独立的9216/4608K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于72位或更多位系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM可以在72位或更广泛的内存系统中应用，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【产品】3.3V 高速16K x 16双端口静态RAM 70V261S/70V261L，仅以300mW的功率运行

IDT（Renesas收购）推出的70V261S/70V261L是3.3V 高速16K x 16双端口静态RAM。产品设计用作独立的256K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于32位或更多位字系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在32位或更广泛的内存系统应用中，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【产品】3.3V 高速16K x 16双端口静态RAM 70V26S/70V26S​L，提供84引脚PGA和PLCC封装

IDT（Renesas收购）推出的70V26S/L是3.3V 高速16K x 16双端口静态RAM。产品设计用作独立的256K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于32位或更多位字系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在16位或更广泛的内存系统应用中，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【产品】高速1Kx8位双端口静态RAM IDT7130、IDT714，符合MIL-PRF-38535 QML的军用级产品

IDT（Renesas收购）推出的5962-86875(IDT7130/IDT7140 )是一种高速1Kx8位双端口静态RAM。在16位或更多位的系统中，IDT7130 作为独立的8位双口RAM或和IDT7140“ SLAVE”双端口一起作为“MASTER“双端口RAM。在16位或更多位存储系统应用中使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM，可实现全速，无错误的操作，而无需其他离散逻辑

TT Electronics收购IRC及Welwyn，扩展电阻器业务

TT Electronics收购IRC及Welwyn，与BI Technologies（已收购）共同组成TT Electronics的电阻器业务部。TT Electronics电阻器业务部门拥有非常长的传统。BI Technologies，IRC和Welwyn是该集团中的市场领先品牌，每个品牌都有超过70年的电阻元件创新记录。

【产品】3.3V 高速32K x 8双端口静态RAM 70V07S/L，提供68脚PGA和80脚TQFP封装

IDT（Renesas收购）推出的70V07S和70V07L是3.3V 高速32K x 8双端口静态RAM。产品设计用作独立的256K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于Q6位或更多位字系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在16位或更广泛的内存系统应用中，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他额外逻辑进行配合。

【产品】高速512/256K x18异步双端口静态RAM 70T633/1S，支持3.3V或2.5V的工作电压

IDT（Renesas收购）推出的70T633/1S是高速512/256K x 18异步双端口静态RAM。产品设计用作独立的9216/4608K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于36位或更多位系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM可以在36位或更广泛的内存系统中应用，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。

【经验】如何解决MCU GHS环境下Retention RAM数据定位不成功

为了节省以及高效利用RAM空间，很多工程师会选择使用数据变量定位的方式。一方面便于用户数据管理，另一方便可以避免编译器自动分配造成的一些空隙。本文介绍了如何解决MCU GHS环境下Retention RAM数据定位不成功的问题。

【经验】32位MCU EFM32系列将代码编译至RAM的方法

Silicon Labs的32位MCU EFM32系列广泛应用于物联网、智能家居、无线抄表、智能照明、可穿戴设备等领域。在产品开发调试、甚至后期维护时都有在RAM中运行用户代码的需求，比如出现某故障需要找到原因，但是Flash中的固件不能轻易修改，此时就可以编译一个小的RAM程序来排查故障。

【选型】FTZ Industries Product Catalog

【产品】2Kx8/4Kx8的FourPort™静态RAM 7052、7054，访问时间最大仅25ns

7052/7054是瑞萨旗下IDT公司推出的两款高速2Kx8/4Kx8的FourPort™静态RAM，在需要多次访问公共RAM的情况下使用。7052/7054设计用于不需要片上硬件端口仲裁的系统，并且有四个独立的端口，这四个端口可以单独控制、有独立的地址和I/O引脚，从而实现了对内存地址的独立异步访问。产品具有高速存取和低功耗运行的优良特性，可广泛用于工业电子、汽车电子、通信设备等方面。

【产品】高速8K x 9双端口静态RAM（SRAM）IDT7015，适用于18位或更多位数的存储系统应用

IDT（Renesas收购）推出的IDT7015是一款高速的8K x 9双端口静态RAM（SRAM）。IDT7015设计用于18位或更多位数系统的独立双端口RAM或MASTER/SLAVE双端口RAM的组合。在18位或更广泛的存储系统应用中使用IDT MASTER/SLAVE双端口RAM方法可实现全速、无误的操作，而无需其他离散逻辑。

【产品】高速8/4Kx18（8/4Kx16）位双端口静态RAM 70V35/34S/L（70V25/24S/L）

IDT（Renesas收购）推出的IDT70V35 / 34（IDT70V25 / 24）是高速8 / 4K x 18（8 / 4Kx16）位双端口静态RAM。IDT70V35 / 34（IDT70V25 / 24）可用作独立的双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于36位（32位）或更多位系统，可以实现全速、无错误的操作，而不需要额外的离散逻辑。

【产品】高速16K x16位双端口静态RAM 7026S/7026L，待机功耗低至1mW

IDT（Renesas收购）推出的7026S/7026L，是一种高速16K x16位双端口静态RAM，可用作独立的双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于32位或更多位系统。由CE控制的自动断电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机电源模式。该芯片的军用级版本符合最新的MIL-PRF-38535 QML标准。

【产品】采用CMOS高性能技术的高速64Kx8双端口静态RAM 7008，仅需750mW功率

IDT（Renesas收购）的7008是一款高速64K x 8双端口静态RAM。可用作独立的512K位双端口RAM或者16位及更高字节系统的主/从双端口RAM组合，可实现全速无差错操作，无需额外的离散逻辑。两个独立的端口分别具有独立的控制，地址和I / O引脚，允许对存储器中任何位置的读写进行独立的异步访问，允许每个端口的片上电路进入功耗非常低的待机模式。

【经验】国产DSP数字信号处理器ADP32F12中把变量定义在外部RAM的方法

Advancechip（进芯电子）推出的ADP32FX DSP数字信号处理器，进芯电子定点DSP平台上的最新产品。尽管ADP32F12拥有高达18k x 16的片上SRAM，但在某些特殊场合还需要外扩RAM，那么对于外扩的RAM该如何使用，如何将变量定义在外部RAM中，按如下步骤即可实现。 1、 看原理图连接和Memory map。

【经验】如何在EFM32GG11上实现Micrium OS RAM Disk文件系统？

本文展示了将Micrium OS文件系统添加到Silicon Labs EFM32GG11单片机的必要步骤。本文的重点放在以RAM Disk作为存储介质，在项目的SD卡外设就绪之前，我们可以将Ram Disk作为存储介质，方便进行工程验证。

TT Electronics收购OPTEK Technology，扩展传感器、工控等业务

TT electronics曾收购OPTEK Technology，而现在OPTEK Technology成为TT electronics的一个部门。OPTEK Technology是一家领先的制造和解决方案供应商，提供覆盖红外传感器，可见LED传感器和光纤收发器等产品，适用于各种市场的标准和特定应用产品，如办公机器，工业设备，编码器，汽车电子，军事和高可靠性应用，医疗诊断设备和固态照明等。

【选型】TT Electronics（TT） 汽车级电阻选型指南

薄膜贴片电阻、合金毫欧电阻、金属膜贴片电阻、金属SMD电流采样电阻： AECQ200认证的汽车级高功率采样电阻和分流器，交期好（12周以内）、种类齐全

MICROPAC INDUSTRIES, INC

【产品】4存储块×1048576字×16位同步动态RAM MD56V62161M-xxTAP系列

ROHM的MD56V62161M-xxTAP系列同步动态RAM是采用LAPIS（ROHM收购）的硅栅CMOS技术制造的4存储块×1048576字×16位同步动态RAM。 该器件的工作电压为3.3V。 输入和输出是LVTTL兼容的。

【经验】如何实现指定RAM区域不清零，保持复位数据不被初始化？

本文以瑞萨电子RL78系列的MCU为例，阐述实现RAM不清零的方法步骤。

【技术大神】如何解决MCU上电后RAM的随机值问题

本文结合RENESAS推出的的RH850F1K MCU的特性，并且联系实际项目中遇到的问题，介绍了工程师在使用RAM的初始值作为判定条件时可能存在误解和潜在问题，并详细介绍了其产生原因和解决的方案。

【经验】以AVP32F335为例说明DSP开发中如何把函数搬移到RAM中执行

进芯电子发布的32位浮点DSP AVP32F335，成本低、性能高，并且填补我国浮点DSP的空白。DSP通也常用于变频器、电梯控制、高品质音箱等领域，对其实时性有很高的要求，所以在开发中好多功能是需要在RAM中进行操作的，而不是flash，因为DSP访问flash是需要相对较长的时间的。那么DSP开发中如何把函数搬移到RAM中执行？下面用一个简单的例子说明。

【产品】低功耗高速32K x 8双端口静态RAM 7007，采用68引脚PLCC封装和80引脚薄型四方扁平TQFP封装

IDT（Renesas收购）的7007是一款高速32K x 8双端口静态RAM。可用作独立的256K位双端口RAM或者16位及更高字节系统的主/从双端口RAM组合，可实现全速无差错操作，无需额外的离散逻辑。两个独立的端口分别具有独立的控制，地址和I / O引脚，允许对存储器中任何位置的读写进行独立的异步访问，允许每个端口的片上电路进入功耗非常低的待机模式。

【产品】高速2K x 8四端口静态RAM 7052S/7052L，提供108脚PGA和120引脚TQFP封装

IDT（Renesas收购）推出的7052S/L是高速2K x 8四端口静态RAM，在需要多次访问公共RAM的情况下使用。产品用于需要实时通信的多处理器系统中，可以进一步提高系统性能，并且还为需要在同一周期内进行多次访问的高速系统提供便利。产品设计用于不需要片上硬件端口仲裁的系统。该部分适用于那些不能容忍等待状态，或在所有端口同时访问同一FourPort RAM位置时能够在外部进行仲裁的系统。

Global Solutions Heavy Industries

TT Electronics（TT）公司及产品介绍

TT Electronics is a global provider of engineered electronics for performance critical applications.

【经验】Simplicity Studio使用技巧(3)—8位MCU EFM8 Debug过程中看RAM与XRAM中的值

在嵌入式开发的过程中，我们肯定会持续的编写代码、测试、Debug，这个过程将伴随着我们开发的始终。在Debug的过程中，有时候我们需要查看RAM或XRAM中的值。本文主要分享如何在Debug的过程中查看RAM和XRAM中的值。

十大本土分销商代理TT Electronics

世强是TT Electronics官方授权一级分销商，代理TT旗下电阻，以及BI和Optek的传感器、工控等产品，具体包括BI转向扭矩与位置传感器、扭矩和位置转向传感器、精密电位器、OPTEK光电传感器、红外LED和传感器、光纤收发器、被动器件、电阻、磁性元器件等。在世强元件电商上，可以免费查询下载TT相关产品的最新资料，同时 世强元件电商大量现货库存，保障稳定供货。

【选型】TT Electronics（TT）电阻选型指南

TT Electronics（TT）是一家全球性电子生产供应商，能够提供应用于严苛环境下的电子产品和解决方案，为全球范围的客户提供个性化定制和快速响应的服务。TT Electronics（TT）向客户提供先进的技术，帮助客户保持行业领先。本资料主要讲述的产品为电阻。

【产品】具有RAM和功率检测/控制功能的CMOS串行实时时钟

RENESAS的CDP68HC68T1是具有RAM和功率检测/控制功能的CMOS串行实时时钟。其自带时间/日历功能、具有32字节静态RAM和SPI总线，适用于电池备份系统、外部控制的电力系统和汽车系统等典型应用。

【产品】4存储块×4194304字×16位同步动态RAM MD56V82161A-xxTAP系列

ROHM（罗姆）的MD56V82161A-xxTAP系列是4存储块×4194304字×16位同步动态RAM。 该器件的工作电压为3.3V。 输入和输出是LVTTL兼容的。工作温度是-40 ~+85°C。

【产品】4存储块×2097152字×16位同步动态RAM MD56V72161C-xxTAP

ROHM（罗姆）株式会社是全球最知名的半导体厂商之一，MD56V72161C-xxTAP是其推出的4存储块×2097152字×16位同步动态RAM，该器件的工作电压为3.3V， 输入和输出是LVTTL兼容的，运行频率最高达166MHz（速度等级6）。

TT Electronics完成收购BI Technologies

TT Electronics收购BI Technologies，BI Technologies为世界领先的企业提供磁性元器件，微调和精密电位计，精密电位器以及扭矩和位置转向传感器。

【产品】采用32引脚SOP、TSOP、sTSOP三种封装的1-Mbit 静态RAM R1LV0108E系列

Renesas（瑞萨）公司的产品低功耗SRAM R1LV0108E系列是由8位131072字节组成的1-Mbit静态RAM系列，采用瑞萨的高性能0.15um CMOS和TFT 技术制造。该系列RAM实现了更高的密度，更高的性能和更低的功耗，适用于以简单接口、电池操作和电池备用为重要设计目标的内存应用程序。其封装包括32引脚SOP、TSOP、sTSOP三种。

IMPACT 100-OHM OD RAM 6 PAIR RAM 90 & 270 ASSY UNGUIDED SALES DRAWING

【产品】高速512K x 36异步双端口静态RAM 70T653M，支持3.3V或2.5V工作电压

IDT（Renesas收购）推出的70T653M是高速512K x 36异步双端口静态RAM。产品设计用作独立的18874K位双端口RAM。该器件提供两个独立的端口，具有独立的控制功能，地址和I / O引脚，允许独立，异步地访问存储器中的任何位置。 自动关机由芯片控制的功能使能引脚（/CE0和CE1）控制，允许片上每个端口的电路进入非常低的待机功耗模式。

【选型】TT Electronics（TT）mag-Net®连接器选型指南

TT Electronics（TT）是一家全球性电子生产供应商，能够提供应用于严苛环境下的电子产品和解决方案，为全球范围的客户提供个性化定制和快速响应的服务。TT Electronics（TT）向客户提供先进的技术，帮助客户保持行业领先。

SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD

Cooper Industries Philippines LLC, Philippine Branch

【选型】TT Electronics（TT） 汽车磁性元件选型指南

TT Electronics（TT）是一家全球性电子生产供应商，能够提供应用于严苛环境下的电子产品和解决方案，为全球范围的客户提供个性化定制和快速响应的服务。TT Electronics（TT）向客户提供先进的技术，帮助客户保持行业领先。

【产品】4存储块×1048576字×16位同步动态RAM MD56V62161M-xxTA系列

ROHM（罗姆）的MD56V62161M-xxTA是采用LAPIS（ROHM收购）的硅栅CMOS技术制造的4存储块×1048576字×16位同步动态RAM。该器件的工作电压为3.3V。 输入和输出是LVTTL兼容的。

【选型】TT Electronics（TT）Pola Power®系列连接器选型指南

TT Electronics（TT）是一家全球性电子生产供应商，能够提供应用于严苛环境下的电子产品和解决方案，为全球范围的客户提供个性化定制和快速响应的服务。TT Electronics（TT）向客户提供先进的技术，帮助客户保持行业领先。本资料主要讲述的产品是Pola Power®系列连接器。

【成功案例】TT Electronics非接触式流体传感器成功应用于气泡检测

TT Electronics的非接触式流体传感器具有免受环境照明影响的优点，具有电路板安装和电线安装两种方式，兼容多种管径尺寸，能够实现对液体的非接触式测量。本文应用于医疗器械体外诊断行业，通过选择合适尺寸的TT Electronics的非接触式流体传感器OPB350W125Z，设计恒流源驱动等硬件电路，实现稳定的气泡检测功能。

【经验】TT Electronics用于DC-DC转换的高隔离电压反激变压器设计思路

TT Electronics经AEC-Q200认证的HA00-10043ALFTR、HA00-14013LFTR高压隔离变压器与其他竞争解决方案相比，其饱和能力提高10%，漏电感提高22%，并且通过其现场应用工程师，TT Electronics可以进一步帮助客户选择适合高应力环境的材料。

【应用】带MDIO接口的超大RAM MCU RZ/T1-M用于200G/400G光模块，高达450Mhz的主频、零延迟

​在高速光模块200G/400G的应用中，需要主控MCU集成资源包含MDIO接口、足够的RAM空间＆GPIO并且封装小，RENESAS推出的RZ/T1-M包含了以上的所有资源。在200G的相干光模块的应用中，采用56G x 4通道的方式实现，RZ/T1-M自带高速MDIO接口，可以为设计带来便利；在400G的相干光模块中，RZ/T1-M与CDR、LD-Driver、TIA通信，控制整个模块的运行。

【产品】262144字节X8位组成的2-Mbit静态RAM R1LV0208BSA，内存容量为2Mb

Renesas（瑞萨）公司的产品R1LV0208BSA 系列是由262144字节X8位组成的2-Mbit静态RAM系列，采用瑞萨的高性能0.15um CMOS和TFT 技术制造。R1LV0208BSA 系列实现了更高的密度，更高的性能和低功耗。R1LV0208BSA 系列适用于以简单接口、电池操作和电池备用为重要设计目标的内存应用程序。 它采用32引脚sTSOP封装。

Digilent Electronics Explorer Connectors and Breadboards schematic

【产品】低功耗4 Mbit LPSRAM静态RAM，适用于助力备用电池系统

RMLV0414E系列是由Renesas的高性能先进的LPSRAM技术制作的4 Mbit静态RAM系列，由262,144-word × 16-bit组成。RMLV0414E系列实现了高密度、高性能、低功耗的功能。该系列还具有低待机功耗，可用于备用电池系统等领域。

【产品】低待机功耗的64Mbit静态RAM RMWV6416A系列，适用于备用电池系统

Renesas（瑞萨）公司的产品RMWV6416A系列是64Mbit静态RAM系列，由4194,304字×16位组成，由瑞萨的高性能Advanced LPSRAM技术制造。RMWV6416A系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。该RAM具有低待机功耗； 因此，它适用于备用电池系统。

【经验】分配好RAM空间，助你更好的使用瑞萨RL78系列16位MCU的自编程库

瑞萨低功耗高集成的RL78系列16位MCU芯片，同样支持自编程功能，并提供了自编程软件库，以方便工程师通过调用自编程函数来实现。本文针对在使用瑞萨RL78的自编程库时出现的RAM空间占用问题进行解答。

【经验】瑞萨RL78/G13 16位MCU有关RAM奇偶校验失败导致复位的问题分析

关于瑞萨RL78/G13系列16位MCU的RAM奇偶校验失败导致复位的问题 目前市场上MCU在各行各业中广泛应用，也出现过很多现象与问题。本文通过实例，阐述了项目开发使用了瑞萨RL78/G13系列芯片，出现奇偶检验失败导致复位的问题，希望对大家使用MCU时遇到此类问题提供参考。